CN105070837A - 一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池 - Google Patents

一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN105070837A
CN105070837A CN201510529401.0A CN201510529401A CN105070837A CN 105070837 A CN105070837 A CN 105070837A CN 201510529401 A CN201510529401 A CN 201510529401A CN 105070837 A CN105070837 A CN 105070837A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
buffer layer
complex
iridium
iridium class
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510529401.0A
Other languages
English (en)
Inventor
郑毅帆
于军胜
周殿力
钟建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201510529401.0A priority Critical patent/CN105070837A/zh
Publication of CN105070837A publication Critical patent/CN105070837A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，属于有机聚合物光伏器件或有机半导体薄膜太阳能电池领域。该电池采用反型结构，从下到上依次为：衬底，透明导电阴极ITO，阴极缓冲层，光活性层，阳极缓冲层，金属阳极；光活性层的重量百分比组成为：电子给体38~40%，电子受体57~59.88%，铱类配合物0.2~5%。在光活性层中加入铱类配合物材料，使其作为能量传递介质，在吸收光的同时将能量通过单线态与三线态之间能量的传递来提高器件的短路电流密度，最终提升器件的光电转换性能。

Description

一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池
技术领域
本发明属于有机聚合物光伏器件或有机半导体薄膜太阳能电池领域，具体涉及一种有机薄膜太阳能电池。
背景技术
随着全球能源需求的爆炸式增长，能源问题己经成为各国经济发展所要面临的首要难题。由于太阳能具有洁净、分布广泛、取之不尽用之不竭等特点，研究光伏发电解决能源问题成为可再生能源领域研究的重点与热点。目前，根据组成太阳能电池的光活性层的材料性质的不同，可以将活性层材料分为无机半导体材料和有机半导体材料。与无机半导体材料相比，有机半导体材料不仅材料本身的合成条件和器件化工艺条件相对温和，其分子化学结构容易修饰，用其来制作电池时，可以满足成本低、耗能少、容易大面积制作的要求。从20世纪90年代起，随着薄膜技术的迅猛发展，采用新材料新结构新工艺制备的电池的性能得到大幅度的提高。
然而，与无机太阳能电池的大规模生产相比，有机太阳能电池由于其光电转换效率还相对较低，其实用化还尚需时日。传统的有机太阳能电池的光活性层是决定器件光电转换效率的关键。经典的体异质结结构替代了原有的双层异质结结构，使得电子给体与受体材料在光活性层中均匀的混合，从而增大了给体受体的接触面积，为载流子传输提供了大量的通道，从而极大的提高器件的光电转换效率。
然而，传统的体异质结太阳能电池存在以下两大问题：1，电子给体材料的能带较宽，从而限制了其吸收的光谱范围无法覆盖全波段可见光，从而限制了器件的短路电流密度；2，电子给体与电子受体之间存在着能级势垒，过高的能级差限制了激子在给体受体界面处分离的效率，从而限制了器件的填充因子。
发明内容
本发明所要解决的问题是：如何提供一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，目的是通过在光活性层中加入铱类配合物，以实现：（1）提升光活性层的光吸收范围；（2）提高光活性层中激子产生与分离效率。
为解决上述问题，本发明的技术方案为：
一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，该太阳能电池采用反型结构，从下到上依次为：衬底，透明导电阴极ITO，阴极缓冲层，光活性层，阳极缓冲层，金属阳极；光活性层的重量百分比组成为：电子给体38~40%，电子受体57~59.88%，铱类配合物0.2~5%。
进一步地，所述铱类配合物为Ir(ppy)3。
进一步地，所述光活性层中，电子给体材料为P3HT。
进一步地，所述光活性层中，电子受体材料为PC61BM或PC71BM中的一种。
进一步地，所述阳极缓冲层材料为聚PEDOT:PSS，阳极缓冲层厚度为15～50nm。
进一步地，所述阴极缓冲层材料为TPBi、BCP、Bphen、Alq3、ZnO或TiO2的一种或多种，阴极缓冲层厚度范围为1～20nm。
进一步地，所述金属阳极材料为Ag、Al或Cu中的一种或多种，金属阳极厚度为100～300nm。
进一步地，所述衬底材料为玻璃或透明聚合物，所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸的一种或多种。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
通过引入吸收波段异于电子给体与电子受体材料的光活性层，从而提升光活性层中的光吸收范围，最终提升器件的短路电流密度；
通过引入铱类配合物于体异质结中，通过铱类配合物的磷光效应，将吸收的短波段的光能通过单线态与三线态之间的能量传递给电子给体与受体，从而提高激子的产生与分离效率，从而提高器件的填充因子。
附图说明
图1是本发明所涉及的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池结构，从下到上依次为：1表示衬底，2表示透明导电阴极ITO，3表示阴极缓冲层，4表示光活性层，5表示阳极缓冲层，6表示金属阳极。
图2是Ir(ppy)3的光吸收，Ir(ppy)3对短波段的光有较强的吸收，能通过单线态与三线态能量传递的方式将其转换为长波段的光贡电子给体和受体，增强其激子产生与分离效率。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
本发明的技术方案是提供一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，如图1所示，一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，该太阳能电池采用反型结构，从下到上依次为：衬底，透明导电阴极ITO，阴极缓冲层，光活性层，阳极缓冲层，金属阳极；光活性层的重量百分比组成为：电子给体38~40%，电子受体57~59.88%，铱类配合物0.2~5%。所述铱类配合物为Ir(ppy)3，所述光活性层中，电子给体材料为P3HT，所述光活性层中，电子受体材料为PC61BM,或PC71BM的一种，所述阳极缓冲层材料为聚PEDOT:PSS，阳极缓冲层厚度为15～50nm，所述阴极缓冲层材料为TPBi、BCP、Bphen、Alq3、ZnO或TiO2的一种或多种，阴极缓冲层厚度范围为1～20nm，所述金属阳极材料为Ag、Al或Cu中的一种或多种，金属阳极厚度为100～300nm，所述衬底材料为玻璃或透明聚合物，所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸的一种或多种。
实施例1（对照组）：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:PC61BM(40%:60%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.56V，短路电流(JSC)=8.2mA/cm2，填充因子(FF)=0.53，光电转换效率(PCE)=2.43%。
实施例2：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:Ir(ppy)3:PC61BM(40%:0.2%:59.88%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.56V，短路电流(JSC)=8.5mA/cm2，填充因子(FF)=0.55，光电转换效率(PCE)=2.62%。
实施例3：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:Ir(ppy)3:PC61BM(38%:5%:57%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.55V，短路电流(JSC)=8.7mA/cm2，填充因子(FF)=0.57，光电转换效率(PCE)=2.72%。
实施例4：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:Ir(ppy)3:PC61BM(39.6%:1%:59.4%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.56V，短路电流(JSC)=9.3mA/cm2，填充因子(FF)=0.60，光电转换效率(PCE)=3.12%。
实施例5：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:Ir(ppy)3:PC71BM(39.6%:1%:59.4%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.58V，短路电流(JSC)=9.8mA/cm2，填充因子(FF)=0.62，光电转换效率(PCE)=3.52%。
实施例6：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:Ir(ppy)3:PC71BM(39%:2%:59%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.55V，短路电流(JSC)=9.5mA/cm2，填充因子(FF)=0.61，光电转换效率(PCE)=3.18%。
实施例7：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:Ir(ppy)3:PC71BM(40%:0.6%:59.4%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.58V，短路电流(JSC)=10.1mA/cm2，填充因子(FF)=0.63，光电转换效率(PCE)=3.69%。
实施例8：
对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,40s,15nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行烘烤(200℃,60min)；在阴极缓冲层上采用旋涂制备P3HT:Ir(ppy)3:PC71BM(40%:0.2%:59.88%)光活性层(1000rpm,25s,220nm)，并进行烘烤(140℃,5min)；在光活性层表面旋转涂覆PEDOT:PSS溶液制备阳极缓冲层(3000rpm,60s，30nm)；将基板采用恒温热台加热退火的方式进行退火(150℃,5min)；在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)。在标准测试条件下：AM1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)=0.58V，短路电流(JSC)=9.1mA/cm2，填充因子(FF)=0.59，光电转换效率(PCE)=3.11%。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (8)

1.一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池采用反型结构，从下到上依次为：衬底，透明导电阴极ITO，阴极缓冲层，光活性层，阳极缓冲层，金属阳极；光活性层的重量百分比组成为：电子给体38~40%，电子受体57~59.88%，铱类配合物0.2~5%。
2.根据权利要求1所述的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，所述铱类配合物为Ir(ppy)3。
3.根据权利要求1所述的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，所述光活性层中，电子给体材料为P3HT。
4.根据权利要求1所述的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，所述光活性层中，电子受体材料为PC61BM或PC71BM中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，所述阳极缓冲层材料为聚PEDOT:PSS，阳极缓冲层厚度为15～50nm。
6.根据权利要求1所述的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，所述阴极缓冲层材料为TPBi、BCP、Bphen、Alq3、ZnO或TiO2的一种或多种，阴极缓冲层厚度范围为1～20nm。
7.根据权利要求1所述的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，所述金属阳极材料为Ag、Al或Cu中的一种或多种，金属阳极厚度为100～300nm。
8.根据权利要求1所述的一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池，其特征在于，所述衬底材料为玻璃或透明聚合物，所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的一种或多种。
CN201510529401.0A 2015-08-26 2015-08-26 一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池 Pending CN105070837A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510529401.0A CN105070837A (zh) 2015-08-26 2015-08-26 一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510529401.0A CN105070837A (zh) 2015-08-26 2015-08-26 一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105070837A true CN105070837A (zh) 2015-11-18

Family

ID=54500160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510529401.0A Pending CN105070837A (zh) 2015-08-26 2015-08-26 一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105070837A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105405976A (zh) * 2015-11-26 2016-03-16 电子科技大学 一种高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池
CN105762286A (zh) * 2016-02-26 2016-07-13 上海科技大学 反蛋白石结构钙钛矿薄膜及相应太阳能电池的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101243099A (zh) * 2005-08-18 2008-08-13 默克专利有限公司 金属络合物
CN103606633A (zh) * 2013-11-28 2014-02-26 电子科技大学 一种有机电致发光与光伏一体化器件及制备方法
CN103665047A (zh) * 2012-09-26 2014-03-26 张勇 新型配体化合物在染料敏化太阳能电池中的应用
CN104241530A (zh) * 2014-09-30 2014-12-24 电子科技大学 一种基于水溶性共聚物的有机薄膜太阳能电池
CN104693422A (zh) * 2015-01-23 2015-06-10 南京工业大学 一种掺杂金属配合物的聚合物太阳能电池材料的合成及其应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101243099A (zh) * 2005-08-18 2008-08-13 默克专利有限公司 金属络合物
CN103665047A (zh) * 2012-09-26 2014-03-26 张勇 新型配体化合物在染料敏化太阳能电池中的应用
CN103606633A (zh) * 2013-11-28 2014-02-26 电子科技大学 一种有机电致发光与光伏一体化器件及制备方法
CN104241530A (zh) * 2014-09-30 2014-12-24 电子科技大学 一种基于水溶性共聚物的有机薄膜太阳能电池
CN104693422A (zh) * 2015-01-23 2015-06-10 南京工业大学 一种掺杂金属配合物的聚合物太阳能电池材料的合成及其应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GUSTAF WINROTH ET AL.: "Dopant optimization for triplet harvesting in polymer photovoltaics", 《JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105405976A (zh) * 2015-11-26 2016-03-16 电子科技大学 一种高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池
CN105762286A (zh) * 2016-02-26 2016-07-13 上海科技大学 反蛋白石结构钙钛矿薄膜及相应太阳能电池的制备方法
CN105762286B (zh) * 2016-02-26 2018-11-27 上海科技大学 反蛋白石结构钙钛矿薄膜及相应太阳能电池的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. Bifacial, color-tunable semitransparent perovskite solar cells for building-integrated photovoltaics
CN108767118B (zh) 一种三元全聚合物太阳能电池
He et al. Enhanced power-conversion efficiency in polymer solar cells using an inverted device structure
Wu et al. From Straw to Device Interface: Carboxymethyl‐Cellulose‐Based Modified Interlayer for Enhanced Power Conversion Efficiency of Organic Solar Cells
CN104241530B (zh) 一种基于水溶性共聚物的有机薄膜太阳能电池
CN106025079B (zh) 基于有机小分子添加剂的有机太阳能电池及其制备方法
CN105405976B (zh) 一种高迁移率有机小分子掺杂的三元太阳能电池
CN106025084B (zh) 基于ZnO纳米颗粒阴极缓冲层的有机太阳能电池及制备方法
CN103594627A (zh) 一种反型有机薄膜太阳能电池及其制备方法
CN104733617A (zh) 利用大晶粒形成来制备高效率钙钛矿型太阳能电池
CN105185912A (zh) 一种双受体的三元太阳能电池
Boland et al. Design of organic tandem solar cells using low-and high-bandgap polymer: fullerene composites
Zheng et al. Emerging organic/hybrid photovoltaic cells for indoor applications: recent advances and perspectives
CN103296209A (zh) 异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池
Shibayama et al. Influence of transparent conductive oxide layer on the inverted perovskite solar cell using PEDOT: PSS for hole transport layer
Kumar et al. Recent progress in bifacial perovskite solar cells
CN102142523A (zh) 效率提高的太阳能电池
CN106233485A (zh) 堆叠型有机太阳能电池
CN105206746A (zh) 基于三元溶剂系统的有机薄膜太阳能电池及其制备方法
CN111584718B (zh) 一种高效有机太阳能电池及其制备方法
CN105932160B (zh) 一种有机光伏元件及其制备方法
CN105070837A (zh) 一种铱类配合物掺杂的三元太阳能电池
CN103904219A (zh) 极性溶剂修饰的反型有机薄膜太阳能电池及其制备方法
CN105006523A (zh) 铱类配合物掺杂的三元太阳能电池
Kois et al. Glass/ITO/In (O, S)/CuIn (S, Se) 2 solar cell with conductive polymer window layer

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20151118

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication