CN102569538B - 一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法 - Google Patents
一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102569538B CN102569538B CN2010106009181A CN201010600918A CN102569538B CN 102569538 B CN102569538 B CN 102569538B CN 2010106009181 A CN2010106009181 A CN 2010106009181A CN 201010600918 A CN201010600918 A CN 201010600918A CN 102569538 B CN102569538 B CN 102569538B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- positive photoresist
- substrate
- coated
- light
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 60
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000002791 soaking Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Substances CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，该方法采用正性光刻胶进行光刻，其光刻过程为：处理基片表面-涂覆正性光刻胶-前烘-采用显影液浸泡-曝光-曝光后烘烤-显影-坚膜。该剥离方法采用了正性光刻胶，在光刻过程中增加了曝光前浸泡显影液的步骤，对正性光刻胶的光刻工艺进行了改良，从而优化了剥离效果，该工艺简单易操作，能大大降低生产成本；并适合于大规模化的生产。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管芯片的制作方法，尤其是指一种制作发光二极管芯片电极时采用的剥离(lift-off)工艺。
背景技术
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。
在制作发光二极管芯片的电极时，需要采用剥离(lift-off)技术，通常是通过涂覆光刻胶曝光后形成图形，然后利用电镀或电子束蒸发等方法在图形化光刻胶上制备电极材料，之后通过去除光刻胶来剥离掉多余的电极材料完成电极的制作。剥离技术一般分为单层光刻胶剥离技术和多层光刻胶剥离技术。多层光刻胶剥离技术必须采用多种光源的光刻胶，使用常规工艺和设备很难实现。目前LED芯片制造中基本上都是采用单层光刻胶剥离技术，且通常采用负性光刻胶。然而负性光刻胶存在分辨率不高和溶胀等问题，光刻后的图形较易失真；且用于LED芯片制造中的负性光刻胶基本上都采用进口的负性光刻胶，其价格较为昂贵，必然带来成本高的问题。
然而，若采用正性光刻胶，在常规的正性光刻胶光刻过程中，基本上都会形成如图1所示的“倒八”形窗口，这种图形对电极剥离很不利，常常会造成金属剥离不完全、或有残留金属或者残留胶体存在等问题，从而大大影响了芯片性能。因此，在电极剥离过程中，需要形成“正八”形窗口。常规正性光刻胶的光刻过程为：熏(涂)增粘剂-涂正性光刻胶-前烘-曝光-显影-坚膜。为了克服上述问题，业界也有对正性光刻胶的光刻过程进行过改进，比如：基板处理-涂正性光刻胶-前烘-曝光-中烘-甲苯浸泡-后烘-显影。但这种改进的最大缺点是：甲苯有毒，对人体有伤害，不适合于规模化大生产。
因此，如何改进发光二极管芯片电极制作中的剥离工艺，进一步降低生产成本，优化剥离效果，仍然是本领域技术人员亟待解决的重要课题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：采用正性光刻胶进行光刻，其光刻过程如下：
步骤一、处理基片表面；
步骤二、在处理后的基片表面涂覆正性光刻胶；
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘；
步骤四、采用显影液浸泡所述前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片；
步骤五、将所述采用显影液浸泡后的表面涂覆有正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光；
步骤六、对所述曝光后表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤；
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影；
步骤八、对所述显影后的表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜。
作为本发明的优选方案，步骤一中处理基片表面的方法为在基片表面熏或涂增粘剂。
作为本发明的优选方案，步骤三前烘时，温度为120℃-90℃，时间为2-4分钟。
作为本发明的优选方案，步骤四中采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为所述显影液。进一步优选的，步骤四浸泡所述显影液时，温度为30℃-20℃，时间为2-5分钟。
作为本发明的优选方案，步骤五曝光时，曝光能量(即光强×时间)为90-180mJ。
作为本发明的优选方案，步骤六中，曝光后烘烤的温度为140℃-100℃，时间为40秒-120秒。
作为本发明的优选方案，步骤七中，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为显影液，显影时间为50-70秒。进一步优选的，步骤七显影时，所述显影液的温度为20℃，时间为60秒。
作为本发明的优选方案，步骤八中，坚膜温度为120℃，时间为10分钟-15分钟。
相较于现有技术，本发明的有益效果在于：本发明提出的剥离方法采用了正性光刻胶，在光刻过程中增加了曝光前浸泡显影液的步骤，对正性光刻胶的光刻工艺进行了改良，从而优化了剥离效果，该工艺简单易操作，能大大降低生产成本；并适合于大规模化的生产。
附图说明
图1是现有技术中正性光刻胶的常规光刻过程形成的“倒八”形窗口示意图；
图2是实施例中正性光刻胶进行光刻后形成的“正八”形窗口示意图。
具体实施方式
本发明提供一种制作发光二极管芯片电极所采用的剥离方法，该方法在剥离时采用正性光刻胶进行光刻，并优化了光刻工艺，以下通过几个优选实施例进一步说明本发明的具体实施步骤，为了示出的方便附图并未按照比例绘制。
优选实施例一
该剥离方法采用正性光刻胶进行光刻，过程如下：
步骤一、在基片表面熏或涂增粘剂。
步骤二、在表面熏或涂有增粘剂的基片上涂覆正性光刻胶。
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘，温度为90℃，时间为4分钟。对表面涂覆有正性光刻胶的基片的烘烤通常是采用热板加热，烘烤温度通常为实测加热板温度。
步骤四、采用显影液浸泡前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片，温度为20℃，时间为5分钟。其中，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为所述显影液浸泡基片。
步骤五、将用显影液浸泡后的表面涂覆了正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光，光强为9mW/cm2，时间为10秒。
步骤六、曝光后对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤，烘烤的温度为100℃，时间为120秒。
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影。显影时，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为显影液，显影时间为50-70秒，优选为60秒，显影液温度优选为20℃。
步骤八、对所述显影后表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜，坚膜的温度为120℃，时间为10分钟，坚膜通常是采用烘箱烘烤，烘烤温度通常为实测烘箱内温度。
其中，显影、坚膜是本领域技术人员习知的内容，不再赘述。
优选实施例二
该剥离方法采用正性光刻胶进行光刻，过程如下：
步骤一、在基片表面熏或涂增粘剂。
步骤二、在表面熏或涂有增粘剂的基片上涂覆正性光刻胶。
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘，温度为100℃，时间为3分钟。对表面涂覆有正性光刻胶的基片的烘烤通常是采用热板加热，烘烤温度通常为实测加热板温度。
步骤四、采用显影液浸泡前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片，温度为25℃，时间为5分钟。其中，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为所述显影液。
步骤五、将用显影液浸泡后的表面涂覆了正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光，曝光能量(即光强×时间)为100mJ，优选地，光强为10mW/cm2，时间为10秒。
步骤六、曝光后对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤，烘烤的温度为110℃，时间为90秒。
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影。显影时，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为显影液，显影时间为60秒，显影液温度为20℃。
步骤八、对所述显影后表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜，坚膜的温度为120℃，时间为12分钟。
优选实施例三
该剥离方法采用正性光刻胶进行光刻，过程如下：
步骤一、在基片表面熏或涂增粘剂。
步骤二、在表面熏或涂有增粘剂的基片上涂覆正性光刻胶。
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘，温度为100℃，时间为3分钟。对表面涂覆有正性光刻胶的基片的烘烤通常是采用热板加热，烘烤温度通常为实测加热板温度。
步骤四、采用显影液浸泡前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片，温度为25℃，时间为3分钟。其中，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为所述显影液。
步骤五、将用显影液浸泡后的表面涂覆了正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光，光强为10.5mW/cm2，时间为15秒。
步骤六、曝光后对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤，烘烤的温度为120℃，时间为60秒。
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影。显影时，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为显影液，显影时间为60秒，显影液温度为20℃。
步骤八、对所述显影后表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜，坚膜的温度为120℃，时间为13分钟。
优选实施例四
该剥离方法采用正性光刻胶进行光刻，过程如下：
步骤一、在基片表面熏或涂增粘剂。
步骤二、在表面熏或涂有增粘剂的基片上涂覆正性光刻胶。
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘，温度为100℃，时间为3分钟。
步骤四、采用显影液浸泡前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片，温度为25℃，时间为3分钟。其中，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为所述显影液。
步骤五、将用显影液浸泡后的表面涂覆了正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光，光强为10.5mW/cm2，时间为15秒。
步骤六、曝光后对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤，烘烤的温度为100℃，时间为120秒。
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影。显影时，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为显影液，显影时间为60秒，显影液温度为20℃。
步骤八、对所述显影后表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜，坚膜的温度为120℃，时间为14分钟。
优选实施例五
该剥离方法采用正性光刻胶进行光刻，过程如下：
步骤一、在基片表面熏或涂增粘剂。
步骤二、在表面熏或涂有增粘剂的基片上涂覆正性光刻胶。
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘，温度为100℃，时间为2分钟。
步骤四、采用显影液浸泡前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片，温度为25℃，时间为3分钟。其中，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为所述显影液。
步骤五、将用显影液浸泡后的表面涂覆了正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光，光强为10.5mW/cm2，时间为15秒。
步骤六、曝光后对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤，烘烤的温度为140℃，时间为40秒。
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影。显影时，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为显影液，显影时间为60秒，显影液温度为20℃。
步骤八、对所述显影后表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜，坚膜的温度为120℃，时间为11分钟。
优选实施例六
该剥离方法采用正性光刻胶进行光刻，过程如下：
步骤一、在基片表面熏或涂增粘剂。
步骤二、在表面熏或涂有增粘剂的基片上涂覆正性光刻胶。
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘，温度为120℃，时间为2分钟。
步骤四、采用显影液浸泡前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片，温度为30℃，时间为2分钟。其中，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为所述显影液。
步骤五、将用显影液浸泡后的表面涂覆了正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光，曝光能量(即光强×时间)为180mJ。优选地，光强为10mW/cm2，时间为18秒。
步骤六、曝光后对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤，烘烤的温度为140℃，时间为40秒。
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影。显影时，采用浓度为2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液作为显影液，显影时间为60秒，显影液温度为20℃。
步骤八、对所述显影后表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜，坚膜的温度为120℃，时间为15分钟。
通过上述方法对正性光刻胶进行光刻，可以形成制作电极所需的窗口，窗口为“正八”形，如图2所示。在具有该“正八”形窗口的光刻胶上制备电极材料，然后通过去除光刻胶剥离多余电极材料，从而可完成电极的制作。其中，“正八”形窗口可以优化剥离效果，保证剥离电极的质量。
上述的剥离方法，工艺简单，易于操作，适合于大规模化的生产，采用正性光刻胶能进一步降低生产成本。
本发明中涉及的其他工艺条件为常规工艺条件，属于本领域技术人员熟悉的范畴，在此不再赘述。上述实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。任何不脱离本发明精神和范围的技术方案均应涵盖在本发明的专利申请范围当中。
Claims (9)
1.一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于，采用正性光刻胶进行光刻，其光刻过程如下：
步骤一、处理基片表面；处理的方法为在基片表面熏或涂增粘剂；
步骤二、在处理后的基片表面涂覆正性光刻胶；
步骤三、对所述表面涂覆有正性光刻胶的基片进行前烘；
步骤四、采用显影液浸泡所述前烘后的表面涂覆有正性光刻胶的基片；
步骤五、将所述采用显影液浸泡后的表面涂覆有正性光刻胶的基片置于掩模板下曝光；
步骤六、对所述曝光后表面涂覆有正性光刻胶的基片烘烤；
步骤七、对所述烘烤后的表面涂覆有正性光刻胶的基片显影；
步骤八、对所述显影后的表面涂覆有正性光刻胶的基片坚膜。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤三前烘时，温度为120℃-90℃，时间为2-4分钟。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤四中采用浓度为2.38%的氢氧化四甲铵溶液作为所述显影液。
4.根据权利要求3所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤四浸泡所述显影液的温度为30℃-20℃，时间为2-5分钟。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤五曝光时，曝光能量为90-180mJ。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤六中，曝光后烘烤的温度为140℃-100℃，时间为40秒-120秒。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤七显影时，采用浓度为2.38%的氢氧化四甲铵溶液作为显影液，显影时间为50-70秒。
8.根据权利要求7所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤七显影时，所述显影液的温度为20℃，时间为60秒。
9.根据据权利要求1所述的一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法，其特征在于：步骤八中，坚膜温度为120℃，时间为10分钟-15分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010106009181A CN102569538B (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010106009181A CN102569538B (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102569538A CN102569538A (zh) | 2012-07-11 |
| CN102569538B true CN102569538B (zh) | 2013-11-27 |
Family
ID=46414481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010106009181A Expired - Fee Related CN102569538B (zh) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | 一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102569538B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103293850A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-09-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法 |
| CN106601601B (zh) * | 2017-02-06 | 2023-11-17 | 福建中晶科技有限公司 | 一种图形化蓝宝石衬底的光刻方法 |
| CN112928013B (zh) * | 2019-12-05 | 2022-10-04 | 天津大学 | 利用曲面和排空吸引势控制颗粒取向的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003162231A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Sony Corp | 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
| CN101740726B (zh) * | 2008-11-25 | 2012-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制造方法 |
| CN101807539A (zh) * | 2009-02-18 | 2010-08-18 | 百倍光电股份有限公司 | 触控面板的绝缘层制作方法 |
-
2010
- 2010-12-22 CN CN2010106009181A patent/CN102569538B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102569538A (zh) | 2012-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102569538B (zh) | 一种发光二极管芯片电极制作中的剥离方法 | |
| CN105070412B (zh) | 一种干法转移银纳米线透明电极的方法 | |
| WO2015096394A1 (zh) | 薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法及阵列基板 | |
| CN102243435B (zh) | 一种通过正负光刻胶复合显影制备微纳米流体系统的方法 | |
| CN102096535A (zh) | 一种制作电容触摸屏的方法 | |
| CN106575677B (zh) | 用于形成光伏电池的方法和根据该方法形成的光伏电池 | |
| CN106201041A (zh) | 一种触摸屏制备方法 | |
| WO2017004905A1 (zh) | 一种光罩及彩膜基板的制备方法 | |
| CN103171246A (zh) | 太阳能硅电池电极印刷网板的制作方法 | |
| CN111522208A (zh) | 使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法 | |
| CN103472694B (zh) | 光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法 | |
| CN102779942A (zh) | 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | |
| WO2015018101A1 (zh) | 光阻层剥离方法及装置 | |
| CN103345119B (zh) | 一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法 | |
| CN101867001B (zh) | 自对准工艺制作凸形图形衬底的方法 | |
| CN103092008A (zh) | 一种非感光性聚酰亚胺光刻工艺方法 | |
| CN102707565B (zh) | 一种黑矩阵的制作方法、彩色滤光片及显示装置 | |
| CN104023480A (zh) | 一种缩短pcb电镀制程的加工方法 | |
| CN106549081A (zh) | 一种制作太阳能电池电极的方法 | |
| CN105334696A (zh) | 一种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法 | |
| CN106526946A (zh) | 一种黑矩阵制造方法 | |
| CN113054058B (zh) | 一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀pedot:pss透明电极的紫外光刻方法 | |
| CN207690800U (zh) | 一种薄膜晶体管膜层 | |
| CN105531626A (zh) | 感光性遮光糊剂和接触式传感器用层叠图案的制造方法 | |
| CN104460246B (zh) | 一种新型光刻对准方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131127 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |