CN105489705A - 一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 56
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 101100373011 Drosophila melanogaster wapl gene Proteins 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 210000004483 pasc Anatomy 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 abstract 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其包括如下步骤：用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。
Description
技术领域：
本发明涉及一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其属于光伏技术领域。
背景技术：
四甲基氢氧化铵作为刻蚀抛光剂在晶硅太阳能电池制造中应用的越来越广泛，现有的四甲基氢氧化铵抛光刻蚀的主要工艺步骤为：
第一步，用8-10％的HF酸溶液将扩散后硅片非扩散面与边缘的磷硅玻璃去掉；
第二步，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用5-30％的四甲基氢氧化铵70-80℃温度下对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；
第三步，用大量的水洗掉硅片表面残留的四甲基氢氧化铵；
第四步，用20％左右的HF酸去除扩散面的磷硅玻璃；
第五步，用纯水洗净硅片表面残留的HF酸。
现有技术中第二步与第四步是碱与酸的转换，中间需要大量的水来清洗，造成水资源的浪费，同时，如果清洗不干净的话，残留的碱液会被带入HF酸中继续反应，一方面降低了HF酸的浓度，造成扩散面磷硅玻璃去除不干净，另一方面，生成物也会对硅片造成污染。
发明内容：
本发明提供一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其能够将残留的四甲基氢氧化铵清洗干净。
本发明采用如下技术方案：一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其包括如下步骤：
第一步、用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；
第二步、在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；
第三步、纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；
第四步、在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；
第五步、在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；
第六步、在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。
本发明具有如下有益效果：本发明通过在第三步水洗后加一个盐酸清洗，彻底中和了四甲基氢氧化铵的活性，可以减少水和氢氟酸的用量降低废水处理的难度。
具体实施方式：
本发明制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，包括如下步骤：
第一步、用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；
第二步、在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；
第三步、纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；
第四步、在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；
第五步、在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；
第六步、在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。
本发明通过在第三步水洗后加一个盐酸清洗，彻底中和了四甲基氢氧化铵的活性，可以减少水和氢氟酸的用量降低废水处理的难度。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下还可以作出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤
第一步、用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除；
第二步、在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；
第三步、纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s，对硅片进行降温；
第四步、在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进行中和，时间50s；
第五步、在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷硅玻璃；
第六步、在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511019411.6A CN105489705A (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511019411.6A CN105489705A (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105489705A true CN105489705A (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=55676567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201511019411.6A Pending CN105489705A (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105489705A (zh) |
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