CN105359339B - 宽带低波束耦合双波束相控阵列 - Google Patents

宽带低波束耦合双波束相控阵列 Download PDF

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Abstract

宽带槽耦合层叠片天线振子能够在1.71GHz和2.69GHz之间进行连续宽带操作。所述宽带槽耦合层叠片天线振子包括中带辐射片、高带辐射片和包括能够在低中高带频率共振的耦合槽的低带谐振器。此外，为增强高带频率的天线阵列图，提供了薄型探针馈电片单元。该薄型片单元的特点是具有扇形探针，其中扇形探针有三方面的调节能力，即长度、宽度和传播角度。进一步地，还包括宽带片辐射器的三列四列补偿阵列，以及交错阵列的薄型高带片辐射器和宽带辐射单元。还为三列四列双波束阵列的波束成形引入了新型方位波束成形网络(ABFN)。

Description

宽带低波束耦合双波束相控阵列
相关申请案交叉申请
本申请要求于2013年8月7日递交的发明名称为“宽带低波束耦合双波束相控阵列”的第61/863203号美国临时申请案的在先申请优先权，以及于2013年9月30日递交的发明名称为“宽带低波束耦合双波束相控阵列”的第14/041754号美国专利申请的优先权，该在先申请的内容以引入的方式并入本文。
技术领域
本发明一般涉及无线通信，并在特定的实施例中涉及宽带低波束耦合双波束相控阵列。
背景技术
现今，无线蜂窝天线可以发射单波束或多波束信号。单波束天线发射单波束信号，指向天线瞄准方向，而双波束天线从天线机械瞄准上发射两个非对称的波束信号，按相反的补偿角指向两个不同的方向。在覆盖固定的蜂窝网络中，双波束天线的方位波束图比单波束天线的方位波束图更窄。例如，双波束天线可以发射两个波束，其中两个波束半功率波宽(HPBW)在方位方向大约为33度；而单波束天线可以发射一个波束，其中一个波束的HPBW在方位方向大约为65度。双波束天线发射的两个窄波束一般可指向补偿的方位方向，例如，加减20度来将两个波束之间的波束耦合系数减至最低并在三扇区网络中提供HPBW的65度的覆盖。
发明内容
本发明实施例描述了宽带低波束耦合双波束相控阵列，一般可以实现技术上的优势。
根据一实施例，提供了宽带辐射单元。该例子中，所述宽带辐射单元包括安装在天线反射器上方的低带谐振器、安装在低带谐振器上方的中带辐射片和安装在中带辐射片上方的高带辐射片。低带谐振器位于中带辐射片和天线反射器中间。
根据另一实施例，提供了探针馈电片辐射单元。该例子中，探针馈电片辐射单元包括位于天线反射器下方的第一印刷电路板(PCB)、位于天线反射器上方的第二PCB、多个穿过天线反射器的馈电线和位于第二PCB上方的辐射片。所述第一PCB上印刷有多个微带馈电线，所述第二PCB上印刷有多个扇形探针。所述多个馈电线将微带馈电线和扇形探针可导性地耦合，辐射片和扇形探针电磁耦合。
根据又一实施例，提供了天线。该例子中，所述天线包括天线反射器、多个安装在天线反射器上的高带辐射单元和多个安装在天线反射器上的宽带辐射单元。所述多个高带辐射单元用于以窄高频带进行辐射，所述多个宽带辐射单元用于以包含窄高频带的宽频带进行辐射。
根据又一实施例，提供了另一种天线。该例子中，所述天线包括天线反射器和多个安装在天线反射器上的宽带辐射单元。所述多个宽带辐射单元设置在包括与第二组行交错的第一组行的多列阵列。第一组行中的宽带辐射单元相对于第二组行中的宽带单元横移。
根据又一实施例，提供了一种装置，包括辐射单元阵列和与辐射单元阵列耦合的方位波束成形网络(ABFN)结构。该例子中，所述ABFN结构用于：接收左手波束和右手波束；将三个或三个以上任意幅度移位应用于左手波束的副本以获得至少三个或三个以上的幅度移位的左手波束；将三个或三个以上任意相移应用于右手波束的副本以获得三个或三个以上的相移的右手波束。AFBN结构还用于：将三个或三个以上相移的右手波束分别与三个或三个以上的幅度移位的左手波束混合以获得三个或三个以上混合信号；向辐射单元阵列奇数行中的辐射单元分别转发三个或三个以上混合信号的副本。AFBN结构还用于调整三个或三个以上混合信号副本的预倾角以获得三个或三个以上预倾角调整后的信号；向辐射单元阵列偶数行中的辐射单元分别转发三个或三个以上预倾角调整后的信号。
附图说明
为了更完整地理解本发明及其优点，现在参考下文结合附图进行的描述，其中：
图1示出了传统双波束天线阵列的图。
图2示出了传统低带辐射单元的图。
图3示出了传统高带辐射单元的图。
图4A至4D示出了一实施例的宽带槽耦合层叠片单元图。
图5示出了一实施例的宽带槽耦合层叠片单元的辐射方向图。
图6示出了通过一实施例的宽带辐射单元实现的电压驻波比(VSWR)的图。
图7示出了通过一实施例的宽带辐射单元实现的端口隔离度的图。
图8A至8D示出了一实施例的薄型探针馈电辐射单元的图。
图9示出了一实施例的薄型探针馈电辐射单元的辐射方向图。
图10示出了通过一实施例的薄型探针馈电辐射单元实现的电压驻波比(VSWR)的图。
图11示出了通过一实施例的薄型探针馈电辐射单元实现的端口隔离度的图。
图12A至12B示出了一实施例的宽带天线阵列架构图。
图13A至13B示出了另一实施例的天线阵列架构图。
图14示出了通过一实施例的宽带天线阵列实现的方位辐射方向图。
图15示出了一实施例的横向配对任意功能方位波束成形网络(ABFN)的图。
图16A至16B示出了一实施例的纵向配对任意功能方位波束成形网络(ABFN)的图。
图17示出了一实施例的三列方位波束成形网络(ABFN)的微带布局图。
图18示出了方位波束成形网络(ABFN)的信号流程图。
图19示出了一实施例的制造设备的框图。
除非另有指示，否则不同图中的对应标号和符号通常指代对应部分。绘制各图是为了清楚地说明实施例的相关方面，因此未必是按比例绘制的。
具体实施方式
下文将详细论述本发明实施例的制作和使用。应了解，本文所揭示的概念可以在多种具体环境中实施，且所论述的具体实施例仅作为说明而不限制权利要求书的范围。进一步的，应理解，可在不脱离由所附权利要求书界定的本发明的精神和范围的情况下，对本文做出各种改变、替代和更改。
为了实现增强的空间选择(例如，通过波束成形)以及更高的频谱效率，基站天线通常使用天线振子阵列。传统的双波束天线阵列可用于：通过通用移动通讯系统(UMTS)带内频率(例如，1.71GHz至2.17GHz之间)和长期演进(LTE)频带内频率(例如，2.49GHz至2.69GHz之间)，而不是通过包括UMTS带和LTE带在内的频率(例如，1710MHz至2690MHz之间)，进行传输。因此，需要有机制和技术提供能够进行连续宽带操作(例如，1.7GHz至2.69GHz之间)的天线阵列。
本发明各方面，提供了能够在1.71GHz和2.69GHz之间进行连续宽带操作的宽带槽耦合层叠片天线振子。宽带槽耦合层叠片天线振子包括中带辐射片、高带辐射片和包括能够在低中高带频率共振的耦合槽的低带谐振器。在本发明的各方面中，为增强阵列高带频率图，还提供了薄型探针馈电片单元。该薄型片单元的特点是具有扇形探针，其中扇形探针有三方面的调节能力，即长度、宽度和传播角度。在本发明另外的方面中，提供了三列四列的宽带片辐射器的补偿阵列，还有交错阵列的薄型高带片辐射器和宽带辐射单元。
图1示出了传统双波束天线阵列100，包括天线罩110、多个低带辐射单元120和多个高带辐射单元130。如图所述，低带辐射单元120和高带辐射单元设置在一列中。值得注意的是，低带辐射单元120通常是并列的，并用于以不同于高带辐射单元130的频带进行辐射。同时，在两个带的信号必须在共同的位置辐射时的位置，高带辐射器一般会和低带辐射器叠加。
图2示出了安装在天线反射器210上的传统低带辐射单元200。低带辐射单元200包括背腔222、印刷电路板(PCB)224和低带辐射单元226。背腔222容纳主用的天线组件。PCB包括使得主用的天线组件驱动低带辐射单元226的一些对接。图3示出了传统高带辐射单元300，其结构类似于传统低带辐射单元200。传统高带辐射单元300安装在天线反射器310上，包括背腔332、PCB 334和按照配置与传统低带辐射单元200组件配置相似的低带辐射单元336。值得注意的是，高带辐射单元300用于在不同于低带辐射单元200的频带上操作。
所公开的方面描述了宽带槽耦合层叠片辐射单元，用于提供在1.71GHz和2.69GHz之间的连续宽带操作，提供超过45％的信号总带宽和1.5:1的VSWR。图4A示出了一实施例的安装在天线反射器410上的宽度槽耦合层叠片辐射单元400。如图所述，辐射单元400包括低带谐振器420、低带辐射片430、高带辐射片440和中央馈电450。低带谐振器420位于天线反射器410上方，包括用来将辐射片430和440辐射的信号延伸至低频带宽的弯曲边缘。中带辐射片430位于低带谐振器420上方，高带辐射片440位于中带辐射片430上方。非导电隔板425位于低带谐振器420和低带辐射片430中间，非导电隔板435位于高带辐射片440和低带辐射片430中间。尤其是，低带谐振器420包括交叉槽422和中央馈电450穿过的开端。中央馈电450包括为辐射片430和440供电的微带馈电线452。更具体地，中央馈电450将来自反射器底部PCB的RF电源耦合至交叉槽，电源与中带辐射片430和高带辐射片440电磁耦合，但与辐射片430和440并没有物理接触。图4B示出了辐射单元400的侧面图，而图4C示出了辐射单元400的俯视图。中央馈电450可包括四个被圆柱管包裹的中心管脚，其中四个中心管脚形成短同轴，来携带来自PCB通过交叉槽至辐射片430和440的RF信号。图4D示出了典型的双线极化的宽带槽耦合层叠片激励布置。两个交叉槽由位于PCB底部的四个馈端口供给。对于正45°的线性极化操作，按照相同的幅度相反相位(0°和180°)激发P1和P2两端口，而对于负45°的线性极化操作，也同样的激发另外的N1和N2两端口。这两个线性极化操作可以同时进行。
图5示出了一实施例的宽度辐射单元400的辐射方向图。如图所述，在各种采样频率上，该实施例中的宽带辐射单元有同样的辐射方向图。图6示出了通过一实施例的宽带辐射单元400实现的电压驻波比(VSWR)的图。如图所述，在从大约1.7GHz到2.7GHz的多个频谱上，该实施例的宽带辐射单元保持在较低的VSWR(例如，约低于1.4)。图7示出了一实施例的宽带辐射单元400端口隔离度的图。如图所述，在从大约1.7GHz到2.7GHz的多个频谱上，该实施例的宽带辐射单元400端口隔离度保持在两个偏振模之间，低于30dB。
图8A示出了一实施例的安装在天线反射器810上的探针馈电片单元800。如图所述，所提及的探针馈电片单元800包括PCB 805、多个馈电线820、PCB 803和辐射片840。PCB830包括多个扇形探针832，其中扇形探针832传导性地通过馈电线820耦合至PCB 805中的微带馈电线。之后，扇形探针832的信号电磁耦合至辐射片840。在一些实施例中，辐射片840通过非导电隔板835置于PCB 830表面上方，即辐射片840和扇形探针832没有直接/物理接触。图8B示出了窄带辐射单元800的侧视图，图8C示出了窄带辐射单元800的俯视图。如图8C所述，扇形探针832向内延伸至PCB830中心。进一步地，随着扇形探针832向内延伸，扇形探针832的宽度也在增加，因此扇形探针832的形状类似扇形。值得注意的是，增强了扇形馈电探针832的调节能力，因此可以通过控制其维度(例如，长度(L)、宽度(W)和传播角度(θ))达到不同的带宽特征。图8D示出了双线性极化的典型探针馈电激励布置。PCB底部的独立端口为每个扇形探针供电。对于正45°的线性极化操作，按照相同的幅度相反相位(0°和180°)激发P1和P2两端口，而对于负45°的线性极化操作，也同样的刺激另外的N1和N2两端口。这两个线性极化操作可以同时进行。相比于所公开的实施例中的宽带辐射单元，探针馈电单元800剖面更薄。当天线阵列结构中同时包括高带辐射单元800和实施例中的宽带辐射单元时，剖面厚度的不同则降低了内带干扰。
图9示出了一实施例的窄带辐射单元800的辐射方向图。如图所述，在各种采样频率上，该实施例的窄带辐射单元800半功率波宽(HPBW)较宽。在高带辐射频率上需要有着宽HPBWs的波束形状，可弥补宽带阵列产生的更窄的高带图，进而提升高带频率的总体覆盖性能。
图10示出了一实施例的探针馈电单元800的VSWR图。如图所述，该实施例的探针馈电单元800在很多从大约2.1GHz到2.9GHz的频谱上保持在较低的VSWR(例如，大约低于1.4)。图11示出了一实施例的窄带辐射单元端口隔离度的图。如图所述，在大约2.2GHz到2.8GHz的多个频谱上，该实施例的窄带辐射单元端口隔离度保持在两个偏振模之间，低于30dB。
图12A示出了一实施例的宽带天线阵列架构1200，其中包括与高带单元1230和1240的组行交错的宽带辐射单元1210和1220的组行。在一些实施例中，宽带辐射单元1210和1220可配置为类似于上述实施例的宽带辐射单元400，高带单元1230和1240可配置为类似于上述实施例的探针馈电单元800。
如图12B所述，高带单元1230奇数行相对于高带单元1240偶数行横移，宽带单元1210奇数行相对于宽带单元1220偶数行横移。适量的横移(HS)可减少方位面的辐射旁瓣而不会丧失方向性。此外，高带单元同样相对于宽带单元横移，进而为高带信号提供最佳横向图样。在成本为关注重点的情况下，只用宽带辐射器便可构建交错阵列，而不用交错的高带辐射器。图13A示出了一实施例的四列宽带偏置阵列架构1301。图13B示出了一实施例的三列宽带偏置阵列架构1302。偏置架构1301和1302可使用宽带辐射器。
在一些实施例中，所述实施例的宽带天线阵列可实现改进的操作，在方位方向大约增加二分之一波长的单元间距和/或在垂直方向上增加比二分之一波长多一点的单元间距。对于从1710MHz到2690MHz频带的改进波束图，宽带单元的方位间隔可选来优化低带性能，而窄带辐射单元的方位间隔可选来优化高带性能。在补偿的四列结构中可分布宽带辐射器以提升孔径效率。薄型窄带辐射单元可插在宽带阵列之间。在一些实施例中，窄带/宽带辐射单元交替组行可在方位方向得以补偿，以达到高低频带的低旁瓣性能。在该结构中，使用定制的4×2或3×2方位波束成形网络(ABFN)，首先形成方位波束阵列的每个子组，其中包括两个或以上的阵列组行。之后，用多端口可变移相器供应这些ABFN以完成二维阵列的形成。
图14示出了一实施例的宽带天线阵列架构1200的方位辐射方向图。在双线性极化阵列中，对于工作的每个频率，都有四个独立的非对称波束：左正45°(LP)、右正45°(RP)、左负45°(LN)和右负45°(RN)波束。为了覆盖典型的65°小区覆盖，每个双波束阵列向波束方位方向图提供了大约33°的方位HPBW。这样，两个波束合并的HPBW可提供大致与标准的65°波束同样的覆盖。辐射方向图的波束形状的仔细设计，使得每个子波束(左或右)以极低的波束耦合系数相互垂直。参数设计可根据如下的公式设计：Min(βRL)＝min(k*∫ER(θ,Φ)·EL(θ,Φ)dΩ)，其中k是归一化常数，ER(θ,Φ)是右波束的辐射方向图，EL(θ,Φ)是左波束的辐射方向图。低波束耦合系数βRL是高度垂直的子波束，对最佳网络性能至关重要。这些图的其他典型特征包括两个子波束相交点处的高滚降率、低方位旁瓣、图之间从–7dB到–13dB的波束交叉和天线背部一般超过30dB的较好的前后比。通过BFN的正交性和两带之间频谱隔离，由宽带BSA产生的四个非对称的波束可减至极低的值。因此，该架构能够极大的提升网络性能，而不用费力去增加基站天线的整体大小。
图15示出了一实施例的四列阵列的方位波束成形网络(ABFN)1500。图16A示出了三列阵列的ABFN 1601。图16B示出了四列阵列的ABFN。这些ABFN结构提供了自由程度更高的波束成形，可以实现波束正交作为激励加权函数灵活性的结果。相比于巴特勒矩阵和三列ABFN，该实施例的ABFN1500、1601和1602在达到图旁瓣水平和在方位方向波束成形的滚降率时自由度更高。表I和II示出了对低带(LB)和高带(HB)的典型方位激励加权函数，其中β是要求的行间的方位相位补偿角。对于低带的操作，只激发了全带单元。对于高带的操作，根据表II，激发了全带和高带的辐射器两个。
表1：低带方位激励加权函数
表2：高带方位激励加权函数
图17示出了一实施例的ABFN 1700的微带布局。如图所述，ABFN 1700包括多个电阻器1705、五个天线端口(AP1、AP2、AP3、AP4、AP5)、左波束端口(L-波束)和右波束端口(R-波束)。图18示出了一实施例的ABFN的信号示意流程图。
图19示出了一实施例的制造设备1900的框图，可用于执行本发明一个或以上的方面。制造设备1900包括处理器1904、存储器1906和多个接口1910至1912，可以(或不)按照图19所示设置。处理器1904可以是能够执行运算和/或其他与处理相关任务的任意组件，存储器1906可以是能够存储编程和/或处理器1904任意指令的任意组件。接口1910至1912可以是任意组件或组件集，其中组件或组件集可使得设备1900将控制指令传递给其他设备，如同出厂设置中所常用的。
尽管进行了详细的描述，但应理解，可在不脱离由所附权利要求书界定的本发明的精神和范围的情况下，对本文做出各种改变、替代和更改。此外，本发明的范围不希望限于本文中所描述的特定实施例，所属领域的一般技术人员将从本发明中容易了解到，过程、机器、制造工艺、物质成分、构件、方法或步骤(包括目前存在的或以后将开发的)可执行与本文所述对应实施例大致相同的功能或实现与本文所述对应实施例大致相同的效果。相应地，所附权利要求范围包括这些流程，机器，制造，物质组分，构件，方法，及步骤。

Claims (27)

1.一种宽带辐射单元，其特征在于，包括：
安装在天线反射器上方的低带谐振器，所述低带谐振器用于在低中高带频率共振；
安装在所述低带谐振器上方的中带辐射片，其中所述低带谐振器位于所述中带辐射片与所述天线反射器中间；
安装在所述中带辐射片上方的高带辐射片。
2.根据权利要求1所述的宽带辐射单元，其特征在于，低带辐射片用于以低频带进行辐射；
所述高带辐射片用于以高频带进行辐射；
所述中带辐射片用于在所述低频带与所述高频带之间的带间频率上共振。
3.根据权利要求2所述的宽带辐射单元，其特征在于，
所述低频带包括含1.71千兆赫(GHz)和2.17GHz之间射频的通用移动通讯系统(UMTS)带；
所述高频带包括含2.49GHz和2.69GHz之间射频的长期演进(LTE)带，其中包括；
所述带间频率包括2.17GHz和2.49GHz之间的频率。
4.根据权利要求1所述的宽带辐射单元，其特征在于，所述宽带辐射单元不包括背腔。
5.根据权利要求4所述的宽带辐射单元，其特征在于，所述宽带辐射单元所有的组件都位于所述天线反射器上方。
6.根据权利要求1所述的宽带辐射单元，其特征在于，所述低带谐振器包括耦合交叉槽。
7.根据权利要求6所述的宽带辐射单元，其特征在于，还包括：位于所述低带谐振器下方的印刷电路板(PCB)，所述PCB包括微带馈电线和交叉耦合槽；
穿过所述低带谐振器开口延伸的中央馈电组件，所述中央馈电组件包括圆柱RF屏蔽中的4个馈送针，其中所述馈送针通过所述PCB的微带馈电线上的所述低带谐振器中的交叉槽，直接将RF功率耦合至辐射片。
8.根据权利要求7所述的宽带辐射单元，其特征在于，所述馈送针和所述中带辐射片没有直接的物理接触。
9.根据权利要求7所述的宽带辐射单元，其特征在于，所述馈送针将所述高带辐射片电磁耦合至所述PCB上的所述微带馈电线。
10.根据权利要求7所述的宽带辐射单元，其特征在于，所述馈送针将所述高带辐射片电磁耦合至所述中带辐射片。
11.一种探针馈电片辐射单元，其特征在于，包括：
位于天线反射器下方的第一印刷电路板(PCB)，其中所述第一PCB上印刷有多个微带馈电线；
位于所述天线反射器上方的第二PCB，其中所述第二PCB上印刷有多个扇形探针；
多个穿过所述天线反射器延伸的馈电线，所述多个馈电线将所述微带馈电线可导性耦合至所述扇形探针；
位于所述第二PCB上方的辐射片，其中所述辐射片和所述扇形探针电磁耦合。
12.根据权利要求11所述的探针馈电片辐射单元，其特征在于，所述多个扇形探针和所述辐射片没有直接的物理接触。
13.根据权利要求11所述的探针馈电片辐射单元，其特征在于，所述扇形探针长度固定，其中所述扇形探针的宽度在所述固定长度范围内增加。
14.根据权利要求11所述的探针馈电片辐射单元，其特征在于，所述扇形探针向内朝所述第二PCB的中心延伸，其中随着所述扇形探针向内朝所述第二PCB的中心延伸，所述扇形探针的宽度也逐渐增加。
15.一种天线，其特征在于，包括：
天线反射器；
多个安装在所述天线反射器上的高带辐射单元，其中所述多个高带辐射单元用于以窄高带频率进行辐射；
多个安装在所述天线反射器上的宽带辐射单元，其中所述多个宽带辐射单元用于以包含所述窄高带频率的宽频带进行辐射；
所述宽带辐射单元设置在第一组行，所述第一组行中的奇数行相对于所述第一组行中的偶数组按照第一方位补偿量进行补偿。
16.根据权利要求15所述的天线，其特征在于，所述高带辐射单元设置在第二组行，其中所述第一组行和所述第二组行交错。
17.根据权利要求16所述的天线，其特征在于，所述第一组行相对于所述第二组行横移。
18.根据权利要求16所述的天线，其特征在于，所述第一组行中的每一行都包括三个或三个以上的连续宽带辐射单元，
其中在所述第一组行奇数行上的前三个连续的宽带辐射单元分别与在所述第一组行后面的偶数行上的后三个连续的宽带辐射单元配对，从而为所述第一组行奇数行与偶数行的每个元组形成三对宽带辐射单元。
19.根据权利要求18所述的天线，其特征在于，所述奇数行中的第四连续宽带辐射单元和所述偶数行中的第一连续宽带辐射单元不配对。
20.根据权利要求18所述的天线，其特征在于，所述第二组行中的每一行都包括三个或三个以上的连续高带辐射单元，
其中在所述第二组行奇数行上的每个连续的高带辐射单元与在所述第二组行后面的偶数行上的相应连续窄带辐射单元配对，从而为所述第二组行奇数行与偶数行的每个元组形成三对窄带辐射单元。
21.一种天线，其特征在于，包括：
天线反射器；
多个安装在所述天线反射器上的宽带辐射单元，其中所述多个宽带辐射单元设置在包括与第二组行交错的第一组行的多列阵列，所述第一组行中的奇数行相对于所述第一组行中的偶数组按照第一方位补偿量进行补偿，所述第一组行中的宽带辐射单元相对于所述第二组行中的宽带单元横移。
22.根据权利要求21所述的天线，其特征在于，所述多列阵列由三列宽带辐射单元组成。
23.根据权利要求21所述的天线，其特征在于，所述多列阵列由四列宽带辐射单元组成。
24.一种装置，其特征在于，包括：
辐射单元阵列；
耦合至所述辐射单元阵列的方位波束成形网络(ABFN)结构，所述ABFN结构用于：接收左手波束和右手波束；将三个或三个以上任意幅度移位应用于所述左手波束的副本以获得至少三个或三个以上的幅度移位的左手波束；将三个或三个以上任意相移应用于所述右手波束的副本以获得三个或三个以上的相移的右手波束；将所述三个或三个以上相移的右手波束分别与三个或三个以上的幅度移位的左手波束混合以获得三个或三个以上混合信号；向所述辐射单元阵列奇数行中的辐射单元分别转发所述三个或三个以上混合信号的副本；调整所述三个或三个以上混合信号副本的预倾角以获得三个或三个以上预倾角调整后的信号；向所述辐射单元阵列偶数行中的辐射单元分别转发所述三个或三个以上预倾角调整后的信号。
25.根据权利要求24所述的装置，其特征在于，所述ABFN结构包括四列横向配对任意功能ABFN。
26.根据权利要求24所述的装置，其特征在于，所述ABFN结构包括四列纵向配对任意功能ABFN。
27.根据权利要求24所述的装置，其特征在于，所述ABFN结构包括三列纵向配对任意功能ABFN。
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