CN105572693B - 车载定位装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及车载定位接收装置。本发明解决由于车辆GPS定位导航不准确的问题，提供一种车载定位装置，固定在车体的外部或内部，包括壳体和信号处理电路，所述信号处理电路固定在所述壳体内，所述的信号处理电路包括接收天线、高频三极管Q1、高增益低噪放大器U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、表面波滤波器和低压差型CMOS电压稳压器。本发明这样设置拥有较强的信号接收处理能力，减少误码率，波形还原较好。

Description

车载定位装置

技术领域

本发明属于车载定位装置，特别涉及一种信号接收处理能力，减少误码率，波形还原较好的车载定位装置。

背景技术

目前，车辆GPS定位导航装置由于防水等级不够，往往是放置在车内的，这样就导致一定程度上影响GPS信号的接收，导致获取信号存在一定的滞后现象，在高速行动中给汽车定位带来了不少困扰，另外一方面在信号强度较弱的地方，也容易出现信号获取不利的情况，这些都是目前车载定位装置需要改进的地方。

中国专利申请号CN201120011020.0公开了一种车载GPS定位装置。其包括有外壳、卡槽、接口、信号指示灯和电源开关，所述卡槽设置于所述外壳的底部，所述接口和所述信号指示灯分别设置于所述外壳的侧部，所述电源开关设置于所述外壳；所述卡槽的旁侧设置有防拆开关；所述外壳的底部设置有强力磁铁；所述车载GPS定位装置的内部设置有门磁感应装置。与现有技术相比，本发明的车载GPS定位装置可直接吸附在车辆上进行使用，不仅安装简便、方便使用，而且体积较小，同时具有追踪定位功能和汽车防盗功能于一体。此专利与背景技术相同，存在由于防水等级不够，往往是放置在车内的，这样就导致一定程度上影响GPS信号的接收，导致获取信号存在一定的滞后现象的问题。

发明内容

本发明目的在于解决存在由于防水等级不够，往往是放置在车内的，这样就导致一定程度上影响GPS信号的接收，导致获取信号存在一定的滞后现象的问题，提供一种具有良好防水性，能够在安装在车外的车载定位装置。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种车载定位装置，固定在车体的外部或内部，包括壳体和信号处理电路，所述信号处理电路固定在所述壳体内，所述的信号处理电路包括接收天线、高频三极管Q1、高增益低噪放大器U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、表面波滤波器和低压差型CMOS电压稳压器，所述接收天线依次通过电容C1、电容C2和电感L1与高增益低噪放大器U1的输入端连接，高增益低噪放大器U1的开机控制端通过电阻R1与高增益低噪放大器U1的直流电源端连接，高增益低噪放大器U1的直流电源端通过电容C12接地，高增益低噪放大器U1的一般接地端接地，高增益低噪放大器U1的射频接地端接射频地，高增益低噪放大器U1的输出端通过电阻R3与表面波滤波器的输入端连接，电阻R3的一端通过电阻R2接地，电阻R3的另一端通过电阻R4接地，所述表面波滤波器的输出端依次通过电容C3和电容C4与高频三极管Q1的基极连接，高频三极管Q1的发射极分别接地和接射频地，所述高频三极管Q1的集电极依次通过电容C7、电阻R7和电容C8与信号处理电路的输出端口连接，电阻R7的一端通过电阻R6接地，电阻R7的另一端通过电阻R8接地，高频三极管Q1的基极通过电容C5接地，高频三极管Q1的集电极通过电容C6接地，电阻R5的第一端与高频三极管Q1的基极连接，电阻R5的第二端与高频三极管Q1的集电极连接，电阻R5的第二端通过电阻R10与低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚连接，低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚还通过电阻R9与高增益低噪放大器U1的直流电源端连接，低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚和第五引脚均同通过电容C9接地，低压差型CMOS电压稳压器的第二引脚接射频地，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电容C10接地，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电容C11接地，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电感L2与电源连接，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电感L2与信号处理电路的输出端口电连接，所述低压差型CMOS电压稳压器为S1112芯片，低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚为NC引脚，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚为电压输入引脚、低压差型CMOS电压稳压器的第二引脚为接地引脚、低压差型CMOS电压稳压器的第三引脚为控制开关引脚、低压差型CMOS电压稳压器的第五引脚为输出引脚。本发明这样设置拥有较强的信号接收处理能力，减少误码率，波形还原较好。

作为优选，所述高频三极管Q1为2Sc5508高频三极管。

作为优选，所述高增益低噪放大器U1为BGA725L6芯片。

作为优选，所述壳体包括防水中框、上壳和下壳，所述上壳整体呈方形，所述上壳的一端部设有向下的上翻边，所述上翻边的中部开设外上过线半孔，所述上壳向下设置有互相连接的四块上挡片，互相连接的四块上挡片整体呈方形，所述互相连接的四块上挡片的四角均采用斜边挡片连接，所述斜边挡片的外侧设置为上固定连接柱，靠近上翻边处的上挡片对应外上过线半孔位置设置有内上过线半孔，靠近上翻边处的两根上连接柱与翻边之间连接有L形的上固定边，所述上壳向下还均匀固定有上十字抵接柱；所述下壳整体呈方形，所述下壳向上均匀固定有下十字抵接柱，所述下十字抵接柱与所述上十字抵接柱的位置相匹配，所述下壳对应上翻边位置设置有向上的下翻边，所述下翻边的中部对应上过线半孔也设置有外下过线半孔，所述下翻边位置与所述上翻边的位置相对应，所述下壳对应上挡片位置也设置有互相连接的四块下挡片，所述互相连接的四块下挡片的四角也均采用斜边挡片连接，所述下壳对应上固定连接柱位置设置有对应的下固定连接柱，靠近下翻边处的两根下连接柱与下翻边之间连接有L形的下固定边，所述上壳通过上固定连接柱与所述下壳的下固定连接柱固定连接，所述防水中框包括U形的防水片和前防水片，所述前防水片的两边分别与防水片的两端连接，所述防水片上部套接在所述上挡片的外侧，所述防水片下部套接在所述下挡片的外侧，所述防水片的内侧设置有防水凸条，所述防水凸条的上表面与所述上挡片的下端抵接，所述防水凸条的下表面与所述下挡片的上端面抵接，所述前防水片上部的外侧与所述上翻边的内侧抵接，所述前防水片下部的外侧与所述下翻边的内侧抵接，所述前防水片上设置有过线孔，所述过线孔的前端与上翻边抵接。本发明采用了合理的结构设计方式，提高了防水等级，使得本发明能够置放与车体的外侧，不会受到影响，达到加强信号接收的目的。

作为优选，所述防水中框的四角设置有四个过孔，所述四个过孔的位置分别与所述下固定连接柱位置相对应。

作为优选，所述上固定边的下端与所述下固定边的上端抵接。

作为优选，所述上翻边内开设有槽，所述下翻边的上表面开设有与槽相对应的凸起。这样设置，保证了槽和凸起正好匹配，对于水流能够起到很好地隔绝作用。

本发明的实质性效果是：本发明采用了合理的结构设计方式，提高了防水等级，使得本发明能够置放与车体的外侧，达到加强信号接收的目的，拥有较强的信号接收处理能力，减少误码率，波形还原较好。

附图说明

图1为本实施例中上壳的一种结构示意图；

图2为本实施例中防水中框的一种结构示意图；

图3为本实施例一种电路原理图；

图4为本实施例中上壳的一种正面示意图；

图5为本实施例中防水中框的一种正面示意图；

图6为本实施例中下壳的一种正面示意图。

图中：11、上固定连接柱，12、上十字抵接柱，13、上翻边，14、槽，15、外上过线半孔，21、过线孔，22、防水片，31、外下过线半孔，32、下十字抵接柱，33、下固定连接柱。

具体实施方式

下面通过具体实施例，对本发明的技术方案作进一步的具体说明。

实施例：

一种车载定位装置(参见附图1、附图2、附图3、附图4、附图5和附图6)，固定在车体的外部或内部，包括壳体和信号处理电路，所述信号处理电路固定在所述壳体内，所述壳体包括防水中框、上壳和下壳，所述上壳整体呈方形，所述上壳的一端部设有向下的上翻边13，所述上翻边的中部开设外上过线半孔15，所述上壳向下设置有互相连接的四块上挡片，互相连接的四块上挡片整体呈方形，所述互相连接的四块上挡片的四角均采用斜边挡片连接，所述斜边挡片的外侧设置为上固定连接柱11，靠近上翻边处的上挡片对应外上过线半孔位置设置有内上过线半孔，靠近上翻边处的两根上连接柱与翻边之间连接有L形的上固定边，所述上壳向下还均匀固定有上十字抵接柱12；所述下壳整体呈方形，所述下壳向上均匀固定有下十字抵接柱32，所述下十字抵接柱与所述上十字抵接柱的位置相匹配，所述下壳对应上翻边位置设置有向上的下翻边，所述下翻边的中部对应上过线半孔也设置有外下过线半孔31，所述下翻边位置与所述上翻边的位置相对应，所述下壳对应上挡片位置也设置有互相连接的四块下挡片，所述互相连接的四块下挡片的四角也均采用斜边挡片连接，所述下壳对应上固定连接柱位置设置有对应的下固定连接柱33，靠近下翻边处的两根下连接柱与下翻边之间连接有L形的下固定边，所述上壳通过上固定连接柱与所述下壳的下固定连接柱固定连接，所述防水中框包括U形的防水片22和前防水片，所述前防水片的两边分别与防水片的两端连接，所述防水片上部套接在所述上挡片的外侧，所述防水片下部套接在所述下挡片的外侧，所述防水片的内侧设置有防水凸条，所述防水凸条的上表面与所述上挡片的下端抵接，所述防水凸条的下表面与所述下挡片的上端面抵接，所述前防水片上部的外侧与所述上翻边的内侧抵接，所述前防水片下部的外侧与所述下翻边的内侧抵接，所述前防水片上设置有过线孔21，所述过线孔的前端与上翻边抵接。所述防水中框的四角设置有四个过孔，所述四个过孔的位置分别与所述下固定连接柱位置相对应。所述上固定边的下端与所述下固定边的上端抵接。所述上翻边内开设有槽14，所述下翻边的上表面开设有与槽相对应的凸起。所述的信号处理电路包括接收天线、高频三极管Q1、高增益低噪放大器U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、芯片U2和芯片S1112，所述接收天线依次通过电容C1、电容C2和电感L1与高增益低噪放大器U1的输入端连接，高增益低噪放大器U1的开机控制端通过电阻R1与高增益低噪放大器U1的直流电源端连接，高增益低噪放大器U1的直流电源端通过电容C12接地，高增益低噪放大器U1的一般接地端接地，高增益低噪放大器U1的射频接地端接射频地，高增益低噪放大器U1的输出端通过电阻R3与芯片U2的输入端连接，电阻R3的一端通过电阻R2接地，电阻R3的另一端通过电阻R4接地，所述芯片U2的输出端依次通过电容C3和电容C4与高频三极管Q1的基极连接，高频三极管Q1的发射极分别接地和接射频地，所述高频三极管Q1的集电极依次通过电容C7、电阻R7和电容C8与信号处理电路的输出端口连接，电阻R7的一端通过电阻R6接地，电阻R7的另一端通过电阻R8接地，高频三极管Q1的基极通过电容C5接地，高频三极管Q1的集电极通过电容C6接地，电阻R5的第一端与高频三极管Q1的基极连接，电阻R5的第二端与高频三极管Q1的集电极连接，电阻R5的第二端通过电阻R10与芯片S1112的第四引脚连接，芯片S1112的第四引脚还通过电阻R9与高增益低噪放大器U1的直流电源端连接，芯片S1112的第四引脚和第五引脚均同通过电容C9接地，芯片S1112的第二引脚接射频地，芯片S1112的第一引脚通过电容C10接地，芯片S1112的第一引脚通过电容C11接地，芯片S1112的第一引脚通过电感L2与电源连接，芯片S1112的第一引脚通过电感L2与信号处理电路的输出端口电连接。所述高频三极管Q1为2Sc5508高频三极管。所述高增益低噪放大器U1为BGA725L6芯片。

本发明采用了合理的结构设计方式，提高了防水等级，使得本发明能够置放与车体的外侧，达到加强信号接收的目的，拥有较强的信号接收处理能力，减少误码率，波形还原较好。

以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。

Claims (1)

1.一种车载定位装置，固定在车体的外部或内部，包括壳体和信号处理电路，所述信号处理电路固定在所述壳体内，其特征在于：所述的信号处理电路包括接收天线、高频三极管Q1、高增益低噪放大器U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、表面波滤波器和低压差型CMOS电压稳压器，所述接收天线依次通过电容C1、电容C2和电感L1与高增益低噪放大器U1的输入端连接，高增益低噪放大器U1的开机控制端通过电阻R1与高增益低噪放大器U1的直流电源端连接，高增益低噪放大器U1的直流电源端通过电容C12接地，高增益低噪放大器U1的一般接地端接地，高增益低噪放大器U1的射频接地端接射频地，高增益低噪放大器U1的输出端通过电阻R3与表面波滤波器的输入端连接，电阻R3的一端通过电阻R2接地，电阻R3的另一端通过电阻R4接地，所述表面波滤波器的输出端依次通过电容C3和电容C4与高频三极管Q1的基极连接，高频三极管Q1的发射极分别接地和接射频地，所述高频三极管Q1的集电极依次通过电容C7、电阻R7和电容C8与信号处理电路的输出端口连接，电阻R7的一端通过电阻R6接地，电阻R7的另一端通过电阻R8接地，高频三极管Q1的基极通过电容C5接地，高频三极管Q1的集电极通过电容C6接地，电阻R5的第一端与高频三极管Q1的基极连接，电阻R5的第二端与高频三极管Q1的集电极连接，电阻R5的第二端通过电阻R10与低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚连接，低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚还通过电阻R9与高增益低噪放大器U1的直流电源端连接，低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚和第五引脚均同通过电容C9接地，低压差型CMOS电压稳压器的第二引脚接射频地，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电容C10接地，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电容C11接地，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电感L2与电源连接，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚通过电感L2与信号处理电路的输出端口电连接，所述低压差型CMOS电压稳压器为S1112芯片，低压差型CMOS电压稳压器的第四引脚为NC引脚，低压差型CMOS电压稳压器的第一引脚为电压输入引脚、低压差型CMOS电压稳压器的第二引脚为接地引脚、低压差型CMOS电压稳压器的第三引脚为控制开关引脚、低压差型CMOS电压稳压器的第五引脚为输出引脚，所述高频三极管Q1为2Sc5508高频三极管，所述高增益低噪放大器U1为BGA725L6芯片。