CN105355773B - 一种热电能量采集器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种热电能量采集器及其制作方法，该方法包括以下步骤：S1：制作第一器件片；S2：制作第二器件片；S3：将所述第一器件片与第二器件片键合，使各个第一、第二热电偶臂通过第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。本发明与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器的制备方法，本发明与CMOS工艺兼容，可以实现低成本的批量化生产。
Description
技术领域
本发明属于热电转化技术领域，涉及一种热电能量采集器及其制作方法。
背景技术
热电转换技术是一种基于材料的塞贝克效应将热能直接转化成电能的电力技术。作为一种新能源和可再生能源的利用技术，由于其体积小、质量轻、寿命长、无机械运动部件、绿色环保等优点，热电转换技术引起了国内外科研人员的广泛关注。热电转换技术能够充分利用工业余热、废热、地热等低品位能源，为解决能源危机带来新的希望。
由于每个热电单元输出的电压很低，为了获得较高的电压以满足实际应用的需求，通常将很多热电偶对串联成热电堆，从而获得具有较高输出电压的热电能量采集器。
根据热流流经方向的不同，热电能量采集器主要分为垂直结构和平面结构。垂直结构由于热电偶臂端面与导热衬底接触面积较大，有良好的接触，可以降低接触热阻和接触电阻。但目前大多数垂直结构的热电能量采集器所采用BiTe等化合物，对人体和环境有害，且与CMOS-MEMS工艺不兼容，很难实现低成本的批量化生产。平面结构一般为热流方向沿热电偶臂与导热衬底平行的薄膜热电偶器件。相比垂直结构的热电能量采集器，平面结构的器件热流路径不及前者，但由于其具有较小的接触面，从而导致器件具有较高的集成度。但是由于器件内部的接触电阻和接触热阻都比较大，以及制备这种结构所使用的材料本身热电优值系数低，导致器件的温差利用率低、输出功率较小。
热电能量采集器的研究工作主要集中在两方面：1、寻找易于加工的具有高优值系数的热电材料；2、优化器件结构，使温差尽可能的落在热电偶臂两端。热电能量采集器的发展目标是运用具有较高热电优值系数的材料制备易于加工和集成的具有良好热流路径的器件。
因此，如何提供一种新型热电能量采集器及其制作方法，以实现高性能热电能量采集器的低成本批量化生产，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种热电能量采集器及其制作方法，用于解决现有技术中平面结构的热电能量采集器接触热阻和接触电阻高、垂直结构的热电能量采集器不环保且难以低成本批量化生产的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种热电能量采集器的制作方法，包括以下步骤：
S1：制作第一器件片，所述第一器件片包括第一导热板，形成于所述第一导热板上的若干分立的第一电连接块、连接于所述第一电连接块表面的第一热电偶臂、以及连接于所述第一热电偶臂顶端的第一键合层；
S2：制作第二器件片，所述第二器件片包括第二导热板，形成于所述第二导热板上的若干分立的第二电连接块、连接于所述第二电连接块表面的第二热电偶臂、以及连接于所述第二热电偶臂顶端的第二键合层；
S3：将所述第一器件片与第二器件片键合，使各个所述第一热电偶臂与第二热电偶臂通过所述第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。
可选地，所述步骤S1包括：
S1-1：提供第一导热板，在所述第一导热板上形成第一电连接层；
S1-2：在所述第一电连接层表面形成若干分立的第一热电偶臂；
S1-3：在所述第一热电偶臂顶端形成第一键合层；
S1-4：图形化所述第一电连接层，得到若干分立的第一电连接块，其中，每个所述第一电连接块与一个所述第一热电偶臂对应连接。
可选地，于所述步骤S1-1中，通过溅射法形成所述第一电连接层。
可选地，于所述步骤S1-2中，形成所述第一热电偶臂包括：
S1-2-1：在所述第一电连接层表面形成第一光刻胶层；
S1-2-2：图形化所述第一光刻胶层，形成第一热电偶臂图形开口；
S1-2-3：在所述第一热电偶臂图形开口内电镀填充第一热电材料，并平坦化。
可选地，于所述步骤S1-4中，通过干法刻蚀图形化所述第一电连接层。
可选地，所述步骤S2包括：
S2-1：提供第二导热板，在所述第二导热板上形成第二电连接层；
S2-2：在所述第二电连接层表面形成若干分立的第二热电偶臂；
S2-3：在所述第二热电偶臂顶端形成第二键合层；
S2-4：图形化所述第二电连接层，得到若干分立的第二电连接块，其中，每个所述第二电连接块与一个所述第二热电偶臂对应连接。
可选地，所述第一热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种；所述第二热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种。
可选地，所述第一热电偶臂与第二热电偶臂分别为P型碲化铋与N型碲化铋。
可选地，所述第一电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层；所述第二电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。
可选地，所述第一键合层及第二键合层的材料包括Sn。
本发明还提供一种热电能量采集器，包括第一器件片及第二器件片，其中：
所述第一器件片包括第一导热板，形成于所述第一导热板上的若干分立的第一电连接块、连接于所述第一电连接块表面的第一热电偶臂、以及连接于所述第一热电偶臂顶端的第一键合层；
所述第二器件片包括第二导热板，形成于所述第二导热板上的若干分立的第二电连接块、连接于所述第二电连接块表面的第二热电偶臂、以及连接于所述第二热电偶臂顶端的第二键合层；
所述第一器件片与第二器件片键合在一起构成所述热电能量采集器，其中，各个所述第一热电偶臂与第二热电偶臂通过所述第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。
可选地，所述第一热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种；所述第二热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种。
可选地，所述第一热电偶臂与第二热电偶臂分别为P型碲化铋与N型碲化铋。
可选地，所述第一电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层；所述第二电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。
可选地，所述第一键合层及第二键合层的材料包括Sn。
如上所述，本发明的热电能量采集器及其制作方法，具有以下有益效果：本发明的热电能量采集器与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比传统垂直结构的热电能量采集器的制备方法，这种新型热电能量采集器的制备方法与CMOS工艺兼容，可以实现环保、低成本的批量化生产。
附图说明
图1显示为本发明的热电能量采集器的制作方法的工艺流程图。
图2-图8显示为本发明的热电能量采集器的制作方法制作第一器件片的示意图。
图9显示为本发明的热电能量采集器的制作方法制作得到的第二器件片的示意图。
图10-图11显示为本发明的热电能量采集器的制作方法将所述第一器件片与第二器件片键合得到热电能量采集器的示意图。
元件标号说明
S1～S3 步骤
101 第一导热板
1011，2011 硅片
1012，2012 二氧化硅绝缘层
102 第一电连接层
103 第一光刻胶层
104 第一热电偶臂图形开口
105 第一热电偶臂
106 第二光刻胶层
107 第一键合层
108 第一电连接块
201 第二导热板
202 第二电连接块
203 第二热电偶臂
204 第二键合层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图11。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
本发明提供一种热电能量采集器的制作方法，请参阅图1，显示为该方法的工艺流程图，包括以下步骤：
S1：制作第一器件片，所述第一器件片包括第一导热板，形成于所述第一导热板上的若干分立的第一电连接块、连接于所述第一电连接块表面的第一热电偶臂、以及连接于所述第一热电偶臂顶端的第一键合层；
S2：制作第二器件片，所述第二器件片包括第二导热板，形成于所述第二导热板上的若干分立的第二电连接块、连接于所述第二电连接块表面的第二热电偶臂、以及连接于所述第二热电偶臂顶端的第二键合层；
S3：将所述第一器件片与第二器件片键合，使各个所述第一热电偶臂与第二热电偶臂通过所述第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。
作为示例，所述步骤S1包括如下步骤：
如图2所示，执行步骤S1-1：提供第一导热板101，在所述第一导热板101上形成第一电连接层102。
具体的，所述第一导热板101采用绝缘材料，或者所述第一导热板101将要形成所述电连接层102的一面具有绝缘层。本实施例中，所述第一导热板101以硅片1011为例，其表面生长有二氧化硅绝缘层1012。在其它实施例中，所述第一导热板101也可以采用绝缘聚合物材料等。
所述第一电连接层102采用导电材料，包括但不限于Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。本实施例中，采用溅射法形成所述第一电连接层102。
如图3至图5所示，执行步骤S1-2：在所述第一电连接层102表面形成若干分立的第一热电偶臂105。
作为示例，形成所述第一热电偶臂包括如下步骤：
如图3所示，执行步骤S1-2-1：在所述第一电连接层102表面形成第一光刻胶层103。本实施例中，通过旋涂方法在所述第一电连接层102表面形成SU-8光刻胶。
如图4所示，执行步骤S1-2-2：通过光刻工艺图形化所述第一光刻胶层103，形成第一热电偶臂图形开口104。
如图5所示，执行步骤S1-2-3：在所述第一热电偶臂图形开口104内电镀填充第一热电材料，并平坦化。作为示例，采用化学机械抛光法(CMP)将电镀后的圆片表面平坦化。所述第一热电偶臂图形开口104内的第一热电材料构成所述第一热电偶臂105。
具体的，所述第一热电偶臂105的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种；或者，所述第一热电偶臂105的材料也可以是P型碲化铋或N型碲化铋。
如图6所示，执行步骤S1-3：在所述第一热电偶臂105顶端形成第一键合层107。
具体的，首先在所述第一光刻胶层103表面涂覆第二光刻胶层106，并通过光刻图形化所述第二光刻胶层106，然后电镀Sn金属，得到所述第一键合层107。在其它实施例中，所述第一键合层107也可以是Sn合金或其它适于键合的材料，此处不应过分限制本发明的保护范围。
如图7所示，形成所述第一键合层107之后，还包括去除第一光刻胶层及第二光刻胶层的步骤。
如图8所示，执行步骤S1-4：图形化所述第一电连接层，得到若干分立的第一电连接块108，其中，每个所述第一电连接块108与一个所述第一热电偶臂105对应连接。本实施例中，通过干法刻蚀图形化所述第一电连接层。
至此，完成了所述第一器件片的制作。然后执行步骤S2，形成如图9所示的第二器件片。
具体的，所述步骤S2包括如下分步骤：
S2-1：提供第二导热板201，在所述第二导热板201上形成第二电连接层；
S2-2：在所述第二电连接层表面形成若干分立的第二热电偶臂203；
S2-3：在所述第二热电偶臂203顶端形成第二键合层204；
S2-4：图形化所述第二电连接层，得到若干分立的第二电连接块202，其中，每个所述第二电连接块202与一个所述第二热电偶臂203对应连接。
本实施例中，制作所述第二器件片工艺流程与制作第一器件片的工艺流程大致相同，此处不再赘述。
具体的，所述第二导热板201包括硅片2011及形成于其表面的二氧化硅绝缘层2012。所述第二热电偶臂203的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种，但区别于所述第一热电偶臂所采用的材料。需要指出的是，所述第一热电偶臂与第二热电偶臂可采用不同种材料，也可采用同种不同质的材料，例如，所述第一热电偶臂与第二热电偶臂均采用铜镍材料，但铜镍材料中铜的组分不同。或者所述第二热电偶臂203也可以是P型碲化铋与N型碲化铋。所述第二电连接块202包括但不限于Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。第二键合层204的材料包括Sn。
需要指出的是，所述第一热电偶臂203与第二热电偶臂203的材料需要相互匹配，例如，所述第一热电偶臂203与第二热电偶臂203采用以下任意一组标准化搭配：S型：铂铑10/纯铂；R型：铂铑13/纯铂；B型：铂铑30/铂铑6；K型：镍铬/镍硅；T型：纯铜/铜镍；J型：铁/铜镍；N型：镍铬硅/镍硅；E型：镍铬/铜镍。或者所述第一热电偶臂203与第二热电偶臂203采用分别采用P型碲化铋与N型碲化铋。当然，所述第一热电偶臂203与第二热电偶臂203也可采用其它现有的热电偶材料搭配，此处不应过分限制本发明的保护范围。
所述第一器件片与第二器件片制作完毕后，如图10及图11所示，将所述第一器件片与第二器件片键合得到热电能量采集器。
具体的，键合之后，各个所述第一热电偶臂105与第二热电偶臂203通过所述第一电连接块108与第二电连接块202相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂108通过其顶端的第一键合层107与相应的第二电连接块202键合，各个所述第二热电偶臂203通过其顶端的第二键合层204与相应的第一电连接块108键合。
相比传统垂直结构的热电能量采集器的制备方法，本发明的热电能量采集器的制作方法与CMOS工艺兼容，可以实现环保、低成本的批量化生产。制作得到的热电能量采集器与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率。
实施例二
本发明还提供一种热电能量采集器，如图11所示，显示为该热电能量采集器的剖面结构示意图，包括第一器件片及第二器件片，其中：
所述第一器件片包括第一导热板101，形成于所述第一导热板101上的若干分立的第一电连接块108、连接于所述第一电连接块108表面的第一热电偶臂105、以及连接于所述第一热电偶臂105顶端的第一键合层107；
所述第二器件片包括第二导热板201，形成于所述第二导热板201上的若干分立的第二电连接块202、连接于所述第二电连接块202表面的第二热电偶臂203、以及连接于所述第二热电偶臂203顶端的第二键合层204；
所述第一器件片与第二器件片键合在一起构成所述热电能量采集器，其中，各个所述第一热电偶臂105与第二热电偶臂203通过所述第一电连接块108与第二电连接块202相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂105通过其顶端的第一键合层107与相应的第二电连接块202键合，各个所述第二热电偶臂203通过其顶端的第二键合层204与相应的第一电连接块108键合。
具体的，所述第一导热板101采用绝缘材料，或者所述第一导热板101将要形成所述电连接层102的一面具有绝缘层。作为示例，所述第一导热板101包括硅片1011及形成于其表面的二氧化硅绝缘层1012。所述第二导热板201包括硅片2011及形成于其表面的二氧化硅绝缘层2012。在其它实施例中，所述第一导热板101与第二导热板201也可以采用绝缘聚合物材料等。
具体的，所述第一热电偶臂105的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种。所述第二热电偶臂203的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种，但区别于所述第一热电偶臂所采用的材料。或者所述第一热电偶臂105与所述第二热电偶臂203分别为P型碲化铋与N型碲化铋。所述第一电连接块108包括但不限于Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。第二键合层204的材料包括Sn。所述第二电连接块202包括但不限于Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。所述第一键合层107的材料包括Sn。所述第二键合层204的材料包括Sn。
需要指出的是，所述第一热电偶臂203与第二热电偶臂203的材料需要相互匹配，例如，所述第一热电偶臂203与第二热电偶臂203采用以下任意一组标准化搭配：S型：铂铑10/纯铂；R型：铂铑13/纯铂；B型：铂铑30/铂铑6；K型：镍铬/镍硅；T型：纯铜/铜镍；J型：铁/铜镍；N型：镍铬硅/镍硅；E型：镍铬/铜镍。当然，所述第一热电偶臂203与第二热电偶臂203也可采用其它现有的热电偶材料搭配，此处不应过分限制本发明的保护范围
本发明的热电能量采集器由第一器件片和第二器件片组成，其中，所述第一热电偶臂105顶端具有第一键合层107，所述第二热电偶臂203顶端具有第二键合层204，使得所述热电能量采集器可以采用键合的方法得到，有利于实现低成本的批量化生产。本发明的热电能量采集器采用垂直结构热电偶臂，与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率。
综上所述，本发明的热电能量采集器与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比传统垂直结构的热电能量采集器的制备方法，这种新型热电能量采集器的制备方法与CMOS工艺兼容，可以实现环保、低成本的批量化生产。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (15)
1.一种热电能量采集器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：制作第一器件片，所述第一器件片包括第一导热板，形成于所述第一导热板上的若干分立的第一电连接块、连接于所述第一电连接块表面的第一热电偶臂、以及连接于所述第一热电偶臂顶端的第一键合层；
S2：制作第二器件片，所述第二器件片包括第二导热板，形成于所述第二导热板上的若干分立的第二电连接块、连接于所述第二电连接块表面的第二热电偶臂、以及连接于所述第二热电偶臂顶端的第二键合层；
S3：将所述第一器件片与第二器件片键合，使各个所述第一热电偶臂与第二热电偶臂通过所述第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。
2.根据权利要求1所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述步骤S1包括：
S1-1：提供第一导热板，在所述第一导热板上形成第一电连接层；
S1-2：在所述第一电连接层表面形成若干分立的第一热电偶臂；
S1-3：在所述第一热电偶臂顶端形成第一键合层；
S1-4：图形化所述第一电连接层，得到若干分立的第一电连接块，其中，每个所述第一电连接块与一个所述第一热电偶臂对应连接。
3.根据权利要求2所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1-1中，通过溅射法形成所述第一电连接层。
4.根据权利要求2所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1-2中，形成所述第一热电偶臂包括：
S1-2-1：在所述第一电连接层表面形成第一光刻胶层；
S1-2-2：图形化所述第一光刻胶层，形成第一热电偶臂图形开口；
S1-2-3：在所述第一热电偶臂图形开口内电镀填充第一热电材料，并平坦化。
5.根据权利要求2所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1-4中，通过干法刻蚀图形化所述第一电连接层。
6.根据权利要求1所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述步骤S2包括：
S2-1：提供第二导热板，在所述第二导热板上形成第二电连接层；
S2-2：在所述第二电连接层表面形成若干分立的第二热电偶臂；
S2-3：在所述第二热电偶臂顶端形成第二键合层；
S2-4：图形化所述第二电连接层，得到若干分立的第二电连接块，其中，每个所述第二电连接块与一个所述第二热电偶臂对应连接。
7.根据权利要求1所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述第一热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种；所述第二热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述第一热电偶臂与第二热电偶臂分别为P型碲化铋与N型碲化铋。
9.根据权利要求1所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述第一电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层；所述第二电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。
10.根据权利要求1所述的热电能量采集器的制作方法，其特征在于：所述第一键合层及第二键合层的材料包括Sn。
11.一种热电能量采集器，包括第一器件片及第二器件片：其特征在于：
所述第一器件片包括第一导热板，形成于所述第一导热板上的若干分立的第一电连接块、连接于所述第一电连接块表面的第一热电偶臂、以及连接于所述第一热电偶臂顶端的第一键合层；
所述第二器件片包括第二导热板，形成于所述第二导热板上的若干分立的第二电连接块、连接于所述第二电连接块表面的第二热电偶臂、以及连接于所述第二热电偶臂顶端的第二键合层；
所述第一器件片与第二器件片键合在一起构成所述热电能量采集器，其中，各个所述第一热电偶臂与第二热电偶臂通过所述第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合，所述第一键合层与第二键合层在所述第一器件片与第二器件片键合之前已制作完毕。
12.根据权利要求11所述的热电能量采集器，其特征在于：所述第一热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种；所述第二热电偶臂的材料包括铜、铜镍、镍铝、镍铬、镍铬硅、镍硅、铁、铂及铂铑中的至少一种。
13.根据权利要求11所述的热电能量采集器，其特征在于：所述第一热电偶臂与第二热电偶臂分别为P型碲化铋与N型碲化铋。
14.根据权利要求11所述的热电能量采集器，其特征在于：所述第一电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层；所述第二电连接块为Ti/Au复合层或TiW/Au复合层。
15.根据权利要求11所述的热电能量采集器，其特征在于：所述第一键合层及第二键合层的材料包括Sn。
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