CN105304597B - 功率半导体模块系统及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及功率半导体模块系统，具有功率半导体模块和电路板。功率半导体模块具有模块壳体、第一和第二连接端组。第一连接端组具有第一电连接端。第二连接端组具有第二电连接端。电路板有第一和第二电极且安装至功率半导体模块，使得在安装的状态下每个第一连接端与第一电极导电连接且每个第二电连接与第二电极导电连接。功率半导体模块系统具有第一和/或第二绝缘支撑体。在为一个第一绝缘支撑体的情况下在未安装的状态下固定至电路板且在安装的状态下设置在第一和第二连接端组之间。在为一个第二绝缘支撑体的情况下在未安装的状态下固定至电路板且在安装的状态下设置在第一和第二连接端组之间的电路板的与功率半导体模块相反的侧上。

Description

功率半导体模块系统及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有高的绝缘电阻的功率半导体模块系统及用于制造具有高的绝缘电阻的功率半导体模块系统的方法。
背景技术
在功率半导体模块的电连接端之间通常具有非常高的电势差值，这将会带来电压电弧的危险。因此必须具有足够的爬电距离，其最小长度取决于最高出现的电势差和处于多个连接端直线的模块表面的期望的污染等级。原则上来说，在半导体模块之中通过合适的措施来延长爬电距离是已知的，但是将电路板安装至功率半导体模块之上将会引起不允许的高的漏电流或者甚至引起沿着电路板的电压电弧。平面的电路板例如再次缩短了例如在模块上由于沟槽或者台阶而存在的爬电距离。所提及的问题虽然能够在一定程度上通过在电连接端之间的更大的距离来加以克服，但是这将相应地提高在连接至该些电连接端的导线之间的电感，因为至少在连接端区域之内的距离同样必须得以增大。提高了的电感但是首先在快速切换的应用之中例如在变频器之中是优缺点的，这是因为由于强烈的随时间的电流变化将会引起不允许的高的感应电压。
发明内容
本发明的任务在于提供一种功率半导体模块系统以及一种用于制造功率半导体模块装置的方法，借助于它们能够避免沿着安装在所述功率半导体模块之上或者能够安装在所述功率半导体模块之上的电路板的电压电弧和不允许的高的漏电流以及不允许的短的爬电距离。
该任务将通过依据本发明的功率半导体模块系统或者通过本发明的用于制造功率半导体模块装置的方法来加以解决。
本发明的设计方案和改进方案为从属权利要求的主题。
第一方面涉及一种具有功率半导体模块、第一连接端组、第二连接端组和电路板的功率半导体模块系统。该功率半导体模块具有带有顶侧的模块壳体、带有至少一个第一电连接端的第一连接端组以及带有至少一个第二电连接端的第二连接端组。
只要所述第一连接端组具有至少两个第一电连接端，那么该些第一电连接端将持续地相互电导通地加以连接。相应地，这对于所述第二连接端组同样有效，即只要所述第二连接端组具有至少两个第二电连接端，那么该些第二电连接端将持续地相互电导通地加以连接。
具有第一电极和第二电极的所述电路板能够如此地安装至所述功率半导体模块，使得在安装的状态之下所述第一连接端中的每个均与所述第一电极电导通地加以连接并且使得所述第二连接端中的每个均与所述第二电极电导通地加以连接。
所述功率半导体模块系统还具有第一绝缘支撑体和/或第二绝缘支撑体。只要存在第一绝缘支撑体，那么该第一绝缘支撑体在未安装的状态之下也固定至所述电路板并且在安装的状态之下设置在所述第一连接端组和所述第二连接端组之间。相应地，只要存在第二绝缘支撑体，那么该第二绝缘支撑体在未安装的状态之下也固定至所述电路板并且在安装的状态之下设置在所述第一连接端组和所述第二连接端组之间设置在所述电路板的与所述功率半导体模块相反的侧之上。
然后，在本发明的范围之中“安装的状态”的意义始终在于当所述电路板如此地固定地安装至所述半导体模块之上时，整个第一连接端与所述第一电极电导通并且整个第二连接端与所述第二电极电导通地加以连接。否则处于“未安装的状态”之下。
第二方面涉及一种用于制造功率半导体模块装置的方法。在此将提供依据第一方面所构造的功率半导体模块系统并且其电路板将如此地安装至功率半导体模块，使得在安装的状态之下所述第一连接端中的每个均与第一电极电导通地连接并且使得所述第二连接端中的每个均与第二电极电导通地连接。
附图说明
接下来将参照所附的附图借助于多个实施例来阐述本发明。只要未另加说明，相同的附图标记将描述具有相同的功能的相同或者相似地起作用的元件。将给出以下指示，即在附图的图示之中并非成比例的。其中：
图1示出了具有第一连接端组和第二连接端组的功率半导体模块的立体图示；
图2示出了将设置有两个绝缘支撑体的电路板安装至功率半导体模块之前的功率半导体模块装置的截面图；
图3示出了依据图2所示的功率半导体模块的顶视图；
图4示出了依据图2的功率半导体模块装置在将设置有两个绝缘支撑体的电路板安装至功率半导体模块之后的截面图；
图5示出了依据图4的功率半导体模块装置的顶视图；
图6示出了另一个功率半导体模块装置的顶视图，其中，该电路板具有比功率半导体模块更大的宽度；
图7示出了一种功率半导体模块的顶视图，其中，在模块壳体之中的两个连接端组之间走向的沟槽完全穿过该模块壳体地加以延伸；
图8示出了依据图7的功率半导体模块的侧面图示；
图9示出了具有两个安装至其上的绝缘支撑体的电路板的截面图，该电路板的长度小于该电路板的宽度；
图10示出了具有两个安装至其上的绝缘支撑体的电路板的截面图，该电路板的长度相应于该电路板的宽度；
图11示出了具有两个安装至其上的绝缘支撑体的电路板的截面图，该电路板的长度大于该电路板的宽度；
图12A示出了一个电路板和两个待安装至该电路板的绝缘支撑体的截面图，这两个绝缘支撑体分别具有调整引脚；
图12B示出了依据图12A的电路板在将绝缘支撑体安装至该电路板之后的截面图，其中，该调整引脚分别嵌入该电路板的调整孔之中；
图13A示出了具有绝缘支撑体对的电路板的侧面图示，该绝缘支撑体对具有两个待安装至该电路板的绝缘支撑体，其中一个具有槽并且另一个具有弹簧；
图13B示出了依据图13A的一部分，依据其该绝缘支撑体对的绝缘支撑体如此地安装至该电路板，使得该弹簧嵌入槽之中；
图14A示出了两个相互移动地加以连接的绝缘支撑体在一种状态之下的侧面图示，在该状态之下它们形成环形的闭合的单元；
图14B示出了依据图14A的绝缘支撑体在展开的状态之下；
图14C示出了依据图14B的绝缘支撑体插入电路板之后；
图14D示出了依据图14C的绝缘支撑体在将该绝缘支撑体闭合至环形闭合环绕该电路板的单元之后；
图15A示出了两个相关联的形成被构造为闭合的环的绝缘支撑体的侧面图示；
图15B示出了依据图15A的单元如此地移动至电路板之上从而使得其环形地环绕该电路板之后的电路板的截面图；
图16示出了具有两个绝缘支撑体对的电路板的一段的立体图示，这两个绝缘支撑体对中的每个相应于依据图15B的绝缘支撑体对地安装至该电路板之上；
图17示出了具有三个相邻地加以设置的连接端组的半导体模块的一段的立体图示，其中，分别位于两个相邻的连接端组之间的该模块壳体具有用于容纳绝缘支撑体的沟槽；
图18A示出了穿过在将设置有至少一个绝缘支撑体的电路板安装至半导体模块期间的功率半导体模块系统的截面图；
图18B示出了在安装之后依据图18A地加以构造的功率半导体模块装置，其中，绝缘支撑体嵌入模块壳体的沟槽之中；
图19示出了穿过功率半导体模块装置的截面图，其中，该电路板仅仅在其与半导体模块相对的侧之上才设置有绝缘支撑体；
图20示出了穿过功率半导体模块装置的截面图，其中，电路板仅仅在其与半导体模块相邻的侧之上才设置有绝缘支撑体，而另一个绝缘支撑体被构造在该模块壳体的与该电路板相对的侧之上；
图21示出了具有在其上安装有设置有绝缘支撑体的电路板的功率半导体模块的功率半导体模块装置的立体图示；
图22示出了依据图4的功率半导体模块装置的放大的一段。
具体实施方式
图1示出了一种具有模块壳体50的功率半导体模块100。该模块壳体50能够任意地加以设计。其能够尤其是由电绝缘的材料加以组成，例如由塑料组成。该模块壳体50能够一整块地加以构造或者也能够由两个或者多个壳体部分组装而成。在所示出的示例之中，该模块壳体50具有环形的壳体框架51，在该壳体框架之上装配有壳体盖52。在这种情况下，该模块壳体50具有顶侧50t，在该顶侧之上分别具有一个或者多个电连接端1、2或3的多个连接端组10、20、30裸露在该模块壳体50之外。
在每个连接端组10、20、30中的每个之中，所属的电连接端1、2或3例如通过在该模块壳体50内部的电连接导线而持续地相互电连接。第一连接端组10也含有一个或者至少两个第一电连接端1。在为至少两个第一电连接端1的情况下，它们相互之间持续地电连接。相应地，第二连接端组20也含有一个或者至少两个第二电连接端2，它们也相互之间持续地电连接，并且第三连接端组30也含有一个或者至少两个第三电连接端3，它们在为至少两个第三电连接端3的情况下也相互之间持续地电连接。
原则上来说，功率半导体模块100具有至少两个连接端组10、20、30。在这些连接端组10、20、30中的两个之间—在当前的功率半导体模块100之中仅仅示例性地为连接端组10和20—该模块壳体50具有可选的沟槽55，该沟槽在这些连接端组10和20之间由该顶侧50t出发进入模块壳体50之中。相应的沟槽能够可选地也存在于连接端组20和30之间。这将尤其是在以下情况，即当连接端组10和30和/或20和30紧邻时非常重要，这是因为在所有三个连接端组10、20和30之间的漏感应当非常小。
图2示出了该功率半导体模块装置在将设置有两个绝缘支撑体11、12的电路板200安装至该功率半导体模块100之上之前的截面图。
该截面图穿过功率半导体模块100，其为此仅仅是示例性地未示出在模块壳体50内部的部件。该模块壳体50的阴影线仅仅为了说明之用，表明其为截面图。其中，该截面穿过沟槽55以及穿过电连接端1、2和3并且穿过电路板300以及安装至其上的绝缘支撑体11和12。
在具有介电的绝缘载体230、第一电极210和第二电极220的电路板200之上固定有两个介电的绝缘支撑体11和12之中的至少一个并且在将电路板200安装至功率半导体模块100之上之前已经固定。第一电极210和第二电极220也通过介电的绝缘载体230相互电绝缘。第一电极210和第二电极220能够例如完全地或者至少大部分地被构造为平的金属膜。它们能够相互平行地加以走向。例如，电路板200能够为波导的，其中，第一电极110和第二电极220基本上被构造为平行的金属膜，它们与绝缘载体230平面地并且材料决定地加以连接(例如被构造为平行板波导)。为了达到较小的电阻的目的，该电极110、220能够例如完全地或者大部分地由铜组成，其他的导电的材料也能够同样地加以使用。作为电路板200将尤其是也能够理解为这样的装置，其中第一电极210和第二电极220被构造为通用总线(“busbars”)。
如在图2之中所示出的那样一样，电路板200在其与功率半导体模块100相反的面之上可选地也具有电绝缘的覆盖层240，其例如具有绝缘漆、绝缘膜等。
在安装的状态之下，在没有绝缘支撑体11、12的情况下，在电路板200之上从只要其裸露在过孔201(之上或者之下)的第一电极210和从只要其裸露在过孔2012之上或者之下)的第二电极220形成爬电距离。该爬电距离通常比在功率半导体模块100之上的连接端的自由的距离要短，这是由于该模块连接端1、2、3还能够从裸露的壳或者在电路板200和焊孔之中的过孔接触围绕电路板200的两侧。当在安装的状态之下在连接端组10、20、30之间的爬电距离是重要的，那么所涉及的陈述存在于爬电距离、包括与所涉及的连接端组10、20、30电连接的壳、过孔接触和焊孔的相应的连接端组10、20、30之间的爬电距离(以及存在的壳、过孔接触和焊孔)。
图3示出了依据图2的功率半导体模块之上的顶视图。在此能够看出在每个连接端组10、20或30之中的电连接端1、2、3可选地一列地相继设置并且在这种情况下至少两个连接端组10、20、30的一列的电连接端1、2、3相互平行地加以走向。
此外能够看出，在其走向方向r之上的沟槽55至少在在其间该沟槽走向的连接端组10和20的一列的长度之上加以延伸。
图3此外能够看出，该沟槽55能够可选地具有穿过该模块壳体地加以形成的环形的闭合的侧壁50w。
图4示出了功率半导体模块装置400，其存在于装备有至少两个绝缘支撑体11、12的电路板200安装至功率半导体模块100。只要其中第一绝缘支撑体11存在，其安装在该电路板200的与该功率半导体模块100相对的侧之上，那么该绝缘支撑体安装在相应的连接端组10、20之间，在这些连接端组之间也有沟槽55并且嵌入在该沟槽55之中。倘若该沟槽55其中具有环形闭合的侧壁50w，那么该侧壁50w环形地围绕第一绝缘支撑体11。其中只要存在第二绝缘支撑体12，其安装在该电路板200的与该功率半导体模块100相反的侧之上，那么该第二绝缘支撑体设置在连接端组10和20之间。
在安装的状态之下，第一绝缘支撑体11和第二绝缘支撑体12只要它们存在也设置在第一连接端组10和第二连接端组20之间，这将影响在第一连接端组10和第二连接端组20之间的爬电距离延长。
绝缘支撑体11、12安装至电路板200的类型基本上是任意类型的。它们能够例如粘合、附接、压接、螺接或者啮合至电路板200。可选地，能够总是存在一种具有电绝缘粘合胶的粘合，例如硅胶，其能够完全密封在所涉及的绝缘支撑体11、12和电路板200之间的一列，以便避免漏电流，该漏电流否则在第一连接端组10和第二连接端组20之间通过该列来加以构造。
如借助于图2和图4此外能够看到的是安装至电路板200的绝缘支撑体11、12在其余电路板200相对的侧之上可选地具有轮缘111或121，以便放大相应的粘合面。
在将电路板200安装至功率半导体模块100时，第一电连接端1在这种情况下与第一电极210导电接触并且第二电连接端2与第二电极220导电接触。
在本发明的示例之中，在图2中仅仅示例性地示出了电连接端1、2和3，其作为依据DIN 41611-9:1987-12的“无焊料的电连接、没有剥离绕组连接；概念、特征值、要求、检验”的所谓的压入连接端(“Press-Fit”)，或者依据DIN EN(IEC)60352-5，2008-11：“无焊料的连接-部分5：压接连接-通用要求、检验方法和应用指南(IEC 60352-5:2008)”，这两个均包含在柏林的Beuth出版社有限公司的出版物之中。
替代于压接接触，电连接端1、2、3也能够被构造为焊接连接端，其中，在安装的状态之下该电路板200在功率半导体模块100处使得第一电连接端1与第一电极210焊接或者第二电连接端2与第二电极220焊接。
同样地，电连接端1、2、3也能够被构造为烧焊连接端，其中，在安装的状态之下该电路板200在功率半导体模块100处使得第一电连接端1与第一电极210烧焊或者第二电连接端2与第二电极220烧焊。
此外，这些电连接端1、2、3也能够被构造为螺栓连接端，其中，在安装的状态之下在安装的状态之下该电路板200在功率半导体模块100处使得第一电连接端1与第一电极210螺栓连接或者第二电连接端2与第二电极220螺栓连接。
此外，电连接端1、2、3也能够被构造为弹簧接触，其中，在安装的状态之下在安装的状态之下该电路板200在功率半导体模块100处使得第一电连接端1弹性地并且在构造电通孔接触连接的情况下压接第一电极210或者第二电连接端2弹性地并且在构造电通孔接触连接的情况下压接第二电极220。
图5示出了依据图4的功率半导体模块装置400的顶视图。如借助于图4和图5所看出的那样，在安装的状态之下与电极210和220电连接的电连接端1或2的一段位于该电路板200与功率半导体模块100相反的侧之上。同样地以下情况也是可能的，即电连接端1和2也能够在安装的状态之下完全地设置在该电路板200的与功率半导体模块100相对的侧之上或者至少不在该电路板200与功率半导体模块100相反的侧之上延伸出去。
如同样由图5所看出的那样，该电路板200能够在安装的状态之下在沟槽55的走向方向之上(参见图3)至少在沟槽55的范围之内具有比电路板200更大的或者如图6所示的那样更小的宽度。同样地，该电路板200在安装的状态之下在沟槽55的走向方向之上至少在沟槽55的范围之内具有与功率半导体模块100同样的宽度。
图7示出了功率半导体模块100的顶视图，其与依据图3的功率半导体模块100仅仅具有以下区别，即该沟槽55在其走向方向之上完全穿过模块壳体50地加以延伸。该沟槽55也将再次沿着其走向方向r地由模块壳体50加以限制。图8示出了依据图7的半导体模块的侧视图。
此外如在图9、10和11之中所示出的那样，绝缘支撑体11、12在其走向方向之上具有小于电路板200的宽度的涨肚，从而使得电路板200超过(图9)绝缘支撑体11、12，或者与电路板200的宽度一样，从而使得绝缘支撑体11、12在其两个相对的末端处与电路板200平齐(图10)，或者比电路板200的宽度要大，从而使得绝缘支撑体11、12超过电路板200。
依据借助于图12A和12B所示出的那样，可选地，在一个或者两个绝缘支撑体11、12(只要存在)时，第一绝缘支撑体11具有第一调整引脚112并且第二绝缘支撑体12具有第二调整引脚122，它们在将所涉及的绝缘支撑体11、12固定至电路板200之后分别嵌入该电路板200的相应的调整孔212或者222之中。图12A和图12B示出了绝缘支撑体11和12在固定至电路板200之前和之后的图示。明显地，此类的嵌入至电路板200的调整孔212、222之中的绝缘支撑体11、12的调整引脚也能够在存在绝缘支撑体11、12之一时实现。
只要第一和第二绝缘支撑体11和12存在，那么其中任意一个具有槽116并且另一个具有弹簧126，其在将两个绝缘支撑体11和12固定至电路板200之后嵌入槽116之中，这将由图13A和图13B加以示出，电路板200在固定至绝缘支撑体11和12之前和之后。
依据另一个选项，第一绝缘支撑体11和第二绝缘支撑体12能够被构造为相关联的单元，其例如在图14A之中加以示出，该单元你那个具有合页15，通过其该绝缘支撑体11和12在安装至电路板200之前相互相对运动。为此，绝缘支撑体11和12例如由单一的材料例如塑料组成并且一体成型。在这样的情况下，该单元能够以简单的方式通过浇筑或者注塑来制造。合页15由该单元的切割面来组成，通过该切割面在绝缘支撑体11、12之间形成狭窄的弹性的连接网16，鉴于该单一的材料的弹性的缘故能够承担该合页的功能。
图14B示出了依据图14A的单元在折叠的状态之下，从而使得该电路板200嵌入该单元之中，这将在图14C之中加以示出。可选地，能够由第一和第二绝缘支撑体11、12具有任意一个引脚，其根据嵌入在其中构造另一个绝缘支撑体11、12的开口的折叠来构造。其中，该引脚125可选地相对于该开口具有过量并且压入该开口之中，从而使得在该绝缘支撑体11、12的自由端之间形成材料决定的连接。
同样地，在任意一个绝缘支撑体11、12的自由端处构造一个抓钩，其在与另一个绝缘支撑体11、12的自由端折叠时抓接。
在折叠之后，该单元与两个绝缘支撑体11和12形成一个环，该环环形地围绕该电路板200，其在图14D之中加以示出。该环能够如所示出的那样一体地加以构造，但是能够包含多个部分。
依据另一个在图15A之中示出的变型，具有第一绝缘支撑体11和第二绝缘支撑体12的单元能够被构造为闭合的环，其在电路板200安装至功率半导体100之前移动至该电路板200之上。图15B示出了移动至该电路板200之上的单元。
此外借助于图16示出了能够在电路板200之上存在多个连接端组10、20、30，它们之中在两个不同的对的连接端组10、20、30在此在两个连接端组10和20以及在连接端组20和30之间分别设置有至少一个绝缘支撑体11-1、12-1或者11-2、12-2，如先前所描述的那样。在图16之中所示出的那样实现了将绝缘支撑体11-1、12-1或者11-2、12-2固定至电路板200，其仅仅是示例性的依据图13A和图13B。同样地，也能够选择所有其他所阐述过的变型。
相应地，所属的半导体模块100然后也能够具有两个沟槽55-1和55-2，它们之中的一个(55-1)在两个连接端组10和20之间并且另一个(55-2)在两个连接端组20和30之间设置，如在图17之中所示出的那样。
图18A和18B也示出了依据图15B的具有至少一个第一绝缘支撑体11的示例的电路板200，如第一绝缘支撑体11在将电路板200安装至功率半导体模块100之上时正好落入沟槽55之内。
如由依据图19所示出的示例能够看出的那样，在两个连接端组10和20之间仅仅能够引入一个第一绝缘支撑体11，其在将电路板200安装至功率半导体模块100之前已经固定至电路板200并且其在将电路板200安装至功率半导体模块100之上之后落入该电路板200与功率半导体模块200相对的侧之上并且落入沟槽55之中。
与依据图19所示的功率半导体模块装置400无关地，电连接端1、2和3并非构造为压入连接端并且相应地并未通过电路板200来引入，取而代之地它们分别接触在该电路板200的与功率半导体模块100相对的底侧之上电极210或220之中的一个。为了进一步布线该电极220该电路板200能够例如具有通孔接触。
还依据另一个借助于图20所阐述的变型，在两个连接端组10和20之间仅仅能够引入一个第二绝缘支撑体，其在将电路板200安装至功率半导体模块100之前已经固定至电路板200并且其在将电路板200安装至功率半导体模块100之后处于该电路板200与功率半导体模块200相反的侧之上。
在此类的设计之中，电绝缘的第三绝缘支撑体13能够存在，其被构造为模块壳体50的组成部分或者与该模块壳体50相连接，并且在第一连接端组10和第二连接端组20之间加以设置。在将电路板200安装至功率半导体模块100之上以后，第三绝缘支撑体13处于该电路板200与功率半导体模块100相对的侧之上和/或与其借助于粘合剂相互粘合，该粘合剂完全地密封在第三绝缘支撑体13和电路板200之间的一列。
图21示出了具有功率半导体模块100的功率半导体模块装置400的整体示图，在该功率半导体模块之上安装有电路板200，在该电路板之上在安装至功率半导体模块100之前固定有至少一个绝缘支撑体11-1、11-2、12-1、12-2。可选地，该电路板200能够通过一个或者多个连接装置例如通过螺栓而与功率半导体模块100相连接。
依据另一个选项，在功率半导体模块100之上在与电路板200相反的侧之上还安装有散热体300。功率半导体模块100固定至散热体300能够同样以任意的方式例如通过螺栓来实现。
电路板200的设计原则上能够是任意形式的，其能够例如被构造为印刷电路板或者被构造为叠层母线，在其中两个电极210和220相互电绝缘叠加成一个组合物。
在模块壳体50的内部能够具有至少一个功率半导体构件，例如MOSFET、IGBT、JFET、半导体闸流管、二极管或者任意其他的功率器件。该半导体模块100能够在使用至少一个功率半导体构件的情况下含有受控的半导体开关、半桥、两个半桥(例如H桥)、三个半桥或者任意其他的配置。
在依据本发明的功率半导体模块装置400运行时，至少在第一连接端组10的第一电连接端1和第二连接端组20的第二电连接端2之间施加高的电势差，在两个电连接端之间走向有第一绝缘支撑体11和/或第二绝缘支撑体20，该电势差然后也施加在电极210、220之间。由于电路板200的通孔接触或者过孔201、202的缘故，该电势差也能够施加在该绝缘支撑体230的处于连接端组10和20之间的分段231之上，这示例性地借助于图22加以示出，其示出了依据图4的功率半导体模块装置的放大的分段。在这种意义上来说所阐述的标准然而对于所有其他的设计也同样适用。例如绝缘载体230能够在分段231之中具有光纤，沿着其下降有电势差。当在模块壳体50之中设置有功率半导体构件时，最大允许的截止电压为600V，从而使得在连接端组10和20之间的运行电压(直流或者交流电压)为200V至450V。在这种情况下具有最大允许截止电压为1200V的功率半导体构件来说能够在连接端组10和20之间甚至施加400V至900V的运行电压，并且在具有最大允许的截止电压为1700V的功率半导体构件来说甚至施加600V至1400V的运行电压。短时间的电压峰值能够在极端情况下达到最大允许的运行电压Umax，其允许施加在连接端组10和20之间。其中，不会引起对于在功率半导体模块100之中所构建的电构件的任何干扰。在功率半导体构件之中其能够例如为二极管，或者为受控的半导体构件，在其中借助于控制连接端(例如栅极或者基极)来控制通过负载段(例如在射极和集电极、在源极和漏极或者在阴极和阳极之间)的电流。合适的受控的功率半导体构件例如为IGBT、MOSFET、JFET、晶闸管、HEMT等。所给出的最大允许的截止电压根据构件的不同能够在射极和集电极之间、源极和漏极之间或者阴极和阳极之间的最大允许的截止电压。例如，在该功率半导体模块100的壳体50之中能够设置有至少一个功率半导体根据，其具有至少300V或者至少600V的最大允许的截止电压。
通过应用一个或者多个绝缘支撑体11、12能够使得在一方面包含该电路板200(电极210、通孔接触211、焊孔等)与其电连接的元件的第一连接端组10和另一方面包含该电路板200(电极220、通孔接触221、焊孔等)的与其电连接的元件的第二连接端组20之间的(最小的)间距相较于传统的功率半导体模块装置显著地得以减小。该电极组间距w给出了在第一电极组和第二电极组之间的(最小的)间距。其中，第一电极组包括所有的元件，其只要该电路板200安装至半导体模块100之上时与第一电连接端持续地电连接。相应地，第二电极组包括所有的元件，其只要电路板200安装至半导体模块100之上时与第二连接端组20的第二电连接端2持续地导电连接。在每个电极组之中，所有导电地相互连接的元件能够由金属所组成。由此使得电极组的这些元件在功率半导体装置的运行时基本上具有相同的电势。当在功率半导体装置运行时在第一连接端组10和第二连接端组20之间存在电势差，那么其降落在电极组间距w之上。
示例性地，接下来要描述为“连接端组间距”的间距在功率半导体模块100的连接端组10和20之间选择具有d<Umax*0.0070mm/V或者甚至具有d<Umax*0.0045mm/V，其中，Umax为最大允许的运行电压，其在功率半导体模块装置运行时(即具有安装至该功率半导体模块100之上的电路板200)施加在第一连接端组10和第二连接端组20之间，而不会导致构建在该功率半导体模块100之中的电子构件的损坏。
示例性地，在两个相邻的连接端组10和20之间的间距d对于Umax＝1200V来说小于7mm(例如在3mm至5mm的范围内)，或者对于Umax＝1700V来说小于11.5mm(例如在5mm至7mm的范围内)。与该标准无关地在运行时在第一连接端组10和第二连接端组20之间施加的电压的间距d至少为1.5mm。
电路板200的电极210和220的间距能够在绝缘载体230的绝缘位置内部水平地沿着绝缘位置结构(例如光纤)在电路板200内部缩短至约最小间距，其为了在电路板200内部起到足够的电绝缘作用而必须的。其中，电路板200之中的故障机制考虑例如CAF(导电阳极丝)。该机制在光纤或者光纤纤维的方案之中优选地沿着光纤起作用。因此，电极组间距w不允许太短。该电极组间距能够由于本发明的缘故但是实质上比最小爬电距离更短地加以选择，该最小的爬电距离当在电极组之间施加最大允许的运行电压Umax时是必须的。
在本发明之中，功率半导体装置能够如此地加以设计，使得在第一连接端组10的第一电连接端1和第二连接端组20的第二电连接端2之间在运行时以不同的电势加以施加而不存在直接的分段，该分段仅仅通过空气来加以走向。换句话说，在第一连接端组10的第一电连接端1和第二连接端组20的第二电连接端2之间不存在任何“视觉连接(Sichtverbindung)”。
通常来说但是不是必须的方式，依据本发明的功率半导体模块能够具有快速切换的转换电路(例如半桥、H-桥、3或者多等级电路等)。同样地，功率半导体模块能够为快速切换的转换电路的一部分。例如，两个半导体模块能够分别含有与一个或者多个并联地电连接的半桥的逻辑电路，并且该逻辑电路能够连接为半桥。该逻辑电路然后能够例如形成DC+断开，另一个形成DC-电路。

Claims (19)

1.一种功率半导体模块系统，其具有：
功率半导体模块(100)，所述功率半导体模块：
-具有带有顶侧(50t)的模块壳体(50)；
-具有至少一个第一电连接端(1)或者具有至少两个相互持续地导电连接的第一电连接端(1)的第一电连接端组(10)；
-具有至少一个第二电连接端(2)或者具有至少两个相互持续地导电连接的第二电连接端(2)的第二电连接端组(20)；
电路板(200)，其具有第一电极(210)和第二电极(220)并且如此地安装至所述功率半导体模块(100)，使得在安装的状态之下：
-每个第一电连接端(1)与所述第一电极(210)导电地连接；
以及
-每个第二电连接端(2)与所述第二电极(220)导电地连接；
其中，所述功率半导体模块系统还具有一个或者两个以下的绝缘支撑体(11、12)，其具有：
-第一绝缘支撑体(11)，其在未安装的状态之下也固定至所述电路板(200)并且在安装的状态之下设置在所述第一电连接端组(10)和所述第二电连接端组(20)之间；
-第二绝缘支撑体(12)，其在未安装的状态之下也固定至所述电路板(200)并且在安装的状态之下在所述第一电连接端组(10)和所述第二电连接端组(20)之间设置在所述电路板(200)的与所述功率半导体模块(100)相反的侧之上。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块系统，其中：
所述模块壳体(50)具有沟槽(55)，所述沟槽在所述第一电连接端组(10)和所述第二电连接端组(20)之间从所述顶侧(50t)出发延伸入所述模块壳体(50)之中；并且
所述第一绝缘支撑体(11)在安装的状态之下嵌入所述沟槽(55)之中。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块系统，其中，所述沟槽(55)具有由所述模块壳体(50)所形成的环形地闭合的侧壁(50w)，所述侧壁在安装的状态之下环绕所述第一绝缘支撑体(11)。
4.根据权利要求2所述的功率半导体模块系统，其中，所述沟槽(55)具有走向方向(r)，并且所述沟槽(55)既不在沿着所述走向方向(r)的方向上，也不在相反于所述走向方向(r)的方向上由所述模块壳体(50)限定。
5.根据权利要求2或4所述的功率半导体模块系统，其中，所述沟槽(55)具有走向方向(r)并且所述模块壳体(50)在安装的状态之下在所述走向方向(r)之上至少在所述沟槽(55)的范围之中具有比所述电路板(200)更大的宽度。
6.根据权利要求2或4所述的功率半导体模块系统，其中，所述沟槽(55)具有走向方向(r)并且所述模块壳体(50)在安装的状态之下在所述走向方向(r)之上至少在所述沟槽(55)的范围之中具有比所述电路板(200)更小的宽度。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块系统，其中，所述第一绝缘支撑体(11)和所述第二绝缘支撑体(12)一起形成单块的或者多块的环形结构，其环形地环绕所述电路板(200)。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块系统，其中，所述第一绝缘支撑体(11)和所述第二绝缘支撑体(12)相互关联地加以构造并且形成一个单元，所述单元环形地环绕所述电路板(200)。
9.根据权利要求8所述的功率半导体模块系统，其中，所述单元被构造为闭合的环，所述环移动至所述电路板(200)之上。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块系统，其中：
所述第一绝缘支撑体(11)具有多个第一调整引脚(112)，所述多个第一调整引脚分别嵌入所述电路板(200)的相应的第一调整孔(212)之中；和/或
所述第二绝缘支撑体(12)具有多个第二调整引脚(122)，所述多个第二调整引脚分别嵌入所述电路板(200)的相应的第二调整孔(222)之中。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块系统，其中：
所述第一绝缘支撑体(11)与所述电路板(200)粘合；和/或
所述第二绝缘支撑体(12)与所述电路板(200)粘合。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块系统，其具有第三绝缘支撑体(13)，其被构造为所述模块壳体(50)的组成部分或者固定地与该模块壳体(50)连接，并且被设置在所述第一电连接端组(10)和所述第二电连接端组(20)之间。
13.根据权利要求12所述的功率半导体模块系统，其中，所述第三绝缘支撑体(13)与所述电路板(200)粘合。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块系统，其中，所述第一电连接端(1)和所述第二电连接端(2)：
分别被构造为钎焊连接端，其中，在安装的状态之下所述第一电连接端(1)与所述第一电极(210)并且所述第二电连接端(2)与所述第二电极(220)焊接；或者
分别被构造为烧焊连接端，其中，在安装的状态之下所述第一电连接端(1)与所述第一电极(210)并且所述第二电连接端(2)与所述第二电极(220)烧焊；
分别被构造为螺栓连接端，其中，在安装的状态之下所述第一电连接端(1)与所述第一电极(210)并且所述第二电连接端(2)与所述第二电极(220)螺接；或者
分别被构造为根据DIN 41611-9:1987-12或者根据DIN EN(IEC)60352-5,2008-11的压入连接，其中，在安装的状态之下所述第一电连接端(1)中的每个分别压入所述第一电极(210)的相应的第一开口(201)并且所述第二电连接端(2)中的每个分别压入所述第二电极(220)的相应的第二开口(202)；
分别被构造为弹性接触，其中，在安装的状态之下所述第一电连接端(1)中的每个弹性地并且在构造有电的压接连接的情况下相对于所述第一电极(210)压紧并且所述第二电连接端(2)中的每个弹性地并且在构造有电的压接连接的情况下相对于所述第二电极(220)压紧。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块系统，其中：
所述功率半导体模块(100)具有最大允许的运行电压(Umax)，所述运行电压允许被施加在所述第一电连接端组(10)和所述第二电连接端组(20)之间；并且
所述第一电连接端组(10)和所述第二电连接端组(20)具有连接端组间距(d)，所述连接端组间距至少满足以下标准中的至少一个或者任意的组合，只要这些标准不相互排斥：
-所述连接端组间距(d)小于所述最大的允许运行电压(Umax)的(0.0070mm/V)倍；
-所述连接端组间距(d)小于所述最大的允许运行电压(Umax)的(0.0045mm/V)倍；
-所述连接端组间距(d)小于7mm并且所述最大的允许运行电压(Umax)为1200V；
-所述连接端组间距(d)小于11.5mm并且所述最大的允许运行电压(Umax)为1700V；
-所述连接端组间距(d)至少为1.5mm。
16.一种用于制造功率半导体模块装置的方法，其具有以下步骤：
提供依据前述权利要求中任一项所述的功率半导体模块系统；
将电路板(200)如此地安装至所述功率半导体模块(100)，使得在安装的状态之下所述第一电连接端(1)中的每个与所述第一电极(210)导电连接并且所述第二电连接端(2)中的每个与所述第二电极(220)导电连接。
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述功率半导体模块系统具有第一绝缘支撑体(11)，其在将所述电路板(200)安装至所述功率半导体模块(100)之前固定地与所述电路板(200)连接；和/或
所述功率半导体模块系统具有第二绝缘支撑体(12)，其在将所述电路板(200)安装至所述功率半导体模块(100)之前固定地与所述电路板(200)连接。
18.根据权利要求16或17所述的方法，其中：
所述功率半导体模块系统(400)具有带有第一调整引脚(112)的第一绝缘支撑体(11)，其中，所述第一绝缘支撑体(11)在将所述电路板(200)安装至所述功率半导体模块(100)之前固定地与所述电路板(200)连接，从而使得所述第一调整引脚(112)分别嵌入所述电路板(200)的相应的第一调整孔(212)之中并且在将所述电路板(200)安装至所述功率半导体模块(100)期间与所述第一调整孔(212)保持嵌入，和/或
所述功率半导体模块系统(400)具有带有第二调整引脚(122)的第二绝缘支撑体(12)，其中，所述第二绝缘支撑体(12)在将所述电路板(200)安装至所述功率半导体模块(100)之前固定地与所述电路板(200)连接，从而使得所述第二调整引脚(122)分别嵌入所述电路板(200)的相应的第二调整孔(222)之中并且在将所述电路板(200)安装至所述功率半导体模块(100)期间与所述第二调整孔(222)保持嵌入。
19.根据权利要求16或17任一项所述的方法，其中，所述功率半导体模块系统具有第一绝缘支撑体(11)和第二绝缘支撑体(12)，它们与所述电路板(200)固定地加以连接并且在其安装至所述电路板(200)之前相互可移动地加以连接。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10008411B2 (en) * 2016-12-15 2018-06-26 Infineon Technologies Ag Parallel plate waveguide for power circuits
US10312167B2 (en) 2017-02-15 2019-06-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor package, assembly and module arrangements for measuring gate-to-emitter/source voltage
CN109168250B (zh) * 2018-10-24 2020-04-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种电路板及其制作方法、使用方法、显示装置
US11262813B2 (en) * 2020-05-05 2022-03-01 Quanta Computer Inc. Double-sided and tool-less M.2 module design
US11705825B2 (en) * 2020-07-31 2023-07-18 Rivian Ip Holdings, Llc Inverter insulator apparatus and method
JP2022067442A (ja) * 2020-10-20 2022-05-06 シンフォニアテクノロジー株式会社 インバータ用平滑回路、および、航空機用のインバータ
DE102022211659A1 (de) 2022-11-04 2024-05-08 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungsmodul und Anordnung mit einem Leistungsmodul

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1450640A (zh) * 2002-04-08 2003-10-22 株式会社日立制作所 半导体装置
CN101552264A (zh) * 2008-02-27 2009-10-07 英飞凌科技股份有限公司 功率模块
CN102110680A (zh) * 2009-10-30 2011-06-29 通用电气公司 具有降低电感的功率模块组件
CN102315209A (zh) * 2010-06-18 2012-01-11 富士电机株式会社 功率半导体模块

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6078501A (en) * 1997-12-22 2000-06-20 Omnirel Llc Power semiconductor module
US6212087B1 (en) * 1999-02-05 2001-04-03 International Rectifier Corp. Electronic half bridge module
US6845017B2 (en) * 2000-09-20 2005-01-18 Ballard Power Systems Corporation Substrate-level DC bus design to reduce module inductance
US6987670B2 (en) * 2003-05-16 2006-01-17 Ballard Power Systems Corporation Dual power module power system architecture
US7505294B2 (en) * 2003-05-16 2009-03-17 Continental Automotive Systems Us, Inc. Tri-level inverter
DE10352671A1 (de) * 2003-11-11 2005-06-23 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungsmodul
US20050207134A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Belady Christian L Cell board interconnection architecture
US7289329B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-30 Siemens Vdo Automotive Corporation Integration of planar transformer and/or planar inductor with power switches in power converter
DE102005026233B4 (de) 2005-06-07 2008-08-07 Tyco Electronics Ec Kft Elektrisches Leistungsmodul
US8198712B2 (en) * 2006-06-07 2012-06-12 International Rectifier Corporation Hermetically sealed semiconductor device module
US8227908B2 (en) * 2008-07-07 2012-07-24 Infineon Technologies Ag Electronic device having contact elements with a specified cross section and manufacturing thereof
FR2940589B1 (fr) * 2008-12-24 2011-01-14 Sagem Defense Securite Carte electrique modulaire pour composants de puissance.
CN102929331A (zh) * 2011-08-08 2013-02-13 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 固态硬盘扩展装置及支持所述扩展装置的主板
JP2014050118A (ja) 2012-08-29 2014-03-17 Hitachi Ltd 電気回路装置および電気回路装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1450640A (zh) * 2002-04-08 2003-10-22 株式会社日立制作所 半导体装置
CN101552264A (zh) * 2008-02-27 2009-10-07 英飞凌科技股份有限公司 功率模块
CN102110680A (zh) * 2009-10-30 2011-06-29 通用电气公司 具有降低电感的功率模块组件
CN102315209A (zh) * 2010-06-18 2012-01-11 富士电机株式会社 功率半导体模块

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