CN105489762B - 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 - Google Patents
一种有机薄膜晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105489762B CN105489762B CN201610066532.4A CN201610066532A CN105489762B CN 105489762 B CN105489762 B CN 105489762B CN 201610066532 A CN201610066532 A CN 201610066532A CN 105489762 B CN105489762 B CN 105489762B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- film layers
- pdms
- gate insulator
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 96
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims abstract description 94
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims abstract description 94
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims abstract description 94
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 80
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 33
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 268
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical group O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 10
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 145
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Polymers C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
- H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
Abstract
本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法,以解决现有技术的OTFT器件以有机聚合物材料制备绝缘层,使得OTFT器件的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。所述有机薄膜晶体管的制备方法,包括:在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层;在所述栅极导电层上形成羟基化的第一聚二甲基硅氧烷PDMS膜层,使所述第一PDMS膜层朝向所述栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一二氧化硅SiO2膜层,使所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术
有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)驱动的显示器、电子纸等商品已逐渐进入人们的视野,这预示着OTFT具有广阔的应用前景。OTFT的有源层为采用有机半导体材料的有机有源层,目前对有机有源层的研究大多集中在迁移率高、溶液加工性好、环境稳定的小分子和高分子半导体材料的开发上。但随着对OTFT研究的不断开展和深入,人们发现,由于有机半导体材料之间存在分子间作用力,载流子通过跃迁模式进行传导。有机半导体是以“分子固体”的形式存在,这一特殊的存在方式,使得有机半导体制备的有机有源层更易受到绝缘层的影响,造成载流子和迁移率的明显变化,从而影响OTFT器件的性能。
现有技术中,为了解决有机有源层易受到绝缘层的影响而造成载流子和迁移率的明显变化的问题,通常采用有有机聚合物材料作为OTFT的绝缘层,但是,有机聚合物材料的介电常数相对较低,单独用于OTFT器件的绝缘层时,使得OTFT器件的阈值电压相对较高,漏电流较大。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法,以解决现有技术的OTFT器件以有机聚合物材料制备绝缘层,使得OTFT器件的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明实施例提供一种有机薄膜晶体管的制备方法,包括:
在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层;
在所述栅极导电层上形成羟基化的第一聚二甲基硅氧烷PDMS膜层,使所述第一PDMS膜层朝向所述栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一二氧化硅SiO2膜层,使所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。
本实施例中,采用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)制备栅极绝缘层,通过使第一PDMS膜层朝向衬底基板的一面经紫外光处理形成第一SiO2膜层,从而使包括该第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层,从而解决单独以PDMS膜层作为OTFT器件的栅极绝缘层所导致的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。
优选的,还包括:
在所述栅极绝缘层上形成用于制备源电极和漏电极的沟道图形;
使所述衬底基板压覆于表面涂覆有降低表面能溶液的承载基板上,压覆后所述衬底基板的所述栅极绝缘层朝向所述承载基板,所述栅极绝缘层的所述沟道图形以外的部分与所述承载基板上涂覆的降低表面能溶液接触;
移除所述承载基板后,通过溶液制程法在所述栅极绝缘层的所述沟道图形内形成所述源电极和所述漏电极;
在所述源电极和所述漏电极所在层之上形成彼此直接接触的有机半导体膜层作为有源层。
优选的,所述通过溶液制程法在所述栅极绝缘层的所述沟道图形内形成所述源电极和所述漏电极,包括:
将制备所述源电极和所述漏电极的金属材料均匀分散于亲水性溶剂中;
采用涂布法或旋涂法将均匀分散有所述金属材料的亲水性溶剂填覆于所述沟道图形内;
通过低温固化工艺使亲水性溶剂蒸发并形成所述源电极和所述漏电极。
优选的,所述金属材料为金、铝、铬、钛、镍、钼中的任意一种材料或其中两种及上的合金材料;所述亲水性溶剂为乙醇溶剂。
优选的,在所述栅极绝缘层上形成用于制备所述源电极和所述漏电极的沟道图形的工艺为压印法。
优选的,所述降低表面能溶液为六甲基二硅胺烷HMDS溶液或十八烷基三氯硅烷OTS溶液。
优选的,所述在所述源电极和所述漏电极所在层之上形成彼此直接接触的有机半导体膜层作为所述有源层,包括:
采用喷墨打印方法在所述源电极和所述漏电极所在层之上涂覆聚噻吩P3HT、聚苯胺PAE、聚吡咯、聚芴PF、并五苯、氧钛酞菁TiOPC、红荧烯中任一种材料的膜层作为所述有源层。
优选的,所述栅极导电层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO或石墨烯材料。
优选的,还包括:
在所述有源层之上形成羟基化的第二PDMS膜层;
使所述第二PDMS膜层背向所述有源层的一面经紫外光处理后形成第二SiO2膜层;
使所述第二SiO2膜层和所述第二PDMS膜层的叠层低温固化后作为保护层。
优选的,形成所述第一PDMS膜层和所述第二PDMS膜层的工艺为涂布法或旋涂法。
优选的,对所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层进行低温固化、以及对所述第二SiO2膜层和所述第二PDMS膜层的叠层进行低温固化的温度均为40℃,低温固化的时长为6小时。
本发明实施例有益效果如下:通过使第一PDMS膜层朝向衬底基板的一面经紫外光处理形成第一SiO2膜层,从而使包括该第一SiO2膜层和第一PDMS 膜层的叠层作为栅极绝缘层,从而解决单独以PDMS膜层作为OTFT器件的栅极绝缘层所导致的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。
本发明实施例还提供一种有机薄膜晶体管,包括:
衬底基板;
形成于所述衬底基板上的透明的栅极导电层;
形成于透明的所述栅极导电层之上的第一PDMS膜层,所述第一PDMS膜层朝向所述栅极导电层的一面形成的第一SiO2膜层,包括第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层。
优选的,还包括:
形成于所述栅极绝缘层之上的源电极和漏电极;
形成于所述源电极和所述漏电极所在层之上、且与所述源电极和所述漏电极彼此直接接触的有机半导体膜层,所述有机半导体膜层作为有源层。
优选的,还包括形成于所述有源层之上的第二PDMS膜层,所述第二PDMS膜层包括朝向所述有源层的一面形成的第二SiO2膜层,包括所述第二SiO2膜层的所述第一PDMS膜层作为保护层。
本发明实施例有益效果如下:通过使第一PDMS膜层朝向衬底基板的一面经紫外光处理形成第一SiO2膜层,从而使包括该第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层,从而解决单独以PDMS膜层作为OTFT器件的栅极绝缘层所导致的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的第一种有机薄膜晶体管的制备方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的第二种有机薄膜晶体管的制备方法的流程图;
图3为本发明实施例提供的第三种有机薄膜晶体管的制备方法的流程图;
图4为本发明实施例中,在栅极导电层上形成羟基化的第一PDMS膜层的示意图;
图5为本发明实施例中,对羟基化的第一PDMS膜层进行紫外光处理形成第一SiO2的示意图;
图6为本发明实施例中,形成源电极和漏电极的示意图;
图7为本发明实施例中,形成有源层的示意图;
图8为本发明实施例中,在有源层之上形成包括第二SiO2的第二PDMS膜层作为保护层所得到的OTFT的示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
实施例一
参见图1,本发明实施例提供一种有机薄膜晶体管的制备方法,包括:
101,在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层。
优选的,栅极导电层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO或石墨烯材料,以使紫外光能够透过。
102,在栅极导电层上形成羟基化的第一PDMS膜层,使第一PDMS膜层朝向栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一SiO2膜层,使第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。
低温固化的温度和时间可以根据不同的要求进行调整,通常情况下,对包括第一SiO2膜层和第一PDMS膜层叠层进行低温固化的温度均为20~60℃,低温固化的时长可以为4~8小时。优选的,对包括第一SiO2膜层和第一PDMS膜层叠层进行低温固化的温度均为40℃,低温固化的时长可以为6小时。
采用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)制备栅极绝缘层,PDMS为有机硅聚合体,具有电绝缘性和耐高低温性,可在-50~+250℃下长 期使用,且压缩率大、表面张力低、憎水防潮性好,由于表面张力低,使其流体状态极易形成平滑、均匀的涂层;通过使第一PDMS膜层朝向栅极导电层的一面形成第一SiO2膜层,从而形成包括第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的无机-有机叠层作为栅极绝缘层,能够降低栅极绝缘层的界面缺陷,从而使制备的OTFT具有较小的漏电流,降低迟滞效应。
本实施例中,通过使第一PDMS膜层朝向衬底基板的一面经紫外光处理形成第一SiO2膜层,从而使包括该第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层,从而解决单独以PDMS膜层作为OTFT器件的栅极绝缘层所导致的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。
实施例二
参见图2,本发明实施例提供的第二种有机薄膜晶体管的制备方法中,在实施例一提供的步骤101和步骤102的基础上,对有机薄膜晶体管的后续制备工艺进行改进,如下:
101,在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层。
102,在栅极导电层上形成羟基化的第一PDMS膜层,使第一PDMS膜层朝向栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一SiO2膜层,使第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。
103,在栅极绝缘层上形成用于制备源电极和漏电极的沟道图形。
优选的,在栅极绝缘层上形成用于制备源电极和漏电极的沟道图形的工艺为压印法。
104,使衬底基板压覆于表面涂覆有降低表面能溶液的承载基板上,压覆后衬底基板的栅极绝缘层朝向承载基板,栅极绝缘层的沟道图形以外的部分与承载基板上涂覆的降低表面能溶液接触。
优选的,降低表面能溶液为六甲基二硅胺烷HMDS溶液或十八烷基三氯硅烷OTS溶液。
105,移除承载基板后,通过溶液制程法在栅极绝缘层的沟道图形内形成 源电极和漏电极。以溶液制程法在栅极绝缘层的有机层上形成源电极和漏电极,该源电极和漏电极与后续形成的有机半导体膜层具有良好的欧姆接触,能够提高OTFT的响应速度。
具体的,通过溶液制程法在栅极绝缘层的沟道图形内形成源电极和漏电极,包括:
将制备源电极和漏电极的金属材料均匀分散于亲水性溶剂中;
采用涂布法或旋涂法将均匀分散有金属材料的亲水性溶剂填覆于沟道图形内;
通过低温固化工艺使亲水性溶剂蒸发并形成源电极和漏电极。
106,在源电极和漏电极所在层之上形成彼此直接接触的有机半导体膜层作为有源层;具体的,包括:
制备源电极和漏电极的金属材料优选金、铝、铬、钛、镍、钼中的任意一种材料或其中两种及上的合金材料;亲水性溶剂优选乙醇溶剂。
采用喷墨打印方法在源电极和漏电极所在层之上涂覆聚噻吩P3HT、聚苯胺PAE、聚吡咯、聚芴PF、并五苯、氧钛酞菁TiOPC、红荧烯中任一种材料的膜层作为有源层。
本实施例中,通过使第一PDMS膜层朝向衬底基板的一面经紫外光处理形成第一SiO2膜层,从而使包括该第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层,从而解决单独以PDMS膜层作为OTFT器件的栅极绝缘层所导致的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题;同时以溶液制程法在栅极绝缘层的有机层上形成源电极和漏电极,该源电极和漏电极与后续形成的有机半导体膜层具有良好的欧姆接触,能够提高OTFT的响应速度。
在以实施例二提供的方法制备OTFT后,还可以有源层之上设置保护层,如下:
实施例三
参见图3,本发明实施例提供另一种有机薄膜晶体管的制备方法,包括:
101,在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层。
优选的,栅极导电层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO或石墨烯材料,以使紫外光能够透过。
102,在栅极导电层上形成羟基化的第一PDMS膜层,使第一PDMS膜层朝向栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一SiO2膜层,使第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。
采用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)制备栅极绝缘层,PDMS为有机硅聚合体,具有电绝缘性和耐高低温性,可在-50~+250℃下长期使用,且压缩率大、表面张力低、憎水防潮性好,由于表面张力低,使其流体状态极易形成平滑、均匀的涂层;通过使第一PDMS膜层朝向栅极导电层的一面形成第一SiO2膜层,从而形成包括第一SiO2膜层和第一PDMS膜层叠层的无机-有机的栅极绝缘层,能够降低栅极绝缘层的界面缺陷,从而使制备的OTFT具有较小的漏电流,降低迟滞效应。
低温固化的温度和时间可以根据不同的要求进行调整,通常情况下,对包括第一SiO2膜层和第一PDMS膜层叠层进行低温固化的温度均为20~60℃,低温固化的时长可以为4~8小时。优选的,对包括第一SiO2膜层和第一PDMS膜层叠层进行低温固化的温度均为40℃,低温固化的时长可以为6小时。
103,在栅极绝缘层上形成用于制备源电极和漏电极的沟道图形。
优选的,在栅极绝缘层上形成用于制备源电极和漏电极的沟道图形的工艺为压印法。
104,使衬底基板压覆于表面涂覆有降低表面能溶液的承载基板上,压覆后衬底基板的栅极绝缘层朝向承载基板,栅极绝缘层的沟道图形以外的部分与承载基板上涂覆的降低表面能溶液接触。
优选的,降低表面能溶液为六甲基二硅胺烷HMDS溶液或十八烷基三氯硅烷OTS溶液。
105,移除承载基板后,通过溶液制程法在栅极绝缘层的沟道图形内形成 源电极和漏电极。以溶液制程法在第一PDMS膜层的有机层上形成源电极和漏电极,该源电极和漏电极与后续形成的有机半导体膜层具有良好的欧姆接触,能够提高OTFT的响应速度。
具体的,通过溶液制程法在栅极绝缘层的沟道图形内形成源电极和漏电极,包括:
将制备源电极和漏电极的金属材料均匀分散于亲水性溶剂中;
采用涂布法或旋涂法将均匀分散有金属材料的亲水性溶剂填覆于沟道图形内;
通过低温固化工艺使亲水性溶剂蒸发并形成源电极和漏电极。
106,在源电极和漏电极所在层之上形成彼此直接接触的有机半导体膜层作为有源层;具体的,包括:
制备源电极和漏电极的金属材料优选金、铝、铬、钛、镍、钼中的任意一种材料或其中两种及上的合金材料;亲水性溶剂优选乙醇溶剂。
采用喷墨打印方法在源电极和漏电极所在层之上涂覆聚噻吩P3HT、聚苯胺PAE、聚吡咯、聚芴PF、并五苯、氧钛酞菁TiOPC、红荧烯中任一种材料的膜层作为有源层。
107,在有源层之上形成羟基化的第二PDMS膜层,使第二PDMS膜层背向有源层的一面经紫外光处理后形成第二SiO2膜层,使第二SiO2膜层和第二PDMS膜层的叠层低温固化后作为保护层。
优选的,形成第二PDMS膜层的工艺为涂布法或旋涂法。
低温固化的温度和时间可以根据不同的要求进行调整,通常情况下,对包括第二SiO2膜层和第二PDMS膜层叠层进行低温固化的温度均为20~60℃,低温固化的时长可以为4~8小时。优选的,对包括第二SiO2膜层和第二PDMS膜层叠层进行低温固化的温度均为40℃,低温固化的时长可以为6小时。
本实施例中,通过使第一PDMS膜层朝向衬底基板的一面经紫外光处理形成第一SiO2膜层,从而使包括该第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层作 为栅极绝缘层,从而解决单独以PDMS膜层作为OTFT器件的栅极绝缘层所导致的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题;;同时以溶液制程法在栅极绝缘层的有机层上形成源电极和漏电极,该源电极和漏电极与后续形成的有机半导体膜层具有良好的欧姆接触,能够提高OTFT的响应速度;进一步的,在有源层之上形成包括第二SiO2膜层和第二PDMS膜层的叠层,对有源层进行保护。
为了更清楚描述本实施例提供的OTFT的制备方法,结合图4至图8进行说明如下:
如图4所示,在衬底基板1之上有形成的栅极导电层2,在栅极导电层2上形成羟基化的第一PDMS膜层31。衬底基板1需要选用能够透过紫外光的基材,同样的,栅极导电层2的材料也需要能够透过紫外光,栅极导电层2的材料可以选择氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
如图5所示,利用紫外光10对第一PDMS膜层31朝向栅极导电层2的一面进行处理之后进行低温固化,使第一PDMS膜层31的朝向栅极导电层2的一面形成第一SiO2膜层32,第一PDMS膜层31和第一SiO2膜层32的叠层共同构成栅极绝缘层3。
对包括第一SiO2膜层32的第一PDMS膜层31进行低温固化进行低温固化的温度均为40℃,低温固化的时长为6小时。
如图6所示,在栅极绝缘层3上形成源电极4和漏电极5,可以采用溶液制程法,具体参照实施例一或实施例二。
如图7所示,在源电极4和漏电极5所在层之上形成有源层6。
需要说明的是,图7所示的结构可以视为根据实施例一的全部步骤或实施例二的部分步骤完成的OTFT,当然,也可以在有源层6的基础上增加如图7所示的保护层7,该保护层7具有与栅极绝缘层3相似的制备工艺,不同之处在于,保护层7包括第二SiO2膜层72和第二PDMS膜层71叠层,第二SiO2膜层72位于第二PDMS膜层71背向栅极导电层2的一面。
如图8所示,基于同样的发明思想,本发明实施例还提供一种有机薄膜晶 体管,包括:
衬底基板1;
形成于衬底基板1上的透明的栅极导电层2;
形成于透明的栅极导电层2之上的第一PDMS膜层31,第一PDMS膜层朝向栅极导电层的一面形成的第一SiO2膜层32,第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层3;
形成于栅极绝缘层3之上的源电极4和漏电极5;
形成于源电极4和漏电极5所在层之上、且与源电极4和漏电极5彼此直接接触的有机半导体膜层,有机半导体膜层作为有源层6。
优选的,还包括形成于有源层6之上的第二PDMS膜层71,第二PDMS膜层71朝向有源层的一面形成的第二SiO2膜层72,第二SiO2膜层72和第二PDMS膜层71作为保护层7。
本发明实施例有益效果如下:通过使第一PDMS膜层朝向衬底基板的一面经紫外光处理形成第一SiO2膜层,从而使该第一SiO2膜层和第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层,从而解决单独以PDMS膜层作为OTFT器件的栅极绝缘层所导致的阈值电压相对较高、漏电流较大的问题。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (14)
1.一种有机薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:
在可透过紫外光线的衬底基板上形成透明的栅极导电层;
在所述栅极导电层上形成羟基化的第一聚二甲基硅氧烷PDMS膜层,使所述第一PDMS膜层朝向所述栅极导电层的一面经紫外光线处理后形成第一二氧化硅SiO2膜层,使所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层低温固化后作为栅极绝缘层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述栅极绝缘层上形成用于制备源电极和漏电极的沟道图形;
使所述衬底基板压覆于表面涂覆有降低表面能溶液的承载基板上,压覆后所述衬底基板的所述栅极绝缘层朝向所述承载基板,所述栅极绝缘层的所述沟道图形以外的部分与所述承载基板上涂覆的降低表面能溶液接触;
移除所述承载基板后,通过溶液制程法在所述栅极绝缘层的所述沟道图形内形成所述源电极和所述漏电极;
在所述源电极和所述漏电极所在层之上形成彼此直接接触的有机半导体膜层作为有源层。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述通过溶液制程法在所述栅极绝缘层的所述沟道图形内形成所述源电极和所述漏电极,包括:
将制备所述源电极和所述漏电极的金属材料均匀分散于亲水性溶剂中;
采用涂布法或旋涂法将均匀分散有所述金属材料的亲水性溶剂填覆于所述所述沟道图形内;
通过低温固化工艺使亲水性溶剂蒸发并形成所述源电极和所述漏电极。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述金属材料为金、铝、铬、钛、镍、钼中的任意一种材料或其中两种及上的合金材料;所述亲水性溶剂为乙醇溶剂。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述栅极绝缘层上形成用于制备所述源电极和所述漏电极的沟道图形的工艺为压印法。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述降低表面能溶液为六甲基二硅胺烷HMDS溶液或十八烷基三氯硅烷OTS溶液。
7.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述源电极和所述漏电极所在层之上形成彼此直接接触的有机半导体膜层作为所述有源层,包括:
采用喷墨打印方法在所述源电极和所述漏电极所在层之上涂覆聚噻吩P3HT、聚苯胺PAE、聚吡咯、聚芴PF、并五苯、氧钛酞菁TiOPC、红荧烯中任一种材料的膜层作为所述有源层。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述栅极导电层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO或石墨烯材料。
9.如权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述有源层之上形成羟基化的第二PDMS膜层;
使所述第二PDMS膜层背向所述有源层的一面经紫外光处理后形成第二SiO2膜层;
使所述第二SiO2膜层和所述第二PDMS膜层的叠层低温固化后作为保护层。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,形成所述第一PDMS膜层和所述第二PDMS膜层的工艺为涂布法或旋涂法。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,对所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层进行低温固化、以及对所述第二SiO2膜层和所述第二PDMS膜层进行低温固化的温度均为40℃,低温固化的时长为6小时。
12.一种有机薄膜晶体管,其特征在于,包括:
衬底基板;
形成于所述衬底基板上的透明的栅极导电层;
形成于透明的所述栅极导电层之上的第一PDMS膜层,所述第一PDMS膜层朝向所述栅极导电层的一面形成的第一SiO2膜层,包括所述第一SiO2膜层和所述第一PDMS膜层的叠层作为栅极绝缘层。
13.如权利要求12所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
形成于所述栅极绝缘层之上的源电极和漏电极;
形成于所述源电极和所述漏电极所在层之上、且与所述源电极和所述漏电极彼此直接接触的有机半导体膜层,所述有机半导体膜层作为有源层。
14.如权利要求13所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,还包括形成于所述有源层之上的第二PDMS膜层,所述第二PDMS膜层朝向所述有源层的一面形成的第二SiO2膜层,包括所述第二SiO2膜层和所述第二PDMS膜层的叠层作为保护层。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610066532.4A CN105489762B (zh) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
PCT/CN2016/095305 WO2017128697A1 (en) | 2016-01-29 | 2016-08-15 | Organic thin film transistor, and fabricating method thereof |
US15/501,286 US10741767B2 (en) | 2016-01-29 | 2016-08-15 | Organic thin film transistor, and fabricating method thereof |
EP16834225.1A EP3408876A4 (en) | 2016-01-29 | 2016-08-15 | TRANSISTOR WITH ORGANIC THIN LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
US16/866,446 US20200266353A1 (en) | 2016-01-29 | 2020-05-04 | Organic thin film transistor, and fabricating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610066532.4A CN105489762B (zh) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105489762A CN105489762A (zh) | 2016-04-13 |
CN105489762B true CN105489762B (zh) | 2017-03-15 |
Family
ID=55676617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610066532.4A Active CN105489762B (zh) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10741767B2 (zh) |
EP (1) | EP3408876A4 (zh) |
CN (1) | CN105489762B (zh) |
WO (1) | WO2017128697A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105489762B (zh) | 2016-01-29 | 2017-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
US10388895B2 (en) * | 2017-11-07 | 2019-08-20 | Shenzhen China Star Optoelectonics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic thin film transistor with charge injection layer and manufacturing method thereof |
CN112599672B (zh) * | 2020-12-15 | 2022-08-02 | 惠州学院 | 一种石墨烯增强薄膜晶体管及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103413891A (zh) * | 2013-08-22 | 2013-11-27 | 上海交通大学 | 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法 |
CN103579502A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-12 | 电子科技大学 | 一种有机场效应晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI234304B (en) * | 2004-09-03 | 2005-06-11 | Ind Tech Res Inst | Process of increasing carrier mobility of organic semiconductor |
KR101102152B1 (ko) * | 2005-06-28 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된유기박막 트랜지스터 |
KR100659112B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 |
US7968871B2 (en) * | 2008-04-11 | 2011-06-28 | Xerox Corporation | Organic thin film transistor |
US20090297868A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method for Forming Self-Assembled Monolayer Film, and Structural Body and Field-Effect Transistor Having Same |
JP5630036B2 (ja) * | 2009-05-07 | 2014-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 有機トランジスター、有機トランジスターの製造方法、電気光学装置および電子機器 |
CN103730574A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-16 | 合肥工业大学 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
CN103985764B (zh) | 2014-05-30 | 2018-07-03 | Tcl集团股份有限公司 | 氧化物tft及其制备方法、阵列基板、显示器件 |
CN105047677B (zh) | 2015-09-09 | 2017-12-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
CN105489762B (zh) * | 2016-01-29 | 2017-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
-
2016
- 2016-01-29 CN CN201610066532.4A patent/CN105489762B/zh active Active
- 2016-08-15 US US15/501,286 patent/US10741767B2/en active Active
- 2016-08-15 EP EP16834225.1A patent/EP3408876A4/en active Pending
- 2016-08-15 WO PCT/CN2016/095305 patent/WO2017128697A1/en active Application Filing
-
2020
- 2020-05-04 US US16/866,446 patent/US20200266353A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103413891A (zh) * | 2013-08-22 | 2013-11-27 | 上海交通大学 | 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法 |
CN103579502A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-12 | 电子科技大学 | 一种有机场效应晶体管及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3408876A1 (en) | 2018-12-05 |
CN105489762A (zh) | 2016-04-13 |
US10741767B2 (en) | 2020-08-11 |
WO2017128697A1 (en) | 2017-08-03 |
US20180053896A1 (en) | 2018-02-22 |
US20200266353A1 (en) | 2020-08-20 |
EP3408876A4 (en) | 2019-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Liu et al. | Enabling gate dielectric design for all solution-processed, high-performance, flexible organic thin-film transistors | |
Wu et al. | Printed silver ohmic contacts for high-mobility organic thin-film transistors | |
Veres et al. | Gate insulators in organic field-effect transistors | |
Said et al. | Polymer field-effect transistor gated via a poly (styrenesulfonic acid) thin film | |
EP1928038B1 (en) | Organic thin film transistor with dual layer electrodes | |
CN105489762B (zh) | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
KR20080047543A (ko) | 트랜지스터, 유기 반도체 소자, 및 이들의 제조 방법 | |
Acharya et al. | Achieving ultralow turn-on voltages in organic thin-film transistors: Investigating fluoroalkylphosphonic acid self-assembled monolayer hybrid dielectrics | |
CN102867914A (zh) | 电子器件和半导体器件的制造方法 | |
EP2117059B1 (en) | Organic Thin Film Transistors | |
US9024298B2 (en) | Encapsulation layer for electronic devices | |
Park et al. | Electrical characteristics of poly (3-hexylthiophene) thin film transistors printed and spin-coated on plastic substrates | |
CN101262042B (zh) | 有机晶体管、其制造方法及电子设备 | |
TW200919795A (en) | Stacked structure and method of patterning the same and organic thin film transistor and array including the same | |
JP6191235B2 (ja) | 有機トランジスタ及びその製造方法 | |
CN107077920B (zh) | 作为光可交联介电质的醚基聚合物 | |
EP3214654A1 (en) | Thin-film transistor array and method for manufacturing same | |
Shi et al. | Adhesive-free transfer of gold patterns to PDMS-based nanocomposite dielectric for printed high-performance organic thin-film transistors | |
CN109270131A (zh) | 一种嵌有小分子添加剂的otft氨气传感器及其制备方法 | |
Boukhili et al. | Organic insulator layer influence on the electrical properties of N, N’-di (2-ethylhexyl)-3, 4, 9, 10-perylene diimide organic thin-film transistors: Experiment and modeling | |
Ali et al. | Application of tosylate-doped poly (3, 4ethylenedioxythiophene)(PEDOT) films into bottom contact pentacene organic thin film transistors (OTFTs) | |
Choi et al. | Effect of SAM layer on bias-stability of inkjet printed TIPS pentacene thin-film transistor | |
Wong et al. | Materials and novel patterning methods for flexible electronics | |
Tozlu et al. | Comparative study of arylene bisimides substituted with imidazole side group for different dielectrics on the OFET application | |
Nayak et al. | Effect of ionic liquid dispersion on performance of a conducting polymer based Schottky diode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |