CN105337534A

CN105337534A - 一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路

Info

Publication number: CN105337534A
Application number: CN201410389847.3A
Authority: CN
Inventors: 刘琳
Original assignee: Beijing Aeonmed Co Ltd
Current assignee: Beijing Aeonmed Co Ltd
Priority date: 2014-08-08
Filing date: 2014-08-08
Publication date: 2016-02-17

Abstract

本发明涉及麻醉机领域，尤其涉及一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，包括：CPU驱动控制电路、温度监测电路、电压监测和电流监测电路，所述CPU驱动控制电路用以控制无刷直流电机，所述温度监测电路、电压监测和电流监测电路分别与所述无刷直流电机相连，并将监测到的温度、电压和电流信号反馈至CPU驱动控制电路，本发明通过同时监测无刷直流电机的电功耗与温度，找出电功耗与温度之间的内在联系，为准确分析无刷直流电机的运行状态提供可靠的依据。

Description

一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路

技术领域

本发明涉及麻醉机领域，尤其涉及一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路。

背景技术

无刷直流电机因为具有直流有刷电机的特性，同时也是频率变化的装置，所以又名直流变频，国际通用名词为BLDCM(BrushlessDirectCurrentMotor)。无刷直流电机的运转效率，低速转矩，转速精度等都比任何控制技术的变频器还要好。无刷直流电动机采用方波自控式永磁同步电机，以霍尔传感器取代碳刷换向器，以钕铁硼作为转子的永磁材料，产品性能超越传统直流电机的所有优点，同时又解决了直流电机碳刷滑环的缺点，是当今最理想的调速电机，已经广泛的应用到了军事，航空航天，医疗等众多的行业。在医疗行业使用以无刷直流电机为本体的涡轮供气，不仅可以大幅度缩小气源的体积，节省能源，降低成本，还可以对涡轮进行准确可靠的控制，从而获得稳定的气流与压力。

由于麻醉机需要长时间的工作，涡轮也持续不断的高速旋转。从旋转机械的范畴来说，无刷直流电机的发热也是一个重要的问题。长时间的发热会导致涡轮的金属壳体温度升高，则霍尔器件周围环境的温度升高，从而引起霍尔器件信号的相位差发生变化。金属壳体温度的升高，还会导致涡轮输出气体温度的升高，从而引起吸气气流温度的变化。长时间的发热会加速涡轮寿命的缩短，增加麻醉机的价格成本，并难以准确分析涡轮的运行状态。

发明内容

本发明的目的在于提出一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，能够同时监测无刷直流电机的电功耗与温度，以便准确分析无刷直流电机的运行状态。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，包括：CPU驱动控制电路、温度监测电路、电压监测和电流监测电路，所述CPU驱动控制电路用以控制无刷直流电机，所述温度监测电路、电压监测和电流监测电路分别与所述无刷直流电机相连，并将监测到的温度、电压和电流信号反馈至CPU驱动控制电路，用以辅助CPU驱动控制电路的控制策略。

其中，所述CPU驱动控制电路包括：CPU、输出缓冲器、三相全桥驱动电路和AD采样芯片。

其中，所述温度监测电路包括：四通道运算放大器U1、接口J1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12和电阻R13，其中，接口J1的端子1与电阻R4的一端一起接地，接口J1的端子2与电阻R2的一端及电阻R5的一端连接在一起，电阻R2的另一端与电阻R3的一端一起连接至REF4.096V基准电压源，电阻R3的另一端与电阻R4的另一端及电阻R6的一端连接在一起，电阻R6的另一端连接到四通道运算放大器U1的管脚12，四通道运算放大器U1的管脚13与电阻R7的一端及电阻R9的一端连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚14与电阻R9的另一端及电阻R11的一端连接在一起，电阻R7的另一端与电阻R8的一端及四通道运算放大器U1的管脚9连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚10连接电阻R5的另一端，四通道运算放大器U1的管脚8与电阻R8的另一端及电阻R10的一端连接在一起，电阻R10的另一端与四通道运算放大器U1的管脚6及电阻R12的一端连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚7与电阻R12的另一端连接在一起，并作为四通道运算放大器U1的输出端，电阻R11的另一端与四通道运算放大器U1的管脚5及电阻R13的一端连接在一起，电阻R13的另一端接地。

其中，所述REF4.096V基准电压源由基准电压源电路产生，所述基准电压源电路包括：基准电压源芯片U3和电容C2，其中，所述基准电压源芯片U3的型号为REF3012，基准电压源芯片U3的管脚1连接+5VA电源接口，基准电压源芯片U3的管脚3接地，基准电压源芯片U3的管脚2与电容C2的一端连接，并作为基准电压源芯片的输出端，电容C2的另一端接地。

其中，还包括与温度监测电路连接的直流偏置电路，所述直流偏置电路包括：电容C1、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19和双通道运算放大器U2，其中，双通道运算放大器U2的管脚1与双通道运算放大器U2的管脚2短接，双通道运算放大器U2的管脚3接地，双通道运算放大器U2的管脚4接地，双通道运算放大器U2的管脚8连接+5VA电源接口，双通道运算放大器U2的管脚5与电阻R15的一端、电阻R16的一端及电阻R17的一端连接在一起，电阻R15的另一端及电阻R16的另一端作为直流偏置电路的输入端，电阻R17的另一端接地，双通道运算放大器U2的管脚6与电阻R14的一端及电阻R18的一端连接在一起，电阻R14的另一端接地，电阻R18的另一端与电阻R19的一端及双通道运算放大器U2的管脚7连接在一起，电阻R19的另一端与电容C1的一端连接在一起，并作为直流偏置电路的输出端，电容C1的另一端接地。

其中，所述电压监测和电流监测电路包括：双通道运算放大器U4、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电容C3、电容C4、电容C5和二极管D1，其中，电阻R21为分压电阻，用以监测无刷直流电机的电压，电阻R21的一端与二极管D1的负极、电阻R20的一端、电容C4的一端及双通道运算放大器U4的管脚3连接在一起，电阻R20的另一端连接P24V电源接口，电阻R21的另一端与二极管D1的正极、电容C4的另一端一起接地，双通道运算放大器U4的管脚2与双通道运算放大器U4的管脚1及电阻R22的一端连接在一起，双通道运算放大器U4的管脚4接地，双通道运算放大器U4的管脚8连接+5VA电源接口，电阻R22的另一端与电容C3的一端连接，并作为电压监测的输出端；双通道运算放大器U4的管脚5连接电阻R23的一端，电阻R23的另一端作为电流监测的输入端，连接M-current+节点，双通道运算放大器U4的管脚6与电阻R24的一端、电容C5的一端、电阻R25的一端连接在一起，电阻R24的另一端与电容C5的另一端一起接地，电阻R25的另一端与双通道运算放大器U4的管脚7及电阻R26的一端连接在一起，电阻R26的另一端作为电流监测的输出端。

其中，所述三相全桥驱动电路包括：P沟道MOSFET管V1、N沟道MOSFET管V2、P沟道MOSFET管V3、N沟道MOSFET管V4、P沟道MOSFET管V5、N沟道MOSFET管V6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电感La、电感Lb和电感Lc，其中，P沟道MOSFET管V1的源极与P沟道MOSFET管V3的源极、P沟道MOSFET管V5的源极、二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极连接在一起，N沟道MOSFET管V2的源极与N沟道MOSFET管V4的源极、N沟道MOSFET管V6的源极、二极管D2的正极、二极管D4的正极、二极管D6的正极连接在一起，P沟道MOSFET管V1的漏极与N沟道MOSFET管V2的漏极、二极管D1的正极、二极管D2的负极及电感La的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V3的漏极与N沟道MOSFET管V4的漏极、二极管D3的正极、二极管D4的负极及电感Lb的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V5的漏极与N沟道MOSFET管V6的漏极、二极管D5的正极、二极管D6的负极及电感Lc的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V1的栅极悬空，N沟道MOSFET管V2的栅极悬空，P沟道MOSFET管V3的栅极悬空，N沟道MOSFET管V4的栅极悬空，P沟道MOSFET管V5的栅极悬空，N沟道MOSFET管V6的栅极悬空，电感La的另一端与电感Lb的另一端及电感Lc的另一端短接。

本发明的有益效果为：一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，包括：CPU驱动控制电路、温度监测电路、电压监测和电流监测电路，所述CPU驱动控制电路用以控制无刷直流电机，所述温度监测电路、电压监测和电流监测电路分别与所述无刷直流电机相连，并将监测到的温度、电压和电流信号反馈至CPU驱动控制电路，本发明通过同时监测无刷直流电机的电功耗与温度，找出电功耗与温度之间的内在联系，为准确分析无刷直流电机的运行状态提供可靠的依据。

附图说明

图1是本发明具体实施方式提供的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路。

图2是本发明具体实施方式提供的温度监测电路的电路图。

图3是本发明具体实施方式提供的基准电压源电路的电路图。

图4是本发明具体实施方式提供的直流偏置电路的电路图。

图5是本发明具体实施方式提供的电压监测和电流监测电路的电路图。

具体实施方式

下面结合图1-图5并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

图1是本发明具体实施方式提供的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路的电路图。

在本实施例中，通过同时监测无刷直流电机的电功耗与温度，找出电功耗与温度之间的内在联系，为准确分析无刷直流电机的运行状态提供可靠的依据。

在本实施例中，所述CPU驱动控制电路包括：CPU、输出缓冲器、三相全桥驱动电路和AD采样芯片。

在本实施例中，所述温度监测电路包括：四通道运算放大器U1、接口J1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12和电阻R13，其中，接口J1的端子1与电阻R4的一端一起接地，接口J1的端子2与电阻R2的一端及电阻R5的一端连接在一起，电阻R2的另一端与电阻R3的一端一起连接至REF4.096V基准电压源，电阻R3的另一端与电阻R4的另一端及电阻R6的一端连接在一起，电阻R6的另一端连接到四通道运算放大器U1的管脚12，四通道运算放大器U1的管脚13与电阻R7的一端及电阻R9的一端连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚14与电阻R9的另一端及电阻R11的一端连接在一起，电阻R7的另一端与电阻R8的一端及四通道运算放大器U1的管脚9连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚10连接电阻R5的另一端，四通道运算放大器U1的管脚8与电阻R8的另一端及电阻R10的一端连接在一起，电阻R10的另一端与四通道运算放大器U1的管脚6及电阻R12的一端连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚7与电阻R12的另一端连接在一起，并作为四通道运算放大器U1的输出端，电阻R11的另一端与四通道运算放大器U1的管脚5及电阻R13的一端连接在一起，电阻R13的另一端接地。

在本实施例中，直流无刷电机的温度测量电路使用了电桥的测量方式，由基准电压源提供了电桥的电源，保证了电压的稳定性，使得通过测温电阻的电流稳定无纹波。电桥的平衡信号是一个高输入阻抗的差分电路，可以精确的采集到的测温电阻上微小变化。

在本实施例中，参数设定为：R8＝R9，R10＝R11，R12＝R13，差分增益为：Av＝(R12/R10)(1+(2R8/R10))。

在本实施例中，所述REF4.096V基准电压源由基准电压源电路产生，所述基准电压源电路包括：基准电压源芯片U3和电容C2，其中，所述基准电压源芯片U3的型号为REF3012，基准电压源芯片U3的管脚1连接+5VA电源接口，基准电压源芯片U3的管脚3接地，基准电压源芯片U3的管脚2与电容C2的一端连接，并作为基准电压源芯片的输出端，电容C2的另一端接地。

在本实施例中，还包括与温度监测电路连接的直流偏置电路，所述直流偏置电路包括：电容C1、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19和双通道运算放大器U2，其中，双通道运算放大器U2的管脚1与双通道运算放大器U2的管脚2短接，双通道运算放大器U2的管脚3接地，双通道运算放大器U2的管脚4接地，双通道运算放大器U2的管脚8连接+5VA电源接口，双通道运算放大器U2的管脚5与电阻R15的一端、电阻R16的一端及电阻R17的一端连接在一起，电阻R15的另一端及电阻R16的另一端作为直流偏置电路的输入端，电阻R17的另一端接地，双通道运算放大器U2的管脚6与电阻R14的一端及电阻R18的一端连接在一起，电阻R14的另一端接地，电阻R18的另一端与电阻R19的一端及双通道运算放大器U2的管脚7连接在一起，电阻R19的另一端与电容C1的一端连接在一起，并作为直流偏置电路的输出端，电容C1的另一端接地。

在本实施例中，由于无刷直流电机的工作环境的不同，温度可以在较宽的范围内变动，所以输入到差分电路的信号可正可负。由于采用的AD器件输入范围是正电压，所以要给差分电路的输出一个合适的正直流偏置，以达到AD器件的输入范围要求。

在本实施例中，所述电压监测和电流监测电路包括：双通道运算放大器U4、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电容C3、电容C4、电容C5和二极管D1，其中，电阻R21为分压电阻，用以监测无刷直流电机的电压，电阻R21的一端与二极管D1的负极、电阻R20的一端、电容C4的一端及双通道运算放大器U4的管脚3连接在一起，电阻R20的另一端连接P24V电源接口，电阻R21的另一端与二极管D1的正极、电容C4的另一端一起接地，双通道运算放大器U4的管脚2与双通道运算放大器U4的管脚1及电阻R22的一端连接在一起，双通道运算放大器U4的管脚4接地，双通道运算放大器U4的管脚8连接+5VA电源接口，电阻R22的另一端与电容C3的一端连接，并作为电压监测的输出端；双通道运算放大器U4的管脚5连接电阻R23的一端，电阻R23的另一端作为电流监测的输入端，连接M-current+节点，双通道运算放大器U4的管脚6与电阻R24的一端、电容C5的一端、电阻R25的一端连接在一起，电阻R24的另一端与电容C5的另一端一起接地，电阻R25的另一端与双通道运算放大器U4的管脚7及电阻R26的一端连接在一起，电阻R26的另一端作为电流监测的输出端。

在本实施例中，为了防止电机绕组产生的反电动势过高，造成运放输入端的损坏，在分压电阻旁并联了一个TVS管D1；为了消除电机换相过程中产生的电源纹波的影响，在分压电阻旁并联一个低ESR瓷介电容C4。对于电机电流采样，由于电机电流上采样电阻上的电压一般都比较小，所以为了扩大测量范围，使用了电压放大电路。但是在电机堵转或者启动的时候，电机母线会产生较大的电流，换相过程中产生的电流纹波，由后续的二阶低通滤波器完成滤波。

在本实施例中，所述三相全桥驱动电路包括：P沟道MOSFET管V1、N沟道MOSFET管V2、P沟道MOSFET管V3、N沟道MOSFET管V4、P沟道MOSFET管V5、N沟道MOSFET管V6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电感La、电感Lb和电感Lc，其中，P沟道MOSFET管V1的源极与P沟道MOSFET管V3的源极、P沟道MOSFET管V5的源极、二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极连接在一起，N沟道MOSFET管V2的源极与N沟道MOSFET管V4的源极、N沟道MOSFET管V6的源极、二极管D2的正极、二极管D4的正极、二极管D6的正极连接在一起，P沟道MOSFET管V1的漏极与N沟道MOSFET管V2的漏极、二极管D1的正极、二极管D2的负极及电感La的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V3的漏极与N沟道MOSFET管V4的漏极、二极管D3的正极、二极管D4的负极及电感Lb的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V5的漏极与N沟道MOSFET管V6的漏极、二极管D5的正极、二极管D6的负极及电感Lc的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V1的栅极悬空，N沟道MOSFET管V2的栅极悬空，P沟道MOSFET管V3的栅极悬空，N沟道MOSFET管V4的栅极悬空，P沟道MOSFET管V5的栅极悬空，N沟道MOSFET管V6的栅极悬空，电感La的另一端与电感Lb的另一端及电感Lc的另一端短接。

在本实施例中，上述各种元器件的参数只是本发明的一种优选实施例，本领域的技术人员可以通过调整上述元器件的参数来实现类似的效果，这些都在本发明的保护范围之内。

以上所述仅为本发明的具体实施方式，这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方法，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，其特征在于，包括：CPU驱动控制电路、温度监测电路、电压监测和电流监测电路，所述CPU驱动控制电路用以控制无刷直流电机，所述温度监测电路、电压监测和电流监测电路分别与所述无刷直流电机相连，并将监测到的温度、电压和电流信号反馈至CPU驱动控制电路，用以辅助CPU驱动控制电路的控制策略。

2.根据权利要求1所述的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，其特征在于，所述CPU驱动控制电路包括：CPU、输出缓冲器、三相全桥驱动电路和AD采样芯片。

3.根据权利要求1所述的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，其特征在于，所述温度监测电路包括：四通道运算放大器U1、接口J1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12和电阻R13，其中，接口J1的端子1与电阻R4的一端一起接地，接口J1的端子2与电阻R2的一端及电阻R5的一端连接在一起，电阻R2的另一端与电阻R3的一端一起连接至REF4.096V基准电压源，电阻R3的另一端与电阻R4的另一端及电阻R6的一端连接在一起，电阻R6的另一端连接到四通道运算放大器U1的管脚12，四通道运算放大器U1的管脚13与电阻R7的一端及电阻R9的一端连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚14与电阻R9的另一端及电阻R11的一端连接在一起，电阻R7的另一端与电阻R8的一端及四通道运算放大器U1的管脚9连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚10连接电阻R5的另一端，四通道运算放大器U1的管脚8与电阻R8的另一端及电阻R10的一端连接在一起，电阻R10的另一端与四通道运算放大器U1的管脚6及电阻R12的一端连接在一起，四通道运算放大器U1的管脚7与电阻R12的另一端连接在一起，并作为四通道运算放大器U1的输出端，电阻R11的另一端与四通道运算放大器U1的管脚5及电阻R13的一端连接在一起，电阻R13的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，其特征在于，所述REF4.096V基准电压源由基准电压源电路产生，所述基准电压源电路包括：基准电压源芯片U3和电容C2，其中，所述基准电压源芯片U3的型号为REF3012，基准电压源芯片U3的管脚1连接+5VA电源接口，基准电压源芯片U3的管脚3接地，基准电压源芯片U3的管脚2与电容C2的一端连接，并作为基准电压源芯片的输出端，电容C2的另一端接地。

5.根据权利要求3所述的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，其特征在于，还包括与温度监测电路连接的直流偏置电路，所述直流偏置电路包括：电容C1、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19和双通道运算放大器U2，其中，双通道运算放大器U2的管脚1与双通道运算放大器U2的管脚2短接，双通道运算放大器U2的管脚3接地，双通道运算放大器U2的管脚4接地，双通道运算放大器U2的管脚8连接+5VA电源接口，双通道运算放大器U2的管脚5与电阻R15的一端、电阻R16的一端及电阻R17的一端连接在一起，电阻R15的另一端及电阻R16的另一端作为直流偏置电路的输入端，电阻R17的另一端接地，双通道运算放大器U2的管脚6与电阻R14的一端及电阻R18的一端连接在一起，电阻R14的另一端接地，电阻R18的另一端与电阻R19的一端及双通道运算放大器U2的管脚7连接在一起，电阻R19的另一端与电容C1的一端连接在一起，并作为直流偏置电路的输出端，电容C1的另一端接地。

6.根据权利要求1所述的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，其特征在于，所述电压监测和电流监测电路包括：双通道运算放大器U4、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电容C3、电容C4、电容C5和二极管D1，其中，电阻R21为分压电阻，用以监测无刷直流电机的电压，电阻R21的一端与二极管D1的负极、电阻R20的一端、电容C4的一端及双通道运算放大器U4的管脚3连接在一起，电阻R20的另一端连接P24V电源接口，电阻R21的另一端与二极管D1的正极、电容C4的另一端一起接地，双通道运算放大器U4的管脚2与双通道运算放大器U4的管脚1及电阻R22的一端连接在一起，双通道运算放大器U4的管脚4接地，双通道运算放大器U4的管脚8连接+5VA电源接口，电阻R22的另一端与电容C3的一端连接，并作为电压监测的输出端；双通道运算放大器U4的管脚5连接电阻R23的一端，电阻R23的另一端作为电流监测的输入端，连接M-current+节点，双通道运算放大器U4的管脚6与电阻R24的一端、电容C5的一端、电阻R25的一端连接在一起，电阻R24的另一端与电容C5的另一端一起接地，电阻R25的另一端与双通道运算放大器U4的管脚7及电阻R26的一端连接在一起，电阻R26的另一端作为电流监测的输出端。

7.根据权利要求2所述的一种麻醉机的无刷直流电机功耗与温度监测电路，其特征在于，所述三相全桥驱动电路包括：P沟道MOSFET管V1、N沟道MOSFET管V2、P沟道MOSFET管V3、N沟道MOSFET管V4、P沟道MOSFET管V5、N沟道MOSFET管V6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、电感La、电感Lb和电感Lc，其中，P沟道MOSFET管V1的源极与P沟道MOSFET管V3的源极、P沟道MOSFET管V5的源极、二极管D1的负极、二极管D3的负极、二极管D5的负极连接在一起，N沟道MOSFET管V2的源极与N沟道MOSFET管V4的源极、N沟道MOSFET管V6的源极、二极管D2的正极、二极管D4的正极、二极管D6的正极连接在一起，P沟道MOSFET管V1的漏极与N沟道MOSFET管V2的漏极、二极管D1的正极、二极管D2的负极及电感La的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V3的漏极与N沟道MOSFET管V4的漏极、二极管D3的正极、二极管D4的负极及电感Lb的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V5的漏极与N沟道MOSFET管V6的漏极、二极管D5的正极、二极管D6的负极及电感Lc的一端连接在一起，P沟道MOSFET管V1的栅极悬空，N沟道MOSFET管V2的栅极悬空，P沟道MOSFET管V3的栅极悬空，N沟道MOSFET管V4的栅极悬空，P沟道MOSFET管V5的栅极悬空，N沟道MOSFET管V6的栅极悬空，电感La的另一端与电感Lb的另一端及电感Lc的另一端短接。