CN105302400A - 电容屏及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电容屏及其制造方法，属于触控面板制造技术领域，提供一种表面抗氧化能力强，且厚度更薄的电容屏及其制造方法。所述电容屏，包括基板，在基板的上表面和/或下表面的中部区域设置有ITO图案层；在ITO图案层的外围的基板上设置有金属导电层，所述金属导电层包括多条彼此独立的金属导线，每条金属导线与ITO图案层内对应的ITO图案连通；在每条金属导线的上方还设置有与金属导线形状对应的ITO保护层。本发明通过ITO层起到对金属导电层的抗氧化保护，保证了电容屏的表面抗氧化能力，且可使电容屏做的更薄。本发明的制造方法，采用目前成熟的真空镀以及黄光工艺，通过适当的加工顺序，即可制得本发明所述的电容屏，其工序简单，效率高。

Description

电容屏及其制造方法

技术领域

本发明涉及触控面板制造技术领域，特别涉及一种电容屏及其制造方法。

背景技术

随着近年来电子设备的快速发展，通过触控方式进行交互的电容屏已得到广泛应用，如在手机、MP3、数码相机、平板电脑、导航仪、显示器等各中产品中得到广泛应用。

目前，电容屏的制造工艺主要为黄光工艺，通过对ITO层进行刻蚀形成特定的图案层，然后再ITO层四周的上放制备一层导电层，用于导电。然而，现有的电容屏，其导电层通常采用钼铝钼或者铜等制成，而且是直接铺设在ITO层的上方，如申请号为201110252586.7的发明专利以及申请号为201210227470.2的发明专利中，均是在ITO层上设置一层铜导电层；在申请号为201320532354.1的实用新型专利中，则是在ITO层上设置一层钼铝钼导电层。不论采用钼铝钼还是采用铜作为导电层，通常为了增强电容屏表面的抗氧化能力，需要在导电层上方额外设置一层保护层，否则电容屏表面的抗氧化能力将非常低。而一旦增加一层保护层，则无疑将导致电容屏的厚度增加，制造工艺更加复杂；在如今电子产品不断追求超薄的环境趋势下，对电容屏厚度的要求无疑是越薄越好，因此，每减少一定厚度的电容屏，将获得巨大的市场。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种表面抗氧化能力强，且厚度更薄的电容屏及其制造方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：电容屏，包括基板，在基板的上表面和/或下表面的中部区域设置有ITO图案层；在ITO图案层的外围的基板上设置有金属导电层，所述金属导电层包括多条彼此独立的金属导线，每条金属导线与ITO图案层内对应的ITO图案连通；在每条金属导线的上方还设置有与金属导线形状对应的ITO保护层。

进一步的是：所述ITO图案层和ITO保护层由同一次真空镀作业形成的一体结构。

进一步的是：所述金属导电层为铜。

进一步的是：所述金属导电层的厚度为

进一步的是：所述基板为玻璃或者PET。

另外，本发明还提供一种制造上述电容屏的方法，包括如下步骤：

A)通过真空镀方法，在基板的上表面和/或下表面获得金属导电层；

B)通过金属蚀刻方法，将金属导电层上的中部区域去除，同时露出相应基板的表面，留下边框结构的金属导电层；

C)通过真空镀方法，在边框结构的金属导电层的表面以及金属层中部区域的基板表面获得ITO层；

D)通过ITO蚀刻方法，将边框结构的金属导电层上的ITO层蚀刻成ITO保护层，将金属导电层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层；

E)通过金属蚀刻方法，将边框结构的金属导电层中未被上层ITO保护层覆盖的区域去除，形成多条彼此独立的金属导线。

进一步的是：步骤B)中的金属蚀刻方法，包括如下步骤：

B1)第一次压膜，在金属导电层上压制一层干膜层；

B2)第一次曝光，在干膜层上铺设底片，然后进行曝光；

B3)第一次显影，曝光后干膜层的中部区域被去除，留下边框结构的干膜层；

B4)第一次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被边框结构的干膜层覆盖的金属去除，并暴露出相应基板的表面，留下边框结构的金属导电层；

B5)第一次脱膜，将边框结构的干膜层去除。

进一步的是：步骤D)中的ITO蚀刻方法与步骤E)中的金属蚀刻方法连续进行，包括如下步骤：

D1)第二次压膜，在ITO层上压制一层干膜层；

D2)第二次曝光，在干膜层上铺设底片，然后进行曝光；

D3)第二次显影，曝光后形成相应图案结构的干膜层；

D4)第一次蚀刻ITO，使用ITO蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层覆盖的ITO去除，将边框结构的金属导电层上的ITO层蚀刻成ITO保护层，将金属层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层；

E1)第二次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层以及对应ITO保护层覆盖的金属去除，并暴露出相应基板的表面，形成多条彼此独立的金属导线；

E2)第二次脱膜，将图案结构的干膜层去除。

本发明的有益效果是：通过将金属导电层直接设置在ITO层的下方，由ITO层起到对金属导电层的抗氧化保护，保证了电容屏的表面抗氧化能力，因此可无需再设置专门用于导电层抗氧化的保护层结构，这样即可使电容屏做的更薄。另外，本发明所述的制造方法，采用目前成熟的真空镀以及黄光工艺，通过适当的加工顺序，即可得到本发明所述的电容屏，其制造过程成熟、简单，可提高电容屏的制造效率。另外，通过采用金属铜作为金属导电层，可制得导线边沿整齐，导电性能稳定的额金属导电层。

附图说明

图1至12为制备本发明所述的电容屏的各个阶段的结构示意图，并且每个图中由上方的主视图和下方的俯视图构成；

图中标记为：基板1；ITO图案层2；ITO层2a；金属导电层3；金属导电层3a；边框结构的金属导电层3b；金属导线31；ITO保护层4；干膜层5；边框结构的干膜层5a；图案结构的干膜层5b；底片6。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明，但是本发明所保护的范围并不仅限于以下具体实施例，在本领域技术人员无需付出创造性努力的情况下做出的修改、等同替换、改进等均应当属于本发明的保护范围。

如图12所示，本发明所述的电容屏，包括基板1，在基板1的上表面和/或下表面的中部区域设置有ITO图案层2；在ITO图案层2的外围的基板1上设置有金属导电层3，所述金属导电层3包括多条彼此独立的金属导线31，每条金属导线31与ITO图案层2内对应的ITO图案连通；在每条金属导线31的上方还设置有与金属导线31形状对应的ITO保护层4。其中，ITO保护层4的作用是覆盖在金属导线31上，以起到对金属导线31的抗氧化保护作用，因此无需在额外设置专门的额保护层结构，可降低电容屏的厚度，使其做得更薄。

另外，进一步，上述中的ITO图案层2和ITO保护层4可以是由同一次真空镀作业形成的一体结构；这样的好处是可使得ITO图案层2和ITO保护层4为无缝连接，二者的密封效果更好；可提高对金属导电层的保护效果。

另外，金属导电层3的作用是实现导电，考虑到铜具有较好的导线性能，且易于刻蚀，能获得较好的导线边沿，因此本发明优选采用铜作为金属导电层3；同时可在保证导电性能符合要求的情况下，设置导电层3的厚度为这样可确保其厚度适中，尽量降低电容屏的厚度。

另外，基板1通常可采用玻璃或者PET材质。

另外，本发明还提供制造上述电容屏的方法，其按照如下步骤进行，具体也可参照图1只图12所示流程：

A)通过真空镀方法，在基板1的上表面和/或下表面获得金属导电层3a；

B)通过金属蚀刻方法，将金属导电层3a上的中部区域去除，同时露出相应基板1的表面，留下边框结构的金属导电层3b；

C)通过真空镀方法，在边框结构的金属导电层3b的表面以及金属层中部区域的基板1表面获得ITO层2a；

D)通过ITO蚀刻方法，将边框结构的金属导电层3b上的ITO层蚀刻成ITO保护层4，将金属导电层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层2；

E)通过金属蚀刻方法，将边框结构的金属导电层3b中未被上层ITO保护层4覆盖的区域去除，形成多条彼此独立的金属导线31。

其中，真空镀方法为现有技术，其通常分为真空蒸镀、溅射镀和离子镀几种类型，均是在真空条件下，通过蒸馏或溅射等方式在形成相应的薄膜层。

而所谓蚀刻方法，如步骤B)中的金属蚀刻方法和步骤D)的ITO蚀刻方法，均指的是黄光工艺，其通常包括压膜、曝光、显影、蚀刻和脱膜等几个步骤；如在本发明中的步骤B)中，通常包括如下几个步骤：

B1)第一次压膜，在金属导电层3上压制一层干膜层5；

B2)第一次曝光，在干膜层5上铺设底片6，然后进行曝光；

B3)第一次显影，曝光后干膜层5的中部区域被去除，留下边框结构的干膜层5a；

B4)第一次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被边框结构的干膜层5a覆盖的金属去除，并暴露出相应基板1的表面，留下边框结构的金属导电层3b；

B5)第一次脱膜，将边框结构的干膜层5a去除。

另外，考虑到在步骤D)和步骤E)中需要连续进行刻蚀作业，而且两次刻蚀的材料部分相同，因此，可将步骤D)中的ITO蚀刻方法与步骤E)中的金属蚀刻方法连续进行，包括如下步骤：

D1)第二次压膜，在ITO层2a上压制一层干膜层5；

D2)第二次曝光，在干膜层5上铺设底片6，然后进行曝光；

D3)第二次显影，曝光后形成相应图案结构的干膜层5b；

D4)第一次蚀刻ITO，使用ITO蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层5b覆盖的ITO去除，将边框结构的金属导电层3b上的ITO层蚀刻成ITO保护层4，将金属层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层2；

E1)第二次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层5b以及对应ITO保护层4覆盖的金属去除，并暴露出相应基板1的表面，形成多条彼此独立的金属导线31；

E2)第二次脱膜，将图案结构的干膜层5b去除。

至此即可得到本发明所述的电容屏；如图12中所示。

综上，本发明所述的电容屏，其通过将金属导电层3设置在ITO层和基板1之间，由ITO层中的ITO保护层4直接对金属导电层3进行抗氧化保护；因此可确保电容屏的表面抗氧化能力较强，同时无需在额外设置一层专门的抗氧化保护层，因此电容屏的厚度可做得更薄。而本发明所述的方法，则利用目前技术成熟的真空镀工艺和黄光工艺，通过合理设置工序，实现了对本发明所述的电容屏的制造，同时其工序简单、合理，可提高目前制造电容屏的效率、增大产量和节约成本。

Claims (8)

1.电容屏，包括基板(1)，其特征在于：在基板(1)的上表面和/或下表面的中部区域设置有ITO图案层(2)；在ITO图案层(2)的外围的基板(1)上设置有金属导电层(3)，所述金属导电层(3)包括多条彼此独立的金属导线(31)，每条金属导线(31)与ITO图案层(2)内对应的ITO图案连通；在每条金属导线(31)的上方还设置有与金属导线(31)形状对应的ITO保护层(4)。

2.如权利要求1所述的电容屏，其特征在于：所述ITO图案层(2)和ITO保护层(4)由同一次真空镀作业形成的一体结构。

3.如权利要求1所述的电容屏，其特征在于：所述金属导电层(3)为铜。

4.如权利要求3所述的电容屏，其特征在于：所述金属导电层(3)的厚度为

5.如权利要求1所述的电容屏，其特征在于：所述基板(1)为玻璃或者PET。

6.用于制造上述权利要求1至5中任一项所述的电容屏的制造方法，其特征在于：按照如下步骤进行：

A)通过真空镀方法，在基板(1)的上表面和/或下表面获得金属导电层(3a)；

B)通过金属蚀刻方法，将金属导电层(3a)上的中部区域去除，同时露出相应基板(1)的表面，留下边框结构的金属导电层(3b)；

C)通过真空镀方法，在边框结构的金属导电层(3b)的表面以及金属层中部区域的基板(1)表面获得ITO层(2a)；

D)通过ITO蚀刻方法，将边框结构的金属导电层(3b)上的ITO层蚀刻成ITO保护层(4)，将金属导电层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层(2)；

E)通过金属蚀刻方法，将边框结构的金属导电层(3b)中未被上层ITO保护层(4)覆盖的区域去除，形成多条彼此独立的金属导线(31)。

7.如权利要求6所述的电容屏的制造方法，其特征在于：步骤B)中的金属蚀刻方法，包括如下步骤：

B1)第一次压膜，在金属导电层(3)上压制一层干膜层(5)；

B2)第一次曝光，在干膜层(5)上铺设底片(6)，然后进行曝光；

B3)第一次显影，曝光后干膜层(5)的中部区域被去除，留下边框结构的干膜层(5a)；

B4)第一次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被边框结构的干膜层(5a)覆盖的金属去除，并暴露出相应基板(1)的表面，留下边框结构的金属导电层(3b)；

B5)第一次脱膜，将边框结构的干膜层(5a)去除。

8.如权利要求7所述的电容屏的制造方法，其特征在于：步骤D)中的ITO蚀刻方法与步骤E)中的金属蚀刻方法连续进行，包括如下步骤：

D1)第二次压膜，在ITO层(2a)上压制一层干膜层(5)；

D2)第二次曝光，在干膜层(5)上铺设底片(6)，然后进行曝光；

D3)第二次显影，曝光后形成相应图案结构的干膜层(5b)；

D4)第一次蚀刻ITO，使用ITO蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层(5b)覆盖的ITO去除，将边框结构的金属导电层(3b)上的ITO层蚀刻成ITO保护层(4)，将金属层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层(2)；

E1)第二次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层(5b)以及对应ITO保护层(4)覆盖的金属去除，并暴露出相应基板(1)的表面，形成多条彼此独立的金属导线(31)；

E2)第二次脱膜，将图案结构的干膜层(5b)去除。