CN105484734A - 微芯片示踪器的温度补偿方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种微芯片示踪器的温度补偿方法及系统，方法包括：获取微芯片示踪器实时采集的井筒的温度和压力；在当前校正时刻，从标定数据库中获取均与温度对应的频率校正参数集和压力校正参数集；根据温度和频率校正参数集确定实际频率；根据温度、压力和压力校正参数集确定实际压力；根据当前校正时刻确定的实际频率、微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率、设定的校正时间间隔和上一校正时刻对应的实际时间，确定当前校正时刻对应的实际时间。本发明在不增加硬件资源的前提下实现了对微芯片示踪器采集的压力和记录的时间进行温度补偿的目的，具有可靠性高和成本低的特点。

Description

微芯片示踪器的温度补偿方法及系统

技术领域

本发明涉及石油钻井数据检测装置技术领域，尤其涉及一种微芯片示踪器的温度补偿方法及系统。

背景技术

压力传感器和晶体振荡器是石油仪器研制中常用的器件，例如井下压力计和脉冲时钟信号源。压力传感器和晶体振荡器均会受到温度漂移的影响而使输出结果产生偏差，对于井下环境温度变化大(例如0-150℃)的情况这种偏差是不可忽略的。因此，需要根据温度的变化对上述两种器件进行温度补偿，以保证输出的压力和时间误差降低到最小范围内。

目前，硅压阻式压力传感器的温度补偿方法主要是通过硬件电路实现的，即在惠斯顿电桥的桥臂上串联与之相反温度特性的热敏电阻，以抵消压力传感器的温度漂移。晶体振荡器的温度补偿方法主要是通过在存储器内寻址读取补偿电压，改变变容二极管的电压以达到控制晶体振荡器的输出频率。上述温度补偿主要也是通过硬件电路实现的，该硬件电路包括电阻、D/A转换器等器件，增加了IC电路的设计面积和功耗，这与微芯片示踪器的体积小、功耗低的设计目标相冲突。

微芯片示踪器是一种在钻井过程中实时测量井筒温度和压力的微型仪器。具体地，微芯片示踪器由温度传感器、压力传感器、微控制器、晶体振荡器和电池等部件组成，整个部件被环氧树脂材料封装成球形。微芯片示踪器可以在环空内随着钻井液运动，实时连续采集温度、压力数据并按照时间顺序存储温度和压力数据。由于井筒内温度变化较大，微芯片示踪器采集的压力和记录的时间会受到温度变化的影响而不准确。通过上述两种硬件电路分别实现压力传感器和晶体振荡器的温度补偿方法会增加微芯片示踪器电路设计的面积和功耗，因此不是最佳的温度补偿方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是现有技术中采用硬件电路实现压力传感器和晶体振荡器的温度补偿方法会增加微芯片示踪器电路设计的面积和功耗。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种微芯片示踪器的温度补偿方法及系统，对压力和时间测量进行一体化软件温度补偿，在不增加微芯片示踪器电路设计的面积和功耗的基础上，实现微芯片示踪器在较宽温度范围内具有较高的压力和时间输出精度。

本发明的技术方案为：

一种微芯片示踪器的温度补偿方法，包括：

获取微芯片示踪器实时采集的井筒的温度和压力；

在当前校正时刻，从标定数据库中获取均与所述温度对应的频率校正参数集和压力校正参数集；

根据所述温度和所述频率校正参数集，确定实际频率；

根据所述温度、所述压力和所述压力校正参数集，确定实际压力；

根据当前校正时刻确定的实际频率、所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率、设定的校正时间间隔和上一校正时刻对应的实际时间，确定当前校正时刻对应的实际时间。

优选的是，所述方法还包括：离线构建所述标定数据库，所述离线构建所述标定数据库包括：

调节恒温箱的箱内温度；

获取置于所述恒温箱内的晶体振荡器在当前箱内温度下的频率、以及置于所述恒温箱内的压力传感器在当前箱内温度下的压力；

根据所述箱内温度和所述频率，标定所述频率校正参数集；

根据所述箱内温度和所述压力，标定所述压力校正参数集；

将均与所述箱内温度对应的频率校正参数和压力校正参数集保存到所述标定数据库。

优选的是，根据f(x)＝ax³+bx²+cx+d确定所述实际频率，其中f(x)为所述实际频率，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，a、b、c和d均为频率校正参数，a、b、c和d构成的集合为所述频率校正参数集。

优选的是，根据p(x)＝kx+p_c确定所述实际压力，其中p(x)为所述实际压力，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，k为压力校正参数，k构成了所述压力校正参数集，p_c为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的压力。

优选的是，根据确定所述当前校正时刻对应的实际时间，其中t_n为当前校正时刻对应的实际时间，t_n-1为上一校正时刻对应的实际时间，Δt为设定的校正时间间隔，f_n为当前校正时刻确定的实际频率，f₀为所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率。

一种微芯片示踪器的温度补偿系统，包括：

数据获取单元，用于获取微芯片示踪器实时采集的井筒的温度和压力；

参数集获取单元，用于在当前校正时刻，从标定数据库中获取均与所述温度对应的频率校正参数集和压力校正参数集；

实际频率确定单元，用于根据所述数据获取单元获取的所述温度和所述参数集获取单元获取的所述频率校正参数集，确定实际频率；

实际压力确定单元，用于根据所述数据获取单元获取的所述温度和所述压力，以及所述参数集获取单元获取的所述压力校正参数集，确定实际压力；

实际时间确定单元，用于根据所述实际频率确定单元确定的所述实际频率、所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率、设定的校正时间间隔和上一校正时刻对应的实际时间，确定当前校正时刻对应的实际时间。

优选的是，所述系统还包括：标定数据库离线构建单元，用于离线构建所述标定数据库，所述标定数据库离线构建单元包括：

恒温箱和均置于所述恒温箱内的晶体振荡器和压力传感器；

恒温箱温度调节单元，用于调节恒温箱的箱内温度；

标定数据获取单元，用于获取所述晶体振荡器在当前箱内温度下的频率，并获取所述压力传感器在当前箱内温度下的压力；

频率校正参数集标定单元，用于根据所述箱内温度和所述标定数据获取单元获取的所述频率，标定所述频率校正参数集；

压力校正参数集标定单元，用于根据所述箱内温度和所述标定数据获取单元获取的所述压力，标定所述压力校正参数集；

子构建单元，用于将均与所述箱内温度对应的频率校正参数和压力校正参数集保存到所述标定数据库。

优选的是，所述实际频率确定单元根据f(x)＝ax³+bx²+cx+d确定所述实际频率，其中f(x)为所述实际频率，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，a、b、c和d均为频率校正参数，a、b、c和d构成的集合为所述频率校正参数集。

优选的是，所述实际压力确定单元根据p(x)＝kx+p_c确定所述实际压力，其中p(x)为所述实际压力，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，k为压力校正参数，k构成了所述压力校正参数集，p_c为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的压力。

优选的是，所述实际时间确定单元根据确定所述当前校正时刻对应的实际时间，其中t_n为当前校正时刻对应的实际时间，t_n-1为上一校正时刻对应的实际时间，Δt为设定的校正时间间隔，f_n为当前校正时刻确定的实际频率，f₀为所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

应用本发明实施例提供的微芯片示踪器的温度补偿方法及系统，在不增加硬件资源的前提下实现了对微芯片示踪器采集的压力和记录的时间进行温度补偿的目的，具有可靠性高和成本低的特点：可以有效降低井筒环境温度变化所带来的压力和时间测量误差，从而保证微芯片示踪器既具有较高的压力测量精度，又具有较高的时间测量精度；通过软件方式进行温度补偿，不增加硬件资源，有效降低了开发成本。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例共同用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1示出了本发明实施例微芯片示踪器的温度补偿方法的流程图；

图2示出了本发明实施例中离线构建标定数据库的方法的流程图；

图3示出了本发明实施例微芯片示踪器的温度补偿系统的结构示意图；

图4示出了本发明实施例中标定数据库离线构建单元的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

为解决现有技术中采用硬件电路实现压力传感器和晶体振荡器的温度补偿方法会增加微芯片示踪器电路设计的面积和功耗的问题，本发明实施例提供了一种微芯片示踪器的温度补偿方法，应用该温度补偿方法，在不增加硬件资源的前提下实现了对微芯片示踪器采集的压力和记录的时间进行温度补偿的目的，具有可靠性高和成本低的特点：可以有效降低井筒环境温度变化所带来的压力和时间测量误差，从而保证微芯片示踪器既具有较高的压力测量精度，又具有较高的时间测量精度；通过软件方式进行温度补偿，不增加硬件资源，有效降低了开发成本。随着微型压力计和微型时钟电路的开发，本发明成果将在这些领域发挥重要作用。

如图1所示，是本发明实施例的微芯片示踪器的温度补偿方法的流程图，所述温度补偿方法包括以下步骤：

步骤101：获取微芯片示踪器实时采集的井筒的温度和压力。

具体地，微芯片示踪器内部包括用于采集井筒温度的温度传感器、以及用于采集井筒压力的压力传感器，一般来说，系统定时读取温度传感器每隔设定的采样间隔采集到的温度数据和压力传感器每隔设定的采样间隔采集到的压力数据。

步骤102：在当前校正时刻，从标定数据库中获取均与所述温度对应的频率校正参数集和压力校正参数集。

具体地，标定数据库中存储有均与上述温度数据对应的频率校正参数集和压力校正参数集，这里标定数据库需要预先离线构建，而离线构建标定数据库的方法将在下文中结合图2进行详细地阐述。在本步骤中，在当前校正时刻，在标定数据库中查表获取与温度数据相对应的频率校正参数集和压力校正参数集。

步骤103：根据所述温度和所述频率校正参数集，确定实际频率。

具体地，在本发明一优选的实施例中，根据f(x)＝ax³+bx²+cx+d确定所述实际频率，其中f(x)为当前校正时刻确定的实际频率，x为微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，a、b、c和d均为频率校正参数，频率校正参数a、b、c和d所构成的集合为所述频率校正参数集。

步骤104：根据所述温度、所述压力和所述压力校正参数集，确定实际压力。

具体地，在本发明一优选的实施例中，根据p(x)＝kx+p_c确定当前校正时刻确定的实际压力，其中p(x)为所述实际压力，x为微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，k为压力校正参数，k构成了所述压力校正参数集(在本优选的实施例中，压力校正参数集仅包括一个压力校正参数k)，p_c为微芯片示踪器当前采集的井筒的压力。

步骤105：根据当前校正时刻确定的实际频率、微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率、设定的校正时间间隔和上一校正时刻对应的实际时间，确定当前校正时刻对应的实际时间。

具体地，根据确定所述当前校正时刻对应的实际时间，其中t_n为当前校正时刻对应的实际时间，t_n-1为上一校正时刻对应的实际时间，Δt为设定的校正时间间隔，f_n为当前校正时刻确定的实际频率，f₀为微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率(也称为标称频率)。

在确定当前实际压力和实际时间后，将所述当前温度、实际压力和实际时间全部存储起来。

如图2所示，是本发明实施例中离线构建标定数据库的方法的流程图，所述离线构建所述标定数据库包括：

步骤201：调节恒温箱的箱内温度。

具体地，恒温箱的箱内温度可通过控制器调节，也可以通过设置在恒温箱上的按键人为调节。

步骤202：获取置于所述恒温箱内的晶体振荡器在当前箱内温度下的频率、以及置于所述恒温箱内的压力传感器在当前箱内温度下的压力。

具体地，将晶体振荡器和压力传感器均放置在恒温箱内，通过不断调节恒温箱的箱内温度(例如0-150℃，每隔0.5℃调节一次温度)，得到晶体振荡器所输出的频率随温度变化的情况，同时得到压力传感器所输出的压力(电压信号)随温度变化情况。

步骤203：根据所述箱内温度和所述频率，标定所述频率校正参数集。

具体地，根据不断变化的箱内温度以及在每个箱内温度下的频率数据，标定频率校正参数集。在本发明一优选的实施例中，利用步骤202采集到的用于标定的晶体振荡器的频率，采用步骤103中所述的公式f(x)＝ax³+bx²+cx+d标定构成频率校正参数集的4个频率校正参数a、b、c和d。由于根据采集到的数据标定参数为本领域技术人员常规采用的标定方法，所以在本文中不进行展开说明。

步骤204：根据所述箱内温度和所述压力，标定所述压力校正参数集。

具体地，根据不断变化的箱内温度以及在每个箱内温度下的压力数据，标定压力校正参数集。在本发明一优选的实施例中，利用步骤202采集到的用于标定的压力传感器的压力，采用步骤104中所述的公式p(x)＝kx+p_c标定构成压力校正参数集的压力校正参数k。由于根据采集到的数据标定参数为本领域技术人员常规采用的标定方法，所以在本文中不进行展开说明。

步骤205：将均与所述箱内温度对应的频率校正参数和压力校正参数集保存到所述标定数据库。

综上所述，应用本发明实施例提供的微芯片示踪器的温度补偿方法，在不增加硬件资源的前提下实现了对微芯片示踪器采集的压力和记录的时间进行温度补偿的目的，具有可靠性高和成本低的特点：可以有效降低井筒环境温度变化所带来的压力和时间测量误差，从而保证微芯片示踪器既具有较高的压力测量精度，又具有较高的时间测量精度；通过软件方式进行温度补偿，不增加硬件资源，有效降低了开发成本。

相应地，本发明实施例还提供一种微芯片示踪器的温度补偿系统，图3示出了本发明实施例微芯片示踪器的温度补偿系统的结构示意图。所述微芯片示踪器包括温度传感器11、压力传感器13、晶体振荡器12、微控制器14和电池15。

温度传感器11检测环境温度(即微芯片示踪器采集的井筒的温度)，由温度传感器本体、A/D转换器和I²C接口组成，该温度传感器11封装尺寸小(5mmx3mm)，功耗低(μA量级)，测量精度较高(0.5℃)。压力传感器13检测环境压力(即微芯片示踪器采集的井筒的压力)，为金属铂片的压力芯体，尺寸6mm×4mm，量程0-60MPa，输出1-10mV电压信号，精度可达1％FS，工作温度为-20℃-150℃。晶体振荡器12给微控制器14提供时钟源，为无源晶振UM-5封装，频率为32.768kHz。微控制器14通过软件的方式对压力传感器13的压力数据、晶体振荡器12的频率数据以及时间数据进行温度补偿，该微控制器14为极低功耗MSP430微控制器，拥有16位精简指令集(RISC)CPU、16位寄存器组、连续发生器，可以提供极大的代码效率，具有5种节能模式，可以在不到1μs时间里从待机模式唤醒，其封装尺寸小(6.5mm×6.5mm)，在运行模式、工作电压2.2V的情况下，工作电流230μA；在待机模式下，工作电流为0.5μA；在关闭模式下(RAM保持)，工作电流为0.1μA。电池15给整个电路系统提供工作电压，为高温电池，标称电压3V，容量48mAh，尺寸12.5mm×2.5mm，工作温度为-40℃-125℃。

所述温度补偿系统的各组成单元为微控制器14内部的自带功能模块，该温度补偿系统包括数据获取单元301、参数集获取单元302、实际频率确定单元303、实际压力确定单元304和实际时间确定单元305。

具体地，数据获取单元301，用于获取微芯片示踪器实时采集的井筒的温度和压力。所述数据获取单元301分别与温度传感器11、晶体振荡器12和压力传感器13电气连接，其中数据获取单元301通过A/D转换模块或者I²C接口与所述温度传感器11电气连接，数据获取单元301类似地通过A/D转换模块或者I²C接口与所述压力传感器13电气连接。

参数集获取单元302，用于在当前校正时刻，从标定数据库中获取均与所述温度对应的频率校正参数集和压力校正参数集。

实际频率确定单元303，用于根据所述数据获取单元301获取的所述温度和所述参数集获取单元302获取的所述频率校正参数集，确定实际频率。

实际压力确定单元304，用于根据所述数据获取单元301获取的所述温度和所述压力，以及所述参数集获取单元302获取的所述压力校正参数集，确定实际压力。

实际时间确定单元305，用于根据所述实际频率确定单元303确定的所述实际频率、微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率、设定的校正时间间隔和上一校正时刻对应的实际时间，确定当前校正时刻对应的实际时间。

进一步地，上述标定数据库是离线构建的，从而所述微芯片示踪器的温度补偿系统还包括标定数据库离线构建单元，该标定数据库离线构建单元用于离线构建所述标定数据库。如图4所示，是该标定数据库离线构建单元的结构示意图，所述标定数据库离线构建单元包括恒温箱401、均置于所述恒温箱401内的用于标定的晶体振荡器402和压力传感器403，以及电脑409(普通笔记本电脑)，其中晶体振荡器402和压力传感器403通过电路检测模块分别与电脑409电气连接，标定数据库的离线构建过程是通过软件实现的，电脑409的内部存储有以下功能模块：恒温箱温度调节单元404，标定数据获取单元405，频率校正参数集标定单元406，压力校正参数集标定单元407，以及子构建单元408。

具体地，恒温箱401为高温烘箱DK20，工作电压220V/50Hz，控温范围10℃-300℃，控温精度±0.5℃，尺寸为250mm×250mm×250mm。优选地，晶体振荡器402与频率计4021电气连接，压力传感器403通过压力细管与压力计4031相连。压力计4031为KY2012精密压力计，压力范围0-160MPa，压力介质为油，有4个M20×1.5连接螺纹，外形尺寸为420mm×320mm×100mm。频率计4021为DF3380频率计，频率测量范围为10Hz-10MHz，分辨率为0.1Hz。

恒温箱温度调节单元404，用于调节恒温箱401的箱内温度。

标定数据获取单元405，用于获取所述晶体振荡器402在当前箱内温度下的频率，并获取所述压力传感器403在当前箱内温度下的压力。

频率校正参数集标定单元406，用于根据所述箱内温度和所述标定数据获取单元405获取的所述频率，标定所述频率校正参数集。

压力校正参数集标定单元407，用于根据所述箱内温度和所述标定数据获取单元405获取的所述压力，标定所述压力校正参数集。

子构建单元408，用于将均与所述箱内温度对应的频率校正参数和压力校正参数集保存到所述标定数据库。

进一步地，所述实际频率确定单元303根据f(x)＝ax³+bx²+cx+d确定所述实际频率，其中f(x)为所述实际频率，x为微芯片示踪器实时采集的井筒的温度，a、b、c和d均为频率校正参数，a、b、c和d构成的集合为所述频率校正参数集。

所述实际压力确定单元304根据p(x)＝kx+p_c确定所述实际压力，其中p(x)为所述实际压力，x为微芯片示踪器实时采集的井筒的温度，k为所述压力校正参数集，p_c为微芯片示踪器实时采集的井筒的压力。

所述实际时间确定单元305根据确定所述当前校正时刻对应的实际时间，其中t_n为当前校正时刻对应的实际时间，t_n-1为上一校正时刻对应的实际时间，Δt为设定的校正时间间隔，f_n为当前校正时刻确定的实际频率，f₀为微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率。

上述各单元的具体处理过程可参照前面本发明实施例的方法中的描述，在此不再赘述。

综上所述，应用本发明实施例提供的微芯片示踪器的温度补偿系统，在不增加硬件资源的前提下实现了对微芯片示踪器采集的压力和记录时间进行温度补偿的目的，具有可靠性高和成本低的特点：可以有效降低井筒环境温度变化所带来的压力和时间测量误差，从而保证微芯片示踪器既具有较高的压力测量精度，又具有较高的时间测量精度；通过软件方式进行温度补偿，不增加硬件资源，有效降低了开发成本。

本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。

虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种微芯片示踪器的温度补偿方法，其特征在于，包括：

获取微芯片示踪器实时采集的井筒的温度和压力；

在当前校正时刻，从标定数据库中获取均与所述温度对应的频率校正参数集和压力校正参数集；

根据所述温度和所述频率校正参数集，确定实际频率；

根据所述温度、所述压力和所述压力校正参数集，确定实际压力；

根据当前校正时刻确定的实际频率、所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率、设定的校正时间间隔和上一校正时刻对应的实际时间，确定当前校正时刻对应的实际时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：离线构建所述标定数据库，所述离线构建所述标定数据库包括：

调节恒温箱的箱内温度；

获取置于所述恒温箱内的晶体振荡器在当前箱内温度下的频率、以及置于所述恒温箱内的压力传感器在当前箱内温度下的压力；

根据所述箱内温度和所述频率，标定所述频率校正参数集；

根据所述箱内温度和所述压力，标定所述压力校正参数集；

将均与所述箱内温度对应的频率校正参数和压力校正参数集保存到所述标定数据库。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据f(x)＝ax³+bx²+cx+d确定所述实际频率，其中f(x)为所述实际频率，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，a、b、c和d均为频率校正参数，a、b、c和d构成的集合为所述频率校正参数集。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据p(x)＝kx+p_c确定所述实际压力，其中p(x)为所述实际压力，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，k为压力校正参数，k构成了所述压力校正参数集，p_c为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的压力。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据确定所述当前校正时刻对应的实际时间，其中t_n为当前校正时刻对应的实际时间，t_n-1为上一校正时刻对应的实际时间，Δt为设定的校正时间间隔，f_n为当前校正时刻确定的实际频率，f₀为所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率。

6.一种微芯片示踪器的温度补偿系统，其特征在于，包括：

数据获取单元，用于获取微芯片示踪器实时采集的井筒的温度和压力；

参数集获取单元，用于在当前校正时刻，从标定数据库中获取均与所述温度对应的频率校正参数集和压力校正参数集；

实际频率确定单元，用于根据所述数据获取单元获取的所述温度和所述参数集获取单元获取的所述频率校正参数集，确定实际频率；

实际压力确定单元，用于根据所述数据获取单元获取的所述温度和所述压力，以及所述参数集获取单元获取的所述压力校正参数集，确定实际压力；

实际时间确定单元，用于根据所述实际频率确定单元确定的所述实际频率、所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率、设定的校正时间间隔和上一校正时刻对应的实际时间，确定当前校正时刻对应的实际时间。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：标定数据库离线构建单元，用于离线构建所述标定数据库，所述标定数据库离线构建单元包括：

恒温箱和均置于所述恒温箱内的晶体振荡器和压力传感器；

恒温箱温度调节单元，用于调节恒温箱的箱内温度；

标定数据获取单元，用于获取所述晶体振荡器在当前箱内温度下的频率，并获取所述压力传感器在当前箱内温度下的压力；

频率校正参数集标定单元，用于根据所述箱内温度和所述标定数据获取单元获取的所述频率，标定所述频率校正参数集；

压力校正参数集标定单元，用于根据所述箱内温度和所述标定数据获取单元获取的所述压力，标定所述压力校正参数集；

子构建单元，用于将均与所述箱内温度对应的频率校正参数和压力校正参数集保存到所述标定数据库。

8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述实际频率确定单元根据f(x)＝ax³+bx²+cx+d确定所述实际频率，其中f(x)为所述实际频率，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，a、b、c和d均为频率校正参数，a、b、c和d构成的集合为所述频率校正参数集。

9.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述实际压力确定单元根据p(x)＝kx+p_c确定所述实际压力，其中p(x)为所述实际压力，x为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的温度，k为压力校正参数，k构成了所述压力校正参数集，p_c为所述微芯片示踪器当前采集的井筒的压力。

10.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述实际时间确定单元根据确定所述当前校正时刻对应的实际时间，其中t_n为当前校正时刻对应的实际时间，t_n-1为上一校正时刻对应的实际时间，Δt为设定的校正时间间隔，f_n为当前校正时刻确定的实际频率，f₀为所述微芯片示踪器内晶体振荡器的本振频率。