CN105653296A - 电子设备唤醒系统 - Google Patents

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Abstract

一种电子设备唤醒系统，用以唤醒处于休眠状态的一电子设备，包括一感应电路、一放大电路、一开关电路及一南桥芯片，所述感应电路感应外界的温度变化，所述感应电路将感应到的温度变化转换为微弱的电压信号并放大后输出，所述放大电路接收放大后的电压信号，并将放大后的电压信号再次放大后输出，所述开关电路接收再次放大后的电压信号，并根据接收到的再次放大后的电压信号输出一唤醒信号给所述南桥芯片，所述南桥芯片根据接收到的唤醒信号唤醒电子设备。

Description

电子设备唤醒系统
技术领域
本发明涉及一种电子设备唤醒系统。
背景技术
传统的个人电脑在一段时间不使用之后会进入休眠状态，当需要再次使用时需要使用鼠标或者键盘将电脑唤醒，使得电脑由休眠状态重新回到工作状态。传统的唤醒方式需要手动操作，费时费力且使用不方便。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种可自动唤醒电子设备的电子设备唤醒系统。
一种电子设备唤醒系统，用以唤醒处于休眠状态的一电子设备，包括一感应电路、一放大电路、一开关电路及一南桥芯片，所述感应电路感应外界的温度变化，所述感应电路将感应到的温度变化转换为微弱的电压信号并放大后输出，所述放大电路接收放大后的电压信号，并将放大后的电压信号再次放大后输出，所述开关电路接收再次放大后的电压信号，并根据接收到的再次放大后的电压信号输出一唤醒信号给所述南桥芯片，所述南桥芯片根据接收到的唤醒信号唤醒电子设备。
与现有技术相比，在上述电子设备唤醒系统中，所述开关电路接收再次放大后的电压信号，并根据接收到的再次放大后的电压信号输出一唤醒信号给所述南桥芯片，所述南桥芯片根据接收到的唤醒信号唤醒电子设备，使得电子设备在使用者靠近时可从休眠状态自动唤醒。
附图说明
图1是本发明电子设备唤醒系统的一较佳实施方式的框图。
图2是图1中电子设备唤醒系统的电路图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，在本发明的一较佳实施方式中，一电子设备唤醒系统包括一感应电路100、一放大电路200、一开关电路300及一南桥芯片400。
请参阅图2，所述感应电路100包括一感测器110、一第一电阻R1、一第二电阻R2及一电容C。所述感测器110包括一栅极、一源极及一漏极。所述感测器110的栅极接地。所述感测器110的源极经由所述第一电阻R1接地。所述感测器110的漏极经由所述第二电阻R2接收一+5V的第一直流电压。所述感测器110的漏极经由所述电容C接地。其中，所述感测器110为一热释电红外感测器。
所述放大电路200包括一运算放大器210、一第三电阻R3、一第四电阻R4及一第五电阻R5。所述运算放大器210的同相输入端经由所述第三电阻R3电性连接所述感测器110的源极。所述运算放大器210的反相输入端经由所述第四电阻R4接地。所述运算放大器210的反相输入端经由所述第五电阻R5电性连接所述运算放大器210的输出端。所述运算放大器210的电源端接收所述+5V的第一直流电压。所述运算放大器210的接地端接地。
所述开关电路300包括一场效应晶体管Q、一第六电阻R6及一第七电阻R7。所述场效应晶体管Q的栅极电性连接所述运算放大器210的输出端。所述场效应晶体管Q的源极接地。所述场效应晶体管Q的漏极经由所述第六电阻R6电性连接所述南桥芯片400的一唤醒输入端。所述南桥芯片400的唤醒输入端经由所述第七电阻R7接收一+3.3V的第二直流电压。其中，所述场效应晶体管Q为一N沟道场效应晶体管。
工作时，当使用者靠近处于休眠状态的电子设备时，所述感测器110感应使用者的温度变化。所述感测器110将接收到的温度变化转换为微弱的电压信号并放大后输出。所述运算放大器210的同相输入端接收放大后的电压信号，并将放大后的电压信号再次放大后输出。所述场效应晶体管Q的栅极接收再次放大后的电压信号，并根据接收到的再次放大后的电压信号导通。所述场效应晶体管Q的漏极输出一低电位的唤醒信号给所述南桥芯片400的唤醒输入端。所述南桥芯片400唤醒电子设备。
其中，所述运算放大器210的放大倍数和所述场效应晶体管Q的导通电压可根据实际所需的唤醒距离进行设置。所述放大倍数和导通电压可设置为当使用者和电子设备之间的距离小于一临界距离，而使得所述感测器110感应到的温度变化大于一临界值时，所述场效应晶体管Q才导通并输出所述低电位的唤醒信号给所述南桥芯片400。此时所述南桥芯片400唤醒电子设备。

Claims (9)

1.一种电子设备唤醒系统，用以唤醒处于休眠状态的一电子设备，包括一感应电路、一放大电路、一开关电路及一南桥芯片，其特征在于：所述感应电路感应外界的温度变化，所述感应电路将感应到的温度变化转换为微弱的电压信号并放大后输出，所述放大电路接收放大后的电压信号，并将放大后的电压信号再次放大后输出，所述开关电路接收再次放大后的电压信号，并根据接收到的再次放大后的电压信号输出一唤醒信号给所述南桥芯片，所述南桥芯片根据接收到的唤醒信号唤醒电子设备。
2.如权利要求1所述的电子设备唤醒系统，其特征在于：所述感应电路包括一感测器、一第一电阻、一第二电阻及一电容，所述感测器包括一栅极、一源极及一漏极，所述感测器的栅极接地，所述感测器的源极经由所述第一电阻接地，所述感测器的漏极经由所述第二电阻接收一第一直流电压，所述感测器的漏极经由所述电容接地。
3.如权利要求2所述的电子设备唤醒系统，其特征在于：所述感测器为一热释电红外感测器，所述第一直流电压的大小为+5V。
4.如权利要求2所述的电子设备唤醒系统，其特征在于：所述放大电路包括一运算放大器、一第三电阻、一第四电阻及一第五电阻，所述运算放大器的同相输入端经由所述第三电阻电性连接所述感测器的源极，所述运算放大器的反相输入端经由所述第四电阻接地，所述运算放大器的反相输入端经由所述第五电阻电性连接所述运算放大器的输出端，所述运算放大器的电源端接收所述第一直流电压，所述运算放大器的接地端接地。
5.如权利要求4所述的电子设备唤醒系统，其特征在于：所述开关电路包括一场效应晶体管、一第六电阻及一第七电阻，所述场效应晶体管的栅极电性连接所述运算放大器的输出端，所述场效应晶体管的源极接地，所述场效应晶体管的漏极经由所述第六电阻电性连接所述南桥芯片的一唤醒输入端，所述南桥芯片的唤醒输入端经由所述第七电阻接收一第二直流电压。
6.如权利要求5所述的电子设备唤醒系统，其特征在于：所述场效应晶体管为一N沟道场效应晶体管，所述第二直流电压的大小为+3.3V。
7.如权利要求5所述的电子设备唤醒系统，其特征在于：所述场效应晶体管的栅极接收再次放大后的电压信号，并根据接收到的再次放大后的电压信号导通，所述场效应晶体管的漏极输出所述唤醒信号给所述南桥芯片的唤醒输入端，所述南桥芯片根据接收到的唤醒信号唤醒电子设备。
8.如权利要求7所述的电子设备供电报警系统，其特征在于：所述唤醒信号为一低电位的唤醒信号。
9.如权利要求7所述的电子设备供电报警系统，其特征在于：当所述感测器感测并接收到的红外辐射大于一临界值时，所述场效应晶体管导通并输出所述低电位的唤醒信号给所述南桥芯片，所述南桥芯片唤醒电子设备。
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