CN105245206A - 一种复合波形的发生电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种复合波形的发生电路，包括复合波产生电路与放大输出电路，四种波形经反向器以及多个与门后进行复合形成一种用于治疗鼾症的复合波，并在放大输出电路中经过MOSFET后经DA控制器由变压器进行放大。本发明有效的解决了耐受强度不高及针刺感，更易达到人体组织深度，可有效的解决人体易产生适应性的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种发生电路，具体涉及一种用于治疗鼾症的复合波形的发生电路。
背景技术
鼾症俗称打呼噜，是致人类死亡的四大疾病之一，全球每天约有4000人死于因打呼噜造成的各种疾病。我国至少有2亿人打鼾，但鼾症的有效治疗方法却非常有限。
现有的通过简单脉冲串进行治疗的方法有耐受强度不高，强度增大时有针刺感，人体易产生适应性，不易达到人体组织深度等缺点。
发明内容
本发明为了改善上述缺点，提供了一种使用四个频率的波形组成的一种复合波来治疗鼾症。
本发明采用的技术方案为：一种复合波形的发生电路，包括：
复合波产生电路，将四种不同波形进行复合，生成正负双向的复合波；
放大输出电路，用于将复合波正负向合成复合波并放大输出；
在复合波产生电路中，波形a通过反相器后生成波形e，波形b和波形a通过第一与门后生成波形f，波形b和波形e通过第二与门生成波形g，波形c和波形d通过第三与门生成波形h，波形f和波形h通过第四与门生成正向复合波，波形g和波形h通过第五与门生成负向复合波；
所述的正向复合波和负向复合波分别通过电阻R1和电阻R2之后连接第一MOSFET和第二MOSFET的栅极，第一MOSFET和第二MOSFET的源极均接地，第一MOSFET和第二MOSFET的漏极分别连接两个变压器输入端的其中一，DA控制器连接两个变压器的另一端。
进一步，波形a的频率为6000-100000Hz，波形b的频率为1000-6000Hz，波形c的频率为20-30Hz，波形d的频率小于0.05Hz。
本发明产生的有益效果是：采用四种频率的波形复合，中频的波形a和波形b，有效的解决了耐受强度不高及针刺感，更易达到人体组织深度，低频的波形c，使骨骼肌可以产生最大肌张力，波形d用来调节治疗时间和休息时间，使肌肉可以得到休息，四个频率的波形可有效的解决耐受强度不高，强度增大时有针刺感，人体易产生适应性，不易达到人体组织深度等缺点。
附图说明
图1为本发明的复合波产生电路图；
图2为本发明的放大输出模块电路图；
图3为实施例中波形a和波形b的波形图及其复合波形；
图4为实施例中波形c和波形d的波形图及其复合波形；
图5为实施例中产生的复合波形；
图6为复合波形中40ms内的详细波形。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
本发明是将四个频率的波形复合而来，波形a和波形b为中频，有效的解决了耐受强度不高及针刺感，更易达到人体组织深度；波形c为低频，使骨骼肌可以产生最大肌张力；波形d用来调节治疗时间和休息时间，使肌肉可以得到休息，四个频率的波形可有效的解决人体易产生适应性的问题。
通过复合波产生电路将波形a、波形b、波形c、波形d进行复合，生成正负双向的复合波，复合波产生电路如图1所示。波形a通过反相器1后生成波形e，波形a和波形b通过第一与门2后生成波形f，波形b和波形e通过第二与门3生成波形g，波形c和波形d通过第三与门4生成波形h，波形f和波形h通过第四与门5生成正向复合波，波形g和波形h通过第五与门6生成负向复合波。
如图2所示，正向复合波和负向复合波分别通过电阻R1和电阻R2之后连接第一MOSFET8和第二MOSFET9的栅极，第一MOSFET8和第二MOSFET9的源极均接地，第一MOSFET8和第二MOSFET9的漏极分别连接变压器TC1和变压器TC2的其中一端，DA控制器7连接变压器TC1和变压器TC2的另一端,形成了复合波的两个输入通道。
正向复合波与负向复合波分别驱动MOSFET通过一个变压器合成为复合波并放大输出。在复合波的合成中，通过DA控制器7控制变压器中心的电压可以控制输出的幅度。
由于中频电作用于皮肤，对皮神经和感受器没有强烈的刺激，强的中频电刺激作用于患者引起肌肉收缩时，患者也没有疼痛感，故中频电疗患者可以耐受较大的强度。人体的肌肉收缩的阈值与痛阈有明显分离的刺激频率为6000~8000Hz，故大于这个频率引起肌肉收缩时，患者没有疼痛感，可以耐受更大的强度，并没有针刺感。中频电的频率为1000~100000Hz，所以波形a频率为6000~100000Hz，波形b为1000~6000Hz。
在20~30Hz的频率下骨骼肌可以产生最大肌张力，在这种张力下可以维持肌肉长时间的有效收缩，故波形c的频率为20~30Hz。
由于鼾症的监测中10秒以上为暂停，故休息时间最多为10秒，治疗时间选择为10秒以上，所以波形4的频率为低于0.05Hz。
以下是本发明的一种实施例：
取波形a频率为20000Hz的对称方波；波形b频率为2000Hz的对称方波；波形c频率为25Hz对称方波；波形d频率为0.025Hz方波。
如图3所示，波形a通过反相器1后生成波形e，波形b和波形a通过第一与门2后生成波形f，波形b和波形e通过第二与门3生成波形g。
如图4所示，波形c和波形d通过第三与门4产生波形h，其中波形d的占空比为3:1。
如图5所示，波形f和波形g分别和波形h通过第四与门5和第五与门6生成正向复合波和负向复合波，正向复合波和负向复合波分别驱动第一MOSFET8和第二MOSFET9并通过变压器TC1和TC2放大后输出复合波，治疗时间为30S，休息时间为10S。
如图6所示，在治疗的30S内由多个40ms波形组成，其中包括20ms正向部分和20ms负向部分，在20ms的正向部分中，每五个相邻脉冲之间的间隔为250us，每一个脉冲时间为50us。
Claims (2)
1.一种复合波形的发生电路，其特征在于，包括：
复合波产生电路，将四种不同波形进行复合，生成正负双向的复合波；
放大输出电路，用于将复合波正负向合成复合波并放大输出；
在复合波产生电路中，波形a通过反相器后生成波形e，波形b和波形a通过第一与门后生成波形f，波形b和波形e通过第二与门生成波形g，波形c和波形d通过第三与门生成波形h，波形f和波形h通过第四与门生成正向复合波，波形g和波形h通过第五与门生成负向复合波；
所述的正向复合波和负向复合波分别通过电阻R1和电阻R2之后连接第一MOSFET和第二MOSFET的栅极，第一MOSFET和第二MOSFET的源极均接地，第一MOSFET和第二MOSFET的漏极分别连接两个变压器输入端的其中一，DA控制器连接两个变压器的另一端。
2.根据权利要求1所述的一种复合波形的发生电路，其特征在于：波形a的频率为6000-100000Hz，波形b的频率为1000-6000Hz，波形c的频率为20-30Hz，波形d的频率小于0.05Hz。
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| CN201510770980.8A CN105245206A (zh) | 2015-11-12 | 2015-11-12 | 一种复合波形的发生电路 |
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| CN (1) | CN105245206A (zh) |
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2015
- 2015-11-12 CN CN201510770980.8A patent/CN105245206A/zh active Pending
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