CN105467751A - 一种多通道滤光片的纳米掩膜制作方法 - Google Patents

一种多通道滤光片的纳米掩膜制作方法 Download PDF

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Abstract

本案为一种多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，包括以下步骤：a.在干净的滤光片基片上形成纳米掩膜膜层；b.在纳米掩膜膜层上进行旋涂光刻胶，90℃-100℃烘烤10min以上，在纳米掩膜膜层上形成光刻胶层；c.曝光；d.显影和后烘；e.通过蚀刻去掉暴露在外的纳米掩膜膜层，形成纳米掩膜，留出需要镀膜的滤光片通道；f.使用溶液浓度为5％的NaOH或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；g.在步骤f中留出的通道上镀制滤光片膜层；h.去除纳米掩膜，留下相应通道上的相应的滤光片膜层；i.重复a-h，直至完成所有通道的滤光片膜层。本案的方法可以提高集成多通道滤光片的良率。

Description

一种多通道滤光片的纳米掩膜制作方法
技术领域
本发明涉及一种新的镀膜掩膜工艺，特别是涉及一种适合多通道滤光片的纳米掩膜制作方法。
背景技术
随着光学薄膜滤光片朝着尺寸减小和高度集成化发展，多通道集成滤光片阵列的通道更多、体积更小、集成度更高，其制作难度越来越高。对于集成度高的多通道集成滤光片，目前通常采用光刻胶作为掩膜。
利用光刻胶作为掩膜的方法为，首先在基片上进行甩胶，然后通过曝光、显影，在基片上留出需要镀膜的通道，再镀制滤光片膜层，去掉光刻胶完成相应通道的制作，如此往复，直至完成集成多通道滤光片的制作。
光刻胶掩膜为疏松膜层，通常较厚(厚度通常为几个微米)，在镀膜时可能形成阴影区，从而引起通道内膜层不均匀。镀制某些膜层时需要较高的基底温度，容易引起光刻胶变性、流动或去胶困难，严重的可能造成对镀膜腔的污染；另外，光刻胶容易与丙酮等溶剂反应，与基片结合性差，在后续处理中容易发生脱胶现象，会降低产品良率。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一高产品良率、高效的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法。
为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现：
一种多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，包括以下步骤：
a.在干净的滤光片基片上形成纳米掩膜膜层；
b.在纳米掩膜膜层上进行旋涂光刻胶，90℃-100℃烘烤10min以上，在纳米掩膜膜层上形成光刻胶层；
c.曝光：把步骤b后的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光；
d.显影和后烘：将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，其中显影液与步骤b中所使用的光刻胶相对应；显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90℃-100℃烘干残留在滤光片基片表面的水分；
e.通过蚀刻去掉暴露在外的纳米掩膜膜层，形成纳米掩膜，留出需要镀膜的滤光片通道；
f.使用溶液浓度为5％的NaOH或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；
g.在步骤f中留出的通道上镀制滤光片膜层；
h.去除纳米掩膜，留下相应通道上的相应的滤光片膜层；
i.重复a-h，直至完成所有通道的滤光片膜层。
优选的是，所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其中，所述负型光刻胶与正型光刻胶所对应的掩膜板不同，两种掩膜板的透光区与遮光区互补。
优选的是，所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其中，所述多通道滤光片的通道数大于或等于两个。
优选的是，所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其中，所述多通道滤光片的通道数为2-200个。
优选的是，所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其中，所述多通道滤光片的通道数为2-64个。
优选的是，所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其中，所述纳米掩膜膜层材料为金属、金属化合物或金属氧化物材料中的一种。
优选的是，所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其中，所述纳米掩膜膜层采用蒸镀、溅射、印刷方式中的一种镀制在所述滤光片基片上。
优选的是，所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其中，所述纳米掩膜膜层为选自Ag、Cu、Al、CaCO3、CaO、NaCl、ZnS或ZnSe中的一种薄膜。
本发明的有益效果：纳米掩膜与基底结合牢固，能承受较高的温度，基底面上厚度均匀，且不容易发生变性、脱膜等现象，可以明显提高集成多通道滤光片的良率；同时降低了成本；纳米掩膜可以通过镀膜、电镀、喷涂或旋涂等方法实现；纳米掩膜与集成滤光片基片结合良好，去除方便快捷，在与去除液接触时，整个掩膜层可以同时快速地与去除液反应；选用的掩膜层(如金属、金属化合物、金属氧化物等)材料稳定，在镀滤光片膜层时，能起到很好的保护作用；该掩膜材料与基片的结合力优于光刻胶，耐水和酒精、丙酮等有机溶剂，在基片上形成掩膜以后，方便后续处理，处理方便快速。
附图说明
图1为本发明一实施例所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法的流程示意图。
其中，1-纳米掩膜膜层，2-滤光片基片，3-光刻胶层，4-紫外光，5-掩膜板，6-滤光片通道，7-滤光片膜层，8-集成多通道滤光片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
一种多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，请参阅附图1，包括以下步骤：
a.在干净的滤光片基片2上形成纳米掩膜膜层1；
b.在纳米掩膜膜层上进行旋涂光刻胶，90℃-100℃烘烤10min以上，在纳米掩膜膜层上形成光刻胶层3；
c.曝光：把步骤b后的滤光片基片置于掩膜板5下进行采用紫外光4紫外曝光；
d.显影和后烘：将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，其中显影液与步骤b中所使用的光刻胶相对应；显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90℃-100℃烘干残留在滤光片基片表面的水分；
e.通过蚀刻去掉暴露在外的纳米掩膜膜层，形成纳米掩膜，留出需要镀膜的滤光片通道6；
f.使用溶液浓度为5％的NaOH或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；
g.在步骤f中留出的通道上镀制滤光片膜层；
h.去除纳米掩膜，留下相应通道上的相应的滤光片膜层7；
i.重复a-h，直至完成所有通道的滤光片膜层，形成集成多通道滤光片8。
进一步的，所述负型光刻胶与正型光刻胶所对应的掩膜板不同，两种掩膜板的透光区与遮光区互补。
进一步的，所述多通道滤光片的通道数大于或等于两个。
进一步的，所述多通道滤光片的通道数为2-200个。
进一步的，所述多通道滤光片的通道数为2-64个。
进一步的，所述纳米掩膜膜层材料为金属、金属化合物或金属氧化物材料中的一种。
进一步的，所述纳米掩膜膜层采用蒸镀、溅射、印刷方式中的一种镀制在所述滤光片基片上。
进一步的，所述纳米薄膜为选自Ag、Cu、Al、CaCO3、CaO、NaCl、ZnS或ZnSe中的一种薄膜。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

Claims (8)

1.一种多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在干净的滤光片基片上形成纳米掩膜膜层；
在纳米掩膜膜层上进行旋涂光刻胶，90℃-100℃烘烤10min以上，在纳米掩膜膜层上形成光刻胶层；
曝光：把步骤b后的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光；
显影和后烘：将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，其中显影液与步骤b中所使用的光刻胶相对应；显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90℃-100℃烘干残留在滤光片基片表面的水分；
通过蚀刻去掉暴露在外的纳米掩膜膜层，形成纳米掩膜，留出需要镀膜的滤光片通道；
使用溶液浓度为5%的NaOH或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；
在步骤f中留出的通道上镀制滤光片膜层；
去除纳米掩膜，留下相应通道上的相应的滤光片膜层；
重复a-h，直至完成所有通道的滤光片膜层。
2.如权利要求1所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，所述负型光刻胶与正型光刻胶所对应的掩膜板不同，两种掩膜板的透光区与遮光区互补。
3.如权利要求2所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，所述多通道滤光片的通道数大于或等于两个。
4.如权利要求2所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，所述多通道滤光片的通道数为2-200个。
5.如权利要求2所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，所述多通道滤光片的通道数为2-64个。
6.如权利要求2所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，所述纳米掩膜膜层材料为金属、金属化合物或金属氧化物材料中的一种。
7.如权利要求2所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，所述纳米掩膜膜层采用蒸镀、溅射、印刷方式中的一种镀制在所述滤光片基片上。
8.如权利要求2所述的多通道滤光片的纳米掩膜制作方法，其特征在于，所述纳米掩膜膜层选自Ag、Cu、Al、CaCO3、CaO、NaCl、ZnS或ZnSe中的一种薄膜。
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