CN105609591A - 一种rena制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，通过人为屏蔽感应器和简单的卡表计算就能精确校准阀门流量，减少了常规校准流量过程中的需停机、排液、校准的模式。节省了异常停机时间，从而提高生产效率。
Description
技术领域
本发明专利涉及晶硅太阳能电池领域的多晶湿法制绒、刻蚀的设备，具体涉及一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法。
背景技术
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，“是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏，简称光伏，核心部件是太阳能电池片，其制造过程分为制绒-扩散-刻蚀-PECVD镀膜-丝网印刷-测试分选。目前，RENAin-line式结构的设备是一种常用的链式湿法制绒、刻蚀设备。他是在HF/HNO3体系中，利用HNO3和HF的混合溶液腐蚀硅片制成绒面和绝缘上、下两面。这种设备基本结构为：刻蚀槽-水喷淋槽-碱槽-水喷淋槽-去PSG槽-水喷淋槽-烘干槽。该设备在使用过程中表现出许多优异的性能。但因为链式槽体中药液不停的被反应，浓度降低需补充药液，因其补液阀门为气动阀，经过长时间使用会出现阀门开口过大或过小，导致每次补液不准确，药液浓度受到影响导致不良片的产生。目前，RENA制绒、刻蚀机的补液阀门一般都需在换液期间停机校准流量，需消耗大量时间影响生产效率，且因换液时间过长，补液阀门流量未及时校准导致的生产异常，如花片、黑绒面和过刻等不良的产生。
发明内容
本发明的目的是提供一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，在不停机的情况下，快速准确的校准阀门补液流量，减少不良片的产生，提高生产效率，从而提高效益。
一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，补液系统包括：液位管、高液位、工作液位、标定液位、低液位、补液灌、不透光纸片和补液阀门；液位管和补液灌相连，液位管上从上至下依次设置有高液位、工作液位、标定额度、低液位，高液位和工作液位旁设有不透光纸片，补液灌底部设有补液阀门。
其中，液位管上标定的标定液位在工作液位和低液位之间。
一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，具体为如下步骤：
a)在液位管上标定好标定液位，在2-5L之间；
b)用不透光纸片遮住高液位和工作液位，以屏蔽液位感应器；
c)点击机台手动补液，将药液从补液灌中加入其他槽体；
d)使用秒表计算标定液位下降的时间并计算流量；
e)取下遮住高液位和工作液位的不透光纸片，待补液灌补充药液后重复b、c、d步骤多次；
f)通过计算多次流量后取平均值，将其写入机台阀门流量参数中。
一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，计算后的流量单位为L/min。
本发明的有益效果是：通过简单的屏蔽感应器，简单计时计算流量，在不停机的情况下，快速准确的校准阀门补液流量，减少了常规校准流量过程中的需停机、排液、校准的模式，节省了异常停机时间，减少不良片的产生，从而提高生产效率，从而提高效益。
附图说明
图1是本发明专利的补液系统结构示意图。
附图标记：液位管1、高液位2、工作液位3、标定额度4、低液位5、补液灌6、不透光纸片7和补液阀门8。
具体实施方式
实施例1：
一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，补液系统包括：液位管1、高液位2、工作液位3、标定液位4、低液位5、补液灌6、不透光纸片7和补液阀门8；液位管1和补液灌6相连，液位管1上从上至下依次设置有高液位2、工作液位3、标定额度4、低液位5，高液位2和工作液位3旁设有不透光纸片7，补液灌6底部设有补液阀门8。
其中，液位管1上标定的标定液位4在工作液位3和低液位5之间。
实施例2：
一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，具体为如下步骤：
a)在液位管1上标定好标定液位4，在2-5L之间；
b)用不透光纸片7遮住高液位2和工作液位3，以屏蔽液位感应器；
c)点击机台手动补液，将药液从补液灌6中加入其他槽体；
d)使用秒表计算标定液位4下降的时间并计算流量；
e)取下遮住高液位2和工作液位3的不透光纸片7，待补液灌6补充药液后重复b、c、d步骤多次；
f)通过计算多次流量后取平均值，将其写入机台阀门流量参数中。
其余同实施例1。
结合附图说明工作原理：
将补液灌6的液位管1上标注2L的标定液位4，使用不透光纸片7遮住高液位2和工作液位3，屏蔽液位感应器，点击机台手动补液，将补液灌6内药液加入其他槽体，计算药液通过标定液位4的时间，重复多次计算出补液阀门8的流量，将补液阀门8的流量的平均值写入机台阀门流量参数中。
Claims (3)
1.一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，其特征在于：补液系统包括：液位管（1）、高液位（2）、工作液位（3）、标定液位（4）、低液位（5）、补液灌（6）、不透光纸片（7）和补液阀门（8）；液位管（1）和补液灌（6）相连，液位管（1）上从上至下依次设置有高液位（2）、工作液位（3）、标定额度（4）、低液位（5），高液位（2）和工作液位（3）旁设有不透光纸片（7），补液灌（6）底部设有补液阀门（8）。
2.如权利要求1所述的一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，其特征在于：其中，液位管（1）上标定的标定液位（4）在工作液位（3）和低液位（5）之间。
3.如权利要求1所述的一种RENA制绒、刻蚀机的补液阀门流量校准方法，其特征在于：具体为如下步骤：
在液位管（1）上标定好标定液位（4），在2-5L之间；
用不透光纸片（7）遮住高液位（2）和工作液位（3），以屏蔽液位感应器；
点击机台手动补液，将药液从补液灌（6）中加入其他槽体；
使用秒表计算标定液位（4）下降的时间并计算流量；
取下遮住高液位（2）和工作液位（3）的不透光纸片（7），待补液灌（6）补充药液后重复b、c、d步骤多次；
通过计算多次流量后取平均值，将其写入机台阀门流量参数中。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (3)
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Cited By (1)
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