CN105405786A - 一种多晶硅硅片边缘n型硅检测装置及方法 - Google Patents

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孟利萍
张锐
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    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means

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Abstract

本发明公开了一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置及方法，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。本发明的检测技术组成部件简单，基本不需要维护及维修。通过此检测方法可以检测出硅片正面到边缘任一点的电阻值，从而很轻松的检测硅片边缘N型硅的去除情况来判断刻蚀工艺的稳定性，机台的滚轮、支架的平整性以及员工的操作问题。

Description

一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置及方法
技术领域
本发明涉及多晶硅检测技术，具体是指一种多晶硅片边缘N型硅是否彻底腐蚀完全的检测。
背景技术
目前多晶硅电池刻蚀工艺分为两种方式，一种为混合酸腐蚀，另一种为等离子体轰击，两种方式都是为了将扩散过程中，硅片四边接触的磷形成的N型硅去除，如果去除不完全，电池片正面PN结所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻；为了避免硅片边缘PN结短路造成电池成品并联电阻的降低而影响电池片的效率，需将边缘PN结完全去除。
硅片边缘PN型号检测目前大致有两大类，一类是冷热探笔测试法，一类是探针整流测试法；冷热探笔法的测试原理是，仪器有两个探针，一冷一热，硅片在热探头接触处将被加热，P型硅和N型硅受热后由于传输电流的载子不同，P型利用空穴(带正电)传输电流，N型利用电子(带负电)来传输电流，所以P型硅和N型硅传输电流的方向相反，通过电流方向即可区分PN型。探针整流测试原理是，仪器有三个探针，1、2号探针之间通过限流电阻接12V电压，2、3之间接检流计；1、2探针间的交流波形，在同纯电阻电路中，利用电压和电流的波形差异，形成2→3或3→2的电流，来区分PN型。两种方法均存在如下问题(1)无法检测边缘单点PN结是否去除(2)仪器操作测试误差较大(3)人员操作碎片率高(4)仪器使用维修费用比较高，以上问题的存在既无法保证硅片边缘PN的去除情况，测试操作又不经济。
发明内容
为了解决上述背景技术中存在的硅片边缘PN型号检测的问题，本发明提供一种能够测得单边单点的PN结去除情况，而又节省成本，在刻蚀检测段采用的一种便捷式高可靠性PN型检测技术。
为了实现上述技术目的，本发明采取以下技术方案：
一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。
此外，所述操作平台上还可以设置用于放置待测硅片的待测硅片放置盒。
利用上述装置进行多晶硅边缘N型硅检测方法为：
(3)将经过刻蚀后的硅片正面朝上平放在紫铜片上，所述硅片的边缘不超出紫铜片的表面；
(4)将万用表的红表笔放置在硅片边缘任意位置，万用表黑表笔笔尖触碰紫铜片，通过万用表观测两点间的电阻或电流通过情况，电阻较小或有电流通过则说明红表笔接触点N型硅去除不完全。
本发明的检测技术组成部件简单，基本不需要维护及维修。通过此检测方法可以检测出硅片正面到边缘任一点的电阻值，从而很轻松的检测硅片边缘N型硅的去除情况来判断刻蚀工艺的稳定性，机台的滚轮、支架的平整性以及员工的操作问题。
附图说明
图1为本发明的多晶硅硅片边缘N型硅检测装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
如图1所示的本发明的多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，包括操作平台100、万用表200、万用表固定支架300、紫铜片400和紫铜片支撑架500；万用表固定支架300和紫铜片支撑架500设置在操作平台100上，万用表200固定在万用表固定支架300上，紫铜片400平放在紫铜片支撑架500上，待测硅片600平放在紫铜片400上；操作平台100上还设置有用于放置待测硅片的待测硅片放置盒700。
利用上述装置进行多晶硅边缘N型硅检测方法为：
将经过刻蚀后的待测硅片600正面朝上平放在紫铜片400上，待测硅片的边缘不超出紫铜片的表面；
(5)将万用表200的红表笔201放置在硅片边缘任意位置，万用表黑表笔202笔尖触碰紫铜片，通过万用表观测两点间的电阻或电流通过情况，电阻较小或有电流通过则说明红表笔接触点N型硅去除不完全。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (3)

1.一种多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，其特征在于，包括操作平台、万用表、万用表固定支架、紫铜片和紫铜片支撑架；所述万用表固定支架和紫铜片支撑架设置在所述操作平台上，所述万用表固定在所述万用表固定支架上，所述紫铜片平放在所述紫铜片支撑架上。
2.根据权利要求1所述多晶硅硅片边缘N型硅检测装置，其特征在于，所述操作平台上设置有用于放置待测硅片的待测硅片放置盒。
3.一种多晶硅硅片边缘N型硅检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将经过刻蚀后的硅片正面朝上平放在紫铜片上，所述硅片的边缘不超出紫铜片的表面；
(2)将万用表的红表笔放置在硅片边缘任意位置，万用表黑表笔笔尖触碰紫铜片，通过万用表观测两点间的电阻或电流通过情况，电阻较小或有电流通过则说明红表笔接触点N型硅去除不完全。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957275A (zh) * 2018-06-29 2018-12-07 韩华新能源（启东）有限公司 硅片导电类型判别方法及基于该判别方法的判别设备和测试仪
CN109655667A (zh) * 2018-12-14 2019-04-19 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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