CN105629047B - 一种闭环电流传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种闭环电流传感器，包括磁路结构和电路结构，磁路结构包括一个具有开口的磁环，电路结构中包括磁敏传感器、补偿电路以及测量模块；电路结构集成为一个芯片，并将该芯片设置于磁环的开口中；将待测导线放入磁环中央，通过测量获得电路结构的输出，对导线进行电流测量；补偿电路具体为：LDO为磁敏传感器和温度传感器提供稳压电源；MUX的多路通道分别与磁敏传感器和温度传感器连接，并将测量到的模拟数据传递至PGA中；PGA对模拟数据进行增益放大处理并经ADC转换为数字数据，将数字数据传递至微处理器中；微处理器利用温度信息对电压值进行修调并输出；测量模块接收补偿电路的输出，利用该补偿电路的输出获得待测导线的电流值。

Description

一种闭环电流传感器
技术领域
本发明属于电流控制领域，具体涉及一种闭环电流传感器。
背景技术
在工业控制领域、新能源领域，电流参数往往是制动系统、能量传输单元的核心参数。如光伏行业中的汇流箱具有汇集并监控多路太阳能面板电流的功能，此时电流传感器成为了汇流箱中的核心传感器；如在交-直-交变频器中直流逆变交流单元中电流控制也需以电流传感器为核心测量单元。随着工业控制的发展，对传感器提出更高的要求：主要包括低成本、小体积、高精度等要求。与此同时这些领域都面临很大的成本压力。
当前电流传感器在各个领域已得到广泛应用，由于受低成本等因素制约，运放的输入偏置电压、输入失调电压、输入失调电流等因素造成了传感器零点误差，除此之外磁敏传感器的桥路不对称性也会增大零点误差；磁敏传感器灵敏度参数不一致性、电路阻值误差等会带来较大的增益误差；温度失调特性、温度漂移等会带来温度误差。在产品批量化生产中，以上几种误差参数严重影响传感器整体精度，导致成品不良。
为了提高传感器整体精度，需要增加传感器零点调整、增益调整、温度漂移修正等功能模块。现有产品设计中，大多采用模拟电路调整的方法进行修调。如采用电位器调节电路参考电压，进而调整减法电路中参数，实现零点调整功能；通过电位器调整运放放大器中比例放大电路中阻值实现增益调整功能；通过较为复杂的温度修正电路实现温度的一次修调。如此修调方法需增加较多外围电路，包括多个运算放大器、多个电位器等；调节工艺较为复杂，需手动调节电阻值；调节性能相对较差，且电位器可靠性比较低，影响系统整体可靠性参数。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种闭环电流传感器，能有效解决闭环电流传感器参数调整的问题。
为了达到上述目的，本发明的技术方案为：包括磁路结构和电路结构，磁路结构包括一个具有开口的磁环，电路结构中包括磁敏传感器、补偿电路以及测量模块；电路结构集成为一个芯片，并将该芯片设置于磁环的开口中；将待测导线放入磁环中央，通过测量获得电路结构的输出，对导线进行电流测量。
补偿电路包括多路复用器MUX、温度传感器TMP、线型稳压器LDO、可编程增益放大器PGA、模拟数字转换器ADC和微处理器。
LDO为磁敏传感器和温度传感器提供稳压电源。
MUX的多路通道分别与磁敏传感器和温度传感器连接，MUX对每一路通道进行分时切换，并将磁敏传感器以及温度传感器的输出模拟数据传递至PGA中。
PGA对模拟数据进行增益放大处理，得到放大后的模拟数据，经ADC转换为数字数据，将数字数据传递至微处理器中。
微处理器利用述数字数据中的温度信息对数字数据中的电压值进行修调，修调之后的电压值Dout做为补偿电路的输出。
测量模块接收补偿电路的输出，利用该补偿电路的输出获得待测导线的电流值。
进一步地，测量模块在微处理器中实现，其中电路结构的输出电压为Dout，PGA的增益为Gv，电流传感器的设计增益为GB，磁敏元件以电压形式输出所测的磁感应强度Gr，其输出电压与所测的磁感应强度的比例系数KB，待测导线的匝数为N，则导线中电流为且由此计算获得Ip。
进一步地，测量模块包括数字模拟转换器DAC、图腾柱、补偿线圈和测量电阻，DAC连接在微处理器的输出端，将修调之后的数字数据转换为模拟信号，输出至图腾柱中，补偿线圈由图腾柱的输出端引出并绕磁环Nc匝，补偿线圈中电流IC通过在外部增加测量电阻进行测量，则导线中电流
进一步地，微处理器中对数字数据进行修调，修调后的数字数据电压为：
OffSet为预设的零点参数，GainAdj为预设的增益修调参数，TcLinear为预设的温度一次修正系数，TcSqr为温度二次修正系数；Dout为微处理器输出的修调之后的电压值，Vout为修调前的电压值，T为由温度传感器采集到的温度值。
进一步地，增益修调参数GainAdj有效数值范围为[16384，65535]，对应增益调整范围为[0.5，2]；设置的零点修调参数OffSet有效数值范围为[0，65535]，对应零点调节范围为[-2048，2047]；温度一次修正系数TcLinear有效数值范围为[-1953，1953]ppm/K；温度二次修正系数TcSqr有效数值范围为[-122，122]ppm/K。
进一步地，磁敏传感器为磁敏元件阵列，阵列中每个磁敏元件均连接至MUX中的一路通道。
进一步地，磁敏元件阵列中包括4个磁敏元件，排布方式为4个磁敏元件的方向首尾相连。
进一步地，还具有控制寄存器，包括MUX选址寄存器、PGA增益寄存器、ADC量程设置寄存器，其中MUX选址寄存器内存储MUX的设置参数，用于控制MUX对每一路通道的分时切换；PGA增益寄存器存储PGA的增益参数，用于对PGA进行增益参数设置；ADC量程设置寄存器存储ADC的输入范围，用于控制ADC的输入参数范围。
有益效果：
1、本发明涉及一种电流传感器，由于增加了补偿电路模块，能够依据磁敏传感器和温度传感器的测量值，对最终的输出结果进行修调，有效地解决了闭环电流传感器参数调整的问题。
2、该电流传感器利用寄存器对各器件的参数进行存储，从而能够方便地对个器件的参数进行设定和调整，并且具有较好的线性度和综合精度。
3、该电流传感器给出了不同的测量模块的实现方式，既可以通过计算获得导线电流，又可以通过实际测量获得导线电流，测量方便，便于实际应用。
附图说明
图1为本电流传感器整体结构图；
图2为电流传感器的磁路结构，包括图2(a)圆形磁芯、图2(b)方形磁芯、图2(c)跑道形磁芯、图2(d)椭圆形磁芯结构；
图3为圆形磁芯的机械参数及磁性能参数；
图4为无气隙及增加气隙后等效磁滞回线；
图5为集成芯片主要电路框图；
图6为芯片内主要控制寄存器、参数设置等；
图7为磁敏传感器以差分对形式组成的磁敏传感器阵列；
图8为本发明中电流传感器零点修正与增益修正，修正后较好地提高了传感器精度。
具体实施方式
下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。
实施例1、本发明所提供的一种闭环电流传感器，如图1所示，包括磁路结构和电路结构，磁路结构包括一个具备开口的磁环。电路结构中包括磁敏传感器和补偿电路；电路结构集成为一个芯片，并将该芯片设置于磁环的开口中；将导线放入磁环中央，通过测量获得电路结构的输出，对导线进行电流测量。图1中为了清楚地描述本发明中的补偿电路，将补偿电路进行了放大。
本实施例中的磁路结构中采用C型开口磁芯方案，如图1所示，待测导线穿过C形开口磁芯(形状不固定)，磁敏传感器放置于磁芯开口内(气隙内)，磁芯可采用图2中a、b、c、d等方式均可实现本发明。如图3所示，以磁芯为例分析其磁路结构，假设其相对磁导率为μr，真空磁导率为μ0，磁芯外径为d1，磁芯内径为d2，气隙高度为δ，计算如下：
不考虑气隙时有效参数计算le为有效磁路长度，Ae为磁环的横截面积：
其中d1为内径，d2为外径；he为磁环宽度。
考虑气隙δ时，lc＝le-δ；
则有气隙时等效磁势计算如为：
Hc为磁场强度，Bc为磁环内磁通密度，Bδ为开口内磁通密度，N穿过导线匝数，I为电流。
由此计算开气隙后磁路等效磁导率
假设其相对磁导率为μr＝3000,磁芯内径为d1＝0.017m，磁芯外径为d2＝0.021m，气隙高度为δ＝0.0016m，计算等效磁导率约为25.5。由此可见，气隙的引入降低了磁芯的等效磁导率，增大了饱和磁场强度，增大了电流测量范围。其等效磁滞回线变化如图4所示。图中左图为未加气隙时等效磁滞回线，右图为增加气隙后磁滞回线变化，由图中示意了增加气隙后等效磁导率变低，饱和磁感对应强度时对应的磁场强度增大，进而增大了电流测量范围。
本实施例中通过补偿电路进行放大处理，通过增益微调补偿磁芯等效磁导率不一致引起的误差。
补偿电路如图5所示，包括多路复用器MUX、温度传感器TMP、线型稳压器LDO、可编程增益放大器PGA、模拟数字转换器ADC和微处理器。
温度传感器TMP采用PN结敏二极管，典型如选用SiC二极管，便于CMOS电路设计，在-50℃～150℃内其压降随温度线性变化，输出电压范围采样后数字信号为T，数字信号为2Byte。
LDO为磁敏传感器和温度传感器提供稳压电源。本实施例中的线性稳压器LDO为多个磁敏元件和温度传感器供电，输出电压典型值为4.25V，当供电电压在4.75V～5.25V之间波动时，线性稳压器电压变化范围小于0.1V，电源抑制比PSRR不小于60dB，从而保证磁敏感单元供电稳定性及内部模拟单元工作稳定性，包括运放A/D等。
MUX的多路通道分别与磁敏传感器和温度传感器连接，MUX对每一路通道进行分时切换，并将磁敏传感器以及温度传感器的输出模拟数据传递至PGA中。本实施例中采用多路复用器MUX能够实现更好地选址控制，只要给出选址参数即可控制获取磁敏传感器或者温度传感器的采集值。
PGA对模拟数据进行增益放大处理，得到放大后的模拟数据，经ADC转换为数字数据，将数字数据传递至微处理器中。
微处理器利用述数字数据中的温度信息对数字数据中的电压值进行修调，修调之后的电压值Dout做为补偿电路的输出。
本实施例中，测电流时，当待测电流Ip流过导线1时，假设导线绕过磁体匝数为N，补偿线圈匝数为Nc，该系统为闭环负反馈系统，磁敏感传感器气隙处磁感应强度为
其中μ0为常数，N、lc、μe为传感器设计参数，当传感器设计完成后此处三个参数也为常数，因此Br与Ip成正比，比例系数定义为电流传感器增益GB，可简化为Br＝NGB·Ip。
磁敏传感器，以电压形式输出所测的磁感应强度，其输出电压为VB，其与Br比例系数为KB(磁敏元件的设计参数)；可编程增益放大器增益为GV(设计参数)，则采集后的信号Vout＝GV·VB；VB＝KB·Br。
由此可以得到整体输出Vout＝NGV·KB·GB·Ip。
则导线中电流为N为导线的匝数。
图1中待测导线通过电阻Rm连接2.5V电压
实施例2、在上述实施例1的基础上，如图1所示，补偿电路中还可能包括数字模拟转换器DAC以及图腾柱，DAC连接在微处理器的输出端，将修调之后的数字数据转换为模拟信号，输出至图腾柱中。其中如图1所示，图腾柱由电阻R1、R2，二极管Q1A、Q1B，电容C6，三极管Q2和Q3按照图1所示的电路组成。
实施例3、在上述实施例1的基础上，本实施例中，微处理器中对数字数据进行修调，修调后的数字数据电压为：
OffSet为预设的零点参数，GainAdj为预设的增益修调参数，TcLinear为预设的温度一次修正系数，TcSqr为温度二次修正系数；Dout为微处理器输出的修调之后的数字数据，Vout为修调前的电压值。
本实施例中，增益修调参数GainAdj有效数值范围为[16384，65535]，对应增益调整范围为[0.5，2]；设置的零点修调参数OffSet有效数值范围为[0，65535]，对应零点调节范围为[-2048，2047]；温度一次修正系数TcLinear有效数值范围为[-1953，1953]ppm/K；温度二次修正系数TcSqr有效数值范围为[-122，122]ppm/K。修调后的结果如图8所示。
实施例4、在上述实施例1的技术方案的基础上，本实施例中，为了进一步实现更加便捷的电流测试，还包括补偿线圈，该线圈由微处理器的输出端引出并绕磁环Nc匝，补偿线圈中电流IC通过在外部增加测量电阻进行测量，则导线中电流
实施例5、在实施例1的基础上，磁敏传感器为磁敏元件阵列，阵列中每个磁敏元件均连接至MUX中的一路通道。如图7所示，本实施例中的磁敏元件阵列中包括4个磁敏元件A、B、C、D，排布方式为4个磁敏元件A、B、C、D的方向首尾相连分布在由X、Y轴划分的象限中。
实施例6、在实施例1的基础上，增加控制寄存器，包括MUX选址寄存器、PGA增益寄存器、ADC量程设置寄存器，其中MUX选址寄存器内存储MUX的设置参数，用于控制MUX对没一路通道的分时切换；PGA增益寄存器存储PGA的增益参数，用于对PGA进行增益参数设置；ADC量程设置寄存器存储ADC的输入范围，用于控制ADC的输入参数范围。具体电路如图6所示。
综上，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种闭环电流传感器，其特征在于，包括磁路结构和电路结构，所述磁路结构包括一个具有开口的磁环，所述电路结构中包括磁敏传感器、补偿电路以及测量模块；电路结构集成为一个芯片，并将该芯片设置于所述磁环的开口中；将待测导线放入所述磁环中央，通过测量获得所述电路结构的输出，对所述导线进行电流测量；
所述补偿电路包括多路复用器MUX、温度传感器TMP、线型稳压器LDO、可编程增益放大器PGA、模拟数字转换器ADC和微处理器；
所述LDO为磁敏传感器和温度传感器提供稳压电源；
所述MUX的多路通道分别与所述磁敏传感器和温度传感器连接，MUX对每一路通道进行分时切换，并将磁敏传感器以及温度传感器的输出模拟数据传递至所述PGA中；
所述PGA对模拟数据进行增益放大处理，得到放大后的模拟数据，经所述ADC转换为数字数据，将数字数据传递至所述微处理器中；
所述微处理器利用所述数字数据中的温度信息对数字数据中的电压值进行修调，修调之后的电压值Dout做为所述补偿电路的输出；
所述测量模块接收所述补偿电路的输出，利用该补偿电路的输出获得待测导线的电流值。
2.如权利要求1所述的一种闭环电流传感器，其特征在于，所述测量模块在所述微处理器中实现，其中电路结构的输出电压为Dout，所述PGA的增益为Gv，所述电流传感器的设计增益为GB，所述磁敏传感器以电压形式输出所测的磁感应强度Gr，其输出电压与所测的磁感应强度的比例系数KB，待测导线的匝数为N，则所述导线中电流为且由此计算获得Ip。
3.如权利要求1所述的一种闭环电流传感器，其特征在于，所述测量模块包括数字模拟转换器DAC、图腾柱、补偿线圈和测量电阻，DAC连接在所述微处理器的输出端，将修调之后的数字数据转换为模拟信号，输出至所述图腾柱中，补偿线圈由所述图腾柱的输出端引出并绕磁环Nc匝，所述补偿线圈中电流IC通过在外部增加测量电阻进行测量，则所述导线中电流待测导线的匝数为N。
4.如权利要求1所述的一种闭环电流传感器，其特征在于，所述微处理器中对所述数字数据进行修调，修调后的数字数据电压为：
OffSet为预设的零点参数，GainAdj为预设的增益修调参数，TcLinear为预设的温度一次修正系数，TcSqr为温度二次修正系数；Dout为微处理器输出的修调之后的电压值，Vout为修调前的电压值，T为由所述温度传感器采集到的温度值。
5.如权利要求4所述的一种闭环电流传感器，其特征在于，所述增益修调参数GainAdj有效数值范围为[16384，65535]，对应增益调整范围为[0.5，2]；设置的零点参数OffSet有效数值范围为[0，65535]，对应零点调节范围为[-2048，2047]；温度一次修正系数TcLinear有效数值范围为[-1953，1953]ppm/K；温度二次修正系数TcSqr有效数值范围为[-122，122]ppm/K
6.如权利要求1所述的一种闭环电流传感器，其特征在于，所述磁敏传感器为磁敏元件阵列，阵列中每个磁敏元件均连接至所述MUX中的一路通道。
7.如权利要求6所述的一种闭环电流传感器，其特征在于，所述磁敏元件阵列中包括4个磁敏元件，排布方式为4个磁敏元件的方向首尾相连。
8.如权利要求1所述的一种闭环电流传感器，其特征在于，还具有控制寄存器，包括MUX选址寄存器、PGA增益寄存器、ADC量程设置寄存器，其中MUX选址寄存器内存储MUX的设置参数，用于控制MUX对每一路通道的分时切换；所述PGA增益寄存器存储PGA的增益参数，用于对PGA进行增益参数设置；所述ADC量程设置寄存器存储ADC的输入范围，用于控制ADC的输入参数范围。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1547035A (zh) * 2003-12-12 2004-11-17 华中科技大学 一种电流传感器
CN1570655A (zh) * 2004-04-28 2005-01-26 华中科技大学 双重检测式电流传感器
CN202305636U (zh) * 2011-10-17 2012-07-04 南京中旭电子科技有限公司 一种高过载型霍尔电流传感器
CN203259575U (zh) * 2013-04-24 2013-10-30 四川海天仪表电器开发有限公司 闭环电流传感器
CN203720232U (zh) * 2013-12-05 2014-07-16 大连海事大学 一种开关电源的电流检测装置
CN104217843A (zh) * 2014-09-29 2014-12-17 厦门振泰成科技有限公司 霍尔电流传感器及其磁环、实现霍尔电流传感器用于测量大电流的方法
CN204302358U (zh) * 2014-12-25 2015-04-29 南京中旭电子科技有限公司 一种大电流霍尔传感器
CN104880987A (zh) * 2015-04-22 2015-09-02 无锡乐尔科技有限公司 电流监控模块

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1547035A (zh) * 2003-12-12 2004-11-17 华中科技大学 一种电流传感器
CN1570655A (zh) * 2004-04-28 2005-01-26 华中科技大学 双重检测式电流传感器
CN202305636U (zh) * 2011-10-17 2012-07-04 南京中旭电子科技有限公司 一种高过载型霍尔电流传感器
CN203259575U (zh) * 2013-04-24 2013-10-30 四川海天仪表电器开发有限公司 闭环电流传感器
CN203720232U (zh) * 2013-12-05 2014-07-16 大连海事大学 一种开关电源的电流检测装置
CN104217843A (zh) * 2014-09-29 2014-12-17 厦门振泰成科技有限公司 霍尔电流传感器及其磁环、实现霍尔电流传感器用于测量大电流的方法
CN204302358U (zh) * 2014-12-25 2015-04-29 南京中旭电子科技有限公司 一种大电流霍尔传感器
CN104880987A (zh) * 2015-04-22 2015-09-02 无锡乐尔科技有限公司 电流监控模块

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