CN105637362B - 具有交叉敏感度的传感器 - Google Patents
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Abstract
一种装置包括:包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度。第一传感器对第一和第二参数中的一个参数的敏感度可以通过将第一和第二参数中的另一参数保持为常量而被控制。该装置可以包括对第一参数和第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器。第一参数可以是形变并且第二参数可以是气态分析物的浓度,例如湿度。第二传感器可以包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种装置和方法。具体而言,这些实施例涉及使用该装置和方法进行感测。
背景技术
为了处理表示真实世界参数的数据,需要感测该参数并将所感测的值转换为数据。
因此需要改进的传感器。
发明内容
根据本发明的各种但不一定是所有的实施例,提供了一种装置,包括:包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度;以及对第一参数和第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器。
根据本发明的各种但不一定是所有的实施例,提供了一种方法,包括:处理来自包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器的输出,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度;并且处理来自对第一参数和第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器的输出。
根据本发明的各种但不一定是所有的实施例,提供了一种装置,包括:包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度,其中第一参数是形变并且第二参数是气态分析物的浓度;以及对第一参数和第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器。
根据本发明的各种但不一定是所有的实施例,提供了一种方法,包括:处理来自包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器的输出,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度,其中第一参数是形变并且第二参数是气态分析物的浓度;并且处理来自对第一参数和第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器的输出。
根据本发明的各种但不一定是所有的实施例,提供了一种装置,包括:至少一个处理器;以及包括计算机程序代码的至少一个存储器,该至少一个存储器和计算机程序代码被配置为与至少一个处理器一起使得该=装置至少执行:
处理来自包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器的输出,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度,其中第一参数是形变并且第二参数是气态分析物的浓度;并且
处理来自对第一参数和第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器的输出。
根据本发明的各种但不一定是所有的实施例,提供了一种装置,包括:包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度;并且其中第一传感器对第一和第二参数中的一个参数的敏感度通过将第一和第二参数中的另一参数保持为常量而被控制。
根据本发明的各种但不一定是所有的实施例,提供了一种方法,包括:处理来自包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器的输出,其中对第一参数的敏感度改变对第二参数的敏感度;其中第一传感器对第一和第二参数中的一个参数的敏感度通过将第一和第二参数中的另一参数保持为常量而被控制。
附图说明
为了更好地理解对于理解简要描述有用的各个示例,现在将只是通过示例的方式来参考附图,在附图中:
图1示出了被配置为检测第一参数p1和/或第二参数p2的装置的示例;
图2A至2D示出了从装置到处理电路的不同输出的示例;
图3示出了包括一个或多个传感器的装置的示例;
图4示出了装置中的传感材料的示例的截面。
图5A和5B示出了其中第一传感器对第一和第二参数中的一个参数的敏感度通过将第一和第二参数中的另一参数第一参数是形变为常量而被控制;
图6描绘了来自装置的输出随形变和气态分析物的浓度的变化;
图7示出了包括处理器和存储器的处理电路的示例;以及
图8示出了包括温度补偿电路的装置。
具体实施方式
图1示出了装置10的示例。装置10被配置为检测第一参数p1和/或第二参数p2,并且可以被称为传感器装置10(未被使用时)和感测装置10(正在使用时)。
装置10可以是包括处理电路2的更大型装置的一部分。
装置10包括第一传感器20和第二传感器30。
第一传感器20包括对第一参数p1和第二参数(p2)敏感的传感材料(sensingmaterial)22。传感材料22对第一参数p1的敏感度改变传感材料22对第二参数的敏感度。
第二传感器30对第一参数p1和第二参数p2中的至少一个敏感。
第一传感器20对第一参数p1的敏感度与第二传感器30对第一参数p1的敏感度不同,并且/或者第一传感器20对第二参数p2的敏感度与第二传感器30对第二参数p2的敏感度不同。
在一些示例但不一定是所有示例中,第一参数p1可以是装置10的形变(D)并且第二参数p2可以是装置10处的气态分析物(gaseous analyte)的浓度。
气态分析物可以是水。第二参数p2则可以是相对湿度(relative humidity,RH)。
装置10可以结合其它气态分析物被使用,例如NH3、NO2、Cl2以及包括甲醇和乙醇的有机溶剂。
形变(D)可以例如是拉伸(stretching)形变(deformation)和/或弯曲(bending)形变和/或扭曲(twisting)形变。
在一些示例但不一定是所有示例中,第二传感器30可以包括对第一参数p1和第二参数p2敏感的传感材料22。
图6示出了传感材料22的敏感度可以怎样随形变和/或气态分析物的浓度(在该示例中是相对湿度)变化的示例。y轴表示传感器输出值并且x轴表示气态分析物的浓度(相对湿度)。第一组散点图是当传感材料22为扁平状态时在映射所测量的输出与变化的相对湿度的关系的图中被做出的。第二组散点图是当传感材料22变形(弯曲)时在映射所测量的输出与变化的相对湿度的关系的图中被做出的。
很明显传感材料22的输出响应取决于传感材料22处的相对湿度和传感材料22的形变两者。当传感材料22变形时,输出相对于湿度的变化(对湿度的敏感度)发生改变。当传感材料22被暴露于不同的相对湿度下时,输出相对于形变的变化(对形变的敏感度)发生改变。
类似的散点图可以针对其它气态分析物被得到,例如之前所描述的那些气态分析物。
图1还示出了处理电路2。处理电路2被配置为处理来自第一传感器20的输出21并且处理来自第二传感器30的输出31并确定针对第一参数p1的值和/或针对第二参数p2的值。
处理电路2可以使用来自第一传感器20的输出21和来自第二传感器30的输出31来从数据库查找针对第一参数p1和第二参数p2的值。
图7示出了包括处理器4和存储器6的处理电路2的一个示例。
处理器4被配置为从存储器6读取以及向存储器6写入。处理器4还可以包括输出接口和输入接口,数据和/或命令通过输出接口被处理器4输出,数据和/或命令通过输入接口被输入到处理器4中。
存储器6存储包括计算机程序指令(计算机程序代码)的计算机程序5,该计算机程序指令在被载入处理器4时控制处理电路2的操作。计算机程序5的计算机程序指令提供使得装置能够执行图2A至2D中所示的方法中的一个或多个方法的逻辑和例程。处理器4通过读取存储器6能够载入并执行计算机程序5。
该装置因此包括:至少一个处理器4;以及包括计算机程序代码5的至少一个存储器6,该至少一个存储器6和计算机程序代码5被配置为与至少一个处理器4一起使得装置10至少执行以下操作:
处理来自第一传感器20的输出21,第一传感器20包括对第一参数p1和第二参数p2敏感的传感材料22,其中对第一参数p1的敏感度改变对第二参数p2的敏感度;以及
处理来自对第一参数p1和第二参数p2中的至少一个敏感的第二传感器30的输出22。
这个处理确定针对第一参数p1的值和/或针对第二参数p2的值。
该处理可以使用来自第一传感器20的输出21和来自第二传感器30的输出31来从被存储在存储器6或者其它地方的数据库7查找针对第一参数p1和第二参数p2的值。
在一些示例但不一定是所有示例中,第一传感器20对第一参数p1的敏感度与第二传感器30对第一参数p1的敏感度不同。
在一些示例但不一定是所有示例中,第一参数p1是形变并且第二参数p2是气态分析物的浓度。
在一些示例但不一定是所有示例中,第二传感器20可以包括对第一参数p1和第二参数p2敏感的传感材料22。
图2A至2D示出了从装置10到处理电路2的不同输出21,31的示例。
在这些示例中的每个示例中,对于第二参数p2的一组值,第一传感器20对第一参数p1的敏感度与第二传感器30对第一参数p1的敏感度不同,并且/或者对于第一参数的一个范围的(a range of)值,第一传感器20对第二参数p2的敏感度与第二传感器30对第二参数p2的敏感度不同。
这个敏感度的差异产生对处理电路2的差分输入,该差分输入由来自第一和第二传感器20,30的一对输出21,31构成。该差分输入反映第一参数p1和/或第二参数p2。
在图2A中,第一传感器20被配置为对第一和第二参数中的一个参数敏感而不是第一和第二参数中的另一参数敏感。第二传感器30被配置为对第一和第二参数中的另一参数敏感而不是第一和第二参数中的该一个参数敏感。
来自第一传感器20的输出s1因此在该示例中只取决于第一参数p1。来自第二传感器30的输出s2因此在该示例中只取决于第二参数p2。
在图2B和图2C中,第一传感器20被配置为对第一和第二参数p1,p2两者都敏感并且第二传感器30被配置为对第一和第二参数p1,p2中的仅一个参数敏感。
在图2B的示例中,来自第一传感器20的输出s1取决于第一参数p1和第二参数p2。来自第二传感器30的输出s2只取决于第二参数p2。
在图2C的示例中,来自第一传感器20的输出s1取决于第一参数p1和第二参数p2。来自第二传感器30的输出s2只取决于第一参数p1。
在图2D中,第一传感器20被配置为对第一和第二参数p1,p2两者都敏感,而第二传感器30被配置为按与第一传感器20不同的方式对第一和第二参数p1,p2敏感。
图3示出了包括一个或多个传感器62的装置10的示例。为了清楚起见,只有一个传感器62被示出。这个传感器可以是第一传感器20或第二传感器30。
传感器62包括被柔性基板50支撑的传感材料22。一对电极52被电连接到传感材料22。
柔性基板50可以由诸如聚萘二甲酸(PEN)或聚对苯二甲酸乙酯(PET)或柔性玻璃之类的聚乙烯聚合物形成。
传感材料22可以通过滴铸、喷涂、旋涂、喷墨印刷或丝网印刷来形成。
电极52可以被置于传感材料22的上表面上以使得传感材料22被置于电极52与柔性基板50之间。
或者,电极52可以被置于柔性基板的上表面上以使得电极52被置于传感材料22与柔性基板50之间。电极52可以被沉积在基板50上(例如通过丝网印刷或喷墨印刷),之后再在上面沉积传感材料22。
电极52可以是印刷有银(Ag)的电极。
传感材料22对第一参数p1和第二参数(p2)敏感。传感材料对第一参数p1的敏感度改变传感材料22对第二参数的敏感度。
在该示例中,第一参数p1是装置10的形变(D)并且第二参数是装置10处的气态分析物的浓度。
如图4中所示,在一些但不一定是所有示例中,传感材料22可以包括具有相同材料的二维层42的堆叠(stack)40。每个二维层42具有小于100nm或1000nm的厚度。被堆叠的2D层42之间的隔离足以允许气态分析物在2D层42之间的扩散。
合适的传感材料22的示例包括石墨烯(grapheme)、石墨烯氧化物(grapheneoxide)、还原的石墨烯氧化物(reduced graphene oxide)、官能化的石墨烯(functionalised graphene)、硼氮化物(boron nitride)和过渡金属硫族化物(transition metal dichalcogenides),例如,二硫化物(disulphides),例如,二硫化钼(MoS2)。
每个传感材料22针对不同的气态分析物是最优的(optimal)。
二硫化钼(MoS2)可以被用于感测三乙胺。
石墨烯可以被用于感测二氧化氮(NO2)、氨(NH3)或二氧化碳(CO2)。
石墨烯氧化物可以被用于感测湿度。
在一些但不一定是所有示例中,传感材料22包括官能团(functional group)——例如羟基(hydroxyl)、环氧基(epoxy)、羧基(carboxyl groups)——该官能团可以在存在水或其它气态分析物的情况下提供氢离子(质子)。这在存在水蒸气(湿度)或其它气态分析物的情况下减小传感材料22的电阻。
传感材料22可以针对气态分析物呈现强阳电性或强阴电性。气态分析物则将贡献电子(传感材料22为阳电性)或提取电子(传感材料22为阴电性),导致电子属性的变化,例如导电性。
在一些但不一定是所有示例中,传感材料22对气态分析物的敏感度可以通过控制堆叠40中的多个层42而被选择性地控制。例如,薄的传感材料22膜可以小于1000nm并且对湿度敏感,而厚的传感材料22膜可以大于2000nm并且对湿度更敏感。
在一些但不一定是所有示例中,传感材料22对气态分析物和/或形变的敏感度可以通过使用不同的传感材料22而被选择性地控制。例如,第一传感器20可以使用石墨烯氧化物作为传感材料22并且第二传感器30可以使用石墨烯氧化物作为传感材料22,但是第一和/或第二传感器的敏感度可以通过在第一和第二传感器中使用不同种类(species)的传感材料22或相同种类的传感材料22的不同变体(variant)而被区别地控制。例如,第一和第二传感器中的一个传感器的传感材料22可以包括第一和第二传感器中的另一传感器的传感材料22所没有的一个或多个官能团。
图5A和5B示出了其中传感器62对第一和第二参数p1,p2中的一个参数的敏感度通过将第一和第二参数中的另一参数保持为常量而被控制的示例。附加结构60被设置在传感器62处以将第一和第二参数中的一个参数保持为常量。附加结构60阻断(block)与该参数相关联的变化。为了清楚起见,只有一个传感器62被示出。这可以是第一传感器20或第二传感器30。
在图5A的示例中,传感器62对第一参数(传感器62的形变)的敏感度被选择性地控制,而传感器62对第二参数(传感器62处的气态分析物的浓度)的敏感度没有被选择性地控制。这通过以下方式将传感器62的形变保持为恒定值而被实现,该方式为物理上附着(attach)非柔性涂层64,该涂层提供将传感材料22的运动限制为固定形变或没有形变的物理结构。该形变(或者没有形变)因此为恒定的并且被坚硬(stiff)涂层64锁定。
在一些但不一定是所有示例中,涂层64可以是可渗透的以允许气态分析物(例如水蒸气)进入并到达传感材料22。
在图5B的示例中,传感器62对第二参数(传感器62处的气态分析物的浓度)的敏感度被选择性地控制,而传感器62对第二参数(传感器62的形变)的敏感度没有被选择性地控制。这通过以下方式将传感器62处的气态分析物的浓度保持为恒定值而被实现,该方式为使用涂层66密封传感器62,该涂层提供将传感材料22密封在固定浓度的气态分析物(例如固定湿度)下并阻止气态分析物的进出的物理结构。气态分析物的浓度因此为恒定的并且被不可渗透涂层66锁定(lock)。
在一些但不一定是所有示例中,涂层64可以是柔性的并且是未附着于传感材料22上的,以使得在不可渗透涂层66与传感材料22之间存在间隔或空间68。这允许传感材料22发生形变。
图8示出了包括温度补偿电路70的装置10。温度补偿电路70包括惠斯登电桥布置(Wheatstone bridge arrangement)。在惠斯登电桥布置中,第一组电阻器R1,R3被连接在第一节点71与第二节点72之间并且第二组电阻器R2,R4与第一组电阻器按电并联被连接在第一节点71与第二节点72之间。
第一组电阻器中的电阻R1被连接在第一节点71与第三节点73之间。第一组电阻器中的电阻R3被连接在第三节点73与第二节点72之间。
第二组电阻器中的电阻R2被连接在第一节点71与第四节点74之间。第二组电阻器中的电阻R4被连接在第四节点74与第二节点72之间。
输入电压Vin被应用于第一节点71与第二节点之间。
输出电压Vout在第三节点73与第四节点74之间被获取。
当电桥平衡时,R1/R3=R2/R4。
电阻器R1,R2,R3,R4中的一个或多个电阻器可以由第一传感器20提供。
在一些但不一定是所有示例中,剩余电阻器R1,R2,R3,R4中的一个或多个电阻器可以由第二传感器30提供。
第一和/或第二参数的存在导致电阻的改变和电桥的不平衡。
使用第一传感器20作为电阻器R1和使用第二传感器30作为电阻器R2可以提供温度补偿。
惠斯登电桥(半桥或全桥)的配置可以针对一个传感器被实现用于温度补偿,或者针对传感器单元分别(单独)地被实现,其中传感器具有不同的(可渗透的、不可渗透的)传感器配置。当设备变形时,温度补偿可以应用。
传感器变形时可能需要温度补偿。在一个特定配置中,当材料(例如石墨烯氧化物)被涂覆有可渗透涂层并且类似的设备不可渗透涂层时,两个传感器可能需要温度补偿惠斯登电桥配置。
如果一个设备独自(单独/分别)被使用,则温度补偿惠斯登电桥配置也可能是需要的。
对于温度补偿,传感器可能需要半桥或全桥电路补偿。
再回去参考图7,计算机程序5可以经由任何合适的传送机制到达处理电路2。该传送机制可以是例如非瞬态计算机可读存储介质、计算机程序产品、存储器设备、诸如紧致磁盘只读存储器或数字通用盘(DVD)之类的记录介质、有形地具体化计算机程序5的制品。该传送机制可以是被配置为可靠地传送计算机程序5的信号。在一些示例中,处理电路2可以将计算机程序5作为计算机数据信号进行传播或传送。
虽然存储器6被显示为单个组件,但是该存储器可以被实现为一个或多个分离的组件,这些组件中的一些或全部可以被集成/可移除并且/或者可以提供永久性/半永久性/动态/缓存存储装置。
虽然处理器4被显示为单个组件,但是该处理器可以被实现为一个或多个分离的组件,这些组件中的一些或全部可以被集成/可移除。
对‘计算机可读存储介质’、‘计算机程序产品’、‘被有形地具体化的计算机程序’等或者‘控制器’、‘计算机’、‘处理器’等的引用应当被理解为不仅包括具有诸如单/多处理器体系结构和顺序(Von Neumann)/并行体系结构之类的不同体系结构的计算机,还包括诸如现场可编程门阵列(FPGA)、专用电路(ASIC)、信号处理设备和其它处理电路之类的专用电路。对计算机程序、指令、代码等的引用应当被理解为包括用于可编程处理器的软件或者诸如硬件设备的可编程内容之类的固件,不管是用于处理器的指令还是用于固定功能设备、门阵列或可编程逻辑设备等的配置设置。
如本申请中所使用的,术语‘电路’指以下所有项:
(a)只有硬件的电路实现方式(例如只用模拟和/或数字电路的实现方式)以及
(b)电路和软件(和/或固件)的组合,例如(可应用的):(i)处理器的组合或(ii)一起工作以使得诸如移动电话或服务器之类的设备执行各种功能的处理器/软件(包括数字信号处理器)、软件和存储器的多个部分以及
(c)电路,例如需要软件或固件来操作的微处理器或微处理器的一部分,即使软件或固件不是物理上存在的。
‘电路’(circuitry)的这个定义适用于本申请中(包括任何权利要求中)对这个术语的所有使用。作为另一示例,如本申请中所使用的,术语‘电路’还涵盖只有处理器(或者多个处理器)或者处理器的一部分及其(或者它们的)伴随软件和/或固件的实现方式。术语‘电路’还涵盖(例如应用于特定的权利要求项)基带集成电路或者用于移动电话的应用处理器集成电路或者服务器、蜂窝网络设备或者其它网络设备中的类似的集成电路。
这里所使用的‘模块’指排除将由端制造商或用户添加的特定部件/组件的单元或装置。装置10可以是用于合并到另一装置中的模块。
术语‘包括’在本文档中按包容性而非排他性的意思被使用。就是说任何对X包括Y的引用都指X可以只包括一个Y或者可以不止包括一个Y。如果想要按排他性的意思使用‘包括’,则在上下文中将清楚地使用“只包括一个…”或者使用“由…构成”。
在该简要描述中,已参考了各种示例。对与示例有关的特征或功能的描述指那些特征或功能存在于该示例中,文本中对术语‘示例’或‘例如’或‘可以’的使用不管明示与否都指这样的特征或功能至少存在于所描述的示例中,不管是否被描述为示例,并且它们可以但不一定存在于一些示例或所有其它示例中。因而‘示例’、‘例如’或者‘可以’指一类示例中的特定实例。实例的属性可以是仅仅那个实例的属性或者类别的属性或者类别的(包括类别中的一些实例而不是所有实例的)子类别的属性。
虽然本发明的实施例已在前面的段落中参考各种示例被描述过,但是应当理解对所给出的示例的修改可以在不脱离所要求保护的本发明的范围的情况下被做出。
之前的描述中所描述的特征可以按不同于明确描述的组合的组合方式被使用。
虽然各种功能已参考特定特征被描述过,但是那些功能可以通过被描述过或未被描述过的其它特征来实现。
虽然各种特征已参考特定实施例被描述过,但是那些特征也可以存在于被描述过或未被描述过的其它实施例中。
虽然在前面的说明书中努力关注那些被认为特别重要的本发明的特征,但是应当理解申请人要求保护这里之前所提到的和/或附图中所显示的任何可专利的特征或特征的组合,不管是否有对这些特征或特征的组合进行特别强调。
Claims (46)
1.一种用于感测的装置,包括:
第一传感器,所述第一传感器包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料,其中对所述第一参数的敏感度改变对所述第二参数的敏感度;以及
第二传感器,所述第二传感器对所述第一参数和所述第二参数中的至少一个参数敏感,
其中来自所述第一传感器和所述第二传感器的输出向处理电路提供输入,以确定针对所述第一参数和/或所述第二参数的值。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一参数是形变并且所述第二参数是气态分析物的浓度。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第二参数是湿度。
4.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第二传感器包括对所述第一参数和所述第二参数敏感的所述传感材料。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述第一传感器对所述第一参数的敏感度与所述第二传感器对所述第一参数的敏感度不同。
6.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器和所述第二传感器中的所述传感材料包括石墨烯氧化物,但是所述第一传感器和所述第二传感器中的一个传感器的材料包括所述第一传感器和所述第二传感器中的另一传感器的材料所没有的一个或多个官能团。
7.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述传感材料包括从包括以下各项的组选择的材料:石墨烯氧化物、石墨烯、官能化的石墨烯、氮化硼、过渡金属硫族化物。
8.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述传感材料包括相同材料的二维层的堆叠。
9.根据权利要求8所述的装置,其中每个二维层具有小于1000nm的厚度。
10.根据权利要求1或2所述的装置,其中针对所述第二参数的一个范围的值,所述第一传感器对所述第一参数的敏感度与所述第二传感器对所述第一参数的敏感度不同。
11.根据权利要求1或2所述的装置,其中针对所述第一参数的一个范围的值,所述第一传感器对所述第二参数的敏感度与所述第二传感器对所述第二参数的敏感度不同。
12.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器被配置为对所述第一参数和所述第二参数中的一个参数而不是所述第一参数和所述第二参数中的另一参数敏感。
13.根据权利要求12所述的装置,其中所述第二传感器被配置为对所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数而不是所述第一参数和第二参数中的所述一个参数敏感。
14.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器被配置为对所述第一参数和所述第二参数两者敏感并且所述第二传感器被配置为对所述第一参数和所述第二参数中的仅一个参数敏感。
15.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器被配置为对所述第一参数和所述第二参数两者敏感并且所述第二传感器被配置为按与所述第一传感器不同的方式对所述第一参数和所述第二参数两者敏感。
16.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器对所述第一参数的敏感度被选择性地控制。
17.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第二传感器对所述第二参数的敏感度被选择性地控制。
18.根据权利要求1或2所述的装置,其中传感器的敏感度通过向所述传感器提供附加结构而被选择性地控制。
19.根据权利要求1或2所述的装置,其中传感器的敏感度通过提供结构以阻断所述第一参数或所述第二参数中的一个参数而被选择性地控制。
20.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器和/或所述第二传感器的敏感度通过使用能够渗透的物理附着的涂层选择性地抑制对形变的敏感度而不抑制对气态分析物进入的敏感度来被选择性地控制。
21.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器和/或所述第二传感器的敏感度通过使用未附着的不可渗透涂层选择性地抑制对气态分析物进入的敏感度而不抑制对形变的敏感度来被选择性地控制。
22.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器和/或所述第二传感器的敏感度通过使用密封来保持恒定的气态分析物浓度而被选择性地控制。
23.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器和/或所述第二传感器的敏感度通过保持恒定的形变而被选择性地控制。
24.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器和/或所述第二传感器的敏感度通过在所述第一传感器和所述第二传感器中使用不同厚度的传感材料而被区别地控制。
25.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一传感器和/或所述第二传感器的敏感度通过在所述第一传感器和所述第二传感器中使用不同的传感材料而被区别地控制。
26.根据权利要求1或2所述的装置,包括柔性基板。
27.根据权利要求1或2所述的装置,包括能够通过拉伸形变和/或弯曲形变和/或扭曲形变而发生形变的基板。
28.根据权利要求1或2所述的装置,包括温度补偿电路。
29.根据权利要求28所述的装置,其中所述温度补偿电路包括惠斯登电桥布置,所述惠斯登电桥布置包括作为被耦合到相同节点并且电并联地被布置的阻抗的所述第一传感器和所述第二传感器。
30.一种用于感测的方法,包括:
处理来自包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器的输出,其中对所述第一参数的敏感度改变对所述第二参数的敏感度;以及
处理来自对所述第一参数和所述第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器的输出,
其中来自所述第一传感器和所述第二传感器的所述输出向处理电路提供输入,以确定针对所述第一参数和/或所述第二参数的值。
31.根据权利要求30所述的方法,其中所述第一参数是形变并且所述第二参数是气态分析物的浓度。
32.根据权利要求30或31所述的方法,其中所述第二传感器包括对所述第一参数和所述第二参数敏感的所述传感材料。
33.根据权利要求32所述的方法,其中所述第一传感器对所述第一参数的敏感度与所述第二传感器对所述第一参数的敏感度不同。
34.根据权利要求30或31所述的方法,包括:
处理来自所述第一传感器的输出和来自所述第二传感器的输出以确定针对所述第一参数的值和针对所述第二参数的值。
35.根据权利要求34所述的方法,包括使用来自所述第一传感器的输出和来自所述第二传感器的输出来从数据库查找针对所述第一参数的值和针对所述第二参数的值。
36.一种用于感测的设备,包括:
用于处理来自包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器的输出的装置,其中对所述第一参数的敏感度改变对所述第二参数的敏感度;以及
用于处理来自对所述第一参数和所述第二参数中的至少一个参数敏感的第二传感器的输出的装置,
其中来自所述第一传感器和所述第二传感器的所述输出向处理电路提供输入,以确定针对所述第一参数和/或所述第二参数的值。
37.一种用于感测的装置,包括:
至少一个处理器;以及
包括计算机程序代码的至少一个存储器,
所述至少一个存储器和所述计算机程序代码被配置为与所述至少一个处理器一起使得所述装置至少执行根据权利要求30至35中任一项所述的方法。
38.一种用于感测的装置,包括:
包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器,其中对所述第一参数的敏感度改变对所述第二参数的敏感度;并且
其中所述第一传感器对所述第一参数和所述第二参数中的一个参数的敏感度通过将所述第一参数和所述第二参数中的另一参数保持为常量而被控制。
39.根据权利要求38所述的装置,其中所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数通过向所述传感器提供附加结构而被保持。
40.根据权利要求38或39所述的装置,其中所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数通过提供附加结构以阻断与所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数相关联的改变而被保持。
41.根据权利要求38或39所述的装置,其中所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数通过使用能够渗透的物理附着的涂层而被保持。
42.根据权利要求38或39所述的装置,其中所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数通过使用未附着的不可渗透涂层而被保持。
43.根据权利要求38或39所述的装置,其中所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数通过使用密封来保持恒定的气态分析物浓度而被保持。
44.根据权利要求38或39所述的装置,其中所述第一参数和所述第二参数中的所述另一参数通过锁定恒定的形变而被保持。
45.根据权利要求38或39所述的装置,包括第二传感器,所述第二传感器包括对所述第一参数和所述第二参数敏感的所述传感材料。
46.一种用于感测的方法,包括:
处理来自包括对第一参数和第二参数敏感的传感材料的第一传感器的输出,其中对所述第一参数的敏感度改变对所述第二参数的敏感度;其中所述第一传感器对所述第一参数和所述第二参数中的一个参数的敏感度通过将所述第一参数和所述第二参数中的另一参数保持为常量而被控制。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9869651B2 (en) * | 2016-04-29 | 2018-01-16 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Enhanced sensitivity of graphene gas sensors using molecular doping |
TWI644800B (zh) * | 2018-01-15 | 2018-12-21 | 國立臺灣師範大學 | 含有二硫化鉬之生物感測晶片以及應用該生物感測晶片之檢測裝置 |
CN110530935B (zh) * | 2019-08-31 | 2020-12-29 | 中国石油大学(华东) | 二硫化钼基气敏传感阵列的构建方法及其在sf6气体分解组分检测中的应用 |
CN113125520B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-08-12 | 重庆大学 | MoS2/PEO湿度传感器、双器件湿度传感装置与湿度检测方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4011745A (en) * | 1974-07-26 | 1977-03-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor sensors |
US5150603A (en) * | 1991-12-13 | 1992-09-29 | Westinghouse Electric Corp. | Hydrocarbon vapor sensor and system |
US6505515B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-01-14 | Sagem Sa | Acceleration detector for a tire of a motor vehicle |
WO2010003625A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | Eth Zurich | Sensor and measurement method using one-dimensional nanostructures |
US8044472B2 (en) * | 2003-03-25 | 2011-10-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Nanotube and graphene semiconductor structures with varying electrical properties |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5195365A (en) * | 1990-08-24 | 1993-03-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for detecting combustion pressure of an internal combustion engine |
US5267467A (en) * | 1992-07-27 | 1993-12-07 | Ford Motor Company | Mass air flow sensor two temperature production line test apparatus |
US6202471B1 (en) * | 1997-10-10 | 2001-03-20 | Nanomaterials Research Corporation | Low-cost multilaminate sensors |
US6721649B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-04-13 | Oasis Emission Consultants Inc. | Engine emission analyzer |
JP3898174B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-03-28 | 本田技研工業株式会社 | 水素検出装置 |
US7694346B2 (en) * | 2004-10-01 | 2010-04-06 | Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education On Behalf Of The University Of Nevada | Cantilevered probe detector with piezoelectric element |
CN101183085B (zh) * | 2006-11-14 | 2010-08-25 | 财团法人工业技术研究院 | 电阻式微桥湿度感测结构及其制造方法 |
US20110138882A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor gas sensor having low power consumption |
US20110160560A1 (en) * | 2009-12-29 | 2011-06-30 | Stone Robert T | Pressure sensor apparatus, system and method |
US9080928B2 (en) * | 2013-01-11 | 2015-07-14 | Nokia Technologies Oy | Apparatus and associated methods |
KR20140118285A (ko) * | 2013-03-28 | 2014-10-08 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 환원된 그래핀 산화물을 이용한 변형 감지 소자 및 그 제조 방법 |
-
2013
- 2013-08-28 GB GB1315249.1A patent/GB2517701A/en not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-08-28 US US14/471,196 patent/US20150059471A1/en not_active Abandoned
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- 2014-08-28 EP EP14784520.0A patent/EP3039420A2/en not_active Withdrawn
- 2014-08-28 CN CN201480055305.0A patent/CN105637362B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4011745A (en) * | 1974-07-26 | 1977-03-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor sensors |
US5150603A (en) * | 1991-12-13 | 1992-09-29 | Westinghouse Electric Corp. | Hydrocarbon vapor sensor and system |
US6505515B1 (en) * | 1998-12-11 | 2003-01-14 | Sagem Sa | Acceleration detector for a tire of a motor vehicle |
US8044472B2 (en) * | 2003-03-25 | 2011-10-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Nanotube and graphene semiconductor structures with varying electrical properties |
WO2010003625A1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | Eth Zurich | Sensor and measurement method using one-dimensional nanostructures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2517701A (en) | 2015-03-04 |
GB201315249D0 (en) | 2013-10-09 |
US20150059471A1 (en) | 2015-03-05 |
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WO2015028967A2 (en) | 2015-03-05 |
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EP3039420A2 (en) | 2016-07-06 |
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