CN105487349A - 一种dmd投影光路激光直写垂直双面曝光系统 - Google Patents

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张伟
徐巍
王翰文
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Abstract

本发明公开了一种DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统，属于直写式光刻机快速扫描曝光技术领域。包括设置于基座(3)上的步进轴(2)和扫描轴(4)；以及固定于所述基座(3)两侧的DMD器件投影光路(5)。本DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统能够同时曝光被曝光工件的正反两面，使得工作的效率提升一倍，显著提高了产能，增加了工作的效率。

Description

一种DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统
技术领域
本发明涉及一种曝光系统，具体是一种DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统，属于直写式光刻机快速扫描曝光技术领域。
背景技术
直写式光刻技术是近年来发展较快的、以替代传统的掩膜板式光刻技术的影像直接转移技术，在半导体及PCB生产领域中有着越来越重要的地位。利用该技术可以缩短工艺流程，并降低生产成本。目前市场上主流的直写式光刻机大多以单工件台方式进行扫描曝光，先将被曝光工件的A面曝光完成后，再进行翻版，然后对B面进行曝光。在单工件台系统中，用于曝光的基板的上板、对准、曝光、下板是依次进行的。依据目前的结构系统，各操作流程均已经达到耗时的上限，很难再缩短某个操作步骤的操作时间，即单工件台的直写式光刻机由于各操作流程的串行性质，已很难再提高产能。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题，本发明提供一种DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统，能够同时曝光被曝光工件的正反两面，使得工作的效率提升一倍，显著提高产能和工作效率。
为了实现上述目的，本DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统包括设置于基座上的步进轴和扫描轴；以及固定于所述基座两侧的DMD器件投影光路。
进一步，所述步进轴和扫描轴连接直线电机与定向导轨。
与现有技术相比，本DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统能够同时曝光被曝光工件的正反两面，使得工作的效率提升一倍，显著提高了产能，增加了工作的效率。
附图说明
图1是本发明的主体结构示意图：
图中：1、工件，2、步进轴，3、基座，4、扫描轴，5、DMD器件投影光路。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
如图1所示，本DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统包括设置于基座3上的步进轴2和扫描轴4；以及固定于所述基座3两侧的DMD器件投影光路5。
进一步，所述步进轴2和扫描轴4连接直线电机与定向导轨。通过直线电机和定向导轨配合精密控制元件驱动，实现了步进轴2和扫描轴4的定向精确移动。
所述DMD器件投影光路5是由一组微小的平面镜阵列组成。激光光源通过照明光路将激光打到DMD上，反射到一旁。当DMD器件投影光路5接收到计算机发出的图像信号时通过软件处理控制相应的平面镜单元旋转一定角度将激光垂直照射到工件上。即所述DMD器件投影光路5是利用DMD器件上的微镜将数字信号经过电路的激发转化成图形投影在相应的基材上。
本DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统的工作原理如下：
被曝光工件1垂直放置于基座3的上方，并固定在可以移动的步进轴2和扫描轴4上；被曝光工件1的两侧，即基座3两侧分别设有固定的投影光路，所述固定光路为DMD器件投影光路5，所述DMD器件投影光路5分别与被曝光工件1垂直；曝光时，步进轴2在Z向上移动，扫描轴4在Y向上移动，通过基座3两侧固定的DMD器件投影光路5同时对被曝光工件1进行双面曝光。
综上所述，本DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统能够同时曝光被曝光工件的正反两面，使得工作的效率提升一倍，显著提高了产能，增加了工作的效率。

Claims (2)

1.一种DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统，其特征在于，
包括设置于基座(3)上的步进轴(2)和扫描轴(4)；
以及固定于所述基座(3)两侧的DMD器件投影光路(5)。
2.根据权利要求1所述的一种DMD投影光路激光直写垂直双面曝光系统，其特征在于，
所述步进轴(2)和扫描轴(4)连接直线电机与定向导轨。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106647184A (zh) * 2016-12-31 2017-05-10 江苏九迪激光装备科技有限公司 一种直写式丝网制版设备及其使用方法
CN106873314A (zh) * 2017-02-04 2017-06-20 深圳市优盛科技有限公司 用于高精度网版制作的数字化双面同时直写曝光设备
CN106886132A (zh) * 2017-04-25 2017-06-23 电子科技大学 一种基于dmd的扫描式光刻机灰度图像曝光方法
CN115047725A (zh) * 2022-06-21 2022-09-13 上海图双精密装备有限公司 一种晶圆垂直投影式双面曝光系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040179050A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Pattern drawing apparatus and pattern drawing method for forming patterns, that have mirror image relationship to each other with respect to a substrate, on both sides of the substrate, and test apparatus for use in the pattern drawing apparatus
CN202615113U (zh) * 2011-08-15 2012-12-19 中山新诺科技有限公司 曝光系统、校准系统和光学引擎
CN103913955A (zh) * 2013-01-06 2014-07-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 双面光刻机及双面光刻方法
CN105068387A (zh) * 2015-07-28 2015-11-18 江苏影速光电技术有限公司 一种激光直写垂直双面曝光系统
CN205539923U (zh) * 2016-01-22 2016-08-31 江苏影速光电技术有限公司 Dmd投影激光直写垂直双面曝光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040179050A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Pattern drawing apparatus and pattern drawing method for forming patterns, that have mirror image relationship to each other with respect to a substrate, on both sides of the substrate, and test apparatus for use in the pattern drawing apparatus
CN202615113U (zh) * 2011-08-15 2012-12-19 中山新诺科技有限公司 曝光系统、校准系统和光学引擎
CN103913955A (zh) * 2013-01-06 2014-07-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 双面光刻机及双面光刻方法
CN105068387A (zh) * 2015-07-28 2015-11-18 江苏影速光电技术有限公司 一种激光直写垂直双面曝光系统
CN205539923U (zh) * 2016-01-22 2016-08-31 江苏影速光电技术有限公司 Dmd投影激光直写垂直双面曝光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106647184A (zh) * 2016-12-31 2017-05-10 江苏九迪激光装备科技有限公司 一种直写式丝网制版设备及其使用方法
CN106647184B (zh) * 2016-12-31 2019-06-14 江苏九迪激光装备科技有限公司 一种直写式丝网制版设备的曝光方法
CN106873314A (zh) * 2017-02-04 2017-06-20 深圳市优盛科技有限公司 用于高精度网版制作的数字化双面同时直写曝光设备
CN106886132A (zh) * 2017-04-25 2017-06-23 电子科技大学 一种基于dmd的扫描式光刻机灰度图像曝光方法
CN115047725A (zh) * 2022-06-21 2022-09-13 上海图双精密装备有限公司 一种晶圆垂直投影式双面曝光系统

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