CN105487125A - 一种磁性金属探测传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明公布了一种磁性金属探测传感器，包括磁电传感器和信号发生装置，磁电传感器由磁致伸缩材料和压电材料构成，由磁致伸缩材料的压磁效应和压电材料的压电效应及其在谐振振动状态下强的磁电耦合效应，使得磁电传感器具有高的磁探测灵敏度；信号发生装置由信号发生电路与激励线圈组成；磁电传感器外绕激励线圈，通过信号发生装置提供的交变和偏置磁场，使磁电传感器输出相应的磁电耦合电压信号。探测得到的信号可通过多种方式输出展示。本发明制作工艺简单，结构紧凑轻巧，便于携带和手持操作，可有效应用到金属尤其是磁性金属探测领域；在金属探测成像上也有很高应用价值。
Description
技术领域
本发明涉及金属探测设备，尤其涉及一种新型磁性金属探测传感器。
背景技术
金属探测器广泛应用于工业生产、食品检测、安全检查等方面，可以检测出地下、工业产品和人体身上的金属物，是一种重要的探测设备。目前，主流的金属探测器是利用电磁感应的原理——利用激励线圈产生交变磁场，当有金属物靠近时会产生涡流磁场，而被探测线圈所感知。为了提高探测能力，一般有两种方法：一种是通过增大激励与探测线圈的面积来实现，但这限制了金属探测器向结构紧凑、轻便、探测灵活的方向去发展，尤其是针对一些特殊的空间位置，如狭缝、深沟，现有的金属探测器进行探测操作不方便，难以完成探测任务；另一种是通过大幅度提高工作频率来实现，但这对电路要求较高，过高的工作频率也限制了探测距离。
针对磁性金属的测量，一般有感应线圈、磁通门传感器、霍尔器件、光泵磁强计、核旋进磁强计和磁阻传感器等设备。其中，感应线圈精度高，但是只能获取磁场信号的变化率，不适用于低频测量，而且体积较大不利于小型化；磁通门传感器体积小，但是功耗大、抗冲击性不强、探测距离较近；霍尔器件成本低，可用于低频测量，工作温度范围宽，但是探测灵敏度不高；光泵和核旋进磁强计的灵敏度高，但是它对工作条件要求苛刻、附属设备多、成本较高、功耗大，这些缺点限制了其广泛应用；磁阻传感器具有功耗低、体积小等优点，但其探测距离还有待进一步提高。
综上所述，利用现有的金属探测器进行探测，存在着不便于携带、操作不方便、难以完成探测任务的不足，或者存在着需要工作频率高、设备成本高的问题。针对磁性金属的探测，现有技术还无法提供一种能用于低频、灵敏度较高、探测距离较远、功耗较小、成本低又轻便的磁性金属探测器。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足，本发明提供一种磁性金属探测器，包括具有高灵敏度的磁电传感器和信号发生装置，无需大面积或多匝数的激励与探测线圈，有效减小了磁探测器的尺寸与重量，并具有功耗低，结构紧凑、轻巧、操作简单，和便于携带等特点；同时对测试条件要求不高，室温下便具有很高的磁感应灵敏度；磁探测器可以设计成细棒结构，便于对一些深孔、裂缝等内部部位进行更加灵活的有效探测。
本发明的原理是：通过磁电传感器与信号发生装置的结合，实现对金属特别是磁性金属的有效探测。磁电传感器由磁致伸缩材料和压电材料复合构成，通过磁致伸缩材料的压磁效应和压电材料的压电效应，在谐振振动状态下实现磁场与电场的强耦合。首先设计制备具有强磁-电耦合的细棒状结构磁电传感器，再外绕一个螺旋管线圈用于磁信号激励。信号发生装置通过激励线圈为磁电传感器提供特定频率的交变和偏置磁场，使磁电传感器工作在它的谐振振状态并产生相应的磁电耦合电压信号输出。当一个被检测的磁性金属接近磁探测器时，因互感效应它可以引起激励线圈的感抗发生变化，使线圈中的交变电流产生变化，结果导致磁电传感器的电压输出发生变化；同时，磁性金属物又对磁电传感器产生一个磁偏置效应，这又改变了磁电传感器原来的偏置磁场；因磁电传感器的谐振状态对偏置磁场十分敏感，这再次导致磁电传感器的电压输出发生大的变化。传统的线圈探测方法是基于第一种效应：线圈感抗变化；而本发明提供的磁电传感器是基于感抗变化以及磁电耦合谐振状态变化的结合效应，从而使本发明提供的磁性金属探测传感器对磁性金属物更敏感、磁探测距离也更远。
本发明提供的技术方案是：
一种磁性金属探测磁电传感器，包括磁电传感器和信号发生装置，所述磁电传感器由磁致伸缩材料和压电材料构成，由磁致伸缩材料的压磁效应和压电材料的压电效应及其在谐振振动状态下强的磁电耦合效应，使得所述磁电传感器具有高的磁探测灵敏度；所述信号发生装置由信号发生电路与激励线圈组成；所述磁电传感器外绕所述激励线圈，通过信号发生装置提供的交变和偏置磁场，使所述磁电传感器输出相应的磁电耦合电压信号。
针对上述磁性金属探测传感器，进一步地，所述磁致伸缩材料为Fe基非晶软磁材料(Metglas)、铽镝铁合金(Terfenol-D)、铁-镓合金(Fe-Ga)中的一种或多种；由一层或多层所述磁致伸缩材料粘接形成压磁层。本发明实施例中，Fe基非晶软磁材料(Metglas)为CoFeSiB非晶软磁材料Metglas。所述非晶软磁材料Metglas可由适当强度激光辐射处理以提高其机械品质因子Q值，再粘接形成压磁层。
针对上述磁性金属探测传感器，进一步地，所述压电材料为压电单晶PMN-PT、压电单晶PZN-PT、压电陶瓷PZT、压电陶瓷KNN、压电高分子PVDF中的一种或多种；由一层或多层所述压电材料粘接形成压电层；所述压电层的多个压电片沿着横向或纵向分布，极化方向为沿厚度方向或轴向方向。
针对上述磁性金属探测传感器，进一步地，在所述压电材料的顶部和底部均粘上柔性电极，用于引出压电材料产生的磁电耦合电压信号；所述柔性电极为全电极或叉指电极。
针对上述磁性金属探测传感器，进一步地，所述磁电传感器的结构为层状复合结构。所述层状复合结构包括三明治结构、双层结构和差分式结构。
所述三明治结构具体是：由一层压电层和两层压磁层通过粘接形成，所述一层压电层置于所述两层压磁层之间，且具有对称性；在交变磁场的作用下，所述压磁层产生纵向伸缩，并且带动所述压电层产生长度方向的伸缩，通过压电效应得到电压信号；
所述双层结构具体是：由一层压电层和一层压磁层通过粘接形成；在交变磁场的作用下，所述压磁层产生纵向伸缩，并且带动所述压电层产生纵-弯应变，通过压电效应得到电压信号；
所述差分式结构具体是：由一层非晶软磁材料Metglas和两层压电单晶PMN-PT构成，所述两层压电单晶PMN-PT分别为顶层压电单晶PMN-PT和底层压电单晶PMN-PT，一层非晶软磁材料Metglas置于两层压电单晶PMN-PT的中间。
针对上述磁性金属探测传感器，进一步地，所述磁性金属探测传感器具有细长的棒状结构；所述棒状结构的纵横尺寸比为3-100。
上述磁性金属探测传感器还包括信号处理部分，所述信号处理部分包括信号采集器和微程序控制器；所述信号采集器用于收集由磁电传感器因谐振磁电耦合产生的输出电压信号；所述微程序控制器接收电压信号并触发报警。触发报警为选择蜂鸣器报警方式或LED显示报警方式。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供的金属尤其是磁性金属探测传感器，通过磁电传感器与信号发生装置的结合，实现对磁性金属的有效探测；探测得到的信号可通过多种方式输出展示。磁性金属既可以改变线圈的感抗，使线圈中的交变电流产生变化，又可以改变偏置磁场，进一步改变磁电传感器的磁电耦合谐振状态，从而使电压输出信号发生大的变化。不像传统电磁感应线圈，为了获得大的磁通变化，需要绕制多匝数、大尺寸线圈才能获得高的灵敏度；磁性金属探测磁电传感器中的传感部分可以做成细长棒状结构，无需大的激励与探测线圈，有效减小了金属探测器的尺寸与重量，而且功耗低。因此，本发明结构紧凑，轻巧便于携带和手持操作。同时棒状的磁电传感器设计可以更加灵活的进行探测活动，可以对一些传统手持式金属探测器难以检测的方位，比如在狭缝、深沟内部对有危险性的磁性金属物进行有效探测。另一方面，由于磁电传感器本身具有好的指向性，在金属探测成像上有很高的应用价值。本发明突破了传统的线圈式金属探测原理，制作工艺简单，便于操作，可有效应用到金属尤其是磁性金属探测领域。
附图说明
图1是本发明实施例提供的磁性金属探测器的结构图；
其中，A─手柄与电池部分；B─显示面板部分；C─探测器部分。
图2是本发明实施例中磁性金属探测器的显示面板部分的结构图；
其中，B-1—开关；B-2—蜂鸣器报警选择按钮；B-3—LED显示报警选择按钮；B-4—电池电量显示器；B-5—高灵敏度选择按钮；B-6—低灵敏度选择按钮；B-7—中灵敏度选择按钮。
图3是本发明实施例中磁性金属探测器的探测器部分的局部结构放大图；
其中，C-1─探测器内部磁电传感器；C-2─探测器激励线圈；C-3─传感器的支撑层；C-4─探测器外壳；C-5—传感器与线圈引线。
图4是本发明实施案例中采用的上下对称、中间由一个压电单晶构成的三明治结构的磁电传感器的结构图；
其中，1─压电PMN-PT晶体；2─顶层压磁材料Metglas；3─底层压磁材料Metglas；4─电极引线。
图5是本发明实施案例中差分结构的磁电传感器示意图。
其中，5—Metglas；6—顶层压电单晶PMN-PT；7—底层压电单晶PMN-PT；8—电极引线
图6是本发明实施例提供的磁性金属探测传感器的工作原理框图。
具体实施方式
下面结合附图，通过实施例进一步描述本发明，但不以任何方式限制本发明的范围。
本发明提供一种金属尤其是磁性金属探测传感器，包括具有高灵敏度的磁电传感器和信号发生装置；所述信号发生装置由信号发生电路与激励线圈组成；所述磁电传感器由磁致伸缩材料和压电材料构成，由于磁致伸缩材料的压磁效应和压电材料的压电效应及其在谐振振动状态下强的磁电耦合效应，因而所述磁电传感器具有高的磁探测灵敏度；磁电传感器外绕激励线圈，通过信号发生装置提供的交变和偏置磁场，使磁电传感器输出相应的磁电耦合电压信号。
被探测的磁性金属既可以改变信号发生装置中的激励线圈的感抗，使线圈中的交变电流产生变化，又可以改变信号发生装置中的激励线圈的偏置磁场，从而使磁电传感器的谐振磁电耦合电压信号发生很大变化。
上述磁性金属探测传感器中，所述磁致伸缩材料为FeSiB、FeNiPB、CoFeSiB等非晶软磁材料Metglas、Terfenol-D(Tb-Dy-Fe合金)、Fe-Ga中的一种或多种；由一片(层)或多片(层)磁致伸缩材料粘接形成压磁片(层)；所述FeSiB、FeNiPB、CoFeSiB等非晶软磁材料Metglas可以由适当强度激光进行辐射处理以提高Q值，再粘接形成压磁层。
上述磁性金属探测传感器中，所述压电材料为压电单晶PMN-PT、压电单晶PZN-PT、压电陶瓷PZT、压电陶瓷KNN、压电高分子PVDF中的一种或多种；所述压电单晶的极化方式可以是沿横向(厚度方向)极化，也可以是沿纵向(轴向)的推拉(Multi-push-pull)方式极化；由一片(层)或多片(层)压电材料粘接形成压电片(层)；压电层的多个压电片可以沿着横向或纵向分布，且其极化方向可以是沿厚度方向或轴向方向。
为了检测压电材料产生的磁电耦合电压信号，需要在压电层的顶部与底部通过柔性电极引出信号；所述的柔性电极可以是全电极也可以是叉指电极。
上述磁性金属探测传感器中，所述磁电传感器的结构为层状复合结构，包括三明治结构、双层结构和差分式结构。
所述三明治结构具体是：由一层压电层和两层压磁层构成，一层压电层置于两层压磁层之间，且具有对称性，整体用环氧树脂粘接；所述三明治结构在交变磁场的作用下，压磁层产生纵向伸缩，并且带动压电层产生长度方向的伸缩，通过压电效应得到电压信号。
所述双层结构具体是：由一层压电层和一层压磁层构成，整体用环氧树脂粘接；在交变磁场的作用下，压磁层产生纵向伸缩，并且带动压电层产生纵-弯应变，通过压电效应得到电压信号。
所述差分式结构具体是：由一层非晶软磁材料Metglas和两层压电单晶PMN-PT构成，两层压电单晶PMN-PT分别为顶层压电单晶PMN-PT和底层压电单晶PMN-PT，一层非晶软磁材料Metglas置于两层压电单晶PMN-PT的中间；差分式结构的磁电传感器最大的优势在于可以很大程度上消除磁电传感器工作时受到的环境振动(弯振动)噪声，增加磁电传感器信号输出的稳定性和可靠性。
上述层状复合结构的磁性金属探测传感器均可做成细长的棒状结构；其纵、横尺寸比的范围可设计为3-100。
利用上述磁性金属探测传感器探测得到的信号经过收集处理后，可通过多种方式输出展示。图1是本发明提供的磁性金属探测传感器一实施例，如图1所示，磁性金属探测器包括手柄与电池部分A、显示面板部分B和探测器部分C。本实施例中，磁性金属探测器整体采用细长的棒状结构。
其中，显示面板部分B如图2所示，包括开关B-1、蜂鸣器报警选择按钮B-2、LED显示报警选择按钮B-3、电池电量显示器B-4、高灵敏度选择按钮B-5、低灵敏度选择按钮B-6和中灵敏度选择按钮B-7；其中，蜂鸣器报警选择按钮B-2和LED显示报警选择按钮B-3用于选择触发LED或蜂鸣报警器以提示操作人附近有金属存在，操作人还可通过LED灯闪烁的快慢或蜂鸣器声音的大小来判断金属磁性的强弱；高灵敏度选择按钮B-5、低灵敏度选择按钮B-6和中灵敏度选择按钮B-7用于选择设置探测灵敏度；开关B-1、高灵敏度选择按钮B-5、低灵敏度选择按钮B-6和中灵敏度选择按钮B-7位于显示面板的上部分，开关B-1置于中间；蜂鸣器报警选择按钮B-2、LED显示报警选择按钮B-3和电池电量显示器B-4位于显示面板的下部分，电池电量显示器B-4为置于中间的长条形结构，蜂鸣器报警选择按钮B-2和LED显示报警选择按钮B-3分别位于电池电量显示器B-4的两侧。
探测器部分C包括磁性金属探测传感器(包括信号发生装置和磁电传感器)和信号处理部分；信号发生装置包括信号发生电路和激励线圈；信号处理部分包括信号采集器和MicrocontrollerUnit(MCU)微程序控制器。探测器部分C的局部结构如图3所示，C-1为磁电传感器；C-2为信号发生装置的激励线圈；C-3为传感器的柔性支撑层；C-4为探测器外壳；C-5为传感器与线圈引线。传感器的柔性支撑层主要用于固定磁电传感器，并具有吸收振动的作用。激励线圈C-2位于探测器外壳C-4内部，同时保持较好的同心配合。传感器的支撑层C-3位于激励线圈C-2的内部下半部部分。在传感器的支撑层C-3的上表面安装磁电传感器C-1。传感器与线圈引线C-5连接到显示面板B中的控制电路。磁电传感器C-1的结构如图4或者图5所示，图4中磁电传感器由压电层1、压磁层2和3、柔性电极和引线4组成的三明治结构；其中压电层为一个压电PMN-PT单晶片，压磁层由5层非晶软磁Metglas叠成，各组成部分用环氧树脂粘结而成。图5中为差分式结构磁电传感器，主要由Metglas1、顶层压电单晶PMN-PT2、底层压电单晶PMN-PT3和电极引线4构成。差分式磁电传感器最大的优势在于可以很大程度上消除环境振动对传感器产生的影响，增加传感器的稳定性和可靠性。
如图6所示，上述磁性金属探测器在工作时，先由电池给信号发生电路(振荡电路)供电，使信号发生电路跟激励线圈提供特定工作频率的激励信号和偏置电压，磁电传感器因谐振磁电耦合产生相应的输出电压信号，该电压信号经过滤波、放大等处理传输至MCU微程序控制器。当有磁性金属靠近时，一方面，激励线圈的感抗发生变化，线圈中的电流也相应变化，磁电传感器周围的交流磁场改变，从而使电压信号改变；另一方面，磁电传感器感应到的偏置磁场也发生了变化，结果使谐振磁电耦合和相应的电压信号发生较大变化。当电压信号变化值超过事先设置的阈值时，MCU微程序控制器触发LED或蜂鸣报警器，以提示操作人附近有金属存在。操作人还可通过LED灯闪烁的快慢或蜂鸣器声音的大小来判断金属磁性的强弱、从而感知磁性金属物的大小。
本实施例提供的磁性金属探测传感器，可通过调节信号发生电路的频率、电压幅值和偏置，使磁电传感器工作在它的谐振磁电耦合状态。磁性金属靠近时，不仅造成线圈感抗的变化，也改变了施加到磁电传感器上的偏置磁场。这两个因素的共同作用，使得磁电传感器表现出比传统线圈具有更高灵敏度的金属探测能力。
另外，本发明提供的磁性金属探测传感器结构紧凑，轻巧，同时棒状的磁电传感器其横向尺寸可小至1mm或更小；探测传感器的整体可做成2mm宽、5-20cm长或更小的尺寸。
在本实施例中磁电传感器选择三明治结构，其中压电材料为30毫米长、1毫米宽和0.2毫米厚的PMN-PT压电单晶；磁致伸缩材料为经过激光处理、长为100毫米的CoFeSiB非晶软磁材料Metglas多层细棒。在调试时，信号发生电路提供的频率为23.4kHz、输出电压幅值2-3V、电压偏置0.10-0.20V.在谐振磁电耦合状态下，磁电传感器的磁电耦合系数达到了2230V/(cm*Oe)。当用一个直径为5mm的钢珠沿着磁电传感器的轴向方向靠近，在距离传感器端部6cm处，可引起磁电传感器输出的电压信号的变化幅值超过10％。
需要注意的是，公布实施例的目的在于帮助进一步理解本发明，但是本领域的技术人员可以理解：在不脱离本发明及所附权利要求的精神和范围内，各种替换和修改都是可能的。因此，本发明不应局限于实施例所公开的内容，本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种磁性金属探测传感器，包括磁电传感器和信号发生装置，所述磁电传感器由磁致伸缩材料和压电材料构成，由磁致伸缩材料的压磁效应和压电材料的压电效应及其在谐振振动状态下强的磁电耦合效应，使得所述磁电传感器具有高的磁探测灵敏度；所述信号发生装置由信号发生电路与激励线圈组成；所述磁电传感器外绕所述激励线圈，通过信号发生装置提供的交变和偏置磁场，使所述磁电传感器输出相应的磁电耦合电压信号。
2.如权利要求1所述磁性金属探测传感器，其特征是，所述磁致伸缩材料为铁基非晶软磁材料Metglas、铽镝铁Terfenol-D、铁-镓Fe-Ga中的一种或多种；由一层或多层所述磁致伸缩材料粘接形成压磁层。
3.如权利要求2所述磁性金属探测传感器，其特征是，所述铁基非晶软磁材料Metglas由激光进行辐射处理以提高其机械品质因子Q值，再粘接形成压磁层。
4.如权利要求1所述磁性金属探测传感器，其特征是，所述压电材料为压电单晶PMN-PT、压电单晶PZN-PT、压电陶瓷PZT、压电陶瓷KNN、压电高分子PVDF中的一种或多种；由一层或多层所述压电材料粘接形成压电层；所述压电层的多个压电片沿着横向或纵向分布，极化方向为沿厚度方向或轴向方向。
5.如权利要求1所述磁性金属探测传感器，其特征是，在所述压电材料的顶部和底部均粘上柔性电极，用于引出压电材料产生的磁电耦合电压信号；所述柔性电极为全电极或叉指电极。
6.如权利要求1所述磁性金属探测传感器，其特征是，所述磁电传感器的结构为层状复合结构。
7.如权利要求1所述磁性金属探测传感器，其特征是，所述层状复合结构包括三明治结构、双层结构和差分式结构；
所述三明治结构具体是：由一层压电层和两层压磁层通过粘接形成，所述一层压电层置于所述两层压磁层之间，且具有对称性；在交变磁场的作用下，所述压磁层产生纵向伸缩，并且带动所述压电层产生长度方向的伸缩，通过压电效应得到电压信号；
所述双层结构具体是：由一层压电层和一层压磁层通过粘接形成；在交变磁场的作用下，所述压磁层产生纵向伸缩，并且带动所述压电层产生纵-弯应变，通过压电效应得到电压信号；
所述差分式结构具体是：由一层非晶软磁材料Metglas和两层压电单晶PMN-PT构成，所述两层压电单晶PMN-PT分别为顶层压电单晶PMN-PT和底层压电单晶PMN-PT，一层非晶软磁材料Metglas置于两层压电单晶PMN-PT的中间。
8.如权利要求1所述磁性金属探测传感器，其特征是，所述磁性金属探测传感器具有细长的棒状结构；所述棒状结构的纵横尺寸比为3-100。
9.如权利要求1所述磁性金属探测传感器，其特征是，还包括信号处理部分，所述信号处理部分包括信号采集器和微程序控制器；所述信号采集器用于收集由磁电传感器因谐振磁电耦合产生的输出电压信号；所述微程序控制器接收电压信号并触发报警。
10.如权利要求9所述磁性金属探测传感器，其特征是，所述触发报警为蜂鸣器报警方式或LED显示报警方式。
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