CN105552712A - 一种太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法，所述装置包括铜镀金热沉及安装于所述铜镀金热沉上的太赫兹量子级联激光器、微带线、绝缘子及同轴连接器；其中：所述太赫兹量子级联激光器包括上电极及下电极，所述下电极与所述铜镀金热沉连接，所述上电极与所述微带线的一端连接；所述绝缘子上设有第一探针及第二探针，所述第一探针与所述微带线的另一端连接，所述第二探针与所述同轴连接器连接。本发明能够实现对液氦工作温度、阈值电压高、驱动电流高的太赫兹量子级联激光器的高速封装，确保在液氦温度下太赫兹量子级联激光器封装结构的输出阻抗为50Ω，太赫兹量子级联激光器具有的较宽的3dB带宽。

Description

一种太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法

技术领域

本发明属于半导体光电器件应用技术领域，涉及一种太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法。

背景技术

太赫兹(THz)波是指频率从300GHz-10THz，频率介于毫米波与红外光之间的电磁波。由于其自身的特点，太赫兹波在高速通信、成像、频谱分析和遥感等方面，具有广阔的应用前景。作为THz频段重要辐射源的太赫兹量子级联激光器(TerahertzQuantumCascadeLaser,THzQCL)得到了广泛而深入的研究，并取得了重要的进展。THzQCL具有能量转换效率高、响应速度快、体积小、易集成以及使用寿命长等特点。到目前为止，连续模式下的THzQCL的最高工作温度为117K，在最优的工作条件下器件的最高输出功率可达138mW。

目前对THzQCL的封装，主要是利用单芯铜导线与THzQCL上下电极相连接的插针焊接，无法保证50Ω阻抗匹配，还会引入较大的噪声，其所能提供的带宽非常有限(几十MHz)，不利于发射装置的高速化和实用化。对于传统的激光器的高速封装方法，一般采用TO管座进行封装。但是THzQCL有其自身的特点，需要工作在液氦温度下，而TO管座封装内部容量很小，只有四根引线，无法安装半导体制冷器，所以在THzQCL的高速封装方面，目前尚没有有效的方案。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法，用于解决现有技术中无法实现对液氦工作温度、阈值电压高、驱动电流高的太赫兹量子级联激光器进行高速封装，无法确保在液氦温度下太赫兹量子级联激光器封装结构的输出阻抗与同轴缆线的特征阻抗一致、太赫兹量子级联激光器具有的较宽的3dB带宽的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种太赫兹量子级联激光器的封装装置，所述赫兹量子级联激光器的封装装置包括铜镀金热沉及安装于所述铜镀金热沉上的太赫兹量子级联激光器、微带线、绝缘子及同轴连接器；其中：

所述太赫兹量子级联激光器包括上电极及下电极，所述下电极与所述铜镀金热沉连接，所述上电极与所述微带线的一端连接；

所述绝缘子上设有第一探针及第二探针，所述第一探针与所述微带线的另一端连接，所述第二探针与所述同轴连接器连接。

可选地，所述太赫兹量子级联激光器工作在连续模式，激射频率范围是1-5THz，阈值电压大于5V，阈值电流大于0.6A。

可选地，测试时，通过同轴缆线将带宽测试设备与所述同轴连接器相连。

可选地，所述同轴连接器、绝缘子及微带线的阻抗均与所述同轴缆线的特征阻抗一致。

可选地，所述同轴缆线的特征阻抗为50Ω，带宽为40GHz。

可选地，所述太赫兹量子级联激光器的封装装置还包括与所述铜镀金热沉相连接的液氦制冷器。

可选地，所述太赫兹量子级联激光器通过铟片粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

可选地，所述下电极通过金线与所述铜镀金热沉连接，所述上电极通过金线与所述微带线的一端连接。

可选地，所述微带线通过导电银胶粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

可选地，所述铜镀金热沉上设有凹槽，所述绝缘子通过导电银胶固定于所述凹槽内。

可选地，所述铜镀金热沉上设有螺纹孔，所述同轴连接器安装于所述螺纹孔内。

可选地，所述绝缘子为玻璃绝缘子。

本发明还提供一种太赫兹量子级联激光器的封装方法，包括如下步骤：

提供一铜镀金热沉，将太赫兹量子级联激光器、微带线、绝缘子及同轴连接器分别安装于所述铜镀金热沉上；所述太赫兹量子级联激光器包括上电极及下电极；所述绝缘子上设有第一探针及第二探针；

将所述下电极与所述铜镀金热沉连接，将所述上电极与所述微带线的一端连接；

将所述第一探针与所述微带线的另一端连接，将所述第二探针与所述同轴连接器连接。

可选地，所述封装方法还包括将带宽测试设备通过同轴缆线与所述同轴连接器相连以进行测试的步骤。

可选地，所述同轴连接器、绝缘子及微带线的阻抗均与所述同轴缆线的特征阻抗一致。

可选地，还包括将液氦制冷器与所述铜镀金热沉相连接的步骤。

可选地，将所述太赫兹量子级联激光器通过铟片粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

可选地，将所述下电极通过金线与所述铜镀金热沉连接，将所述上电极通过金线所述微带线的一端连接。

可选地，将所述微带线通过导电银胶粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

可选地，所述铜镀金热沉上设有凹槽，将所述绝缘子通过导电银胶固定于所述凹槽内。

可选地，所述铜镀金热沉上设有螺纹孔，将所述同轴连接器安装于所述螺纹孔内。

如上所述，本发明的太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法，具有以下有益效果：

(1)同轴连接器、玻璃绝缘子、微带线均为50Ω阻抗，确保与输入高速信号的高频同轴缆线阻抗匹配，采用该封装装置能够使阈值电压高，驱动电流高的太赫兹量子级联激光器具有较宽的3dB带宽(10GHz以上)；

(2)采用铜镀金热沉，能够保证太赫兹量子级联激光器工作产生的热量迅速被制冷器内部冷指上的样品架带走，确保太赫兹量子级联激光器能够在液氦温度下正常工作，只需调整铜镀金热沉平台部分的尺寸，就能适用于任何1-5THz的太赫兹量子级联激光器；

(3)由于太赫兹量子级联激光器具有超短的载流子驰豫时间，在调制速率达到上10GHz时不会产生驰豫振荡，避免了光脉冲波形的形状发生变化；

本发明能够实现对液氦工作温度、阈值电压高、驱动电流高的太赫兹量子级联激光器的高速封装，确保在液氦温度下太赫兹量子级联激光器封装结构的输出阻抗为50Ω，太赫兹量子级联激光器具有的较宽的3dB带宽。

附图说明

图1显示为本发明的太赫兹量子级联激光器的封装装置的结构原理图。

图2显示为经过高速封装后太赫兹量子级联激光器的带宽测试结果。

元件标号说明

1铜镀金热沉

2太赫兹量子级联激光器

3微带线

4绝缘子

5同轴连接器

6金线

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

本发明提供一种太赫兹量子级联激光器的封装装置，请参阅图1，显示为所述赫兹量子级联激光器的封装装置的结构原理图，包括铜镀金热沉1及安装于所述铜镀金热沉1上的太赫兹量子级联激光器2、微带线3、绝缘子4及同轴连接器5；其中：

所述太赫兹量子级联激光器2包括上电极及下电极，所述下电极与所述铜镀金热沉1连接，所述上电极与所述微带线3的一端连接；

所述绝缘子4上设有第一探针及第二探针，所述第一探针与所述微带线3的另一端连接，所述第二探针与所述同轴连接器5连接。

具体的，所述铜镀金热沉1是指主体为铜材质，表面镀金的热沉。作为示例，本实施例中所述铜镀金热沉1为实心铜材质，且表面镀金，其由左至右由第一方形铜块、第二方形铜块及第三方形铜块连接而成，其中：所述第一方形铜块作为所述同轴连接器5的安装平台；所述第二方形铜块作为所述绝缘子4的安装平台；所述第三方形铜块作为所述微带线3及所述太赫兹级联激光器2的安装平台。作为示例，所述第二方形铜块高度为所述第一方形铜块高度的一半，所述第三方形铜块高度略低于所述第二方形铜块高度(高度差异未在图1中显示)，且所述第三方形铜块上还设有至少一个用于固定整个热沉的通孔。

当然，在其它实施例中，所述铜镀金热沉也可为其它形状及采用其它安装方式，此处不应过分限制本发明的保护范围。

所述太赫兹量子级联激光器2工作在连续模式，激射频率范围是1-5THz，阈值电压大于5V，阈值电流大于0.6A。作为示例，本实施例中所述太赫兹量子级联激光器的射频频率为2.9THz，阈值电压为6V，激光器的工作温度为7K。

具体的，所述太赫兹量子级联激光器的封装装置还包括与所述铜镀金热沉1相连接的液氦制冷器(未予图示)，用于提供低温环境。作为示例，所述铜镀金热沉1固定在所述液氦制冷器内部冷指上的样品架上，通过螺丝穿过热沉上的通孔与样品架对应的螺纹孔压紧，且样品架与所述铜镀金热沉1之间垫有铟片。

具体的，提供低温环境的冷指为液氦制冷系统的一部分，其最低温度可以达到4K。本发明中，铜镀金热沉能够保证太赫兹量子级联激光器工作产生的热量迅速被制冷设备冷指上的样品架带走，确保太赫兹量子级联激光器能够在液氦温度下正常工作，同时，所述铜镀金热沉将同轴连接器、玻璃绝缘子、微带线和太赫兹量子级联激光器稳定的连接在一起，保证带宽内，各部件工作性能的稳定。只需调整铜镀金热沉平台部分的尺寸，就能适用于任何1-5THz的太赫兹量子级联激光器。

作为示例，所述太赫兹量子级联激光器2通过铟片粘贴于所述铜镀金热沉1的平台上，所述太赫兹量子级联激光器2的上电极通过金线6与所述微带线3的一端连接，所述铜镀金热沉1的平台作为地与所述太赫兹量子级联激光器2的下电极通过金线连接。金属铟较软，同时导热性较好，通过压紧操作可保证热沉与样品架接触较充分，散热性能达到最好。

具体的，所述微带线3的作用是作为连接过渡件。由于直接在器件上进行锡焊或胶粘操作会污损器件，因此采用微带线过渡，在微带线上进行锡焊或胶粘的操作与所述绝缘子4的第一探针相连。

作为示例，所述微带线3为采用氧化铝陶瓷衬底的共面波导结构，可保证中间条形波导的宽度与所述太赫兹量子级联激光器2上电极宽度相近，紧邻中心导体带两侧的导体平面上设有通孔，与衬底下边面的金属导通。

作为示例，所述微带线3通过导电银胶粘贴于所述铜镀金热沉1的平台上，使得微带线紧邻中心导体带两侧的导体平面通过通孔接地。

本实施例中，所用微带线3的阻抗是50Ω，与所述太赫兹量子级联激光器2之间采用长度不超过2mm，直径为30um左右的金线相连，以保证信号加载到太赫兹量子级联激光器的反射较小。其中，金线长度与微带线阻抗对激光器的反射大小都有影响，主要影响为微带线阻抗，金线长度较长则会引入较多的寄生参数。

具体的，所述绝缘子4的作用是在阻抗保持50Ω匹配以及不损失同轴接口与微带线接口的带宽的条件下，实现微带线接口与同轴接口的转换。作为示例，所述铜镀金热沉1上设有凹槽，所述绝缘子4通过导电银胶固定于所述凹槽内。所述凹槽优选为半圆形。本实施例中所述绝缘子4优选采用THUNDERLINE-Z公司的AL191030型的玻璃绝缘子，带宽为40GHz，特征阻抗为50Ω。所述绝缘子4的第一探针与所述微带线3的另一端通过锡或导电胶等导电材料连接，所述绝缘子4的第二探针与所述同轴连接器5连接。

需要指出的是，所述微带线3和太赫兹量子级联激光器2的平台的尺寸需要保证玻璃绝缘子4的探针与同轴连接器5和微带线3表面紧密的连接在一起，以及微带线3与太赫兹量子级联激光器2保持适当距离。玻璃绝缘子4的探针与同轴连接器5和微带线3表面紧密的连接在一起一方面可以保证不会因断路而造成影响信号的传输，另一方面可以保证阻抗的匹配。所述微带线3与太赫兹量子级联激光器2保持适当距离可以保证连接微带线3与太赫兹量子级联激光器2的金线长度不超过2mm。作为示例，所述微带线3与太赫兹量子级联激光器2之间的距离为0.5mm左右。

具体的，所述同轴连接器5的作用是通过高频同轴缆线将测试仪器与器件连接，保证阻抗匹配，不会造成信号在同轴连接器5与高频同轴缆线处反射，进而无法传输到太赫兹量子级联激光器2。作为示例，本实施例的同轴连接器5采用2.92mm的螺纹阴极连接头，带宽为40GHz，特征阻抗为50Ω，电压驻波比为1.15：1。所述铜镀金热沉1上设有与所述同轴连接器5相匹配的螺纹孔，所述同轴连接器5安装于所述螺纹孔内。

测试时，通过同轴缆线将带宽测试设备与所述同轴连接器5相连。同轴缆线(CoaxialCable)是指有两个同心导体，而导体和屏蔽层又共用同一轴心的电缆，通常，同轴缆线由里到外分为四层：中心铜线(单股的实心线或多股绞合线)，塑料绝缘体，网状导电层和电线外皮，中心铜线和网状导电层形成电流回路。本实施例中，所述同轴缆线为高频同轴缆线，其传输信号最大频率高于18GHz。作为示例，所述同轴缆线的特征阻抗为50Ω，带宽为40GHz。

请参阅图2，显示为实验测试结果。本实施例中，所述同轴连接器5、绝缘子4及微带线3的阻抗均为50Ω，与所述同轴缆线的特征阻抗一致，且所述同轴连接器5、绝缘子4及所述同轴缆线的带宽均为40GHz，能够保证在40GHz带宽内与太赫兹量子级联激光器连接后具有较小的反射，保证在较宽的带宽内信号不失真的加载到太赫兹量子级联激光器上，使得太赫兹量子级联激光器具有10GHz以上的3dB带宽，且噪声很小。此处，3dB带宽指的是幅值等于最大值的二分之根号二倍时对应的频带宽度。

当然，在其它实施例中，根据所述同轴缆线的特征阻抗不同，所述同轴连接器5、绝缘子4及微带线3的阻抗也可为其它值，只要保证所述同轴连接器5、绝缘子4及微带线3的阻抗均所述同轴缆线的特征阻抗一致即可，此处不应过分限制本发明的保护范围。

特别的，由于太赫兹量子级联激光器具有皮秒级的超短的载流子驰豫时间，频响中不会产生共振。因此,采用本发明的封装装置，高速信号加载到太赫兹量子级联激光器上不会发生驰豫振荡，可以避免光脉冲波形形状发生畸变。

本发明的太赫兹量子级联激光器的封装装置能够实现对液氦工作温度、阈值电压高、驱动电流高的太赫兹量子级联激光器的高速封装，确保加载到太赫兹量子级联激光器上的信号3dB带宽能够达到10GHz以上，避免光脉冲波形畸变。且该封装装置结构简单，能够工作在液氦温度下，易于操作和集成，适用于未来的THz通信应用。

实施例二

本发明还提供一种太赫兹量子级联激光器的封装方法，包括如下步骤：

如图1所示，提供一铜镀金热沉1，将太赫兹量子级联激光器2、微带线3、绝缘子4及同轴连接器5分别安装于所述铜镀金热沉1上。

具体的，所述太赫兹量子级联激光器2包括上电极及下电极；所述绝缘子4上设有第一探针及第二探针。将所述下电极与所述铜镀金热沉1连接，将所述上电极与所述微带线3的一端连接；将所述第一探针与所述微带线3的另一端连接，将所述第二探针与所述同轴连接器5连接。

具体的，所述封装方法还包括将半导体制冷器与所述铜镀金热沉相连接的步骤，以为所述太赫兹量子级联激光器2提供低温工作环境。

进一步的，所述封装方法还包括将带宽测试设备通过同轴缆线与所述同轴连接器5相连以进行测试的步骤。本发明中，所述同轴连接器5、绝缘子4及微带线3的阻抗均与所述同轴缆线的特征阻抗一致，以保证在较宽的带宽内信号不失真的加载到太赫兹量子级联激光器上，使得太赫兹量子级联激光器具有10GHz以上的3dB带宽。作为示例，所述同轴缆线的特征阻抗为50Ω，带宽为40GHz。

作为示例，将所述太赫兹量子级联激光器2通过铟片粘贴于所述铜镀金热沉1的平台上，将所述太赫兹量子级联激光器2的上电极通过金线6与所述微带线3的一端连接，将所述铜镀金热沉1的平台作为地与所述太赫兹量子级联激光器2的下电极通过金线连接。所述太赫兹量子级联激光器2工作在连续模式，激射频率范围是1-5THz，阈值电压大于5V，阈值电流大于0.6A。本实施例中优选采用射频频率为2.9THz，阈值电压为6V，激光器的工作温度为7K的太赫兹量子级联激光器。

作为示例，将所述微带线3通过导电银胶粘贴于所述铜镀金热沉1的平台上，并将所述微带线的一端与太赫兹量子级联激光器用较短金线相连，以保证信号加载到太赫兹量子级联激光器的反射较小。本实施例中，所用微带线3的阻抗是50Ω。

作为示例，将所述绝缘子4通过导电银胶固定于所述铜镀金热沉1上凹槽内。本实施例中，所述绝缘子4优选采用THUNDERLINE-Z公司的AL191030型的玻璃绝缘子，带宽为40GHz，特征阻抗为50Ω。所述绝缘子4的第一探针与所述微带线3的另一端通过锡或导电胶等导电材料连接，所述绝缘子4的第二探针与所述同轴连接器5连接。

作为示例，将所述同轴连接器5安装于所述铜镀金热沉1上的相应螺纹孔内。本实施例中，所述同轴连接器5优选采用2.92mm的螺纹阴极连接头，带宽为40GHz，特征阻抗为50Ω，电压驻波比为1.15：1。

本发明的太赫兹量子级联激光器的封装方法能够实现对液氦工作温度、阈值电压高、驱动电流高的太赫兹量子级联激光器的高速封装，确保在液氦温度下太赫兹量子级联激光器封装结构的输出阻抗为50Ω，高速电子设备的输出信号能不失真的加载到太赫兹量子级联激光器上。

综上所述，本发明的太赫兹量子级联激光器的封装装置及方法，具有以下有益效果：(1)同轴连接器、玻璃绝缘子、微带线均为50Ω阻抗，确保与输入高速信号的高频同轴缆线阻抗匹配，采用该封装装置能够使阈值电压高，驱动电流高的太赫兹量子级联激光器具有较宽的3dB带宽(10GHz以上)；(2)采用铜镀金热沉，能够保证太赫兹量子级联激光器工作产生的热量迅速被制冷设备冷头样品架带走，确保太赫兹量子级联激光器能够在液氦温度下正常工作，只需调整铜镀金热沉平台部分的尺寸，就能适用于任何1-5THz的太赫兹量子级联激光器；(3)由于太赫兹量子级联激光器具有超短的载流子驰豫时间，在调制速率达到上10GHz时不会产生驰豫振荡，避免了光脉冲波形的形状发生变化。本发明能够实现对液氦工作温度、阈值电压高、驱动电流高的太赫兹量子级联激光器的高速封装，确保在液氦温度下太赫兹量子级联激光器封装结构的输出阻抗为50Ω，高速电子设备的输出信号能不失真的加载到太赫兹量子级联激光器上。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (21)

1.一种太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于，所述赫兹量子级联激光器的封装装置包括铜镀金热沉及安装于所述铜镀金热沉上的太赫兹量子级联激光器、微带线、绝缘子及同轴连接器；其中：

所述太赫兹量子级联激光器包括上电极及下电极，所述下电极与所述铜镀金热沉连接，所述上电极与所述微带线的一端连接；

所述绝缘子上设有第一探针及第二探针，所述第一探针与所述微带线的另一端连接，所述第二探针与所述同轴连接器连接。

2.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述太赫兹量子级联激光器工作在连续模式，激射频率范围是1-5THz，阈值电压大于5V，阈值电流大于0.6A。

3.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：测试时，通过同轴缆线将带宽测试设备与所述同轴连接器相连。

4.根据权利要求3所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述同轴连接器、绝缘子及微带线的阻抗均与所述同轴缆线的特征阻抗一致。

5.根据权利要求4所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述同轴缆线的特征阻抗为50Ω，带宽为40GHz。

6.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述太赫兹量子级联激光器的封装装置还包括与所述铜镀金热沉相连接的液氦制冷器。

7.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述太赫兹量子级联激光器通过铟片粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

8.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述下电极通过金线与所述铜镀金热沉连接，所述上电极通过金线所述微带线的一端连接。

9.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述微带线通过导电银胶粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

10.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述铜镀金热沉上设有凹槽，所述绝缘子通过导电银胶固定于所述凹槽内。

11.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述铜镀金热沉上设有螺纹孔，所述同轴连接器安装于所述螺纹孔内。

12.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器的封装装置，其特征在于：所述绝缘子为玻璃绝缘子。

13.一种太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一铜镀金热沉，将太赫兹量子级联激光器、微带线、绝缘子及同轴连接器分别安装于所述铜镀金热沉上；所述太赫兹量子级联激光器包括上电极及下电极；所述绝缘子上设有第一探针及第二探针；

将所述下电极与所述铜镀金热沉连接，将所述上电极与所述微带线的一端连接；

将所述第一探针与所述微带线的另一端连接，将所述第二探针与所述同轴连接器连接。

14.根据权利要求13所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：所述封装方法还包括将带宽测试设备通过同轴缆线与所述同轴连接器相连以进行测试的步骤。

15.根据权利要求14所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：所述同轴连接器、绝缘子及微带线的阻抗均与所述同轴缆线的特征阻抗一致。

16.根据权利要求13所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：还包括将液氦制冷器与所述铜镀金热沉相连接的步骤。

17.根据权利要求13所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：将所述太赫兹量子级联激光器通过铟片粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

18.根据权利要求13所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：将所述下电极通过金线与所述铜镀金热沉连接，将所述上电极通过金线与所述微带线的一端连接。

19.根据权利要求13所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：将所述微带线通过导电银胶粘贴于所述铜镀金热沉的平台上。

20.根据权利要求13所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：所述铜镀金热沉上设有凹槽，将所述绝缘子通过导电银胶固定于所述凹槽内。

21.根据权利要求13所述的太赫兹量子级联激光器的封装方法，其特征在于：所述铜镀金热沉上设有螺纹孔，将所述同轴连接器安装于所述螺纹孔内。