CN105420694A - Lcvd长线成膜修补品质监控装置及监控方法 - Google Patents
Lcvd长线成膜修补品质监控装置及监控方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105420694A CN105420694A CN201410379531.6A CN201410379531A CN105420694A CN 105420694 A CN105420694 A CN 105420694A CN 201410379531 A CN201410379531 A CN 201410379531A CN 105420694 A CN105420694 A CN 105420694A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film forming
- long line
- line film
- resistance value
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种LCVD长线成膜修补品质监控装置，包括：至少两个测试键，分别设置在面板外围的无效空白区域上；LCVD长线成膜部件，在所述测试键的引脚之间进行长线成膜；以及TEG测试组件，分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量，并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。本发明能够对LCVD设备的长线成膜修补品质进行监控，从而提高了产品质量，避免了在后端进行RA验证所造成的时间和原材料的浪费。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OLED)技术领域，尤其涉及一种LCVD长线成膜修补品质监控装置及监控方法。
背景技术
在OLED的制造过程中，V-line端(即阵列端，负责进行薄膜晶体管TFT部分的制造工艺)常常会因为粒子影响或其它工艺问题而造成断线(open)，这大大增加了产品的报废率。为了能够降低产品的报废率，现有技术利用LCVD(激光化学气相沉积)设备来进行长线成膜修补，以使断线处可以正常导通，并最终将不良品变成正常产品。
然而，现有技术在前端并没有针对LCVD设备的长线成膜修补品质的监控措施，而是工程人员根据目测和经验来决定长线成膜的速度、宽度、厚度等参数，这导致LCVD设备的长线成膜修补品质很难得到保证。
此外，还经常发生组装完成并出货到客户端的产品因LCVD设备长线成膜修补不良而造成的产品不合格，从而导致因产品质量不佳而遭到客户的投诉。
另外，现有技术仅在后端组装成产品后才进行定期RA验证(即，产品成型后在严苛的环境(如高温、高湿等)下进行的可靠性测试)，但由于RA验证的时效性较低(通常需要上百小时，且从阵列端到产品成型也需一定时间)，因此，造成大量产品异常以及后端组装材料大量浪费。
综上所述，需要一种简便易行的方法来对LCVD设备的长线成膜修补品质进行监控。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的问题，提供一种LCVD长线成膜修补品质监控装置及监控方法，通过在面板的无效空白区上设置测试键(Testkey)来对LCVD设备的长线成膜修补品质进行监控。
为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种LCVD长线成膜修补品质监控装置，包括：至少两个测试键，分别设置在面板外围的无效空白区域上；LCVD长线成膜部件，在所述测试键的引脚之间进行长线成膜；以及TEG测试组件，分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量，并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。
本发明的实施例还提供了一种LCVD长线成膜修补品质监控方法，包括以下步骤：将至少两个测试键分别设置在面板外围的无效空白区域上；在所述测试键的引脚之间进行长线成膜；以及分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量，并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。
综上所述，本发明的LCVD长线成膜修补品质监控装置能够在前端有效地监控LCVD设备的长线成膜修补品质，从而提高了产品质量，避免了在后端进行RA验证所造成的时间和原材料的浪费，以及防止修补后不合格的产品出货到客户端所造成的客户投诉。
附图说明
图1为本发明的LCVD长线成膜修补品质监控装置的结构示意图；以及
图2为本发明的LCVD长线成膜修补品质监控方法的流程图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施例。应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本发明。
图1为本发明的LCVD长线成膜修补品质监控装置的结构示意图。如图所示，该LCVD长线成膜修补品质监控装置，包括：至少两个测试键，设置在面板外围的无效空白区域上；LCVD长线成膜部件，在所述测试键的引脚之间进行长线成膜；以及TEG测试组件，分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量，并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。
在一个实施例中，无效空白区包括面板内的无效区和面板间的无效区，通常面板内分为有效区(AA区，Activearea)和扇出区(fanoutarea)，面板间的空隙也可以作为面板工艺监控的重要参考区。然而，由于面板内的扇出区多为面板驱动信号所在的区域，因此，为了不影响整体布局，通常不会将测试键(Testkey)设置在面板内的扇出区，而是将其设置在面板间的无效区，即图1中所示的无效区。
下面，将参见图1以测试键1和测试键2为例进行说明。在该实施例中，通过化学气相沉积，利用激光提供的能量使金属化合物进行化学分解，以在测试键1的引脚和测试键2的引脚之间进行长线成膜。这里，以金属钨W为例，其进行化学分解的方程式为：W(CO)6＝W↓+6CO↑。具体而言，W(CO)6为无色无臭挥发性固体，其密度为2.65g/cm3，熔点为150℃，沸点为175℃，升华温度为50℃，并且能够在真空中升华。W(CO)6溶于乙醚、2-甲氧基乙醚、己烷，但不溶于水，常用于制造高纯钨粉、催化剂、有机合成等。W(CO)6是归类为引火化学品的物质，当其与空气或湿气接触时，由于氧化作用或水解作用而可自燃。此外，其能够在日光下微解，当温度为150℃时，便会迅速分解成W和CO。在该实施例中，长线成膜的材料是由W(CO)6特殊的化学性质决定的；而长线成膜的速度(例如2um/sec～8um/sec)、厚度(例如2.5um～15um)也不是一个直观参数，通常需要经过FIB切片分析量测得到，故在此不进行详细说明。
在该实施例中，TEG测试组件用于分别对长线成膜后的测试键1和测试键2的电阻进行测量，其工艺为可在M2工艺中镀金属测试键，由于金属材质较软，在后续量测中易遭到探针破坏，因此可在金属表面再镀一层ITO作为保护层。这里，TEG是TFT产业常用的组件测试装置，主要用于对电阻、电容、设备特性等进行测试。由于测试键1和测试键2之间的长度是固定的，且金属W的电阻率也是固定的，因此电阻仅与所镀金属的横截面(即成膜的宽度和厚度)有关，由于宽度是一个直观的、可调节的参数，因此，通过对电阻进行监控能够直接反映出成膜的厚度状况。具体而言，首先，预设在优良成膜条件下长线成膜的电阻值SPEC的范围；其次，在测试键1和测试键2的引脚之间进行长线成膜；接着，分别对长线成膜后的测试键1和测试键2的电阻进行测量；最后，判断测量后的电阻值是否在预设的电阻值SPEC的范围内，如果是，则表示长线成膜的质量良好；否则，需要通过条件成膜参数及时对长线成膜的质量进行修补。
需要说明的是，电阻量测主要是为了监控LCVD长线成膜的质量，这里，之所以通过电阻进行监控是因为电阻监控比较直观，且非常便利。具体而言，首先，建立数据库(database)并对大量实验数据进行分析、总结，以预设在优良成膜条件下长线成膜的电阻值SPEC的范围(可做Sample通过RA等方式)；接着，通过判断在测试键1和测试键2的引脚之间进行长线成膜时测量的电阻值是否在预设的电阻值SPEC的范围内来对LCVD长线成膜的质量进行监控。例如，假设根据实验结果预设的在优良成膜条件下长线成膜的电阻值SPEC的范围是210～245。若测得的任意两个测试键之间的电阻值为215，则表示长线成膜的质量良好；若测得的电阻值为260，则表示目前的长线成膜状态存在风险，因此，可以调节成膜参数条件，以将测量后的电阻值控制在预设的长线成膜的电阻值的范围内。
在一个实施例中，在对OLED器件进行封装以形成完整的OLED产品后，会进行面板的裂片工艺，以得到个别的OLED面板。由于LCVD长线成膜的测试键设置在面板外围的无效空白区域上，因此，通过面板裂片工艺便会将位于面板外围无效区域的的LCVD长线成膜的测试键去除。
综上所述，本发明的LCVD长线成膜修补品质监控装置结构简单且不会影响现有产品的布局；此外，其能够在前端有效地监控LCVD设备的长线成膜修补品质，从而提高了产品质量，以及防止修补后不合格的产品出货到客户端所造成的客户投诉。
图2为本发明的LCVD长线成膜修补品质监控方法的流程图。如图所示，该监控方法包括以下步骤：将至少两个测试键分别设置在面板外围的无效空白区域上；在所述测试键的引脚之间进行长线成膜；以及分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量，并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。
在一个实施例中，将至少两个测试键分别设置在面板外围的无效空白区域上之前还包括：预设在优良成膜条件下长线成膜的电阻值的范围。
在该实施例中，根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控具体包括：判断测量后的电阻值是否在预设的长线成膜的电阻值的范围内，如果是，则表示长线成膜的质量良好，可以继续使用；否则，调节成膜参数条件，以将测量后的电阻值控制在预设的长线成膜的电阻值的范围内。
此外，由于上述监控方法只是阶段性监控方法，而并非对每个OLED产品都进行长线成膜和测量，因此，在后续的产品量产时，可以根据需要设定监控频率(例如，每周对每台设备进行一次长线成膜，每次做三个样品等)，以持续监控LCVD长线成膜修补品质。另外，上述测量数据(例如长线速度、膜厚、膜宽等)也是设置/调整制作方法的重要依据。
综上所述，本发明的LCVD长线成膜修补品质监控方法能够在前端有效地监控LCVD设备的长线成膜修补品质，从而提高了产品质量，避免了在后端进行RA验证所造成的时间和原材料的浪费。
虽然已参照典型实施例描述了本发明，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本发明能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实质，所以应当理解，上述实施例不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种激光化学气相沉积长线成膜修补品质监控装置，包括：
至少两个测试键，分别设置在面板外围的无效空白区域上；
激光化学气相沉积长线成膜部件，在所述测试键的引脚之间进行长线成膜；以及
测试组件，分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量，并根据测量后的电阻值对激光化学气相沉积长线成膜修补品质进行监控。
2.根据权利要求1所述的激光化学气相沉积长线成膜修补品质监控方法，其中，所述电阻值是通过欧姆定律R＝V/I计算得到的。
3.一种激光化学气相沉积长线成膜修补品质监控方法，包括以下步骤：
将至少两个测试键分别设置在面板外围的无效空白区域上；
在所述测试键的引脚之间进行长线成膜；以及
分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量，并根据测量后的电阻值对长线成膜修补品质进行监控。
4.根据权利要求3所述的激光化学气相沉积长线成膜修补品质监控方法，其中，所述分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量之前，还包括：
设定长线成膜的电阻值的预设范围。
5.根据权利要求4所述的激光化学气相沉积长线成膜修补品质监控方法，其中，所述根据测量后的电阻值对激光化学气相沉积长线成膜修补品质进行监控包括：
当所述测量后的电阻值在所述的长线成膜的预设电阻值的范围外时，调节成膜参数条件，以调整长线成膜的电阻值在所述长线成膜电阻值的预设范围内。
6.根据权利要求3所述的激光化学气相沉积长线成膜修补品质监控方法，其中，所述电阻值是通过欧姆定律R＝V/I计算得到的。
7.根据权利要求3所述的激光化学气相沉积长线成膜修补品质监控方法，其中，通过化学气相沉积，利用激光提供能量使金属化合物进行化学分解，以在所述测试键的引脚之间进行长线成膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410379531.6A CN105420694A (zh) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | Lcvd长线成膜修补品质监控装置及监控方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410379531.6A CN105420694A (zh) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | Lcvd长线成膜修补品质监控装置及监控方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105420694A true CN105420694A (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=55499221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410379531.6A Pending CN105420694A (zh) | 2014-08-04 | 2014-08-04 | Lcvd长线成膜修补品质监控装置及监控方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105420694A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109613773A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板中不良导线的修复方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101598752A (zh) * | 2009-05-14 | 2009-12-09 | 福建华映显示科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列电路缺陷修补的实时检测方法 |
| CN102034683A (zh) * | 2010-10-14 | 2011-04-27 | 友达光电股份有限公司 | 激光修补机台 |
-
2014
- 2014-08-04 CN CN201410379531.6A patent/CN105420694A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101598752A (zh) * | 2009-05-14 | 2009-12-09 | 福建华映显示科技有限公司 | 薄膜晶体管阵列电路缺陷修补的实时检测方法 |
| CN102034683A (zh) * | 2010-10-14 | 2011-04-27 | 友达光电股份有限公司 | 激光修补机台 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109613773A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板中不良导线的修复方法 |
| CN109613773B (zh) * | 2019-01-08 | 2021-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板中不良导线的修复方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11238767B2 (en) | Array substrate, display device and method for detecting the same | |
| EP2472688B1 (de) | Hochspannungseinrichtung und Verfahren zum Monitoring von Alterungsprozessen einer Isolierung in einer Hochspannungseinrichtung | |
| US9582110B2 (en) | Display panel and method of repairing the same | |
| US20220091448A1 (en) | Test structure, substrate and method for manufacturing substrate | |
| EP3279650A1 (en) | Systems and methods for detecting chips in fluid of aircraft engine | |
| CN104280908A (zh) | 一种检测电路和液晶显示面板及其制造方法 | |
| US20180364141A1 (en) | Systems and methods for detecting chips in fluid of aircraft engine | |
| CN105182574B (zh) | Tft基板上的配向膜厚度测量方法及cf基板上的配向膜厚度测量方法 | |
| US10840160B2 (en) | Display device and method for repairing and detecting thin film transistor of display device | |
| Schwarz et al. | Review of partial discharge monitoring techniques used in high voltage equipment | |
| CN105204253A (zh) | 液晶显示面板及其制作方法与检测方法 | |
| KR20150107170A (ko) | 다중센서를 이용한 화재감지시스템 및 전기설비박스 | |
| CN105420694A (zh) | Lcvd长线成膜修补品质监控装置及监控方法 | |
| Meena et al. | Investigation of dominant degradation mode in field‐aged photovoltaic modules using novel differential current‐voltage analysis approach | |
| CN106644401A (zh) | 一种半导体激光器的测试系统及测试方法 | |
| CN103630255B (zh) | 对运行中的不间断电源的电容温度进行在线监测的系统 | |
| US20160197198A1 (en) | Method of evaluating thin-film transistor, method of manufacturing thin-film transistor, and thin-film transistor | |
| KR101447639B1 (ko) | 플라즈마 진단장치 및 그 방법 | |
| CN107607595B (zh) | 滤光片检测装置及方法 | |
| CN205077112U (zh) | 带钢生产设备中的测温装置 | |
| CN104568193B (zh) | 电力系统高低压发热部位自动指示器 | |
| US11256349B2 (en) | Flexible touch screen structure having defect detection line and manufacturing method thereof | |
| CN114509185A (zh) | 低温环境声表面波温度传感器测量精度分区系统及方法 | |
| CN104596471B (zh) | 一种监测结构变形的钢板计和冰冻区域闸门结构变形的监测装置 | |
| CN103337467B (zh) | 接触孔之底金属层去除量的量测方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160323 |