CN105404473A - Nand flash存储器数据保持错误恢复方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种NAND？FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其中，NAND？FLASH存储器为SLC？NAND？FLASH存储器，该方法包括：S1，判断NAND？FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；S3，将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中；在页数据回写时，诱发NAND？FLASH存储器的浮栅电荷再注入。该数据保持错误恢复方法可以实现NAND？FLASH存储器数据保持错误恢复，有效提升NAND？FLASH存储器数据可靠性。本发明还公开了另一种NAND？FLASH存储器数据保持错误恢复方法。

Description

NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法

技术领域

本发明属于存储技术领域，尤其涉及一种NANDFLASH存储器保持错误恢复方法。

背景技术

NANDFLASH存储器得益于其具有高吞吐、低耗电、耐震、稳定性高、耐低温、发热量小、工作噪音低等众多优势，在手机、数码相机、U盘、MP3，平板电脑、个人电脑、高性能计算机、军工产业等领域拥有广阔的市场前景。

为满足市场对NANDFlash存储器容量日益增长的迫切需求，NANDFLASH呈现的工艺尺寸不断缩小以及多电平存储单元(MLC，Multi-LevelCell)技术广泛运用两大发展趋势。然而在有效提升存储容量，降低单位比特数据存储成本的同时，NANDFLASH同样面临愈发严重的可靠性问题。

例如，图1为一款经典商用MLCNANDFLASH存储器的数据保持误码率与存储器所经历编程/擦除次数以及数据的存储时间的变化趋势的曲线示意图。如图1所示，对于经历不同编程/擦除次数的NANDFLASH存储器，其数据保持误码率均随着存储器数据的存储时间的增加而显著增加，从而造成严重的数据可靠性问题。

在构造方面，NANDFLASH存储器是基于浮栅电荷存储实现数据的保存，如图2(1)所示为编程之后NANDFLASH存储器存储单元的浮栅电荷数量示意图。然而，如图2(2)所示为数据存储期间存储单元浮栅电荷丢失示意图，在数据存储期间浮栅电荷的丢失将会导致数据保持错误产生。随着NANDFLASH工艺尺寸不断缩小，存储单元浮栅结构的几何尺寸不断缩小，导致浮栅电荷存储数量的降低，与此同时，MLC技术的运用使得数据对浮栅电荷数量的变化更加敏感，从而导致数据保持误码率的迅速增加。目前，NANDFLASH保持错误已经成为制约NANDFLASH存储器数据可靠性的关键因素。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明需要提出一种NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，该恢复方法可以实现NANDFLASH存储器数据保持错误恢复，有效提升NANDFLASH存储器数据可靠性。

本发明还提出另一种NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法。

为了解决上述问题，本发明提出一种NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，所述NANDFLASH存储器为SLC(Single-LevelCell,单电平存储单元)NANDFLASH存储器，该方法包括以下步骤：S1，判断NANDFLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；以及S3，将所述页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的数据页中；其中，在所述页数据回写时，诱发所述NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。

根据本发明的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，针对SLCNANDFLASH存储器，在数据读取失效时，读取失效数据所在数据块中的页数据，并将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中，在页数据回写时，诱发NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以补偿数据存储期间浮栅电荷的损失，从而可以恢复失效数据所在数据块存在的保持错误，降低数据保持错误率，提高NANDFLASH存储器数据可靠性。

为了实现更加显著的浮栅电荷补偿，上述方法还包括：重复步骤S2-S3，直至达到第一预设次数。

进一步地，在进行一定的回写操作之后，上述方法还包括：读取所述失效数据所在数据块中的数据；对读取的数据进行ECC(ErrorCorrectingCode，错误检查和纠正码)解码；如果ECC解码成功，则所述失效数据所在数据块的保持错误成功恢复。

如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数；如果达到所述预设尝试次数，则所述失效数据所述数据块的保持错误恢复失败；如果未达到所述预设尝试次数，则返回步骤S2。

为了解决上述问题，本发明另一方面还提出一种NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，所述NANDFLSH存储器为MLCNANDFLASH存储器，所述方法包括以下步骤：S10，判断NANDFLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S20；S20，读取失效数据所在数据块中的LSB(LeastSignificantBit，最低有效比特)页数据；以及S30，将所述LSB页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中；其中，在所述页数据回写时，诱发所述NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。

根据本发明的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，针对MLCNANDFLASH存储器，在数据读取失效时，读取失效数据所在数据块中的LSB页数据，并将LSB页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中，在页数据回写时，诱发NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以补偿数据存储期间浮栅电荷的损失，从而可以恢复失效数据所在数据块存在的保持错误，降低数据保持错误率，提高NANDFLASH存储器数据可靠性。

为了实现更加显著的浮栅电荷补偿，上述方法还包括：重复步骤S20-S30，直至达到第二预设次数。

另外，对于MLCNANDFLASH存储器，在基于LSB刷新的保持错误恢复过程中，在步骤S20之后，上述方法还包括：S40，对所述LSB页数据进行ECC解码，并当ECC解码成功时，进入步骤S30。

进一步地，为了实现更加显著的浮栅电荷补偿，上述方法还包括：重复步骤S30，直至重复达到第三预设次数。

经过回写操作之后，可以进行ECC解码尝试，具体地，上述方法还包括：读取所述失效数据所在数据块中的数据；对读取的数据进行ECC解码；如果ECC解码成功，则所述失效数据所在数据块的保持错误成功恢复；如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数；如果未达到所述预设尝试次数，则返回步骤S30。如果达到所述预设尝试次数，则所述失效数据所述数据块的保持错误恢复失败。

附图说明

图1是相关技术中一款MLCNANDFLASH存储器的数据保持误码率与存储器所经历编程/擦除次数以及数据的存储时间的变化趋势的曲线示意图；

图2中的(1)和(2)是相关技术中NANDFLASH存储器编程之后和数据保存期间存储单元浮栅电荷变化示意图；

图3是根据本发明的一个实施例的NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入补充浮栅电荷损失的示意图；

图4是根据本发明的一个实施例的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法的流程图

图5是根据本发明的另一个实施例的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法的流程图；

图6中的(1)、(2)和(3)是根据本发明的一个具体实施例的在MLCNANDFLASH存储器运用过程中在LSB页数据被回写时器件阵列的电压偏置示意图；

图7中的(1)和(2)是根据本发明的另一个具体实施例的MLCNANDFLASH存储器的LSB和MSB编程算法的示意图；

图8是根据本发明的再一个具体实施例的MLCNANDFLASH存储器数据保持错误恢复的操作流程图；

图9是根据本发明的再一个具体实施例的SLCNANDFLASH存储器的数据保持错误恢复过程的流程图；

图10是通过图8所示的数据保持错误恢复之后的保持错误率对比示意图；

图11是根据本发明的一个具体实施例的NANDFLASH存储器的MSB页数据错误率与LSB页数据错误率比值对磨损程度以及保持时间的变化趋势示意图；以及

图12是根据本发明的另一个具体实施例的MLCNANDFLASH存储器的数据保持错误恢复过程的流程图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

针对背景技术中提到的NANDFLASH存储器在数据保持期间浮栅电荷的丢失将会导致数据错误产生，在理论上，如图2所示，如果适当补偿数据存储期间浮栅电荷数量的损失，如图3所示，通过浮栅电荷再注入补偿浮栅电荷损失，可以有效地实现数据保持错误恢复。针对小尺寸NANDFLASH存储器数据保持错误率升高的问题，本发明实施例提出一种通过浮栅电荷再注入激励实现NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，有效降低存储器数据保持错误率，提升小尺寸NANDFLASH存储器数据可靠性。

下面参照附图描述根据本发明实施例提出的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法。

图4为根据本发明的一个实施例的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法的流程图，其中，NANDFLASH存储器为SLCNANDFLASH存储器，即该NANDFLASH存储器采用单电平存储单元，如图4所示，该方法包括以下步骤：

S1，判断NANDFLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2。

具体地，经过较长的数据保持时间之后，由于NANDFLASH存储器数据保持错误率较高，在某次数据访问时，读取数据ECC解码失败即数据读取失效，则触发数据保持错误恢复算法即进入步骤S2。

S2，读取失效数据所在数据块中的页数据。

具体地，在本发明的实施例中，对于SLCNANDFLASH存储器，对失效数据所在数据块中的所有页进行操作。

S3，将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中。

具体地，对于SLCNANDFLASH存储器，将读取的所有页数据回写至失效数据所在数据块中的相对应的页中。

其中，在页数据回写时，诱发NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复失效数据所在数据块存在的保持错误。

图5为根据本发明的另一个实施例的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法的流程图，其中，NANDFLASH存储器为MLCNANDFLASH存储器，即该NANDFLASH存储器采用多电平存储单元，如图5所示，该方法包括以下步骤：

S10，判断NANDFLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S20。

S20，读取失效数据所在数据块中的LSB页数据。

具体地，对于MLCNANDFLASH存储器，读取失效数据所在数据块中的LSB页数据，也就是说，将失效数据所在块中的所有LSB页依次读出。

S30，将LSB页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中。

具体地，不同于SLCNANDFLASH存储器，对于MLCNANDFLASH存储器，将读取的LSB页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中

其中，在LSB页数据回写时，诱发MLCNANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复失效数据所在数据块存在的保持错误。

为了更好地理解浮栅电荷补偿机理，下面对NANDFLASH存储器编程算法进行阐述。

其中，在MLCNANDFLASH存储器中，每个存储单元中包含多个比特信息，多个比特分阶段写入存储单元。

首先，进行LSB编程，写入的比特LSB，在此阶段，根据具体LSB数据，存储单元阈值电压被划分至两个不同窗口。如果LSB写入1，则存储单元处于编程禁止态，如果LSB写入0，则存储单元处于编程态

在LSB编程后，当进行MSB(MostSignificantBit，最高有效比特)数据写入时，存储器进一步将存储单元阈值电压由两个电压窗口划分至四个电压窗口。

编程过程中存储单元阈值电压的移动通过对存储单元进行浮栅电荷注入实现，浮栅电荷注入分多个阶段实现，每个阶段所注入的电荷量很少，以防止阈值电压的移动过快。每次浮栅电荷注入阶段完成，存储器进行存储单元阈值电压校验，当阈值电压低于预设参考电压(Vref)时，继续进行下一阶段浮栅电荷注入，否则，停止编程算法。

对于SLCNANDFLASH存储器，由于存储单元中仅仅有一个比特，所以仅仅实施上文中所述LSB编程阶段。

通过页回写实现浮栅电荷补偿的操作机理可以通过图6解释。MLCNANDFLASH存储器保持错误恢复采用LSB页回写实现。具体地，如图6所示为根据本发明在的一个实施例的在MLCNANDFLASH存储器运用过程中，在LSB页数据被回写过程中器件阵列的电压偏置示意图。

参照图6中的(1)、(2)和(3)所示，在过程中，算法首先读取选中字线上存储单元LSB数据，并将数据回写。如果LSB数据为1，则由图7所示的LSB编程算法可知，该存储单元处于编程禁止态。如果LSB数据为0，该存储单元处于编程态。对于处于编程禁止态的存储单元，其单元偏置状态如图所示，虽然其所施加的电压较低，不能够引发显著的浮栅电荷注入，然而，由于存储单元依旧存在典型值为12V的高压，所以轻微的浮栅电荷注入现象不可避免，从而实现存储单元浮栅电荷补偿。

而对于处于编程状态的存储单元，虽然施加的电压较高，但是由于存储单元的LSB已经处于0，所以存储单元的阈值电压已经超过了相应预设参考电压(Vref)，所以在进行第一阶段浮栅电荷注入后算法停止，防止浮栅电荷的过注入，同时，第一阶段已经实施的浮栅电荷注入成功进行了浮栅电荷补偿。

所以，通过LSB回写操作，所有单元均得到了轻微的浮栅电荷注入从而实现了浮栅电荷补偿，同时避免了浮栅电荷过注入造成数据破坏。

可以看出，本发明实施例的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，对于SLCNANDFLASH存储器，通过读取失效数据所在数据块中的页数据，将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中，并在页数据回写时，诱发NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以补偿数据保持期间的浮栅电荷损失，从而恢复失效数据所在数据块存在的保持错误。对于NANDFLASH存储器，通过读取失效数据所在数据块中的LSB页数据，将LSB页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中，并在LSB页数据回写时，诱发NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以补偿数据保持期间的浮栅电荷损失，同样可以恢复失效数据所在数据块存在的保持错误。

为了实现显著的浮栅电荷补偿，以上回写过程可以重复多次，即对于SLCNANDFLASH存储器，重复步骤S2-S3，直至达到第一预设次数例如M次。而对于MLCNANDFLASH存储器，重复步骤S20-S30，直至达到第二预设次数。

对于SLCNANDFLASH存储器，经过多次的回写操作之后，可以进一步进行ECC解码尝试，具体地，读取失效数据所在数据块中的数据，对读取的数据进行ECC解码。由于浮栅电荷的补偿已经显著地降低此时的数据误码率，如果ECC解码成功，则失效数据所在数据块的保持错误成功恢复。如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数，如果达到预设尝试次数，则失效数据所述数据块的保持错误恢复失败，如果未达到预设尝试次数，则返回步骤S2，即需要进行下一轮操作，直至达到最大尝试次数

概括地说，上述数据保持错误恢复过程基于NANDFLASH存储器页读取-重写的数据保持错误恢复方式，其中，对于MLCNANDFLASH存储器对LSB页进行操作，而对于SLCNANDFLASH存储器对所用的页进行操作。下面以两个具体实施例进行说明。

实施例1，如图8所示，对于MLCNANDFLASH存储器数据保持错误恢复的操作流程包括：

S11，进行多次数据访问以及数据读取，并在数据读取失效时，例如第j次数据读取时失败，则触发恢复算法。

S12，LSB页数据读取，以及LSB页数据回写，并重复M次本步骤。

S13，进行ECC解码。

S14，判断ECC解码是否成功，如果成功进入步骤S15，否则进入步骤S16。

S15，算法成功，数据有效。

S16，判断是否达到最大尝试次数，如果是，则进入步骤S17，如果否，则返回步骤S12。

S17，算法失败数据丢失。

实施例2，如图9所示，对于SLCNANDFLASH存储器的保持错误恢复的操作流程包括：

S21，进行多次数据访问以及数据读取，并在数据读取失效时，例如第j次数据读取时失败，则触发恢复算法。

S22，页数据读取，以及页数据回写，并重复M次本步骤。

S23，进行ECC解码。

S24，判断ECC解码是否成功，如果成功进入步骤S25，否则进入步骤S26。

S25，算法成功，数据有效。

S26，判断是否达到最大尝试次数，如果是，则进入步骤S27，如果否则返回步骤S22。

S27，算法失败数据丢失。

如图10所示，为根据本发明的一个具体实施例的通过保持错误恢复之后，NANDFLASH存储器的保持错误率对比示意图，其中，实标志例如实方框、实圆、实三角所示的曲线为未恢复之前的不同编程/擦除次数的保持错误率的曲线，而空方框、空圆、空三角所示的曲线为经过保持错误恢复之后的对应的保持错误率的曲线，可见，通过保持错误恢复之后，数据保持错误误码率明显降低。

另外，对于MLCNANDFLASH存储器还可以基于MLCNANDFLASH存储器的LSB页刷新进行数据保持错误恢复。

对于MLCNANDFLASH存储器，LSB页的错误率与MSB页的错误率存在较大差异，如图11所示为实际测量中MSB(MostSignificantBit,最高有效位)页数据错误率与LSB页数据错误率比值随期间所经历的磨损程度以及保持时间的变化趋势。可见，在经历同等磨损以及保持时间后，LSB页的错误率远远低于MSB页。所以MLCNANDFLASH存储器MSB页中的数据会先于LSB页中的数据失效。

利用上述LSB页数据的提醒，本发明的实施例提出一种基于MLCNANDFLASH存储器LSB页刷新的数据保持错误恢复方法。具体地，在判断NANDFLASH存储器的数据读取失效时，读取失效数据所在数据块中的LSB页数据，对LSB页数据进行ECC解码，并当ECC解码成功时，将LSB页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中，在LSB页数据回写时，诱发NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入，如图6所示，从而可以恢复失效数据所在数据块存在的保持错误。

进一步地，为了实现显著的浮栅电荷补偿，回写过程可以重复多次，例如重复上述将LSB页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中的操作，直至重复次数达到第三预设次数例如N次。

经过多次的回写操作之后，可以进一步进行ECC解码尝试，具体地，读取失效数据所在数据块中的数据，对读取的数据进行ECC解码。如果ECC解码成功，则失效数据所在数据块的保持错误成功恢复；如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数；如果未达到预设尝试次数，则返回将LSB页数据进行回写的操作步骤。如果达到预设尝试次数，则失效数据数据块的保持错误恢复失败。

作为具体实施例，如图12所示，基于MLCNANDFLASH存储器LSB页刷新的数据保持错误恢复操作过程具体包括：

S31，进行多次数据访问以及数据读取，并在数据读取失效时，例如第j次数据读取时失败，则触发恢复算法。

S32，LSB页数据读取，以及LSB页数据ECC解码。

S33，判断ECC解码是否成功，如果成功进入步骤S34，否则进入步骤S38。

S34，将LSB页数据回写，并重复N次本步骤。

S35，进行ECC解码。

S36，判断是否解码成功，如果是，则进入步骤S39，否则进入步骤S37。

S37，判断是否达到最大尝试次数，如果是，则进入步骤S38，如果否则返回步骤S34。

S38，算法失败数据丢失。

S39，算法成功，数据有效。

概括地说，对于MLCNANDFLASH存储器来说，在基于LSB页数据刷新的保持数据恢复过程中，首先对LSB页数据进行读取，并通过ECC解码获得正确的LSB数据，此后利用已经修正的LSB页数据进行回写操作，其他的操作流程与基于页读取-重写的数据保持错误恢复过程相同。

在本说明书的描述中，流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。

在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，所述NANDFLASH存储器为SLCNANDFLASH存储器，所述方法包括以下步骤：

S1，判断NANDFLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；

S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；以及

S3，将所述页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的数据页中；

其中，在所述页数据回写时，诱发所述NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。

2.如权利要求1所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

重复步骤S2-S3，直至达到第一预设次数。

3.如权利要求2所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

读取所述失效数据所在数据块中的数据；

对读取的数据进行ECC解码；以及

如果解码成功，则所述失效数据所在数据块的保持错误成功恢复。

4.如权利要求3所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括:

如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数；

如果达到所述预设尝试次数，则所述失效数据所述数据块的保持错误恢复失败；以及

如果未达到所述预设尝试次数，则返回步骤S2。

5.一种NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，所述NANDFLSH存储器为MLCNANDFLASH存储器，所述方法包括以下步骤：

S10，判断NANDFLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S20；

S20，读取失效数据所在数据块中的LSB页数据；以及

S30，将所述LSB页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的LSB数据页中；

其中，在所述LSB页数据回写时，诱发所述NANDFLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。

6.如权利要求5所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

重复步骤S20-S30，直至达到第二预设次数。

7.如权利要求5所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，在步骤S20之后，还包括：

S40，对所述LSB页数据进行ECC解码，并当解码成功时，进入步骤S30。

8.如权利要求7所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

重复步骤S30，直至重复达到第三预设次数。

9.如权利要求8所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

读取所述失效数据所在数据块中的数据；

对读取的数据进行ECC解码；

如果ECC解码成功，则所述失效数据所在数据块的保持错误成功恢复；

如果ECC解码失败，进一步判断解码次数是否达到预设尝试次数；以及

如果未达到所述预设尝试次数，则返回步骤S30。

10.如权利要求9所述的NANDFLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，还包括：

如果达到所述预设尝试次数，则所述失效数据所述数据块的保持错误恢复失败。