CN105182617B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板及其制造方法，显示面板包括第一基板、位于第一基板上的像素阵列、覆盖像素阵列的第一配向层、位于第一基板对向侧的第二基板、位于第二基板上的第二配向层以及位于第一配向层与第二配向层之间的显示介质。第一配向层具有多个第一配向颗粒。在一单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占第一配向颗粒总量的40％以下。第二配向层具有多个第二配向颗粒。在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占第二配向颗粒总量的40％以下。本发明实施例的技术方案能制造出具有短下降时间的显示面板。
Description
技术领域
本发明是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种显示面板。
背景技术
公知的多域垂直配向式(multi-domain vertically alignment；MVA)液晶显示面板是利用配向结构(alignment structure)的配置使不同区域内的液晶分子以不同角度倾倒，而达到广视角的功效。配向结构包括配向凸块(alignment protrusion)以及设置于像素电极上的配向狭缝(alignment slit)。然而，位于配向凸块与配向狭缝周边的液晶分子的倾倒方向往往不连续，而造成漏光的情形，使得液晶显示面板的对比度降低。若为了降低漏光程度，在对应于配向凸块或配向狭缝处配置遮光层，又会使得液晶显示面板的开口率下降。因此，一种聚合物稳定配向(Polymer－stabilized alignment；PSA)工艺被提出，以改善多域垂直配向式液晶显示面板的对比度不佳的问题。
在公知的聚合物稳定配向工艺中，先将可聚合单体掺在液晶材料中，以形成一显示介质组成物。接着，将显示介质组成物填入液晶显示面板的上基板与下基板之间。然后，通过像素阵列施与显示介质组成物一特定电压，并在此特定电压下，以光线照射显示介质组成物，使可聚合单体聚合，以于液晶分子与上下基板的交界处形成聚合物稳定配向层。虽然，此聚合物稳定配向层可显着缩减液晶显示面板的上升时间(risingtime；即液晶显示面板穿透率由10％变化至90％所需要的时间)，但确会使液晶显示面板的下降时间(fallingtime；即液晶显示面板穿透率由90％变化至10％所需要的时间)变长。
发明内容
本发明提供一种显示面板，其下降时间短。
本发明提供一种显示面板的制造方法，其所制造出的显示面板具有短下降时间。
本发明的显示面板，包括第一基板、位于第一基板上的像素阵列、覆盖像素阵列的第一配向层、位于第一基板对向侧的第二基板、位于第二基板上的第二配向层以及位于第一配向层与第二配向层之间的显示介质。第一配向层具有多个第一配向颗粒。在一单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占第一配向颗粒总量的40％以下。第二配向层具有多个第二配向颗粒。在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占第二配向颗粒总量的40％以下。
于一实施例中，该单位面积实质上为3.15x106nm2。
于一实施例中：
在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的20％至40％，且
在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的20％至40％。
于一实施例中：
在所述单位面积中，面积介于1000nm2至2000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的15％至30％，且
在所述单位面积中，面积介于1000nm2至2000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的15％至30％。
于一实施例中：
在所述单位面积中，面积介于2000nm2至3000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的10％至25％，且
在所述单位面积中，面积介于2000nm2至3000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的10％至25％。
于一实施例中：
在所述单位面积中，面积介于3000nm2至4000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的5％至15％，且
在所述单位面积中，面积介于3000nm2至4000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的5％至15％。
于一实施例中：
在所述单位面积中，面积5000nm2以上的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的10％至25％，且
在所述单位面积中，面积5000nm2以上的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的10％至25％。
本发明的显示面板的制造方法，包括下列步骤：在第一基板上形成像素阵列以及第一配向层；在第二基板上形成第二配向层；制备一显示介质组成物，其包括正型或负型液晶材料以及可聚合单体，可聚合单体能够在紫外光照射下发生聚合反应；将第一基板与第二基板组立在一起，并且将显示介质组成物填入至第一基板的第一配向层与第二基板的第二配向层之间；进行第一次熟化程序，第一次熟化程序包括同时进行照光步骤以及施加第一电压于像素阵列；进行第二次熟化程序，第二次熟化程序包括进行照光步骤，以使得可聚合单体进行一聚合反应，以于第一配向层上形成多个第一配向颗粒，并且于第二配向层上形成多个第二配向颗粒，其中在一单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占第一配向颗粒总量的40％以下，且在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占第二配向颗粒总量的40％以下。
于一实施例中，该第一次熟化程序的该照光步骤的波长介于200纳米至450纳米，该第一次熟化程序的该照光步骤的时间介于0分钟至10分钟，且该第一次熟化程序的该照光步骤的照光能量介于0mW/cm2至150mW/cm2，该第一次熟化程序所施加的第一电压介于0伏特至30伏特。
于一实施例中，该第二次熟化程序的该照光步骤的波长介于200纳米至450纳米，该第二次熟化程序的该照光步骤的时间介于0分钟至180分钟，且第二次熟化程序的该照光步骤的照光能量介于0mW/cm2至150mW/cm2，且该第二次熟化程序未施加电压。
于一实施例中，该显示介质组成物还包括稳定剂，且该可聚合单体的重量百分比介于0.1％至1％。
基于上述，本发明一实施例的显示面板制造方法利用二阶段的熟化程序，使得在最终制得的显示面板的单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占第一配向颗粒p1的总量的40％以下，且在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占第二配向颗粒的总量的40％以下，进而使显示面板的下降时间短。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示面板制造方法的流程图。
图2A～图2D为本发明一实施例的显示面板制造方法的剖面示意图。
图3为在一单位面积中图2D的第一配向层及多个第一配向颗粒的上视示意图。
图4为在所述单位面积中图2D的第二配向层及多个第二配向颗粒的上视示意图。
其中，附图标记说明如下：
100：显示面板
110：第一基板
120：第二基板
A：像素阵列
COM：共用电极
IHB：稳定剂
L1、L2：光束
LC：液晶材料
MX：显示介质组成物
MX’：显示介质
PI1：第一配向层
p1：第一配向颗粒
PI2：第二配向层
p2：第二配向颗粒
RM：可聚合单体
R：单位面积
S110～S160：步骤
V1：第一电压
具体实施方式
图1为本发明一实施例的显示面板制造方法的流程图。请参照图1，显示面板的制造方法包括下列步骤：在第一基板上形成像素阵列以及第一配向层(步骤S110)；在第二基板上形成第二配向层(步骤S120)；制备显示介质组成物，其包括正型或负型液晶材料及可聚合单体，可聚合单体在紫外光照射下能够发生聚合反应(步骤S130)；将第一基板与第二基板组立在一起，并且将显示介质组成物填入第一基板的第一配向层与第二基板的第二配向层之间(步骤S140)；进行第一次熟化程序(curing)，第一次熟化程序包括同时进行照光步骤以及施加第一电压于像素阵列(步骤S150)；进行第二次熟化程序(curing)，第二次熟化程序包括进行照光步骤，以使得可聚合单体进行聚合反应，以于第一配向层上形成多个第一配向颗粒，并且于第二配向层上形成多个第二配向颗粒，其中在单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占第一配向颗粒总量的40％以下，且在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占第二配向颗粒总量的40％以下(步骤S160)。
需说明的是，前述步骤S110～S130的顺序可做适当的更动，举例而言，可先进行步骤S110后，再依序进行步骤S130、S120、S140～S160；可先进行步骤S120后，再依序进行步骤S110、S130、S140～S160；可先进行步骤S120后，再依序进行步骤S130、S110、S140～S160；可先进行步骤S130后，再依序进行步骤S110、S120、S140～S160；或者，可先进行步骤S130后，再依序进行步骤S120、S110、S140～S160。
以下将搭配图2A～图2D，举例说明本发明一实施例的显示面板的制造方法。图2A～图2D为本发明一实施例的显示面板制造方法的剖面示意图。请参照图2A，首先，在第一基板110上形成像素阵列A以及第一配向层PI1。详言之，可先提供第一基板110。第一基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其它适当材料。接着，可利用半导体工艺技术，于第一基板110上形成像素阵列A。像素阵列A至少包括多个主动元件(未示出)、多个像素电极(未示出)、多条数据线(未示出)以及多条扫描线(未示出)。主动元件例如为具有源极、栅极与漏极的薄膜晶体管。数据线与主动元件的源极电性连接。扫描线与主动元件的栅极电性连接。像素电极与主动元件的漏极电性连接。接着，在像素阵列A上形成第一配向层PI1。在本实施例中，可用滚筒(roller)
印刷的方式将配向液转印至像素阵列A上，进而形成第一配向层PI1。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，亦可采用旋转涂布法(spinning coating)、喷墨法(PIinkjet)或其他适当方法形成的。第一配向层PI1的材质例如为具有酰胺键及/或酰亚胺键的聚合物，但本发明不限于此，在其他实施例中，第一配向层PI1亦可选用其他适当材料。
接着，在第二基板120上形成第二配向层PI2。第二基板120的材质、形成第二配向层PI2的方法以及第二配向层PI2的材质分别与第一基板110的材质、形成第一配向层PI1的方法以及第一配向层PI1的材质类似，于此便不再重述。接着，制备显示介质组成物MX。显示介质组成物MX至少包括正型或负型液晶材料LC以及能够在紫外光照射下发生聚合反应的可聚合单体(reactive monomer)RM。可聚合单体RM至少包括第一感光性单体。在本实施例中，可聚合单体RM更可选择性地包括不同于第一感光性单体的第二感光性单体。第一感光性单体的吸收波长可选择性地大于300纳米(nm)，且例如为下表一的化合物I或化合物Ⅱ的至少一者。第二感光性单体的吸收波长较佳是小于300纳米(nm)，第二感光性单体143的吸收波长亦可没有限制。第二感光性单体例如为下表一的化合物Ⅲ。但本发明的可聚合单体的种类不限于上述，在其他实施例中，可聚合单体RM亦可由其他适当成份组成。[表一]
在本实施例中，可聚合单体RM在显示介质组成物MX中的重量百分比(percent byweight)可选择性地介于0.1％至1％，例如0.3％或0.45％，但本发明不限于此，可聚合单体RM的重量百分比可视实际的需求〈例如：熟化程序(curing)时间的多寡、照光步骤的照光能量等〉设定为其他适当数值。此外，显示介质组成物MX更可进一步包括稳定剂(inhibitor)INB。稳定剂INB能够避免可聚合单体RM在进行第一次熟化程序(curing)前即先行聚合，故能提升显示介质组成物MX的稳定性。稳定剂IHB的化学式例如为上表一中所示，但本发明不以此为限。
接着，将第一基板110与第二基板120组立在一起，并将显示介质组成物MX填入第一基板110的第一配向层PI1与第二基板120的第二配向层PI2之间。举例而言，在本实施例中，可先在第一基板110的第一配向层PI1上、或在第二基板120的第二配向层PI2上涂布框胶(sealant)。然后，将显示介质组成物MX滴入第一配向层PI1或第二配向层PI2与框胶(未示出)围出的空间中。之后，再于接近真空的环境下，令第一、二基板110、120之一趋向第一、二基板110、120的另一，进而使第一、二基板110、120通过框胶相连接，以将显示介质组成物MX封在第一、二基板110、120的第一、二配向层PI1、PI2之间。简言之，可采用液晶滴入法(one drop fill；ODF)填入显示介质组成物MX。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，亦可采用液晶注入法(LCinjection)或其他适当方法填入显示介质组成物MX。
请参照图2B及图2C，接着，进行第一次熟化程序(curing)，第一次熟化程序包括同时进行照光步骤以及施加第一电压V1于像素阵列A。详言之，如图2B所示，显示面板还包括共用电极COM，在本实施例中，可将像素阵列A、共用电极COM电性连接至一信号产生器(FunctionGenerator)，进而使像素阵列A与共用电极COM之间存在第一电压V1。在第一电压V1的作用下，显示面板各区的正型或负型液晶材料LC可具有指定的方位角(azimuthalangle)及预倾角(pre-tile angle)。如图2C所示，接着，在维持第一电压V1以使正型或负型液晶材料LC具有指定的方位角及预倾角下，进行照光步骤。此时，可聚合单体RM会沿着液晶材料LC指定的方位角及预倾角逐步聚合且相分离，而于第一、二配向层PI1、PI2上形成高分子聚合物。如图2D所示，通过所述高分子聚合物，在移除第一电压V1后，正型或负型液晶材料LC仍会沿着高分子聚合物的排列方向而产生所欲的方位角及预倾角。在本实施例中，第一次熟化程序的照光步骤的光束L1波长可介于200纳米(nm)～450纳米。举例而言，光束L1的主要波长可为365纳米。光束L1的照射时间可介于0分钟至10分钟，例如：15秒或240秒。光束L1的照光能量可介于为0(mW/cm2)～150(mW/cm2)，例如：100(mW/cm2)或4(mW/cm2)。第一次熟化程序所施加的第一电压V1可介于0伏特(volt)～30伏特，例如：15伏特或2.7伏特。然而，本发明不限于此，光束L1的波长、照射时间、照光能量及第一电压V1均可视实际需求而做适当的调整。
请参照图2D，接着，进行第二次熟化程序(curing)，以完成显示面板100。第二次熟化程序可促使更多残留在液晶材料LC中间的可聚合单体RM进行一聚合反应，以于第一配向层PI1上形成多个第一配向颗粒p1，并且于第二配向层P12上形成多个第二配向颗粒p2。在本实施例中，可选择性地在移除第一电压V1(即不施加电压)下，进行一照光步骤。第二次熟化程序的照光步骤的光束L2波长可介于200纳米至450纳米。举例而言，光束L2的主要波长可为365纳米。光束L2的照光时间可介于0分钟至180分钟，例如：75秒或420秒。光束L2的照光能量可介于0mW/cm2至150mW/cm2，例如：100(mW/cm2)或4(mW/cm2)。然而，本发明不限于此，光束L2的波长、照射时间、照光能量及电压的施加与否均可视实际需求而做适当的设定。
请参照图2D，显示面板100包括第一基板110、位于第一基板110上的像素阵列A、覆盖像素阵列A的第一配向层PI1、位于第一基板110对向侧的第二基板120、位于第二基板120上的第二配向层PI2及位于第一配向层PI1与第二配向层PI2之间的显示介质MX’。显示介质MX’为前述显示介质组成物MX经过二次熟化程序后所存留的液体。显示介质MX’至少包括正型或负型液晶材料。
图3为在一单位面积中图2D的第一配向层及多个第一配向颗粒的上视示意图。请参照图3，在一单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1的总量的40％以下。更进一步地说，在本实施例中，在所述单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1总量的20％～40％，例如：30％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积介于1000nm2至2000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1总量的15％～30％，例如：25％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积介于2000nm2至3000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1总量的10％～25％，例如：17％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积介于3000nm2至4000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1总量的5％～15％，例如：10％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积5000nm2以上的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1总量的10％～25％，例如：18％，但本发明不限于此。
在本实施例中，单位面积R可以是指一扫描型电子显微镜(scanningelectronmicroscope；SEM)的拍摄范围(例如：3.15x106nm2左右)。计算面积介于各范围内的第一配向颗粒p1数量的方式可以是：将扫描型电子显微镜拍摄的图像信息输入电脑，用电脑中的软体分析出面积介于各范围内的第一配向颗粒p1的数量，进而计算出面积介于各范围内的第一配向颗粒p1数量占第一配向颗粒p1总量的比例。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，所述单位面积亦可为其他适当大小，且用其他方法计算面积介于各范围内的第一配向颗粒p1数量占第一配向颗粒p1总量的比例。
图4为在所述单位面积中图2D的第二配向层及多个第二配向颗粒的上视示意图。请参照图4，在所述单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2的总量的40％以下。更进一步地说，在本实施例中，在所述单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2总量的20％～40％，例如：30％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积介于1000nm2至2000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2总量的15％～30％，例如：25％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积介于2000nm2至3000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2总量的10％～25％，例如：17％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积介于3000nm2至4000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2总量的5％～15％，例如：10％，但本发明不限于此。在所述单位面积R中，面积5000nm2以上的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2总量的10％～25％，例如：18％，但本发明不限于此。类似地，亦可采用上述方式决定图4的单位面积R的大小，并用上述方法计算出面积介于各范围(例如：250nm2～1000nm2)内的第二配向颗粒p2数量占第二配向颗粒p2总量的比例，于此便不再重述。
请参照下表二，编号R代表比较例的显示面板，比较例的显示面板未采用上述二阶段熟化程序制作，而编号1～4分别代表采用上述二阶段熟化程序制得的本发明多个实施例的显示面板。表二列出编号R、1～4的显示面板在进行对应熟化程序前的可聚合单体RM的重量百分比、对应的熟化程序工艺条件、在最终制得的显示面板的单位面积中，面积介于各范围内的第一、二配向颗粒p1、p2数量占第一、二配向颗粒p1、p2总量的比例以及显示面板的下降时间。
请参照下表二，在编号1～4的本发明多个实施例的显示面板的单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1的总量的40％以下，且在所述单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2的总量的40％以下。在编号R的比较例的显示面板的单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1的总量的40％以上(例如：占61.6％)，且在所述单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2的总量的40％以上(例如：占61.6％)。比较编号R与编号1～4的显示面板的下降时间可知，编号1～4的显示面板的下降时间较编号R的显示面板的下降时间短。换言之，在最终制得的显示面板100中，若在单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒p1的数量占第一配向颗粒p1的总量的40％以下，且在所述单位面积R中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒p2的数量占第二配向颗粒p2的总量的40％以下，则显示面板100的下降时间(falling time；即显示面板100穿透率由90％变化至10％所需要的时间)明显较短。
[表二]
综上所述，本发明一实施例的显示面板制造方法利用二阶段的熟化程序，使得在最终制得的显示面板的单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占第一配向颗粒p1的总量的40％以下，且在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占第二配向颗粒的总量的40％以下，进而使显示面板的下降时间短。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一第一基板；
一像素阵列，位于该第一基板上；
一第一配向层，覆盖该像素阵列，可聚合单体通过第一次熟化程序和第二次熟化程序进行一聚合反应，以于该第一配向层上形成多个第一配向颗粒，其中，在一单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的40％以下；
一第二基板，位于该第一基板的对向侧；
一第二配向层，位于该第二基板上，可聚合单体通过第一次熟化程序和第二次熟化程序进行一聚合反应，以于该第二配向层上形成多个第二配向颗粒，其中，在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的40％以下；以及
一显示介质，位于该第一配向层与该第二配向层之间。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该单位面积实质上为3.15×106nm2。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的20％至40％，且
在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的20％至40％。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
在所述单位面积中，面积介于1000nm2至2000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的15％至30％，且
在所述单位面积中，面积介于1000nm2至2000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的15％至30％。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
在所述单位面积中，面积介于2000nm2至3000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的10％至25％，且
在所述单位面积中，面积介于2000nm2至3000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的10％至25％。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
在所述单位面积中，面积介于3000nm2至4000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的5％至15％，且
在所述单位面积中，面积介于3000nm2至4000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的5％至15％。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
在所述单位面积中，面积5000nm2以上的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的10％至25％，且
在所述单位面积中，面积5000nm2以上的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的10％至25％。
8.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在一第一基板上形成一像素阵列以及一第一配向层；
在一第二基板上形成一第二配向层；
制备一显示介质组成物，其包括一正型或负型液晶材料以及一可聚合单体，该可聚合单体能够在紫外光照射下发生聚合反应；
将该第一基板与该第二基板组立在一起，并且将该显示介质组成物填入至该第一基板的该第一配向层与该第二基板的该第二配向层之间；
进行一第一次熟化程序，该第一次熟化程序包括同时进行一照光步骤以及施加一第一电压于该像素阵列；
进行一第二次熟化程序，该第二次熟化程序包括进行一照光步骤，以使得该可聚合单体进行一聚合反应，以于该第一配向层上形成多个第一配向颗粒，并且于该第二配向层上形成多个第二配向颗粒，其中
在一单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第一配向颗粒的数量占所述多个第一配向颗粒的总量的40％以下，且
在所述单位面积中，面积介于250nm2至1000nm2的第二配向颗粒的数量占所述多个第二配向颗粒的总量的40％以下。
9.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，该第一次熟化程序的该照光步骤的波长介于200纳米至450纳米，该第一次熟化程序的该照光步骤的时间介于0分钟至10分钟，且该第一次熟化程序的该照光步骤的照光能量介于0mW/cm2至150mW/cm2，该第一次熟化程序所施加的第一电压介于0伏特至30伏特。
10.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，该第二次熟化程序的该照光步骤的波长介于200纳米至450纳米，该第二次熟化程序的该照光步骤的时间介于0分钟至180分钟，且第二次熟化程序的该照光步骤的照光能量介于0mW/cm2至150mW/cm2，且该第二次熟化程序未施加电压。
11.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，该显示介质组成物还包括稳定剂，且该可聚合单体在该显示介质组成物中的重量百分比介于0.1％至1％。
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