CN105489630A - 制造显示装置的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种制造显示装置的装置和方法。在一方面,该装置包括室和形成在室中并被配置为形成至少一个无机层的无机层形成喷嘴单元。该装置还包括形成在室中并被配置为形成至少一个有机层的有机层形成喷嘴单元,其中,有机层形成喷嘴单元与无机层形成喷嘴单元基本上直列地布置。该装置还包括形成在无机层形成喷嘴单元与有机层形成喷嘴单元之间并被配置为喷射惰性气体的分隔喷嘴单元。

Description

制造显示装置的装置和方法
本申请要求于2014年10月6日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0134487号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
所描述的技术总体上涉及一种制造显示装置的装置和方法。
背景技术
便携式或移动设备已被广泛使用。例如,平板电脑是移动电子设备的常见示例,除了诸如移动电话的小尺寸电子设备之外。
这些电子设备包括显示单元,用于支持各种功能并向用户提供诸如图像或视频的可视信息。最近,随着用于驱动显示单元的组件已经被小型化,显示单元已经逐渐地增大尺寸。此外,已经开发出能够被弯曲(即,具有相对于平坦构造的预定角度)的显示器。
发明内容
一个发明方面是一种用于制造显示装置的装置和制造显示装置的方法。
另一个方面是一种用于制造显示装置的装置,该装置包括:室;无机层形成喷嘴单元,形成在室中,用于形成无机层;有机层形成喷嘴单元,形成在室中,并被布置为无机层形成喷嘴单元顺列以形成有机层;以及分隔喷嘴单元,形成在无机层形成喷嘴单元与有机层形成喷嘴单元之间以喷射惰性气体。
无机层形成喷嘴单元和分隔喷嘴单元以及有机层形成喷嘴单元和分隔喷嘴单元可被形成为彼此分隔开,室中的气体可在无机层形成喷嘴单元与分隔喷嘴单元之间以及有机层形成喷嘴单元与分隔喷嘴单元之间被抽吸。
所述装置还可包括形成在所述室中以直线地移动的传送单元,其中,其上形成有显示单元的基底被安装在传送单元上。
无机层形成喷嘴单元可包括:源气体供给喷嘴单元,包括第一空间,源气体被供给到第一空间以被喷射;等离子体供给喷嘴单元,包括第二空间,反应气体被供给到第二空间以产生等离子体,等离子体供给喷嘴单元向外部喷射等离子体;以及吹扫气体供给喷嘴单元,与源气体供给喷嘴单元和等离子体供给喷嘴单元中的至少一个分开,并供给吹扫气体。
等离子体供给喷嘴单元可包括:反应气体供给单元,形成在第二空间中并包括第三空间,使得可通过第三空间供给反应气体;以及等离子体供给喷嘴主体,被设置为围绕反应气体供给单元以与反应气体供给单元形成第二空间,并与反应气体供给单元产生电势差以从反应气体(从第三空间供给到第二空间的)产生等离子体。
有机层形成喷嘴单元可包括喷头,喷头供给来自外部的沉积气体以形成活化的离子物种并喷射活化的离子物种。
有机层形成喷嘴单元可包括:外部,形成外观;绝缘单元,形成在外部中并在其中包括喷头;以及第二电源单元,用于在外部与喷头之间产生电势差。
无机层形成喷嘴单元、分隔喷嘴单元和有机层形成喷嘴单元可顺序地布置。
有机层形成喷嘴单元、分隔喷嘴单元和无机层形成喷嘴单元可顺序地布置。
无机层形成喷嘴单元和有机层形成喷嘴单元中的至少一者可设置为多个。
分隔喷嘴单元可形成在两个相邻的无机层形成喷嘴单元之间或两个相邻的有机层形成喷嘴单元之间。
所述装置还可包括卸载单元,卸载单元用于通过连接到所述室来从所述室卸载基底,在所述室中,其上形成有显示单元的基底被运送,并且通过形成无机层和有机层中的至少一个在显示单元上形成薄膜包封层。
所述装置还可包括保护层形成单元,保护层形成单元连接到卸载单元使得基底可从卸载单元传送,保护层形成单元在薄膜包封层上形成保护层。
另一方面是一种制造显示装置的方法,该方法包括:将其上形成有显示单元的基底运送到室中;通过在室中在显示单元上沉积无机层和有机层来形成薄膜包封层;以及通过连接到室的保护层形成单元在薄膜包封层上形成保护层。
薄膜包封层可由用于形成无机层的无机层形成喷嘴单元和用于形成有机层的有机层形成喷嘴单元来形成,其中,无机层形成喷嘴单元和有机层形成喷嘴单元在室中彼此直列地布置。
在形成无机层和有机层的同时,可以传送基底。
该方法还可包括:在形成无机层或有机层时,向基底的侧表面喷射惰性气体。
该方法还可包括抽吸惰性气体。无机层和有机层中的至少一者可设置为多个。
另一个方面是一种用于制造显示装置的装置,该装置包括:室;无机层形成喷嘴单元,形成在室中并被配置为形成至少一个无机层;有机层形成喷嘴单元,形成在室中并被配置为形成至少一个有机层,其中,有机层形成喷嘴单元与无机层形成喷嘴单元基本上直列地布置;以及分隔喷嘴单元,形成在无机层形成喷嘴单元与有机层形成喷嘴单元之间并被配置为喷射惰性气体。
上述装置还包括被配置为在无机层形成喷嘴单元与分隔喷嘴单元之间以及有机层形成喷嘴单元与分隔喷嘴单元之间抽吸室中的气体的吸气单元。上述装置还包括形成在室中并被配置为基本上直线地移动的传送器,其中,传送器还被配置为接收其上形成有显示单元的基底。在上述装置中,无机层形成喷嘴单元包括:源气体供给喷嘴,包括第一空间,源气体被供给到第一空间以被喷射;等离子体供给喷嘴,包括第二空间,反应气体被供给到第二空间以产生等离子体,等离子体供给喷嘴被配置为向外部喷射等离子体;以及吹扫气体供给喷嘴,与源气体供给喷嘴和等离子体供给喷嘴中的至少一个分开,并被配置为供给吹扫气体。在上述装置中,等离子体供给喷嘴包括:反应气体供给单元,形成在第二空间中并包括第三空间,通过第三空间供给反应气体;以及等离子体供给喷嘴主体,被配置为围绕反应气体供给单元以与反应气体供给单元形成第二空间,并被配置为与反应气体供给单元产生电势差以从反应气体产生等离子体。
在上述装置中,有机层形成喷嘴单元包括喷头,喷头被配置为供给沉积气体以形成活化的离子物种并被配置为喷射活化的离子物种。在上述装置中,有机层形成喷嘴单元包括:外部,形成外观;绝缘单元,形成在外部中并在其中包括喷头;以及第二电源单元,被配置为在外部与喷头之间产生电势差。在上述装置中,无机层形成喷嘴单元、分隔喷嘴单元和有机层形成喷嘴单元顺序地布置。在上述装置中,有机层形成喷嘴单元、分隔喷嘴单元和无机层形成喷嘴单元顺序地布置。在上述装置中,无机层形成喷嘴单元是多个喷嘴单元,和/或有机层形成喷嘴单元是多个喷嘴单元。
在上述装置中,分隔喷嘴单元形成在两个相邻的无机层形成喷嘴单元之间或两个相邻的有机层形成喷嘴单元之间。上述装置还包括卸载器,卸载器被配置为从室卸载其上形成有显示单元和薄膜包封层的基底。上述装置还包括与被配置为传送基底的卸载器连接的保护层形成单元,其中,保护层形成单元被配置为在薄膜包封层上形成保护层。
另一方面是一种制造显示装置的方法,该方法包括:将其上形成有显示单元的基底运送到室中;在室中在显示单元上沉积无机材料和有机材料,以形成薄膜包封层;以及通过连接到室的保护层形成单元在薄膜包封层上形成保护层。
在上面的方法中,通过被配置为喷射无机材料的无机层形成喷嘴单元和被配置为喷射有机材料的有机层形成喷嘴单元来形成薄膜包封层,其中,无机层形成喷嘴单元和有机层形成喷嘴单元在室中基本上彼此直列地布置。在上面的方法中,在沉积无机材料和有机材料的同时传送基底。上述方法还包括:在沉积无机材料和有机材料时,向基底的侧表面喷射惰性气体。上述方法还包括抽吸惰性气体。在上面的方法中,沉积包括形成至少一个无机层和至少一个有机层。
另一方面是一种用于制造显示装置的装置,该装置包括:室;多个第一喷嘴,安置在室中,其中,多个第一喷嘴中的每个被配置为喷射无机材料以形成无机层;以及多个第二喷嘴,安置在室中,其中,多个第二喷嘴中的每个被配置为喷射有机材料以形成有机层,其中,第一喷嘴和第二喷嘴交替地布置。
附图说明
图1是根据实施例的用于制造显示装置的装置的概念图。
图2是图1的用于制造显示装置的装置中的无机层形成喷嘴单元和有机层形成喷嘴单元的布置的概念图。
图3是图2的无机层形成喷嘴单元的分解透视图。
图4是无机层形成喷嘴单元沿图3中的IV-IV线截取的剖视图。
图5是由图1的用于制造显示装置的装置制造的显示装置的概念图。
图6是图5的显示装置的部分的剖视图。
具体实施方式
因为所描述的技术允许各种变化和众多实施例,所以将在附图中示出具体的实施例,并将在书面描述中详细地描述具体的实施例。然而,这并不意图将所描述的技术局限于具体的实施方式,并且将要理解的是,不脱离精神和技术范围的所有改变、等同物和替换物被包含在所描述的技术中。
在下文中,将通过参照附图解释所描述的技术的示例性实施例来详细描述所描述的技术。附图中的相同的附图标记表示相同的元件。
将要理解的是,尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件,但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个组件与另一个组件区分开来。
如这里所使用的,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式的“一个(种)(者)”、“该”和“所述”也意图包括复数形式。
将要理解的是,当层、区域或组件被称作“形成在”另一层、区域或组件“上”时,它可直接或间接地形成在另一个层、区域或组件上。即,例如,可存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于说明,可夸大附图中的组件的尺寸。换句话说,因为为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度,所以下面的实施例并不局限于此。
在下面的示例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并可以以更广泛的意义来解释。例如,x轴、y轴和z轴可彼此垂直,或者可表示彼此不垂直的不同的方向。
当可不同地实现特定的实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如,连续地描述的两个工艺可基本上同时地执行,或者按照与所描述的顺序相反的顺序执行。
如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)(者)”的表述放在一系列元件(要素)之后时,修饰整个系列的元件(要素),而不是修饰所述系列中的个别元件(要素)。在本公开中,术语“基本上”包括完全、几乎完全或在一些应用下对本领域技术人员而言达到任何显著程度的含义。此外,“形成在……上”也可指“形成在……上方”。术语“连接”包括电连接。
参照图1至图6,用于制造显示装置的装置100包括室120、无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140、分隔喷嘴单元150、传送单元或传送器160、装载单元或装载器110、卸载单元或卸载器170和保护层形成单元180。
室120可连接到装载单元110和卸载单元170。这里,闸阀191可设置在室120与装载单元110之间以及室120与卸载单元170之间。
室120可具有内部空间,无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140、分隔喷嘴单元150和传送单元160可形成在内部空间中。这里,无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140和分隔喷嘴单元150可被布置为直列式(in-linetype,或称为顺列式、直线式或串联式)。
无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140和分隔喷嘴单元150可以以各种方式布置。例如,无机层形成喷嘴单元130、分隔喷嘴单元150和有机层形成喷嘴单元140顺序地形成。根据另一实施例,有机层形成喷嘴单元140、分隔喷嘴单元150和无机层形成喷嘴单元130顺序地形成。根据另一实施例,无机层形成喷嘴单元130、分隔喷嘴单元150和有机层形成喷嘴单元140形成一组,并且该组被重复地布置。另外,有机层形成喷嘴单元140、分隔喷嘴单元150和无机层形成喷嘴单元130可形成一组,并且该组被重复地布置。这里,分隔喷嘴单元150可形成在这些组之间。
除了上述示例之外,从无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140和分隔喷嘴单元150中选择的至少一者可设置为多个。这里,除了上述示例之外,分隔喷嘴单元150可形成在无机层形成喷嘴单元130中的彼此相邻的无机层形成喷嘴单元130之间。此外,分隔喷嘴单元150可形成在有机层形成喷嘴单元140中的彼此相邻的有机层形成喷嘴单元140之间。
在下文中,如果存在多个无机层形成喷嘴单元130、多个有机层形成喷嘴单元140和多个分隔喷嘴单元150,则为了便于描述,沿着传送基底210的方向用第一、第二、……和第N来表示它们。
例如,无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140和分隔喷嘴单元150按照第一无机层形成喷嘴单元、第一分隔喷嘴单元、第二无机层形成喷嘴单元、第二分隔喷嘴单元和第一有机层形成喷嘴单元的顺序布置。此外,第一有机层形成喷嘴单元、第一分隔喷嘴单元、第二有机层形成喷嘴单元、第二分隔喷嘴单元和第一无机层形成喷嘴单元可顺序地布置。另外,第一有机层形成喷嘴单元、第一分隔喷嘴单元、第二有机层形成喷嘴单元、第二分隔喷嘴单元、第一无机层形成喷嘴单元、第三分隔喷嘴单元、第三有机层形成喷嘴单元、第四分隔喷嘴单元和第四有机层形成喷嘴单元可顺序地布置。
作为另一个实施例,第一有机层形成喷嘴单元、第一分隔喷嘴单元、第二有机层形成喷嘴单元、第二分隔喷嘴单元、第一无机层形成喷嘴单元、第三分隔喷嘴单元、第三有机层形成喷嘴单元、第四分隔喷嘴单元、第四有机层形成喷嘴单元、第五分隔喷嘴单元、第二无机层形成喷嘴单元、第六分隔喷嘴单元、第五有机层形成喷嘴单元、第七分隔喷嘴单元和第六有机层形成喷嘴单元顺序地布置。
作为另一个实施例,第一有机层形成喷嘴单元、第一分隔喷嘴单元、第一无机层形成喷嘴单元、第二分隔喷嘴单元、第二有机层形成喷嘴单元、第三分隔喷嘴单元、第二无机层形成喷嘴单元、第四分隔喷嘴单元、第三无机层形成喷嘴单元、第五分隔喷嘴单元和第三有机层形成喷嘴单元顺序地布置。
无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140和分隔喷嘴单元150的布置不局限于上述实施例,而是该布置可包括用于堆叠有机层和无机层的所有类型的排列方式,而无需考虑顺序。
然而,无机层形成喷嘴单元130、有机层形成喷嘴单元140和分隔喷嘴单元150被假定按照第一无机层形成喷嘴单元130a、第一分隔喷嘴单元150a、第一有机层形成喷嘴单元140a、第二分隔喷嘴单元150b、第二无机层形成喷嘴单元130b、第三分隔喷嘴单元150c、第二有机层形成喷嘴单元140b和第四分隔喷嘴单元150d的顺序布置。
另外,无机层形成喷嘴单元130可形成无机层。此外,有机层形成喷嘴单元140可形成有机层。这里,无机层形成喷嘴单元130可在原子层沉积(ALD)法中形成无机层,有机层形成喷嘴单元140可在化学气相沉积法中形成有机层。
无机层形成喷嘴单元130可包括源气体供给喷嘴单元131、等离子体供给喷嘴单元132和吹扫气体供给喷嘴单元133。这里,源气体供给喷嘴单元131和等离子体供给喷嘴单元132可在基底210的长度方向或宽度方向上延长。
源气体供给喷嘴单元131具有位于其中的第一空间S1,使得源气体被供给到第一空间S1中并喷射。例如,源气体供给喷嘴单元131包括其中形成有第一空间S1的源气体供给主体131-1和连接到源气体供给主体131-1并从第一空间S1突出的源气体供给喷嘴131-2。这里,源气体供给喷嘴单元131可包括位于其下部的第一孔131-3,其中,源气体通过第一孔131-3排放到室中。
等离子体供给喷嘴单元132包括第二空间S2,在第二空间S2中供给反应气体以产生等离子体并将等离子体喷射到外部。这里,等离子体供给喷嘴单元132可包括形成在第二空间S2中并具有第三空间S3的反应气体供给单元132-1,在第三空间S3中供给反应气体。此外,等离子体供给喷嘴单元132可包括等离子体供给喷嘴主体132-2,等离子体供给喷嘴主体132-2被设置为围绕反应气体供给单元132-1以与反应气体供给单元132-1形成第二空间S2。这里,等离子体供给喷嘴主体132-2可通过与反应气体供给单元132-1产生电势差而在第二空间S2中产生等离子体。例如,等离子体供给喷嘴主体132-2包括第二孔132-3,等离子体可通过第二孔132-3排放到外部。
等离子体供给喷嘴单元132可包括产生反应气体供给单元132-1和等离子体供给喷嘴主体132-2之间的电势差的第一电源单元134。第一电源单元134可是直流(DC)电源或交流(AC)电源。
吹扫气体供给喷嘴单元133可被形成为与源气体供给喷嘴单元131和等离子体供给喷嘴单元132中的至少一个分隔开。这里,吹扫气体供给喷嘴单元133可将吹扫气体供给到室中。
有机层形成喷嘴单元140可形成有机层。这里,有机层形成喷嘴单元140可通过使用化学气相沉积法形成有机层。为了使用化学气相沉积法形成有机层,有机层形成喷嘴单元140可使用各种能量源。在下文中,为了便于描述,下面将描述有机层形成喷嘴单元140使用等离子体作为能量源的情形。
可提供喷头141。这里,喷头141包括位于其中的第四空间S4以及形成在喷头141的下部使得第四空间S4中的气体可被排放到外部的第三孔144。
有机层形成喷嘴单元140可包括形成外观的外部142和形成在外部142中并被设置为围绕喷头141的绝缘部143。有机层形成喷嘴单元140可包括产生外部142与喷头141之间的电势差的第二电源单元145。
同时,分隔喷嘴单元150可喷射惰性气体。这里,惰性气体可包括氩(Ar)、氦(He)和氮(N2)。如上所述,分隔喷嘴单元150可喷射惰性气体,以将无机层形成喷嘴单元130和有机层形成喷嘴单元140彼此阻断。例如,分隔喷嘴单元150喷射惰性气体,以围绕无机层形成喷嘴单元130和有机层形成喷嘴单元140中的至少一者。
可存在多个分隔喷嘴单元150。这里,分隔喷嘴单元150中的每个可形成在无机层形成喷嘴单元130与有机层形成喷嘴单元140之间或有机层形成喷嘴单元140与无机层形成喷嘴单元130之间。
在喷嘴单元之间,可形成吸气单元192以将气体吸至外部。例如,分隔喷嘴单元150和无机层形成喷嘴单元130可彼此分开,并且吸气单元192可形成在分隔喷嘴单元150与无机层形成喷嘴单元130之间。此外,分隔喷嘴单元150和有机层形成喷嘴单元140可彼此分开,并且吸气单元192可形成在分隔喷嘴单元150与有机层形成喷嘴单元140之间。
吸气单元192邻近于每个喷嘴单元形成,以吸入在工艺过程中在每个喷嘴单元中产生的气体。
传送单元160可设置在室120中,从而基本上直线地移动。这里,基底210可被安装在传送单元160上,且可直线地移动。例如,传送单元160在每个喷嘴单元形成所沿的方向上传送基底210。此外,传送单元160可沿基本上直线的方向移动,同时穿过装载单元110、室120、卸载单元170和保护层形成单元180。
传送单元160可以以各种类型形成。例如,传送单元160可被形成为穿梭器(shuttle)或传送器。例如,如果传送单元160被形成为穿梭器,则可提供线性电机以传送穿梭器。
另外,装载单元110可将从外部提供的基底210装载到室120中。这里,装载单元110与在显示装置中通常使用的装载室相同或相似,因此,省略了其详细描述。
卸载单元170可将从室120供给的基底210传送至保护层形成单元180。这里,卸载单元170可包括用于传送基底210的机械臂。
保护层形成单元180可形成保护层P。这里,保护层形成单元180可通过使用化学气相沉积法形成保护层P。保护层P可包括金属基氧化物或氮化物,诸如氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化钛(TiOx)、氮化钛(TiNx)、氧氮化钛(TiOxNy)、氧化锆(ZrOx)、氮化钽(TaNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)和氧化铝(AlOx)。
根据通过使用用于制造显示装置的装置100制造显示装置200的方法,将层堆叠在基底210上,然后,在基底210上形成有机发光器件280,并将基底210供给到装载单元110。
这里,显示单元D可形成在被供给到装载单元110的基底210上。显示单元D包括薄膜晶体管(TFT)、覆盖TFT的钝化层270和可形成在钝化层270上的有机发光器件280。
基底210可由玻璃材料形成,但不局限于此。即,基底210可由塑料材料或诸如SUS和Ti的金属材料形成。另外,基底210可包括聚酰亚胺(PI)。在下文中,为了便于描述,将描述基底210由玻璃材料形成的情形。
在基底210的上表面上还形成由有机化合物和/或例如SiOx(x≥1)和SiNx(x≥1)的无机化合物形成的缓冲层220。
以预定图案布置的有源层230形成在缓冲层220上,并被栅极绝缘层240掩埋。有源层230包括源区231和漏区233以及位于源区231与漏区233之间的沟道区232。
有源层230可由各种材料形成。例如,有源层230可包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。作为另一示例,有源层230可包含氧化物半导体。作为另一示例,有源层230可包括有机半导体材料。在下文中,为了便于描述,下面将描述有源层230由非晶硅形成的情形。
可通过在缓冲层220上形成非晶硅层并使非晶硅层结晶化来将有源层230形成为多晶硅层,然后,将多晶硅层图案化。有源层230具有根据TFT类型(例如,驱动TFT(未示出)或开关TFT(未示出))掺杂有杂质的源区231和漏区233。
与有源层230对应的栅电极250和掩埋栅电极250的层间绝缘层260形成在栅极绝缘层240上。
另外,接触孔H1形成在层间绝缘层260和栅极绝缘层240中,源电极271和漏电极272形成在层间绝缘层260上,以分别接触源区231和漏区233。
钝化层270形成在TFT上,并且有机发光器件(OLED)的像素电极281形成在钝化层270上。像素电极281通过形成在钝化层270中的通孔H2接触TFT的漏电极272。钝化层270可由无机材料和/或有机材料以单层或多层结构形成。另外,钝化层270可形成为具有平坦上表面的平坦化层,而不管不规则的下层如何,或者可沿着下层的表面形成。另外,钝化层270可由透明绝缘材料形成,以实现共振效应。
在钝化层270上形成像素电极281之后,由有机材料和/或无机材料形成像素限定层290以覆盖像素电极281和钝化层270,并形成开口以暴露像素电极281。
另外,至少在像素电极281上形成中间层282和相对电极283。
像素电极281用作阳极电极,相对电极283用作阴极,反之亦然。
像素电极281和相对电极283通过中间层282彼此绝缘,并将不同极性的电压施加至中间层282以使有机发射层发光。
中间层282可包括有机发射层。作为另一示例,中间层282包括有机发射层,并且还可包括从空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中选择的至少一者。
另外,一个单元像素P包括多个子像素R、G和B,并且多个子像素R、G和B可发射各种颜色的光。例如,多个子像素R、G和B可包括发射红光、绿光和蓝光的子像素R、G和B,和发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素(未示出)。
如上所述,当其上形成有显示单元D的基底210通过装载单元110进入室120时,薄膜包封层E可形成在显示单元D上。薄膜包封层E可包括多个无机层,或无机层和有机层。
薄膜包封层E的有机层可由聚合物形成,例如,有机层可具有单层结构或堆叠结构,该单层结构或堆叠结构包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的一种。具体地,有机层可由聚丙烯酸酯形成,且可包括具有二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的聚合单体组合物。该单体组合物还可包括单丙烯酸酯类单体。此外,该单体组合物还可包括公知的光引发剂,诸如2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO);然而,本发明的一个或多个实施例并不局限于此。
薄膜包封层E中的无机层可具有包括金属氧化物或金属氮化物的单层结构或堆叠结构。具体地,无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的一种。
薄膜包封层E的最上层可由无机层形成,以防止潮气渗透到有机发光器件中。
薄膜包封层E可包括至少一个夹层结构,其中至少一个有机层插入到至少两个无机层之间。作为另一示例,薄膜包封层E包括至少一个夹层结构,其中至少一个无机层插入到至少两个有机层之间。作为另一示例,薄膜包封层E包括至少一个有机层插入到至少两个无机层之间的夹层结构和至少一个无机层插入到至少两个有机层之间的夹层结构。
薄膜包封层E可包括自有机发光器件(OLED)的上部依次布置的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
作为另一示例,薄膜包封层E包括自有机发光器件(OLED)的上部依次布置的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
作为另一示例,薄膜包封层E包括自有机发光器件(OLED)的上部依次布置的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
作为另一示例,薄膜包封层E包括第一无机层、第一有机层、第二无机层和第二有机层。
作为另一示例,薄膜包封层E包括第一有机层、第一无机层、第二有机层、第二无机层和第三有机层。
作为另一示例,薄膜包封层E包括第一有机层、第二有机层、第一无机层、第三有机层、第四有机层、第二无机层、第五有机层和第六有机层。
在OLED与第一无机层之间还可包括包含LiF的金属卤化物层。金属卤化物层可防止当第一无机层通过溅射法形成时对OLED的损坏。
第一有机层的面积可小于第二无机层的面积,第二有机层的面积可小于第三无机层的面积。
薄膜包封层E并不局限于上述示例,而是可包括以各种方式堆叠无机层和有机层的所有类型的结构。在下文中,为了便于描述,下面将描述薄膜包封层E包括第一无机层U1、第一有机层O1、第二无机层U2和第二有机层O2的情形。
根据形成薄膜包封层E的方法,室120中的压力和保护层形成单元180中的压力可保持为等于或低于基底210进入室120前的预定压力。
这里,当基底210被安装在传送单元160上并从装载单元110运送到室120中时,第一无机层形成喷嘴单元130a可在显示单元D上形成第一无机层U1。可将源气体从第一源气体供给喷嘴单元131a供给到显示单元D上。例如,当源气体供给到第一源气体供给主体131a-1的第一空间S1时,源气体可通过第一源气体供给喷嘴131a-2排到室120中。源气体可被装载并吸附到显示单元D上。然后,从第一吹扫气体供给喷嘴单元133a供给吹扫气体,以去除吸附在显示单元D的表面上的同种材料。
此外,通过第一等离子体供给喷嘴单元132a供给反应气体以产生等离子体,然后,将等离子体喷射到显示单元D上以被吸附在显示单元D上。这里,可通过第一反应气体供给单元132a-1的第三空间S3在第一反应气体供给单元132a-1的长度方向上引入反应气体。反应气体可从第一反应气体供给单元132a-1的第三空间S3排放至第二空间S2,第一电源单元134在第一反应气体供给单元132a-1与第一等离子体供给喷嘴主体132a-2之间产生电势差,以从反应气体生成等离子体。等离子体通过第一等离子体供给喷嘴主体132a-2的第二孔132-3喷射到室120中,并吸附在显示单元D上。
在完成上述工艺后,从第一吹扫气体供给喷嘴单元133a供给吹扫气体,以去除显示单元D上的反应副产物。
在上述工艺过程中,第一分隔喷嘴单元150a喷射惰性气体,以将室120的其他区域与第一无机层形成喷嘴单元130a阻断。第一分隔喷嘴单元150a可设置为围绕第一无机层形成喷嘴单元130a。
当从第一分隔喷嘴单元150a喷射惰性气体时,惰性气体将第一无机层形成喷嘴单元130a与外部阻断,以防止副产物或来自第一无机层形成喷嘴单元130a的气体泄漏。
此外,在上述喷射惰性气体的过程中,惰性气体、副产物以及使用过的气体可在第一无机层形成喷嘴单元130a与第一分隔喷嘴单元150a之间被吸出,并排到室120的外部。
当执行上述工艺之后,在显示单元D上形成第一无机层U1时,传送单元160可将基底210传送到第一有机层形成喷嘴单元140a的下表面。
第一有机层形成喷嘴单元140a可按照与第一无机层形成喷嘴单元130a类似的方式来操作。具体地,将沉积气体供给到第一喷头141a以形成活化的离子物种(activatedionspecies),并将活化的离子物种喷射到基底210上。第二电源单元145在第一外部142a与第一喷头141a之间产生电势差以将沉积气体沉积在显示单元D上。这里,第一绝缘单元143a可使第一外部142a和第一喷头141a彼此绝缘。
在完成上述工艺后,可在第一无机层U1上形成第一有机层O1。这里,与第一分隔喷嘴单元150a相似,第二分隔喷嘴单元150b可将第一有机层形成喷嘴单元140a与外部阻断。
可执行上述工艺以形成第二无机层U2和第二有机层O2。这里,第一无机层U1、第一有机层O1、第二无机层U2和第二有机层O2顺序地堆叠,且上述层中的每个可以不清楚地与其他层区分开。具体地,因为第一无机层U1、第一有机层O1、第二无机层U2和第二有机层O2在室120中形成,所以无机层和有机层可在层之间的边界处混合。
在通过在显示单元D上顺序地形成第一无机层U1、第一有机层O1、第二无机层U2和第二有机层O2来形成薄膜包封层E之后,传送单元160可将基底210供给到卸载单元170。
将基底210从卸载单元170供给到保护层形成单元180,保护层形成单元180可在薄膜包封层E上形成保护层P。保护层P可通过各种方式形成。例如,可使用溅射法、离子束沉积法、蒸发法或化学气相沉积法形成保护层P。在下文中,为了便于描述,将假设保护层P由化学气相沉积法形成。
保护层P可被形成为基本上围绕薄膜包封层E的整个侧表面。因此,保护层P可保护薄膜包封层E免受潮气或氧的影响,从而可增加薄膜包封层E的寿命。
根据装置100和制造显示装置的方法,在一个室120中直列地(或顺列地、直线地或串列地)传送基底210以形成薄膜包封层E,因此,可以减小当形成薄膜包封层E时会出现的占用区域(footprint)。
此外,根据装置100和制造显示装置的方法,通过在一个室120内形成无机层和有机层来形成薄膜包封层E,因此,可防止如果在彼此分开的室中形成无机层和有机层则会出现的每层中的裂纹。
另外,无机层和有机层顺序地并连续地堆叠,然后形成保护层P。因此,可防止潮气从外部渗透到显示装置200。
如上所述,根据公开的实施例中的至少一个,可增加显示装置的寿命。
应该理解的是,这里描述的示例性实施例应该仅以描述性的含义来考虑,而不是出于限制的目的。每个示例性实施例内的特征或方面的描述通常应当被看作可适用于其他示例性实施例中的其他相似特征或方面。
尽管已经参照附图描述了本发明的技术,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离如权利要求限定的精神和范围的情况下,对其可做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种用于制造显示装置的装置,其特征在于,所述用于制造显示装置的装置包括:
室;
无机层形成喷嘴单元,形成在所述室中并被配置为形成至少一个无机层;
有机层形成喷嘴单元,形成在所述室中并被配置为形成至少一个有机层,其中,所述有机层形成喷嘴单元与所述无机层形成喷嘴单元基本上直列地布置;以及
分隔喷嘴单元,形成在所述无机层形成喷嘴单元与所述有机层形成喷嘴单元之间并被配置为喷射惰性气体。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括被配置为在所述无机层形成喷嘴单元与所述分隔喷嘴单元之间以及所述有机层形成喷嘴单元与所述分隔喷嘴单元之间抽吸所述室中的气体的吸气单元。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括形成在所述室中并被配置为基本上直线地移动的传送器,其中,所述传送器还被配置为接收其上形成有显示单元的基底。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述无机层形成喷嘴单元包括:
源气体供给喷嘴,包括第一空间,源气体被供给到所述第一空间以被喷射;
等离子体供给喷嘴,包括第二空间,反应气体被供给到所述第二空间以产生等离子体,所述等离子体供给喷嘴被配置为向外部喷射所述等离子体;以及
吹扫气体供给喷嘴,与所述源气体供给喷嘴和所述等离子体供给喷嘴中的至少一个分开,并被配置为供给吹扫气体。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述等离子体供给喷嘴包括:
反应气体供给单元,形成在所述第二空间中并包括第三空间,通过所述第三空间供给所述反应气体;以及
等离子体供给喷嘴主体,被配置为围绕所述反应气体供给单元以与所述反应气体供给单元形成所述第二空间,并被配置为与所述反应气体供给单元产生电势差以从所述反应气体产生所述等离子体。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有机层形成喷嘴单元包括喷头,所述喷头被配置为供给沉积气体以形成活化的离子物种并被配置为喷射所述活化的离子物种。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述有机层形成喷嘴单元包括:
外部,形成外观;
绝缘单元,形成在所述外部中并在其中包括所述喷头;以及
第二电源单元,被配置为在所述外部与所述喷头之间产生电势差。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述无机层形成喷嘴单元、所述分隔喷嘴单元和所述有机层形成喷嘴单元顺序地布置。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述有机层形成喷嘴单元、所述分隔喷嘴单元和所述无机层形成喷嘴单元顺序地布置。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述无机层形成喷嘴单元是多个喷嘴单元,所述有机层形成喷嘴单元是多个喷嘴单元,或其组合。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述分隔喷嘴单元形成在两个相邻的无机层形成喷嘴单元之间或两个相邻的有机层形成喷嘴单元之间。
12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括卸载器,所述卸载器被配置为从所述室卸载其上形成有显示单元和薄膜包封层的基底。
13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述装置还包括与被配置为传送所述基底的所述卸载器连接的保护层形成单元,其中,所述保护层形成单元被配置为在所述薄膜包封层上形成保护层。
14.一种制造显示装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
将其上形成有显示单元的基底运送到室中;
在所述室中在所述显示单元上沉积无机材料和有机材料,以形成薄膜包封层;以及
通过连接到所述室的保护层形成单元在所述薄膜包封层上形成保护层。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,通过被配置为喷射所述无机材料的无机层形成喷嘴单元和被配置为喷射所述有机材料的有机层形成喷嘴单元来形成所述薄膜包封层,其中,所述无机层形成喷嘴单元和所述有机层形成喷嘴单元在所述室中基本上彼此直列地布置。
16.如权利要求14所述的方法,其特征在于,在沉积所述无机材料和所述有机材料的同时传送所述基底。
17.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在沉积所述无机材料和所述有机材料时,向所述基底的侧表面喷射惰性气体。
18.如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述方法还包括抽吸所述惰性气体。
19.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述沉积包括形成至少一个无机层和至少一个有机层。
20.一种用于制造显示装置的装置,其特征在于,所述用于制造显示装置的装置包括:
室;
多个第一喷嘴,安置在所述室中,其中,所述多个第一喷嘴中的每个被配置为喷射无机材料以形成无机层;以及
多个第二喷嘴,安置在所述室中,其中,所述多个第二喷嘴中的每个被配置为喷射有机材料以形成有机层,其中,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴交替地布置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10550469B2 (en) * 2015-09-04 2020-02-04 Lam Research Corporation Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ALD) reactors
KR102595355B1 (ko) * 2017-12-28 2023-10-30 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법
US20200002813A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Globalfoundries Inc. Isolated deposition zones for atomic layer deposition
CN109065760B (zh) * 2018-08-22 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及封装方法、显示装置
KR102132435B1 (ko) * 2018-12-26 2020-07-09 주식회사 에스에프에이 오엘이디(oled) 기판용 봉지장치
KR20230097269A (ko) * 2021-12-23 2023-07-03 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060061960A (ko) * 2004-12-02 2006-06-09 주식회사 에이디피엔지니어링 Oled용 증착장치
KR20070054418A (ko) * 2005-11-23 2007-05-29 주식회사 탑 엔지니어링 유기발광소자의 유기물질 증착장치
CN101003033A (zh) * 2006-01-19 2007-07-25 韩商奥拓股份有限公司 气体分离型喷头
US20090272322A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Fujifilm Corporation Film depositing apparatus
US20100041213A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor For Forming Thin Film
US20100068413A1 (en) * 2008-09-17 2010-03-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
CN103764301A (zh) * 2011-08-01 2014-04-30 富士胶片株式会社 功能膜制造方法和功能膜

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6268695B1 (en) * 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6298685B1 (en) * 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US20030203210A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Vitex Systems, Inc. Barrier coatings and methods of making same
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
JP2007191792A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
JP4954574B2 (ja) * 2006-03-02 2012-06-20 日東電工株式会社 透明ガスバリア性フィルムの製造方法および透明ガスバリア性フィルムの製造装置
EP1983072A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-22 Applied Materials, Inc. Processing device and method for processing a subtrate
KR100873704B1 (ko) * 2007-06-13 2008-12-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
US8518581B2 (en) 2008-01-11 2013-08-27 Inifinite Power Solutions, Inc. Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
TWI388078B (zh) 2008-01-30 2013-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電子組件之製造方法及電子組件
TWI495108B (zh) * 2008-07-31 2015-08-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
KR101226426B1 (ko) * 2008-09-17 2013-01-24 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 플라즈마를 이용한 기상 증착 반응기 및 이를 이용한 박막 형성 방법
US8476119B2 (en) 2009-03-04 2013-07-02 Sri International Encapsulation methods and dielectric layers for organic electrical devices
EP2281921A1 (en) 2009-07-30 2011-02-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition.
JP2011046060A (ja) 2009-08-26 2011-03-10 Fujifilm Corp ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
KR101554334B1 (ko) 2009-11-18 2015-09-18 주식회사 원익아이피에스 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치 및 박막증착방법
US8313985B2 (en) 2010-10-21 2012-11-20 Rf Micro Devices, Inc. Atomic layer deposition encapsulation for power amplifiers in RF circuits
KR101209656B1 (ko) * 2010-10-26 2012-12-07 주식회사 에스에프에이 Oled 박막 봉지 시스템
KR101207209B1 (ko) 2011-02-07 2012-12-03 성균관대학교산학협력단 다층 봉지막의 제조방법 및 이를 이용한 플렉시블 유기 반도체 소자의 제조방법
JP2012216493A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Canon Inc 有機el表示装置の製造方法及び製造装置
KR20120137017A (ko) * 2011-06-10 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 인라인 증착 장치
KR101420333B1 (ko) * 2012-11-19 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101990555B1 (ko) * 2012-12-24 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060061960A (ko) * 2004-12-02 2006-06-09 주식회사 에이디피엔지니어링 Oled용 증착장치
KR20070054418A (ko) * 2005-11-23 2007-05-29 주식회사 탑 엔지니어링 유기발광소자의 유기물질 증착장치
CN101003033A (zh) * 2006-01-19 2007-07-25 韩商奥拓股份有限公司 气体分离型喷头
US20090272322A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Fujifilm Corporation Film depositing apparatus
US20100041213A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor For Forming Thin Film
US20100068413A1 (en) * 2008-09-17 2010-03-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same
CN103764301A (zh) * 2011-08-01 2014-04-30 富士胶片株式会社 功能膜制造方法和功能膜

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