CN105375750A - 一种防桥臂直通驱动保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种防桥臂直通驱动保护电路，包括：驱动信号生成电路，用于输出生成的上半桥驱动信号和下半桥驱动信号；上下半桥驱动电路，包括上半桥驱动单元和下半桥驱动单元，所述上半桥驱动单元和下半桥驱动单元分别用于对上半桥驱动信号和下半桥驱动信号进行隔离放大，并分别通过所述上半桥驱动输出端和所述下半桥驱动输出端输出；互锁电路，用于根据所述上下半桥驱动电路的上半桥驱动输出端和下半桥驱动输出端输出的信号对上半桥和下半桥进行互锁保护；半桥主电路，用于防止桥臂直通。本发明可以保护IGBT不因桥臂直通而损坏。

Description

一种防桥臂直通驱动保护电路

技术领域

本发明涉及驱动保护电路技术领域，尤其涉及一种防桥臂直通驱动保护电路。

背景技术

在新能源并网发电及储能充放电变流器的主电路中，广泛应用如半桥，全桥，全桥移相等电路拓扑，如果出现上下管直通的情况，就会导致桥臂短路，形成很大的短路电流，造成开关管损坏甚至爆炸。

导致变流器桥臂直通的原因有以下几种：DSP或MCU等数字处理芯片受供电电源的工作稳定性的影响会导致程序运行出错，产生错误驱动控制信号；从DSP或MCU到开关管驱动光耦低压侧布线也可能受变流器内部其它信号干扰，产生错误驱动控制信号；驱动光耦可能因高温老化问题产生信号传输延迟时间增大，从而导致上下桥臂传输信号不一致，产生错误驱动控制信号；米勒电容导致的寄生开通，导致上下管直通。

目前，解决变流器主电路桥臂直通问题的方式主要有以下两种：检测绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)，的电流或管压降判断短路电流(侧面反应桥臂可能出现直通)，通过关断短路的IGBT来实现直通闭锁；或者检测DSP或MCU等数字处理器发出的控制信号，对控制信号进行逻辑互锁。检测IGBT短路来闭锁桥臂直通的方式是在直通故障已经发生的情况下对故障切除，IGBT会经过一定时间的短路电流，这会大大降低IGBT的寿命。而对驱动控制信号逻辑互锁的方法不能保护因驱动光耦老化与米勒电容导致的桥臂直通问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种防桥臂直通驱动保护电路，保护IGBT不因桥臂直通而损坏。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种防桥臂直通驱动保护电路，包括：

驱动信号生成电路，设有上半桥信号输出端和下半桥信号输出端，所述上半桥信号输出端和下半桥信号输出端分别输出驱动信号生成电路生成的上半桥驱动信号和下半桥驱动信号；

上下半桥驱动电路，包括上半桥驱动单元和下半桥驱动单元，所述上半桥驱动单元设有上半桥驱动信号输入端和上半桥驱动输出端，所述下半桥驱动单元设有下半桥驱动信号输入端和下半桥驱动输出端；所述上半桥驱动信号输入端连接所述上半桥驱动信号输出端，所述下半桥驱动信号输入端连接所述下半桥驱动信号输出端，所述上半桥驱动单元和下半桥驱动单元分别用于对上半桥驱动信号和下半桥驱动信号进行隔离放大，并分别通过所述上半桥驱动输出端和所述下半桥驱动输出端输出；

互锁电路，设有上半桥互锁输入端、下半桥互锁输入端、上半桥互锁输出端和上半桥互锁输出端，所述上半桥互锁输入端连接所述上半桥驱动输出端，所述下半桥互锁输入端连接所述下半桥驱动输出端，所述互锁电路用于根据所述上下半桥驱动电路的上半桥驱动输出端和下半桥驱动输出端输出的信号对上半桥和下半桥进行互锁保护；

半桥主电路，设有第一输入端、第二输入端，所述第一输入端连接所述上半桥互锁输出端，所述第二输入端连接所述下半桥互锁输出端，所述半桥主电路用于防止桥臂直通。

进一步的，所述驱动信号生成电路包括DSP/MCU芯片，所述DSP/MCU芯片的PWM1输出端口连接所述上半桥信号输出端，所述DSP/MCU芯片的PWM2输出端口连接所述下半桥信号输出端。

进一步的，所述上下半桥驱动电路具体包括第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，其中，

所述第一光电耦合器的Anode端通过第一电阻连接所述上半桥驱动信号输入端，Cathode端接地，Vcc端连接第一隔离驱动电源的正极，GND端连接所述第一隔离驱动电源的负极，NC端置空，Vo端接通过第二电阻分别连接所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接所述第一隔离驱动电源的正极，发射极通过第三电阻连接所述上半桥驱动输出端，所述第二三极管的集电极连接所述第一隔离驱动电源的负极，发射极通过第四电阻连接所述上半桥驱动输出端；

所述第二光电耦合器的Anode端通过第五电阻连接所述下半桥驱动信号输入端，Cathode端接地，Vcc端连接第二隔离驱动电源的正极，GND端连接所述第二隔离驱动电源的负极，NC端置空，Vo端接通过第六电阻分别连接所述第三三极管的基极和所述第四三极管的基极，所述第三三极管的集电极连接所述第二隔离驱动电源的正极，发射极通过第七电阻连接所述下半桥驱动输出端，所述第四三极管的集电极连接所述第二隔离驱动电源的负极，发射极通过第八电阻连接所述下半桥驱动输出端。

进一步的，所述互锁电路包括第一高速光耦、第二高速光耦、第一二极管、第二二极管、第五三极管和第六三极管，其中，

所述第一高速光耦的Anode端通过第九电阻分别连接所述上半桥互锁输入端和所述上半桥互锁输出端，Cathode端引脚通过正向的第一二极管连接至所述第一隔离驱动电源的负极，GND端连接至所述第二隔离驱动电源的负极，OUTPUT端连接所述第六三极管的基极，Vcc端连接所述第二隔离驱动电源的正极，还通过第十电阻连接所述OUTPUT端；

所述第二高速光耦的Anode端通过第十一电阻分别连接所述下半桥互锁输入端和所述下半桥互锁输出端，Cathode端引脚通过正向的第二二极管连接至所述第二隔离驱动电源的负极，GND端连接至所述第一隔离驱动电源的负极，OUTPUT端连接所述第五三极管的基极，Vcc端连接所述第二隔离驱动电源的正极，还通过第十二电阻连接所述OUTPUT端；

所述第五三极管的发射极连接所述上半桥互锁输出端，集电极连接所述第一隔离驱动电源的负极；

所述第六三极管的发射极连接所述下半桥互锁输出端，集电极连接所述第二隔离驱动电源的负极。

进一步的，所述半桥主电路包括第一绝缘栅双极性晶体管和第二绝缘栅双极性晶体管，其中，

所述第一绝缘栅双极性晶体管的栅极连接所述第一输入端，集电极连接直流母线正极，发射极分别连接所述第一隔离驱动电源的负极和所述第二绝缘栅双极性晶体管的集电极，所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极连接所述第二输入端，发射极连接直流母线负极。

进一步的，所述第一光电耦合器为驱动专用光电耦合器，所述第二光电耦合器为驱动专用光电耦合器。

进一步的，所述第一三极管和所述第三三极管为NPN型三极管，所述第二三极管和所述第四三极管为PNP型三极管。

进一步的，所述第一隔离驱动电源的正极电位为+15V，负极电位为0V。

进一步的，所述第二隔离驱动电源的正极电位为+15V，负极电位为0V。

进一步的，所述第一隔离驱动电源的正极、负极与所述第一隔离驱动电源的正极、负极之间相互隔离。

实施本发明，具有如下有益效果：

(1)对半桥驱动电路上下桥臂驱动的门极驱动电位进行直通监测，门极驱动电位同时为高电平的情况时，立即对门极驱动电位进行拉低闭锁，防止半桥主电路出现上下直通故障，保护上下桥臂IGBT不因桥臂直通引起的短路电流而损坏或爆炸，且在门极驱动电位正常时自动解除闭锁，无需人为干预。

(2)不仅对于DSP或MCU等数字处理芯片受供电电源的工作稳定性的影响会导致程序运行出错，产生错误驱动控制信号；从DSP或MCU到开关管驱动光耦低压侧布线也可能受变流器内部其它信号干扰，产生错误驱动控制信号进行保护，而且对驱动光耦可能因高温老化问题产生信号传输延迟时间增大，从而导致上下桥臂传输信号不一致，产生错误驱动控制信号；米勒电容导致的寄生开通，导致上下管直通等问题也可以有效地进行闭锁保护。

(3)上下桥臂门极驱动电位信号采用高速光耦相互监测，并通过三极管进行钳位闭锁，保护动作时间快，安全可靠。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的防桥臂直通驱动保护电路的一个实施例的电路结构图；

图2是图1中的驱动信号生成电路的内部具体电路图；

图3是图1中上下半桥驱动电路的内部具体电路图；

图4是图1中互锁电路的内部具体电路图；

图5是图1中半桥主电路的内部具体电路图；

图6是图1总的电路的电路图；

图7是PWM1、PWM2上下半桥无直通时，上下半桥IGBT的门极驱动信号Uge1、Uge2；

图8是PWM1、PWM2上下半桥直通时，上下半桥IGBT的门极驱动信号Uge1、Uge2。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明提供的防桥臂直通驱动保护电路的一个实施例的电路结构图，如图1所示，包括：驱动信号生成电路101、上下半桥驱动电路102、互锁电路103和半桥主电路104。

如图1所示，驱动信号生成电路101设有上半桥信号输出端PWMout1和下半桥信号输出端PWMout2，上半桥信号输出端PWMout1和下半桥信号输出端PWMout2分别输出驱动信号生成电路生成的上半桥驱动信号和下半桥驱动信号.

如图1所示，上下半桥驱动电路102包括上半桥驱动单元1021和下半桥驱动单元1022，上半桥驱动单元1021设有上半桥驱动信号输入端PWMin1和上半桥驱动输出端Sout1，下半桥驱动单元1022设有下半桥驱动信号输入端PWMin2和下半桥驱动输出端Sout2；上半桥驱动信号输入端PWMin1连接上半桥驱动信号输出端，下半桥驱动信号输入端PWMin2连接下半桥驱动信号输出端，上半桥驱动单元和下半桥驱动单元分别用于对上半桥驱动信号和下半桥驱动信号进行隔离放大，并分别通过上半桥驱动输出端Sout1和下半桥驱动输出端Sout2输出。

如图1所示，互锁电路103设有上半桥互锁输入端ILOCKin1、下半桥互锁输入端ILOCKin2、上半桥互锁输出端ILOCKout1和下半桥互锁输出端ILOCKout2，上半桥互锁输入端ILOCKin1连接上半桥驱动输出端Sout1，下半桥互锁输入端ILOCKin2连接下半桥驱动输出端Sout2，互锁电路用于根据上下半桥驱动电路的上半桥驱动输出端Sout1和下半桥驱动输出端Sout2输出的信号对上半桥和下半桥进行互锁保护。

如图1所示，半桥主电路104设有第一输入端Sin1、第二输入端Sin2，第一输入端Sin1连接上半桥互锁输出端ILOCKout1，第二输入端Sin2连接下半桥互锁输出端ILOCKout2，半桥主电路用于防止桥臂直通。

其中，如图2所示，驱动信号生成电路101包括DSP/MCU芯片，DSP/MCU芯片的PWM1输出端口连接上半桥信号输出端PWMout1，DSP/MCU芯片的PWM2输出端口连接下半桥信号输出端PWMout2。

如图3所示，上下半桥驱动电路102具体包括第一光电耦合器U1、第二光电耦合器U2、第一三极管T1、第二三极管T2、第三三极管T3和第四三极管T4，其中，第一光电耦合器U1为驱动专用光电耦合器，第二光电耦合器U2为驱动专用光电耦合器。U1、U2的型号均为TLP250。第一三极管T1和第三三极管T3为NPN型三极管，第二三极管T2和第四三极管T4为PNP型三极管。T1、T3的型号均为ZXTN2010Z，T2、T4、的型号均为ZXTN2012Z。

如图3所示，第一光电耦合器U1的Anode端通过第一电阻R1连接上半桥驱动信号输入端PWMin1，Cathode端接地，Vcc端连接第一隔离驱动电源的正极Vcc1，GND端连接第一隔离驱动电源的负极Vee1，NC端置空，Vo端接通过第二电阻R2分别连接第一三极管T1的基极和第二三极管T2的基极，第一三极管T1的集电极连接第一隔离驱动电源的正极Vcc1，发射极通过第三电阻R3连接上半桥驱动输出端Sout1，第二三极管T2的集电极连接第一隔离驱动电源的负极Vee1，发射极通过第四电阻R4连接上半桥驱动输出端Sout1。

如图3所示，第二光电耦合器U2的Anode端通过第五电阻R5连接下半桥驱动信号输入端PWMin2，Cathode端接地，Vcc端连接第二隔离驱动电源的正极Vcc2，GND端连接第二隔离驱动电源的负极Vee2，NC端置空，Vo端接通过第六电阻R6分别连接第三三极管T3的基极和第四三极管T4的基极，第三三极管T3的集电极连接第二隔离驱动电源的正极Vcc2，发射极通过第七电阻R7连接下半桥驱动输出端Sout2，第四三极管T4的集电极连接第二隔离驱动电源的负极Vee2，发射极通过第八电阻R8连接下半桥驱动输出端Sout2。

其中，第一隔离驱动电源的正极Vcc1电位为+15V，负极电位为0V。第二隔离驱动电源的正极Vcc2电位为+15V，负极电位为0V。第一隔离驱动电源的正极Vcc1、负极与第一隔离驱动电源的正极Vcc1、负极之间相互隔离。

其中，如图4所示，互锁电路103包括第一高速光耦U3、第二高速光耦U4、第一二极管D1、第二二极管D2、第五三极管T5和第六三极管T6，其中，T5、T6的型号均为ZXTN2012Z；D1、D2型号均为1N4148W。

如图4所示，第一高速光耦U3的Anode端(PIN2)通过第九电阻R9分别连接上半桥互锁输入端ILOCKin1和上半桥互锁输出端ILOCKout1，Cathode端(PIN3)引脚通过正向的第一二极管D1连接至第一隔离驱动电源的负极Vee1，GND端(PIN5)连接至第二隔离驱动电源的负极Vee2，OUTPUT(PIN6)端连接第六三极管T6的基极，Vcc端(PIN8)连接第二隔离驱动电源的正极Vcc2，还通过第十电阻R10连接OUTPUT端。

如图4所示，第二高速光耦U4的Anode端通过第十一电阻R11分别连接下半桥互锁输入端ILOCKin2和下半桥互锁输出端ILOCKout2，Cathode端引脚通过正向的第二二极管D2连接至第二隔离驱动电源的负极Vee2，GND端连接至第一隔离驱动电源的负极Vee1，OUTPUT端连接第五三极管T5的基极，Vcc端连接第二隔离驱动电源的正极Vcc2，还通过第十二电阻R12连接OUTPUT端。

如图4所示，第五三极管T5的发射极连接上半桥互锁输出端ILOCKout1，集电极连接第一隔离驱动电源的负极Vee1。

如图4所示，第六三极管T6的发射极连接下半桥互锁输出端ILOCKout2，集电极连接第二隔离驱动电源的负极Vee2。

如图5所示，半桥主电路104包括第一绝缘栅双极性晶体管S1和第二绝缘栅双极性晶体管S2，其中，

第一绝缘栅双极性晶体管S1的栅极连接第一输入端Sin1，集电极连接直流母线正极DC+，发射极分别连接第一隔离驱动电源的负极Vee1和第二绝缘栅双极性晶体管的集电极，第二绝缘栅双极性晶体管S2的栅极连接第二输入端Sin2，发射极连接直流母线负极DC-。

本发明实施例的工作原理为：

如图6所示，DSP/MCU芯片生成上下半桥驱动信号PWM1、PWM2，经驱动信号生成电路、上下半桥驱动电路、互锁电路作用于半桥主电路；以上半桥臂对下半桥臂检测闭锁电路为例，当PWM1输出门极电位为高电平，第三电阻R3为高电位，高电位通过第九电阻R9，第一二极管D1导通高速光耦U3内部发光二极管，从而导通内部光敏二极管，高速光耦U3内部三极管导通，高速光耦6脚为低电平，从而三极管T6基极和电阻R10接高速光耦6脚端为低电平；此时，正常情况下，下管门极驱动电平为低电平，从而三极管T6射极也为低电平，三极管T6射极-基极电位差为零，小于开通阀值电压，三极管T6射极-集电极不导通，闭锁保护不动作；而在驱动控制信号死区失效，或者米勒电容寄生导致开通等故障情况下，下管门极驱动电平为高电平，从而三极管T6射极也为高电平，三极管T6射极-基极电位差为门极驱动电平，大于开通阀值电压，三极管T6射极-集电极导通，闭锁保护动作，绝缘栅双极性晶体管S2门极电位被钳位为低电平，绝缘栅双极性晶体管S2不会开通，从而不会导致桥臂直通故障。下半桥臂对上半桥臂的检测闭锁电路与上半桥臂对下半桥臂的检测闭锁电路对称，原理与功能一致。

下面对本发明实施例进行仿真。

仿真参数为：上下桥臂驱动信号PWM1、PWM2是频率10kHz(周期为100us)，占空比30％(脉宽为30us)，上升下降时间500ns的方波信号。

如图7所示，当上桥臂驱动信号PWM1延迟10us，下桥臂驱动信号PWM2延迟50us发生时，上下桥臂驱动信号PWM1、PWM2无直通电平逻辑，上下桥臂互锁保护电路不作用，上下桥臂的门极驱动信号Uge1、Uge2跟随上下桥臂驱动信号PWM1、PWM2作用，上下桥臂驱动电路正常工作。

如图8所示，当上桥臂驱动信号PWM1延迟10us，下桥臂驱动信号PWM2延迟20us发生时，上下桥臂驱动信号PWM1、PWM2存在20us的直通电平逻辑(同为高电平)，上下桥臂互锁保护电路作用，上下桥臂的门极驱动信号Uge1、Uge2在上下桥臂驱动信号PWM1、PWM2直通的20us内被闭锁为低电平，有效防止桥臂直通故障发生。

本发明实施例的有益效果为：

(1)对半桥驱动电路上下桥臂驱动的门极驱动电位进行直通监测，门极驱动电位同时为高电平的情况时，立即对门极驱动电位进行拉低闭锁，防止半桥主电路出现上下直通故障，保护上下桥臂IGBT不因桥臂直通引起的短路电流而损坏或爆炸，且在门极驱动电位正常时自动解除闭锁，无需人为干预。

(2)不仅对于DSP或MCU等数字处理芯片受供电电源的工作稳定性的影响会导致程序运行出错，产生错误驱动控制信号；从DSP或MCU到开关管驱动光耦低压侧布线也可能受变流器内部其它信号干扰，产生错误驱动控制信号进行保护，而且对驱动光耦可能因高温老化问题产生信号传输延迟时间增大，从而导致上下桥臂传输信号不一致，产生错误驱动控制信号；米勒电容导致的寄生开通，导致上下管直通等问题也可以有效地进行闭锁保护。

(3)上下桥臂门极驱动电位信号采用高速光耦相互监测，并通过三极管进行钳位闭锁，保护动作时间快，安全可靠。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，包括：

驱动信号生成电路，设有上半桥信号输出端和下半桥信号输出端，所述上半桥信号输出端和下半桥信号输出端分别输出驱动信号生成电路生成的上半桥驱动信号和下半桥驱动信号；

上下半桥驱动电路，包括上半桥驱动单元和下半桥驱动单元，所述上半桥驱动单元设有上半桥驱动信号输入端和上半桥驱动输出端，所述下半桥驱动单元设有下半桥驱动信号输入端和下半桥驱动输出端；所述上半桥驱动信号输入端连接所述上半桥驱动信号输出端，所述下半桥驱动信号输入端连接所述下半桥驱动信号输出端，所述上半桥驱动单元和下半桥驱动单元分别用于对上半桥驱动信号和下半桥驱动信号进行隔离放大，并分别通过所述上半桥驱动输出端和所述下半桥驱动输出端输出；

互锁电路，设有上半桥互锁输入端、下半桥互锁输入端、上半桥互锁输出端和下半桥互锁输出端，所述上半桥互锁输入端连接所述上半桥驱动输出端，所述下半桥互锁输入端连接所述下半桥驱动输出端，所述互锁电路用于根据所述上下半桥驱动电路的上半桥驱动输出端和下半桥驱动输出端输出的信号对上半桥和下半桥进行互锁保护；

半桥主电路，设有第一输入端、第二输入端，所述第一输入端连接所述上半桥互锁输出端，所述第二输入端连接所述下半桥互锁输出端，所述半桥主电路用于防止桥臂直通。

2.如权利要求1所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述驱动信号生成电路包括DSP/MCU芯片，所述DSP/MCU芯片的PWM1输出端口连接所述上半桥信号输出端，所述DSP/MCU芯片的PWM2输出端口连接所述下半桥信号输出端。

3.如权利要求1所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述上下半桥驱动电路具体包括第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，其中，

所述第一光电耦合器的Anode端通过第一电阻连接所述上半桥驱动信号输入端，Cathode端接地，Vcc端连接第一隔离驱动电源的正极，GND端连接所述第一隔离驱动电源的负极，NC端置空，Vo端接通过第二电阻分别连接所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接所述第一隔离驱动电源的正极，发射极通过第三电阻连接所述上半桥驱动输出端，所述第二三极管的集电极连接所述第一隔离驱动电源的负极，发射极通过第四电阻连接所述上半桥驱动输出端；

所述第二光电耦合器的Anode端通过第五电阻连接所述下半桥驱动信号输入端，Cathode端接地，Vcc端连接第二隔离驱动电源的正极，GND端连接所述第二隔离驱动电源的负极，NC端置空，Vo端接通过第六电阻分别连接所述第三三极管的基极和所述第四三极管的基极，所述第三三极管的集电极连接所述第二隔离驱动电源的正极，发射极通过第七电阻连接所述下半桥驱动输出端，所述第四三极管的集电极连接所述第二隔离驱动电源的负极，发射极通过第八电阻连接所述下半桥驱动输出端。

4.如权利要求3所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述互锁电路包括第一高速光耦、第二高速光耦、第一二极管、第二二极管、第五三极管和第六三极管，其中，

所述第一高速光耦的Anode端通过第九电阻分别连接所述上半桥互锁输入端和所述上半桥互锁输出端，Cathode端引脚通过正向的第一二极管连接至所述第一隔离驱动电源的负极，GND端连接至所述第二隔离驱动电源的负极，OUTPUT端连接所述第六三极管的基极，Vcc端连接所述第二隔离驱动电源的正极，还通过第十电阻连接所述OUTPUT端；

所述第二高速光耦的Anode端通过第十一电阻分别连接所述下半桥互锁输入端和所述下半桥互锁输出端，Cathode端引脚通过正向的第二二极管连接至所述第二隔离驱动电源的负极，GND端连接至所述第一隔离驱动电源的负极，OUTPUT端连接所述第五三极管的基极，Vcc端连接所述第二隔离驱动电源的正极，还通过第十二电阻连接所述OUTPUT端；

所述第五三极管的发射极连接所述上半桥互锁输出端，集电极连接所述第一隔离驱动电源的负极；

所述第六三极管的发射极连接所述下半桥互锁输出端，集电极连接所述第二隔离驱动电源的负极。

5.如权利要求3或4所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述半桥主电路包括第一绝缘栅双极性晶体管和第二绝缘栅双极性晶体管，其中，

所述第一绝缘栅双极性晶体管的栅极连接所述第一输入端，集电极连接直流母线正极，发射极分别连接所述第一隔离驱动电源的负极和所述第二绝缘栅双极性晶体管的集电极，所述第二绝缘栅双极性晶体管的栅极连接所述第二输入端，发射极连接直流母线负极。

6.如权利要求3或4所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述第一光电耦合器为驱动专用光电耦合器，所述第二光电耦合器为驱动专用光电耦合器。

7.如权利要求3或4所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述第一三极管和所述第三三极管为NPN型三极管，所述第二三极管和所述第四三极管为PNP型三极管。

8.如权利要求5所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述第一隔离驱动电源的正极电位为+15V，负极电位为0V。

9.如权利要求5所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述第二隔离驱动电源的正极电位为+15V，负极电位为0V。

10.如权利要求3或4所述的防桥臂直通驱动保护电路，其特征在于，所述第一隔离驱动电源的正极、负极与所述第一隔离驱动电源的正极、负极之间相互隔离。