CN105355611A - 一种大容量水冷功率单元 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种大容量水冷功率单元，包括功率模块和电容组件，功率模块基于单管型IGBT对称布局设置，功率模块上下桥臂对应的两个单管型IGBT对称镜像放置，上桥臂单管型IGBT的驱动控制部分与下桥臂单管型IGBT的驱动控制部分均朝外放置；功率模块采用单管型IGBT对称布局的方式，使得IGBT叠层母排方便大面积叠压，减小了回路的杂散电感，提高了开关器件工作的可靠性，而且，跨接铜排通过开孔引出交流母排，会减小对直流母排回路造成影响，且有利于散热，提高了系统的可靠性。
Description
【技术领域】
本发明属于大功率电力电子技术领域，具体涉及一种大容量水冷功率单元。
【背景技术】
链式拓扑结构早在20世纪70年代被提出，并在90年代后期在STATCOM中得到应用。MMC拓扑结构由德国工程师于2001年提出，由于其适用于高压大容量场合，迎合了电力电子行业的发展需求，一经提出便成为研究热点。
链式多电平和MMC多电平是一种提高装置容量的思路，功率子模块级联一方面可以提高电压，减小了装置体积，效率也能得到提升，另一方面通过电平的叠加去逼近正弦波，减少了谐波含量，可以减少甚至取消输出滤波装置，实现了高压大容量化和高性能化的结合。利用多电平方案解决STATCOM和HVDC高电压和大容量的问题已经逐渐成为业内的共识。
基于链式多电平的全桥结构和基于MMC多电平的半桥结构，是目前功率单元主要的拓扑结构。目前基于这两种拓扑的高电压、大容量水冷功率单元已经大规模出现在市场上，核心器件高压大容量DC电容、130mmx140mm封装单管IGBT和190mmx140mm封装单管IGBT得到了空前的发展及应用。
但是受制于高压大容量DC电容的尺寸和开关器件的布局方式，功率单元的体积很难做到最小，使的高功率密度的整机设计很难实现。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种大容量水冷功率单元，针对半桥、全桥拓扑结构进行对称开关器件布局及定制化的电容组件，设计高度集成化的功率单元。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种大容量水冷功率单元，包括功率模块和电容组件，功率模块基于单管型IGBT对称布局设置，功率模块上下桥臂对应的两个单管型IGBT对称镜像放置，上桥臂单管型IGBT的驱动控制部分与下桥臂单管型IGBT的驱动控制部分均朝外放置；两个上臂单管的第一个三端接口C与DC正母排压接，通过DC正母排的外接端口与DC电容的正相连接，两个下臂单管的第二个三端接口E与DC负母排压接，通过DC负母排的外接端口与DC电容的负相连接，正母排与负母排相叠压，每个半桥的上桥臂单管型IGBT的第二个三端接口E并联有三端铜排，每个半桥的下桥臂单管型IGBT的第一个三端接口C同时并联有另一三端铜排，两个三端铜排通过跨接铜排连接在一起、且与系统的交流输入或输出回路相连接，跨接铜排通过开孔引出交流母排；所述电容组件包括多个高压大容量的单体电容器，各单体电容器采用并联的方式通过电容叠层母排连接，电容叠层母排与叠压的IGBT正负母排通过过渡母排连接。
进一步，所述功率模块基于单管型IGBT的对称布局，不限于半桥、全桥结构及三相桥的拓扑。
进一步，驱动控制部分采用直接模式，一个两路驱动核驱动一对全桥拓扑结构的两个上管或者两个下管，驱动板的供电电源来自控制板，驱动板通过光纤和控制板交互数据。
进一步，水冷电阻安装在水冷板上，水冷电阻通过连接铜导柱采用直接压接的方式与IGBT正负母排连接。
进一步，所述水冷板的水嘴、光纤接口设置在功率单元的正面。
进一步，所述单管型IGBT的旁路开关采用挂接的方式安装在功率单元的背面。
本发明的有益效果是：
本发明中功率模块基于单管型IGBT对称布局设置，功率模块上下桥臂对应的两个单管型IGBT对称镜像放置，功率模块采用单管型IGBT对称布局的方式，使得IGBT叠层母排方便大面积叠压，减小了回路的杂散电感，提高了开关器件工作的可靠性，而且，跨接铜排通过开孔引出交流母排，会减小对直流母排回路造成影响，且有利于散热，提高了系统的可靠性。所述电容组件包括多个高压大容量的单体电容器，基于定制化单体电容，设计电容组件，方便功率单元的灵活布局；各单体电容器采用并联的方式通过电容叠层母排连接，电容组件通过过渡母排与IGBT叠层母排连接，在保证电气参数最优的情况下，简化了叠层母排的安装方式。
以单体电容为基础单元，设计电容组件，由开关器件构成的功率模块靠近电容组件，可以完全以电容组件为最大外围尺寸，设计功率单元的结构。开关电源，控制系统都可以作为模块化单元，设计在功率模块内部，便于功率模块的最小化设计。旁路单元外挂，可以避免空间的浪费，同时，达到了功率模块的最高集成度。
进一步，水冷电阻安装在水冷板上，水冷电阻通过连接铜导柱采用直接压接的方式与IGBT正负母排连接，避免了连接高压引线的出现，提高了可靠性及可维护性。
进一步，驱动控制部分采用直接模式，一个两路驱动核驱动一对全桥拓扑结构的两个上管或者两个下管，基于IGBT对称布局的专用驱动方案，使驱动在空间位置上避开了高压功率回路对它的影响，提高了可靠性，同时专用驱动方案的设计对照即插即用的驱动方案来说，大大减小了成本。
进一步，所述单管型IGBT的旁路开关采用挂接的方式，方便安装及维护，不光减小了功率单元的体积，还可以针对不同的应用场合，作为选配件，提高了产品设计的灵活性。
【附图说明】
图1130mmx140mm封装单管IGBT示意图
图2130mmx140mm封装单管IGBT结构图
图3190mmx140mm封装单管IGBT示意图
图4190mmx140mm封装单管IGBT结构图
图5半桥拓扑示意图
图6半桥IGBT常规结构布局示意图
图7半桥IGBT叠层母排示意图
图8全桥拓扑示意图
图9全桥IGBT常规结构布局示意图
图10本发明全桥IGBT对称结构布局示意图
图11全桥对称布局IGBT叠层母排示意图
图12全桥对称布局IGBT叠层母排叠压示意图
图13基于IGBT对称布局的母排设计示意图
图14基于IGBT对称布局的即插即用驱动方案
图15基于IGBT对称布局的专用驱动方案
图16传统高压大容量电容组件示意图
图17传统半桥/全桥功率单元示意图
图18本发明中电容组件装配示意图
图19本发明中电容组件叠层母排示意图
图20本发明中电容组件叠层母排叠压示意图
图21本发明中电容组件示意图
图22机箱内本发明中电容组件安装示意图
图23IGBT叠层母排与电容叠层母排连接示意图
图24水冷放电电阻设计示意图
图25开关电源及控制机盒的安装方式
图26本发明水冷功率单元背视图
图27本发明水冷功率单元正视图
【具体实施方式】
下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，为130mmx140mm封装单管IGBT示意，单管的内部由两组IGBT及二极管并联构成单管，满足较大电流等级的需求。如图2所示，第一排的外接连接端口构成单管的端口C，第二排的外接连接端口构成单管的端口E，驱动控制部分1与高压部分保持足够的空间间距。
如图3所示，为190mmx140mm封装单管IGBT示意，单管的内部由三组IGBT及二极管并联构成单管，满足更大电流等级的需求。如图4所示，第一排的外接连接端口构成单管的端口C，第二排的外接连接端口构成单管的端口E，驱动控制部分1与高压部分保持足够的空间间距。
按照图5所示的半桥拓扑示意，半桥功率单元主要由母线电容2、放电电阻3、IGBT和旁路开关4构成。其中，上管的IGBT的C与母线电容的正相连接，上管的IGBT的E与下管的IGBT的C及交流端口相连，下管的IGBT的E与母线电容的负及交流端口相连。
按照图6所示的常规结构布局方式，上臂单管9的E与下臂单管10的C相连，就会产生三个铜排，即与上管IGBT的C相连的正母排，与下管IGBT的E相连的负母排，以及交流母排。为了便于叠压，减小回路的杂散电感，就会产生如图7所示的半桥IGBT叠层母排。最上面为负母排，下层为正母排及交流铜排，其中正负母排的叠压面积较小，不利于减小回路的杂散电感，且该叠压方式不便于散热，不是最佳的设计方式。
按照图8所示，常规的全桥拓扑示意，全桥功率单元主要由母线电容2、放电电阻3、IGBT和旁路开关4构成。其中，上管的IGBT的C与母线电容的正相连接，上管的IGBT的E与下管的IGBT的C相连，下管的IGBT的E与母线电容的负相连，两路交流输出分别对应两个半桥的交流端口，旁路开关连接在两个交流端口两端。
按照图9所示，常规的全桥IGBT常规结构布局，交流铜排11会将驱动板12压接在母排下面，母排上产生的磁场很容易耦合到IGBT的栅极驱动上，从而对控制电路造成干扰。同时，该驱动器只能选用成熟的即插即用型驱动器，成本较高，自主开发的通用型驱动器受制于结构的高度，无法设计。
按照图10所示，采用一种新的IGBT布局方式，使得上下桥臂的两个IGBT对称放置，上管的第一个三端接口C与下管的第一个三端接口C相对应，上管的驱动控制部分与下管的驱动控制部分依次朝外。DC正母排与两个上臂单管的第一个三端接口C相压接，通过母排的外接端口与DC电容的正相连接。两个下臂单管的第二个三端接口E与直流母线DC负相压接，通过母排的外接端口与DC电容的负相连接，如图11、图12所示。正母排与负母排完全相叠压，正负母排的叠压面积较大，上下层电流形成双向镜像回路，有利于减小回路的杂散电感。半桥上臂单管的第二个三端接口E的并联三端铜排，与下臂单管的第一个三端接口的C并联三端铜排，通过跨接铜排连接在一起，与系统的交流输入或输出回路相连接，如图13所示，通过开孔引出的交流母排，会减小对直流母排回路造成影响，增该设计方案有利于散热，提高了系统的可靠性。
如图14所示，基于IGBT对称布局的即插即用驱动板12，需要4个驱动板，由于成本较高，设计专用驱动板，采用直接模式的方式，如图15所示，一个两路驱动核驱动一对全桥拓扑结构的两个上管，或者两个下管。驱动板的供电电源来自控制板，通过光纤和控制板交互数据。
如图16所示，传统高压大容量电容组件体积较大，受制于该电容器，传统半桥/全桥功率单元的体积也较大，需要吊装设计，且结构多以长方体的形式出现，如图17所示，不方便整机柜体或者阀段的装配。
为了解决以上出现的问题，设计高压大容量的单体电容器，该电容器采用并联的方式，如图18所示，通过电容叠层母排，包括电容DC正母排14和电容DC负母排15如图19所示，电容叠层母排如图20所示组成电容组件，如图21所示。
根据功率模块的容量等级，选择对应的电容组件的数量，如图22所示选择两个电容组件。IGBT叠层母排与电容组件叠层母排通过过渡母排16连接起来，如图23所示。水冷电阻17安装在水冷板18上，通过连接铜导柱与IGBT母排19连接起来，如图24所示，水冷电阻的一端连接IGBT母排的正，水冷电阻的另一端连接IGBT母排的负。水冷放电电阻采用和叠层母排直接压接的方式，避免了连接高压引线的出现，提高了可靠性及可维护性。开关电源20通过支架板件，安装在功率单元的上部，开关电源的输入为母线电容的正负，开关电源输出为两路隔离的电源，一路DC15V给控制板供电，一路DC400V给旁路开关供电。控制板安装在具有屏蔽功能的控制机盒内，与机箱控制面板21上保留电源端口、程序烧写端口及光纤的发送/接收端口，如图25所示。
如图26本发明水冷功率单元背视图所示，旁路开关4采用挂接的方式安装在功率单元的外面。旁路开关外挂的设计，方便安装及维护，不光减小了功率单元的体积，还可以针对不同的应用场合，作为选配件，提高了产品设计的灵活性。
如图27本发明水冷功率单元正视图所示，水冷板的水嘴22、光纤接口在功率单元的正面，方便维护及水路设计。
以上，该功率单元不光可以立式安装，也可以平行安装，方便了整机及阀段的整体布局。
Claims (6)
1.一种大容量水冷功率单元，其特征在于：包括功率模块和电容组件，功率模块基于单管型IGBT对称布局设置，功率模块上下桥臂对应的两个单管型IGBT对称镜像放置，上桥臂单管型IGBT的驱动控制部分与下桥臂单管型IGBT的驱动控制部分均朝外放置；
两个上臂单管的第一个三端接口C与DC正母排压接，通过DC正母排的外接端口与DC电容的正相连接，两个下臂单管的第二个三端接口E与DC负母排压接，通过DC负母排的外接端口与DC电容的负相连接，正母排与负母排相叠压，每个半桥的上桥臂单管型IGBT的第二个三端接口E并联有三端铜排，每个半桥的下桥臂单管型IGBT的第一个三端接口C同时并联有另一三端铜排，两个三端铜排通过跨接铜排连接在一起、且与系统的交流输入或输出回路相连接，跨接铜排通过开孔引出交流母排；
所述电容组件包括多个高压大容量的单体电容器，各单体电容器采用并联的方式通过电容叠层母排连接，电容叠层母排与叠压的IGBT正负母排通过过渡母排连接。
2.根据权利要求1所述的大容量水冷功率单元，其特征在于：所述功率模块基于单管型IGBT的对称布局，不限于半桥、全桥结构及三相桥的拓扑。
3.根据权利要求1所述的大容量水冷功率单元，其特征在于：驱动控制部分采用直接模式，一个两路驱动核驱动一对全桥拓扑结构的两个上管或者两个下管，驱动板的供电电源来自控制板，驱动板通过光纤和控制板交互数据。
4.根据权利要求1、2或3所述的大容量水冷功率单元，其特征在于：水冷电阻安装在水冷板上，水冷电阻通过连接铜导柱采用直接压接的方式与IGBT正负母排连接。
5.根据权利要求5所述的大容量水冷功率单元，其特征在于：所述水冷板的水嘴、光纤接口设置在功率单元的正面。
6.根据权利要求1、2或3所述的大容量水冷功率单元，其特征在于：所述单管型IGBT的旁路开关采用挂接的方式安装在功率单元的背面。
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|---|---|
| CN (1) | CN105355611A (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106655716A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-05-10 | 天水电气传动研究所有限责任公司 | 一种基于SiC的水冷式大功率制动单元 |
| CN108122896A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 南京银茂微电子制造有限公司 | 一种适合高频应用的薄型功率模块 |
| EP3404818A1 (de) * | 2017-05-15 | 2018-11-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterschaltanordnung |
| CN109510474A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-22 | 江苏同芯电气科技有限公司 | 一种大电流/高电压igbt直接并联的大容量逆变模块 |
| CN110266199A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-09-20 | 常州博瑞电力自动化设备有限公司 | 一种低感防爆柔直配网母线总成 |
| CN111211665A (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-29 | 无锡研奥电子科技有限公司 | 一种复合母排 |
| CN111430314A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-17 | 山东泰开高压开关有限公司 | 一种共发射极双iegt并联压接结构 |
| CN111509994A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 许继集团有限公司 | 直流输电换流阀用子模块及直流输电换流阀用阀组模块 |
| CN111769749A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-10-13 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司 | 一种防爆式大容量多电平全桥模组装置 |
| WO2022193255A1 (en) * | 2021-03-18 | 2022-09-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | High-symmetrical semiconductor arrangement |
| WO2022248018A1 (en) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | Hitachi Energy Switzerland Ag | Power electronic building block for modular multilevel converters |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102882385A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-01-16 | 台达电子工业股份有限公司 | 用于三电平功率变换器的叠层母排结构以及功率变换器 |
| CN203104253U (zh) * | 2013-01-29 | 2013-07-31 | 上海电气集团股份有限公司 | 一种三电平变流器的模块化结构 |
| CN103368359A (zh) * | 2012-04-11 | 2013-10-23 | 台达电子工业股份有限公司 | 变流器功率单元及其母线排 |
| US20140120774A1 (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for power module having uniform parallel switching characteristic and power module including the same |
-
2015
- 2015-09-29 CN CN201510632956.8A patent/CN105355611A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103368359A (zh) * | 2012-04-11 | 2013-10-23 | 台达电子工业股份有限公司 | 变流器功率单元及其母线排 |
| CN102882385A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-01-16 | 台达电子工业股份有限公司 | 用于三电平功率变换器的叠层母排结构以及功率变换器 |
| US20140120774A1 (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate for power module having uniform parallel switching characteristic and power module including the same |
| CN203104253U (zh) * | 2013-01-29 | 2013-07-31 | 上海电气集团股份有限公司 | 一种三电平变流器的模块化结构 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106655716A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-05-10 | 天水电气传动研究所有限责任公司 | 一种基于SiC的水冷式大功率制动单元 |
| CN108122896A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 南京银茂微电子制造有限公司 | 一种适合高频应用的薄型功率模块 |
| CN108122896B (zh) * | 2016-11-29 | 2020-04-17 | 南京银茂微电子制造有限公司 | 一种适合高频应用的薄型功率模块 |
| EP3404818A1 (de) * | 2017-05-15 | 2018-11-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterschaltanordnung |
| WO2018210506A1 (de) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterschaltanordnung |
| US11424690B2 (en) | 2017-05-15 | 2022-08-23 | Siemens Mobility GmbH | Semiconductor switching arrangement |
| CN110622407B (zh) * | 2017-05-15 | 2021-08-10 | 西门子交通有限公司 | 半导体开关装置 |
| CN110622407A (zh) * | 2017-05-15 | 2019-12-27 | 西门子交通有限公司 | 半导体开关装置 |
| CN111211665B (zh) * | 2018-11-19 | 2020-11-27 | 无锡研奥电子科技有限公司 | 一种复合母排 |
| CN111211665A (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-29 | 无锡研奥电子科技有限公司 | 一种复合母排 |
| CN109510474A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-03-22 | 江苏同芯电气科技有限公司 | 一种大电流/高电压igbt直接并联的大容量逆变模块 |
| CN111509994A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 许继集团有限公司 | 直流输电换流阀用子模块及直流输电换流阀用阀组模块 |
| CN110266199A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-09-20 | 常州博瑞电力自动化设备有限公司 | 一种低感防爆柔直配网母线总成 |
| CN111430314A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-07-17 | 山东泰开高压开关有限公司 | 一种共发射极双iegt并联压接结构 |
| CN111769749A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-10-13 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司 | 一种防爆式大容量多电平全桥模组装置 |
| WO2022193255A1 (en) * | 2021-03-18 | 2022-09-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | High-symmetrical semiconductor arrangement |
| WO2022248018A1 (en) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | Hitachi Energy Switzerland Ag | Power electronic building block for modular multilevel converters |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160224 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |