CN105428519A - 多层压电薄膜悬臂梁传感器及制备方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 77
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 38
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 19
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 9
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
- H10N30/057—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/304—Beam type
- H10N30/306—Cantilevers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明提供了一种多层压电薄膜悬臂梁传感器及制备方法，采用牺牲层释放工艺，从正面释放牺牲层，来形成压电微悬臂梁结构，充分利用普遍采用的CMOS工艺完成，工艺简单可控，提高了压电悬臂梁传感器制造工艺与硅集成电路工艺的兼容性，避免了体硅衬底用湿法刻蚀从背面释放悬臂梁工艺中的污染问题。并且，采用多层压电薄膜和柔性支撑层，增大了传感器的灵敏度或执行器的变形幅度，提高了悬臂梁对外部激励的响应和信号输出。另外，采用柔性支撑层，简化了传感器结构和加工工艺，采用此结构的压电微传感器可以应用在任意尺寸，任意形状表面的物体上，扩展了微传感器的应用范围。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种多层压电薄膜悬臂梁传感器及其制备方法。
背景技术
压电原理是实现微传感器的另一种新途径。通过压电效应，力、加速度等待感知量可以直接在压电薄膜上输出电压，而逆压电效应使微传感器可以通过施加外电压驱动微结构产生位移，从而同时具备执行器功能。资料表明，利用压电薄膜材料制成的微传感器/执行器与现有的硅基材料微传感器/执行器相比具有无可比拟的优势，是微传感器研究发展的新领域。
基于压电效应的传感器是一种自发电式和机电转换式传感器。它的敏感元件由压电材料制成。压电材料受力后表面产生电荷。此电荷经电荷放大器和测量电路放大和变换阻抗后就成为正比于所受外力的电量输出。压电式传感器用于测量力和能变换为力的非电物理量。它的优点是频带宽、灵敏度高、信噪比高、结构简单、工作可靠和重量轻等。
目前，国际上多个研究机构都已经开展了对压电薄膜微传感器技术的研究，在压电薄膜微器件的原理、结构、性能等的理论分析方面已经取得了一定的成果，但是真正可以在实际中应用的压电微器件却很少，其关键问题：一是压电薄膜的微细加工技术和压电薄膜与硅集成电路工艺的兼容性问题尚未得到很好的解决；二是大部分的压电传感器采用体硅工艺，微结构的释放采用硅衬底背面腐蚀工艺，工艺复杂难控制，与目前普遍采用的集成电路工艺不兼容，而且易发生微结构与衬底粘连的问题，导致成品率降低。三是大部分的压电微传感器为便于设计加工和生产，多采用的是单压电薄膜的结构，限制了传感器的灵敏度或执行器的变形幅度，降低了悬臂梁对外部激励的响应以及信号的输出。四是已应用的压电微器件大多采用多晶硅、压电陶瓷等刚性支撑结构，对小信号激励的响应不敏感，灵敏度低；同时带刚性支撑结构的微器件无法在任意尺寸，任意形状表面的物体上应用。这些问题也是发展铁电不挥发存储器、室温型热释电红外探测器等新型器件亟待解决的关键技术。
发明内容
为了克服以上问题，本发明旨在提供一种多层压电薄膜悬臂梁传感器及其制备方法。
为了达到上述目的，本发明提供了多层压电薄膜悬臂梁传感器，位于半导体衬底上，其包括：
在半导体衬底中的空腔；
位于部分所述半导体衬底表面和部分所述空腔上的柔性支撑层；
位于所述柔性支撑层上的堆叠结构，所述堆叠结构包括：下电极和上电极；在所述下电极和所述上电极之间具有多个压电薄膜层，且相邻的压电薄膜层之间具有中间电极；
覆盖于所述上电极上表面、所述堆叠结构的侧壁、以及部分所述半导体衬底表面的阻挡层；所述阻挡层具有释放孔，所述释放孔与所述空腔相连通。
优选地，所述半导体衬底为N型或P型双面抛光的硅片。
优选地，所述柔性支撑层的材料为聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、或聚对苯二甲酸乙二脂。
为了达到上述目的，本发明还提供了一种上述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其包括：
步骤01：提供一半导体衬底；
步骤02：在所述半导体衬底中形成沟槽，并且在沟槽中形成牺牲层；
步骤03：在所述牺牲层顶部和所述沟槽外部的所述半导体衬底表面形成柔性支撑层；
步骤04：在所述柔性支撑层上形成下电极层，并且去除位于部分所述牺牲层上和部分所述半导体衬底表面的所述下电极层部分，以形成下电极；
步骤05：在完成所述步骤04的半导体衬底上形成第一压电薄膜层，并且去除所述下电极上表面以外的所述第一压电薄膜层部分；
步骤06：在完成所述步骤05的半导体衬底上形成中间电极层，并且去除所述第一压电薄膜层上表面以外的所述中间电极层部分，以形成中间电极；
步骤07：在完成所述步骤06的半导体衬底上形成第二压电薄膜层，并且去除所述中间电极上表面以外的所述第二压电薄膜层部分；
步骤08：将所述步骤06和所述步骤07重复K次之后，继续执行所述步骤09，其中，K为非负整数；
步骤09：在完成所述步骤08的半导体衬底上形成上电极层，并且去除所述第二压电薄膜层上方以外的所述上电极层部分，以形成上电极；
步骤10：刻蚀未被所述下电极覆盖的所述柔性支撑层部分，以暴露出部分所述牺牲层表面；
步骤11：在完成所述步骤10的半导体衬底上形成阻挡层，并且刻蚀暴露的部分所述牺牲层表面上的所述阻挡层部分，以在所述阻挡层中形成释放孔；
步骤12：采用释放工艺通过所述释放孔将所述牺牲层全部释放掉，从而在所述半导体衬底中形成空腔。
优选地，所述步骤02具体包括：
步骤021：经光刻和刻蚀工艺在所述半导体衬底中形成所述沟槽；
步骤022：采用SACVD工艺在完成所述步骤021的半导体衬底上沉积所述牺牲层，并进行平坦化回流；
步骤023：采用干法刻蚀工艺对所述牺牲层进行回刻，去除位于所述半导体衬底表面的所述牺牲层部分，从而使所述牺牲层的顶部和所述半导体衬底顶部齐平。
优选地，所述步骤04具体包括：
步骤041：采用光刻胶直接剥离工艺，在完成所述步骤03的半导体衬底上涂覆光刻胶，去除所述下电极区域上的光刻胶，保留所述下电极以外区域的光刻胶；
步骤042：在完成所述步骤041的半导体衬底上沉积下电极层；
步骤043：将整个所述半导体衬底浸入丙酮溶液中，将所述保留的光刻胶及其上的下电极层去除，从而在所述柔性支撑层上形成所述下电极。
优选地，所述步骤05具体包括：
步骤051：在完成所述步骤04的半导体衬底上形成第一压电薄膜材料；
步骤052：在所述第一压电薄膜材料上涂覆一层光刻胶，经光刻在所述光刻胶中形成第一压电薄膜材料图案；
步骤053：采用干法刻蚀工艺图形化所述第一压电薄膜材料，从而形成第一压电薄膜层；
所述步骤07具体包括：
步骤071：在完成所述步骤06的半导体衬底上形成第二压电薄膜材料；
步骤072：在所述第二压电薄膜材料上涂覆一层光刻胶，经光刻在该光刻胶中形成第二压电薄膜材料图案；
步骤073：采用干法刻蚀工艺图形化所述第二压电薄膜材料，从而形成第二压电薄膜层。
优选地，所述步骤053中的干法刻蚀工艺采用含SF6、Cl2、Ar和O2的气体；所述步骤073中的干法刻蚀工艺采用含SF6、Cl2、Ar和O2的气体。
优选地，所述步骤09中，采用各向异性刻蚀工艺来刻蚀所述柔性支撑层。
优选地，所述步骤11中，采用各向同性湿法刻蚀技术来进行所述释放工艺。
本发明的多层压电薄膜悬臂梁传感器及其制备方法，采用牺牲层释放工艺，从正面释放牺牲层，来形成压电微悬臂梁结构，充分利用普遍采用的CMOS工艺完成，工艺简单可控，提高了压电悬臂梁传感器制造工艺与硅集成电路工艺的兼容性，避免了体硅衬底用湿法刻蚀从背面释放悬臂梁工艺中的污染问题。并且，采用双层压电薄膜和柔性支撑层，增大了传感器的灵敏度或执行器的变形幅度，提高了悬臂梁对外部激励的响应和信号输出。另外，采用柔性支撑层，简化了传感器结构和加工工艺，采用此结构的压电微传感器可以应用在任意尺寸，任意形状表面的物体上，扩展了微传感器的应用范围。
附图说明
图1为本发明的一个较佳实施例的双层压电薄膜悬臂梁传感器的结构示意图
图2为本发明的一个较佳实施例的双层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法的流程示意图
图3～24为本发明的一个较佳实施例的双层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法的各制备步骤示意图
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
本发明的多层压电薄膜悬臂梁传感器包括：在半导体衬底中的空腔；位于部分半导体衬底表面和部分空腔上的柔性支撑层；位于柔性支撑层上的堆叠结构，堆叠结构包括：下电极和上电极；在下电极和上电极之间具有多个压电薄膜层，且相邻的压电薄膜层之间具有中间电极；覆盖于上电极上表面、堆叠结构侧壁、以及部分半导体衬底表面的阻挡层；阻挡层具有释放孔，释放孔与空腔相连通。
以下结合附图1-24和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
本实施例中，请参阅图1，以具有双层压电薄膜层的悬臂梁传感器为例进行说明，其包括：
N型或P型双面抛光的硅衬底1作为半导体衬底；
在硅衬底1中的空腔Q；
位于部分硅衬底1表面和部分空腔Q上的柔性支撑层3；柔性支撑层3的材料可以但不限于为聚二甲基硅氧烷(PDMS)，聚酰亚胺(PI)，或聚对苯二甲酸乙二脂(PET)，形成悬臂梁的支撑结构。柔性支撑层3的厚度可以为5微米～20微米，优选的，厚度为10微米；
位于柔性支撑层3上表面的下电极5；下电极5可以为Pt和Ti复合薄膜，Pt薄膜厚度可以为0.05微米，Ti薄膜厚度可以为0.01微米～0.02微米；
位于下电极5上表面的第一压电薄膜层6；第一压电薄膜层6可以为2微米后的PZT压电薄膜。
位于第一压电薄膜层6上表面的中间电极7；中间电极7可以为Pt和Ti复合薄膜，Pt薄膜厚度可以为0.05微米，Ti薄膜厚度可以为0.01微米～0.02微米；
位于中间电极7上表面的第二压电薄膜层8；第二压电薄膜层8可以为2微米后的PZT压电薄膜。
位于第二压电薄膜层8上表面的上电极9；上电极9可以为Pt和Ti复合薄膜，Pt薄膜厚度可以为0.05微米，Ti薄膜厚度可以为0.01微米～0.02微米；
覆盖于上电极9上表面、上电极9侧壁、第二压电薄膜层8侧壁、中间电极7侧壁、第一压电薄膜层6侧壁、下电极5侧壁、以及部分半导体衬底1表面的阻挡层10；阻挡层10材料为SiN，厚度可以为0.05微米～0.1微米；阻挡层10具有释放孔，释放孔与空腔Q相连通。
请参阅图2，本实施例中，上述双层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，包括：
步骤01：请参阅图3，提供一半导体衬底1；
具体的，半导体衬底可以为N型或P型双面抛光的硅衬底；
步骤02：请参阅图4至图6，在半导体衬底1中形成沟槽20，并且在沟槽20中形成牺牲层2；
具体的，本步骤02包括：
步骤021：请参阅图4，经光刻和刻蚀工艺在半导体衬底1中形成沟槽20；
步骤022：请参阅图5，采用减压化学气相沉积(sub-atmosphericchemicalvapordeposition,SACVD)工艺在完成步骤021的半导体衬底上沉积牺牲层2，并进行平坦化回流；这里，牺牲层的材料可以为硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass,BPSG)，硼硅酸盐玻璃(boro-silicate-glass,BSG)，磷硅酸盐玻璃(Phospho-silicate-glass,PSG)，旋涂涂布玻璃(spinonglass,SOG)等。回流温度可以为850℃～900℃，回流时间可以为60分钟～120分钟；
步骤023：请参阅图6，采用干法刻蚀工艺对牺牲层2进行回刻，去除位于半导体衬底1表面的牺牲层2部分，从而使牺牲层2的顶部和半导体衬底1顶部齐平；
步骤03：请参阅图7，在牺牲,2顶部和沟槽外部的半导体衬底1表面形成柔性支撑层3；
具体的，采用旋涂法或淀积法来制备柔性支撑层3，柔性支撑层3的材料可以但不限于为聚二甲基硅氧烷(PDMS)，聚酰亚胺(PI)，或聚对苯二甲酸乙二脂(PET)，形成悬臂梁的支撑结构。柔性支撑层3的厚度可以为5微米～20微米，优选的，厚度为10微米；
步骤04：请参阅8至10，在柔性支撑层3上形成下电极层50，并且去除位于部分牺牲层3上和部分半导体衬底1表面的下电极层50部分，以形成下电极5；
具体的，本步骤04具体包括：
步骤041：请参阅图8，采用光刻胶直接剥离工艺，在完成步骤03的半导体衬底1上涂覆光刻胶4，去除下电极区域上的光刻胶4，保留下电极以外区域的光刻胶4；
步骤042：请参阅图9，在完成步骤041的半导体衬底上沉积下电极层50；可以采用PVD工艺来沉积下电极层50；
步骤043：请参阅图10，将整个半导体衬底浸入丙酮溶液中，将保留的光刻胶4及其上的下电极层50去除，从而在柔性支撑层3上形成下电极5；下电极5可以为Pt和Ti复合薄膜，Pt薄膜厚度可以为0.05微米，Ti薄膜厚度可以为0.01微米～0.02微米；
步骤05：请参阅图11和12，在完成步骤04的半导体衬底上形成第一压电薄膜层6，并且去除下电极5上表面以外的第一压电薄膜层6部分；
具体的，包括：
步骤051：请参阅图11，在完成步骤04的半导体衬底上形成第一压电薄膜材料60；可以采用溶胶-凝胶法，溅射法、金属有机化合物热分解法、金属有机化学气相沉积法和脉冲激光沉积法等来沉积第一压电薄膜材料；
步骤052：在第一压电薄膜材料60上涂覆一层光刻胶，经光刻在光刻胶中形成第一压电薄膜材料图案；这里，包括对第一PZT压电薄膜材料进行涂胶、曝光、显影；
步骤053：请参阅图12，采用干法刻蚀工艺图形化第一压电薄膜材料60，从而形成第一压电薄膜层6；这里，可以采用含SF6、Cl2、Ar和O2的气体干法刻蚀工艺进行第一PZT压电薄膜层的材料的图形化，从而形成第一PZT压电薄膜层。
步骤06：请参阅图13至15，在完成步骤05的半导体衬底上形成中间电极层70，并且去除第一压电薄膜层6上表面以外的中间电极层70部分，以形成中间电极7；
具体的，本步骤06具体包括：
步骤061：请参阅图13，采用光刻胶直接剥离工艺，在完成步骤05的半导体衬底上涂覆光刻胶，去除中间电极区域上的光刻胶，保留中间电极以外区域的光刻胶41；
步骤062：请参阅图14，在完成步骤061的半导体衬底上沉积中间电极层70；可以采用PVD放来来沉积中间电极层70；
步骤063：请参阅图15，将整个半导体衬底浸入丙酮溶液中，将保留的光刻胶41及其上的中间电极层70去除，从而在第一压电薄膜层6上形成中间电极7；中间电极可以为Pt和Ti复合薄膜，Pt薄膜厚度可以为0.05微米，Ti薄膜厚度可以为0.01微米～0.02微米；
步骤07：请参阅图16和17，在完成步骤06的半导体衬底上形成第二压电薄膜,8，并且去除中间电极7上表面以外的第二压电薄膜层7部分；
具体的，包括：
步骤071：请参阅图16，在完成步骤06的半导体衬底上形成第二压电薄膜材料80；可以采用溶胶-凝胶法，溅射法、金属有机化合物热分解法、金属有机化学气相沉积法和脉冲激光沉积法等来沉积第二压电薄膜材料80；
步骤072：在第二压电薄膜材料80上涂覆一层光刻胶，经光刻在光刻胶中形成第二压电薄膜材料图案；包括对第二压电薄膜材料进行涂胶、曝光、显影；
步骤073：请参阅图17，采用干法刻蚀工艺图形化第二压电薄膜材料80，从而形成第二压电薄膜层8；这里，可以采用含SF6、Cl2、Ar和O2的气体干法刻蚀工艺进行第二PZT压电薄膜层的材料的图形化，从而形成第二PZT压电薄膜层；
需要说明的是，本实施例中，由于为双层压电薄膜层，因此不需要再重复步骤06和步骤07了，也即是再次重复步骤06和步骤07的次数为零；而本发明的其它实施例中，压电薄膜层具有三层以上，则需要重复步骤06和步骤07多次，来形成三层以上的压电薄膜层，也即是再次重复步骤06和步骤07的次数大于或等于1。
步骤08：请参阅图18至图20，在完成步骤07的半导体衬底上形成上电极层90，并且去除第二压电薄膜层8上表面以外的上电极层90部分，以形成上电极9；
具体的，本步骤08具体包括：
步骤081：请参阅图18，采用光刻胶直接剥离工艺，在完成步骤07的半导体衬底上涂覆光刻胶，去除上电极区域上的光刻胶，保留中间电极以外区域的光刻胶42；
步骤082：请参阅图19，在完成步骤081的半导体衬底上沉积上电极层90；可以采用PVD放来来沉积上电极层90；
步骤083：请参阅图20，将整个半导体衬底浸入丙酮溶液中，将保留的光刻胶42及其上的上电极层90去除，从而在第二压电薄膜层8上形成上电极9；上电极9可以为Pt和Ti复合薄膜，Pt薄膜厚度可以为0.05微米，Ti薄膜厚度可以为0.01微米～0.02微米；
步骤09：请参阅图21，刻蚀未被下电极覆盖的柔性支撑层3部分，以暴露出部分牺牲层2表面；
具体的，采用光刻胶进行掩蔽，采用各向异性干法刻蚀工艺来刻蚀柔性支撑层；
步骤10：请参阅图22和23，在完成步骤09的半导体衬底上形成阻挡层10，并且刻蚀位于牺牲层2表面上的阻挡层10部分，以在阻挡层10中形成释放孔；
具体的，用PECVD的方法在整个衬底表面生长一层SiN，厚度可以为0.05微米～0.1微米，然后采用干法刻蚀工艺来刻蚀未被柔性支撑层3覆盖的牺牲层2，从而在阻挡层中形成释放孔；
步骤11：请参阅图24，采用释放工艺通过释放孔将牺牲层2全部释放掉，从而在半导体衬底1中形成空腔Q。
具体的，采用各向同性湿法刻蚀技术来进行释放工艺，从释放孔释放掉牺牲层，以形成悬臂梁结构。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
Claims (10)
1.一种多层压电薄膜悬臂梁传感器，位于半导体衬底上，其特征在于，包括：
在半导体衬底中的空腔；
位于部分所述半导体衬底表面和部分所述空腔上的柔性支撑层；
位于所述柔性支撑层上的堆叠结构，所述堆叠结构包括：下电极和上电极；在所述下电极和所述上电极之间具有多个压电薄膜层，且相邻的压电薄膜层之间具有中间电极；
覆盖于所述上电极上表面、所述堆叠结构的侧壁、以及部分所述半导体衬底表面的阻挡层；所述阻挡层具有释放孔，所述释放孔与所述空腔相连通。
2.根据权利要求1所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器，其特征在于，所述半导体衬底为N型或P型双面抛光的硅片。
3.根据权利要求1所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器，其特征在于，所述柔性支撑层的材料为聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、或聚对苯二甲酸乙二脂。
4.一种权利要求1所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一半导体衬底；
步骤02：在所述半导体衬底中形成沟槽，并且在沟槽中形成牺牲层；
步骤03：在所述牺牲层顶部和所述沟槽外部的所述半导体衬底表面形成柔性支撑层；
步骤04：在所述柔性支撑层上形成下电极层，并且去除位于部分所述牺牲层上和部分所述半导体衬底表面的所述下电极层部分，以形成下电极；
步骤05：在完成所述步骤04的半导体衬底上形成第一压电薄膜层，并且去除所述下电极上表面以外的所述第一压电薄膜层部分；
步骤06：在完成所述步骤05的半导体衬底上形成中间电极层，并且去除所述第一压电薄膜层上表面以外的所述中间电极层部分，以形成中间电极；
步骤07：在完成所述步骤06的半导体衬底上形成第二压电薄膜层，并且去除所述中间电极上表面以外的所述第二压电薄膜层部分；
步骤08：将所述步骤06和所述步骤07重复K次之后，继续执行所述步骤09，其中，K为非负整数；
步骤09：在完成所述步骤08的半导体衬底上形成上电极层，并且去除所述第二压电薄膜层上方以外的所述上电极层部分，以形成上电极；
步骤10：刻蚀未被所述下电极覆盖的所述柔性支撑层部分，以暴露出部分所述牺牲层表面；
步骤11：在完成所述步骤10的半导体衬底上形成阻挡层，并且刻蚀暴露的部分所述牺牲层表面上的所述阻挡层部分，以在所述阻挡层中形成释放孔；
步骤12：采用释放工艺通过所述释放孔将所述牺牲层全部释放掉，从而在所述半导体衬底中形成空腔。
5.根据权利要求4所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤02具体包括：
步骤021：经光刻和刻蚀工艺在所述半导体衬底中形成所述沟槽；
步骤022：采用SACVD工艺在完成所述步骤021的半导体衬底上沉积所述牺牲层，并进行平坦化回流；
步骤023：采用干法刻蚀工艺对所述牺牲层进行回刻，去除位于所述半导体衬底表面的所述牺牲层部分，从而使所述牺牲层的顶部和所述半导体衬底顶部齐平。
6.根据权利要求4所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤04具体包括：
步骤041：采用光刻胶直接剥离工艺，在完成所述步骤03的半导体衬底上涂覆光刻胶，去除所述下电极区域上的光刻胶，保留所述下电极以外区域的光刻胶；
步骤042：在完成所述步骤041的半导体衬底上沉积下电极层；
步骤043：将整个所述半导体衬底浸入丙酮溶液中，将所述保留的光刻胶及其上的下电极层去除，从而在所述柔性支撑层上形成所述下电极。
7.根据权利要求4所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤05具体包括：
步骤051：在完成所述步骤04的半导体衬底上形成第一压电薄膜材料；
步骤052：在所述第一压电薄膜材料上涂覆一层光刻胶，经光刻在所述光刻胶中形成第一压电薄膜材料图案；
步骤053：采用干法刻蚀工艺图形化所述第一压电薄膜材料，从而形成第一压电薄膜层；
所述步骤07具体包括：
步骤071：在完成所述步骤06的半导体衬底上形成第二压电薄膜材料；
步骤072：在所述第二压电薄膜材料上涂覆一层光刻胶，经光刻在该光刻胶中形成第二压电薄膜材料图案；
步骤073：采用干法刻蚀工艺图形化所述第二压电薄膜材料，从而形成第二压电薄膜层。
8.根据权利要求7所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤053中的干法刻蚀工艺采用含SF6、Cl2、Ar和O2的气体；所述步骤073中的干法刻蚀工艺采用含SF6、Cl2、Ar和O2的气体。
9.根据权利要求4所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤10中，采用各向异性刻蚀工艺来刻蚀所述柔性支撑层。
10.根据权利要求4所述的多层压电薄膜悬臂梁传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤12中，采用各向同性湿法刻蚀技术来进行所述释放工艺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201510953113.8A CN105428519A (zh) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | 多层压电薄膜悬臂梁传感器及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201510953113.8A CN105428519A (zh) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | 多层压电薄膜悬臂梁传感器及制备方法 |
Publications (1)
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| CN105428519A true CN105428519A (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=55506569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510953113.8A Pending CN105428519A (zh) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | 多层压电薄膜悬臂梁传感器及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN105428519A (zh) |
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