CN105337517A - 一种Flyback电路 - Google Patents

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张艳艳
陈小财
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Zhang Yanyan
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Abstract

本发明涉及电子线路技术领域,特别涉及一种Flyback电路,包括变压器、MOS管、保护电路及滤波单元。变压器的线圈部分由铁芯、初级线圈、第一次级线圈及第二次级线圈构成。第一次级线圈的一端与MOS管的源极连接,另一端接输出地。MOS管的漏极与滤波单元的一端连接,滤波单元的另一端接输出地。MOS管的栅极与保护电路的输出端连接,保护电路还分别与输入地及输出地连接。第二次级线圈的一端与保护电路的输入端连接,另一端接输入地。滤波单元的一端与电压输出端口的一端连接,滤波单元的另一端与电压输出端口的另一端连接。本发明实施例提供的Flyback电路,控制MOS管开关的信号与第一次级线圈输出的PWM波的相位相同,使得Flyback电路的相位同步并且具有稳定的电压输出。

Description

一种Flyback电路
技术领域
本发明涉及电子线路技术领域,特别涉及一种Flyback电路。
背景技术
目前,Flyback结构用广泛,其原因有:从电路的角度看,Flyback电路有最少元件的特点;从设计的角度看,Flyback电路具有结构简单、可靠性高的特点;从经济的角度看,Flyback电路成本较低,适合小功率电源使用。现有技术中,Linear公司为代表的Flyback结构应用较为广泛,该Flyback结构包含2个变压器(即变压器一和变压器二),变压器一的次级输出包含2个线圈,一个线圈输出采用MOSFET替代传统二极管实现半波整流功能,经过滤波电容后输出电压,另一个线圈作为输出电压的反馈信号调节输出稳定性,Linear芯片产生的PWM(Pulse-WidthModulation,脉宽调制)波经过变压器二隔离后,用于控制该MOSFET的开关。以Linear公司为代表的Flyback结构,MOSFET打开或者关闭控制信号是额外的PWM波提供,与次级线圈中的PWM波信号源不一致,存在的相位不同步的问题,影响整流信号的输出和电源稳定性,要达到稳定的电压输出,需要控制相位,增加了电路的复杂度和成本,且难以实现完全一致。此外,由于增加了第二个变压器,占用面积变大,成本增加。
发明内容
本发明实施例通过提供一种Flyback电路,解决了现有技术中Flyback电路相位不同步及信号输出的稳定性差的技术问题,使得Flyback电路的相位同步并且具有稳定的电压输出。
本发明实施例提供了一种Flyback电路,包括:变压器、MOS管、保护电路及滤波单元。
所述变压器的线圈部分由初级线圈、第一次级线圈及第二次级线圈构成;所述初级线圈的两端为第一输入端及第二输入端,所述第一输入端及所述第二输入端用于输入PWM波信号。
所述第一次级线圈的两端为第一输出端及第二输出端,所述第一输出端与所述MOS管的源极连接,所述第二输出端接输出地;所述MOS管的漏极与所述滤波单元的一端连接,所述滤波单元的另一端接所述输出地;所述MOS管的栅极与所述保护电路的输出端连接,所述保护电路还分别与所述输入地及所述输出地连接。
所述第二次级线圈的两端为第三输出端及第四输出端;所述第三输出端与所述保护电路的输入端连接,所述第四输出端接输入地。
所述滤波单元的一端与电压输出端口的一端连接,所述滤波单元的另一端与所述电压输出端口的另一端连接,所述电压输出端口为所述Flyback电路的总输出接口。
进一步地,所述铁芯为棒状铁芯。
进一步地,所述初级线圈及所述第二次级线圈设置在所述铁芯的同一侧,所述第一次级线圈设置在所述铁芯的另一侧;所述第二次级线圈设置在所述初始线圈的下方。
进一步地,所述MOS管为NMOS管或PMOS管。
进一步地,所述保护电路为光耦隔离保护电路。
进一步地,所述滤波单元为滤波电容。
本发明实施例提供的一种或多种技术方案,至少具备以下有益效果或优点:
1、本发明实施例提供的Flyback电路,控制MOS管开关的信号与第一次级线圈输出的PWM波的相位相同,使得Flyback电路的相位同步并且具有稳定的电压输出。本发明实施例提供的Flyback电路,利用变压器第二次级线圈的反馈信号控制MOS管的开关,电路结构设计巧妙,且变压器的次级输出仅需两个线圈,无需定制特殊的变压器,不占用更多的面积,降低了生产成本。
2、本发明实施例提供的Flyback电路,利用MOS管进行整流,转换效率高,可提供较大的电流及支持较大的功率输出。
3、本发明实施例提供的Flyback电路,MOS管可采用NMOS管或PMOS管,MOS管的选材范围广。
4、本发明实施例提供的Flyback电路,保护电路采用光耦隔离保护电路,隔离效果好,可有效避免信号之间的串扰。
5、本发明实施例提供的Flyback电路,滤波单元采用滤波电容,滤波电容的结构简单、成本较低,同时具备较好的滤波效果,在保证Flyback电路滤波效果的前提下,降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的Flyback电路结构示意图;
图2为本发明实施例提供的输入电压为54V、输出电压为12V的变压器结构示意图;
图3为本发明实施例提供的输入电压为90~265V、输出电压为55V的变压器结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例通过提供一种Flyback电路,解决了现有技术中Flyback电路相位不同步及信号输出的稳定性差的技术问题,使得Flyback电路的相位同步并且具有稳定的电压输出。
参见图1,本发明实施例提供了一种Flyback电路,包括:变压器、MOS管、保护电路及滤波单元。本发明实施例中,MOS管为NMOS管或PMOS管,保护电路为光耦隔离保护电路,滤波单元为滤波电容。
参见图1,变压器的线圈部分由铁芯、初级线圈L1、第一次级线圈L2及第二次级线圈L3构成,本发明实施例中,铁芯为棒状铁芯。初级线圈L1及第二次级线圈L3设置在铁芯的同一侧,第一次级线圈L2设置在铁芯的另一侧,第二次级线圈L3设置在初始线圈L1的下方。初级线圈L1的两端分别为第一输入端1及第二输入端2,第一输入端1及第二输入端2用于输入PWM(Pulse-WidthModulation,脉宽调制)波信号。
参见图1,第一次级线圈L2的两端分别为第一输出端3、第二输出端4,第一输出端3与MOS管Q的源极连接,第二输出端4接输出地GND2。MOS管Q的漏极与滤波电容C的一端连接,滤波电容C的另一端接输出地GND2。MOS管Q的栅极与光耦隔离保护电路9的输出端连接,光耦隔离保护电路9还分别与输入地GND1及输出地GND2连接。光耦隔离保护电路9起隔离保护及脉冲转换作用。
参见图1,第二次级线圈L3的两端分别为第三输出端5、第四输出端6。第三输出端5与光耦隔离保护电路9的输入端连接,第四输出端6接输入地GND1。
参见图1,滤波电容C的一端与电压输出端口的一端(即端口7)连接,滤波电容C的另一端与电压输出端口的另一端(即端口8)连接,电压输出端口为Flyback电路的总输出接口,用于外接其它设备。
参见图1,在实际应用中,可根据变压器的输入、输出电压的实际需要设置初级线圈L1、第一次级线圈L2及第二次级线圈L3的匝数比。如:参见图2,变压器的输入电压为54V、输出电压为12V,设置匝数比(初级线圈L1:第一次级线圈L2:第二次级线圈L3)为1:0.35:0.35。参见图3,变压器的输入电压为90~265V、输出电压为55V,设置匝数比(初级线圈L1:第一次级线圈L2:第二次级线圈L3)为2:1:0.4。
本发明实施例提供的Flyback电路的工作原理如下:
以NMOS管为例,参见图1,PWM波作为初级线圈L1的第一输入端1和初级线圈L1的第二输入端2的输入信号。第一次级线圈L2的第二输出端4连接输出地GND2,第一次级线圈L2的第一输出端3连接NMOS管Q的源极,当然NMOS管Q的源极也可以连接在第一次级线圈L2的第二输出端4,下面以第一次级线圈L2的第一输出端3连接NMOS管Q的源极为例进行介绍:参见图1,NMOS管Q的漏极作为半波整流的输出端,连接滤波电容C,在端口7和端口8之间输出直流电压。第二次级线圈L3的第四输出端6连接输入地GND1,第二次级线圈L3的第三输出端5作为第一次级线圈L2输出的反馈信号,用于调节和控制输出电压的稳定性,并经过光耦隔离保护电路9,用来驱动NMOS管Q打开或关闭。参见图1,当第一次级线圈L2的第一输出端3输出为正脉冲时,第二次级线圈L3的第三输出端5输出正脉冲,经过光耦隔离保护电路9后,输出负脉冲,此时NMOS管存在VGS<Vth,NMOS管Q断开,次级正脉冲信号无法通过NMOS管Q。当第一次级线圈L2的第一输出端3输出为负脉冲时,第二次级线圈L3的第三输出端5为负脉冲,经过隔离保护电路9后,输出正脉冲,此时NMOS管存在VGS>Vth,NMOS管Q导通,即次级负脉冲信号通过NMOS管Q,实现半波整流,再经过滤波电容C后,在端口和与端口8输出需要的直流电压。
本发明实施例提供的Flyback电路,至少具备以下有益效果:
本发明实施例提供的Flyback电路,控制MOS管开关的信号与第一次级线圈输出的PWM波的相位相同,使得Flyback电路的相位同步并且具有稳定的电压输出。本发明实施例提供的Flyback电路,利用变压器第二次级线圈的反馈信号控制MOS管的开关,电路结构设计巧妙,且变压器的次级输出仅需两个线圈,无需定制特殊的变压器,不占用更多的面积,降低了生产成本。
本发明实施例提供的Flyback电路,利用MOS管进行整流,转换效率高,可提供较大的电流及支持较大的功率输出。
本发明实施例提供的Flyback电路,MOS管可采用NMOS管或PMOS管,MOS管的选材范围广。
本发明实施例提供的Flyback电路,保护电路采用光耦隔离保护电路,隔离效果好,可有效避免信号之间的串扰。
本发明实施例提供的Flyback电路,滤波单元采用滤波电容,滤波电容的结构简单、成本较低,同时具备较好的滤波效果,在保证Flyback电路滤波效果的前提下,降低了生产成本。
本发明实施例提供的Flyback电路,可在125℃,甚至更高的温度下工作。
最后所应说明的是,以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照实例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (6)

1.一种Flyback电路,其特征在于,包括:变压器、MOS管、保护电路及滤波单元;
所述变压器的线圈部分由铁芯、初级线圈、第一次级线圈及第二次级线圈构成;所述初级线圈的两端为第一输入端及第二输入端,所述第一输入端及所述第二输入端用于输入PWM波信号;
所述第一次级线圈的两端为第一输出端及第二输出端,所述第一输出端与所述MOS管的源极连接,所述第二输出端接输出地;所述MOS管的漏极与所述滤波单元的一端连接,所述滤波单元的另一端接所述输出地;所述MOS管的栅极与所述保护电路的输出端连接,所述保护电路还分别与所述输入地及所述输出地连接;
所述第二次级线圈的两端为第三输出端及第四输出端;所述第三输出端与所述保护电路的输入端连接,所述第四输出端接输入地;
所述滤波单元的一端与电压输出端口的一端连接,所述滤波单元的另一端与所述电压输出端口的另一端连接,所述电压输出端口为所述Flyback电路的总输出接口。
2.如权利要求1所述的Flyback电路,其特征在于,所述铁芯为棒状铁芯。
3.如权利要求2所述的Flyback电路,其特征在于,所述初级线圈及所述第二次级线圈设置在所述铁芯的同一侧,所述第一次级线圈设置在所述铁芯的另一侧;
所述第二次级线圈设置在所述初始线圈的下方。
4.如权利要求1~3任一项所述的Flyback电路,其特征在于,所述MOS管为NMOS管或PMOS管。
5.如权利要求1~3任一项所述的Flyback电路,其特征在于,所述保护电路为光耦隔离保护电路。
6.如权利要求1~3任一项所述的Flyback电路,其特征在于,所述滤波单元为滤波电容。
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