CN105068279B - 一种基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光电技术领域，公开了一种基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，用于解决现有石墨烯光调制器存在的使用范围窄的问题。本发明包括光波导基底层，光波导基底层的上方设置有电介质层，电介质层的上方设置有D形波导层，D形波导层的外围包覆有第二弧形石墨烯层，第二弧形石墨烯层的外围包覆有第一弧形石墨烯层，第一弧形石墨烯层的外围包覆有矩形波导层，矩形波导层与第一弧形石墨烯层之间、第一弧形石墨烯层与第二弧形石墨烯层之间以及第二弧形石墨烯层与D形波导层之间均设置有隔离介质层；第一弧形石墨烯层从D形波导的一侧延伸出来并连接有第一电极，第二弧形石墨烯层从D形波导层的另一侧延伸出来并连接有第二电极。
Description
技术领域
本发明属于光电技术领域，具体公开了一种基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器。
背景技术
光调制器是光通信系统的基础部件，其功能是改变通过光调制器的光载波的强度、相位、偏振等特性，将电信号加载到光载波上。传统的光调制器有基于等离子色散效应的Si基光调制器、基于Pockels效应的铌酸锂和聚合物光调制器、基于F-K效应或量子限制Stark效应的InP基光调制器。但传统的光调制器受自身材料特性的限制，Si基光调制器和铌酸锂光调制器的调制速率已达到瓶颈，突破40GHz极为困难，且器件体积较大、调制电压较高；聚合物光调制器的热和化学稳定性较差；InP基光调制器工艺复杂、成本高，且有较大的啁啾。
石墨烯是一种蜂窝形的二维六方碳结构材料，是一种新型的材料，在未来可以用它来代替传统的半导体材料。它在室温下具有200,000cm2/Vs的载流子迁移率，大约是硅材料的载流子迁移率100倍以上，意味着基于石墨烯的电子器件可以在超高速率下工作，理论工作速率可以达到500GHz。石墨烯在外加电压下，光导率也会随之发生变化，从而改变其折射率和吸收率，同时，石墨烯具有的零带隙结构，使它可以在非常宽的光波长范围内发挥作用。另外，在工艺方面，石墨烯与传统的CMOS工艺兼容，易于集成。这些特殊的光电特性使得石墨烯在高速光电子集成器件方面有着广泛的潜在应用。
基于石墨烯材料的光学调制器已经得到广泛的研究，都是基于在传统的SOI光波导中水平铺设石墨烯层，将偏置电压施加在石墨烯层上，以改变石墨烯本身的复折射率来改变波导对入射光的折射率或吸收率，从而达到对入射光的相位或振幅的调制（见文献Ming Liu, Xiaobo Yin,Ulin-Avila, E,BaisongGeng,Zentgraf T, Long Ju, FengWang, Xiang Zhang. A graphene-based broadband optical modulator. Nature,2011, Vol 474, p64-67和Gosciniak Jacek, Tan Dawn T H. Theoreticalinvestigation of graphene-based photonic modulators. Scientific Reports,2013, Vol 3）。
这种将石墨烯层水平铺设于光波导的表面或中间，例如申请号为201410370459.0的发明专利公开了一种基于石墨烯的偏振不敏感光调制器：包括基板、石墨烯水平嵌入的第一石墨烯脊形波导和石墨烯垂直嵌入的第二石墨烯脊形波导，第一石墨烯脊形波导和第二石墨烯脊形波导均位于基板上，第一石墨烯脊形波导中嵌入的石墨烯和第二石墨烯脊形波导中嵌入的石墨烯相互垂直；第一石墨烯脊形波导从上到下依次包括第一脊部、第一水平嵌入石墨烯层、第二水平嵌入石墨烯层和第二脊部，第一脊部与第一水平嵌入石墨烯层被第一隔离介质层隔离，第一水平嵌入石墨烯层与第二水平嵌入石墨烯层被第二隔离介质层隔离，第二水平嵌入石墨烯层与第二脊部被第三隔离介质层隔离；第二石墨烯脊形波导从左到右依次包括第三脊部、第一垂直嵌入石墨烯层、第二垂直嵌入石墨烯层和第四脊部，第三脊部与第一垂直嵌入石墨烯层被第四隔离介质层隔离，第一垂直嵌入石墨烯层与第二垂直嵌入石墨烯层被第五隔离介质层隔离，第二垂直嵌入石墨烯层与第四脊部被第六隔离介质层隔离；基板包括半导体衬底层和位于半导体衬底层上表面的绝缘层，第一石墨烯脊形波导和第二石墨烯脊形波导位于绝缘层上。
又如申请号为201310431112.8的发明专利公开了一种新型的石墨烯电光调制器结构，，包括石墨烯脊型光波导、硅层和二氧化硅基片，二氧化硅基片上沉积硅层，再在硅层上平行设置两条石墨烯脊型光波导；石墨烯脊型光波导由两层厚度相等的硅波导层和二氧化硅基片构成，硅波导层制作在二氧化硅基片上，硅波导层间区域设有两层石墨烯层和三层氧化铝隔离层，从上而下的顺序为氧化铝隔离层、石墨烯层、氧化铝隔离层、石墨烯层、氧化铝隔离层。
申请号为201410163464.4的发明专利公开了一种具有四层石墨烯结构的光调制器，包括一个SOI 光波导， SOI 光波导包括绝缘层位于绝缘层下表面的半导体衬底层和位于绝缘层上表面的半导体光波导层；半导体光波导层上方具有相互重叠的第一脊部和第二脊部，第一脊部和第二脊部的材料与半导体光波导层的材料相同；在半导体光波导层与第一脊部之间具有第一石墨烯层和第二石墨烯层，第一石墨烯层与半导体光波导层之间具有第一隔离介质层，第一石墨烯层和第二石墨烯层之间具有第二隔离介质层，第二石墨烯层与第一脊部之间具有第三隔离介质层；在第一脊部与第二脊部之间具有第三石墨烯层和第四石墨烯层，第三石墨烯层与第一脊部之间具有第四隔离介质层，第三石墨烯层和第四石墨烯层之间具有第五隔离介质层，第四石墨烯层与第二脊部之间具有第六隔离介质层；第一脊部和第二脊部的前后两个共同的端面分别作为光调制器的光输入、输出端；第一石墨烯层和第二石墨烯层中，一层石墨烯从第一脊部和第二脊部共同的一个侧面延伸出，另一层石墨烯从第一脊部和第二脊部共同的另一个侧面延伸出；第三石墨烯层和第四石墨烯层中，一层石墨烯从第一脊部和第二脊部共同的一个侧面延伸出，另一层石墨烯从第一脊部和第二脊部共同的另一个侧面延伸出；从第一脊部和第二脊部共同的一个侧面延伸出的两层石墨烯采用第一金属电极互连，从第一脊部和第二脊部共同的另一个侧面延伸出的两层石墨烯采用第二金属电极互连。
正如上面讲述的现有石墨烯层水平铺设于光波导的表面或中间，虽然制作工艺相对较简单，但基于这种结构的石墨烯调制器都存在一个共同的缺点，就是对入射光的偏振方向敏感，只能对特定偏振方向的光波产生有效地调制，即都是偏振相关的，限制了这种光调制器的使用范围，本领域技术人员亟需解决该技术问题。
发明内容
本发明为了解决现有石墨烯光调制器存在的只能对特定偏振方向的光波产生有效地的调制而导致的使用范围窄的问题，而提供一种基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，对TE，TM模都有着较大的吸收，且通过合理设计波导结构的尺寸，可以使TE、TM模的光吸收系数十分接近，起到同时对TE、TM模光进行有效调制，解决了目前石墨烯光调制器对入射光波偏振方向敏感的技术难题，具有使用范围广的特点。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
一种基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，包括光波导基底层，所述光波导基底层的上方设置有电介质层，其特征在于，所述电介质层的上方设置有D形波导层，所述D形波导层的外围包覆有第二弧形石墨烯层，所述第二弧形石墨烯层的外围包覆有第一弧形石墨烯层，所述第一弧形石墨烯层的外围包覆有矩形波导层，所述矩形波导层与第一弧形石墨烯层之间、第一弧形石墨烯层与第二弧形石墨烯层之间以及第二弧形石墨烯层与D形波导层之间均设置有隔离介质层；所述第一弧形石墨烯层从D形波导层的一侧延伸出来并连接有第一电极，所述第二弧形石墨烯层从D形波导层的另一侧延伸出来并连接有第二电极。
所述D形波导层的底面为平面并设置在电介质层上，所述D形波导层的上表面为弧形面，所述第二弧形石墨烯层和第一弧形石墨烯层依次包覆在D形波导层的弧形面上。
所述第一弧形石墨烯层与第二弧形石墨烯层之间的间距为5nm—100nm。
所述D形波导层和矩形波导层的材质相同，所述D形波导层的材质为硅、锗、锗硅合金、III-V族半导体或II-IV族半导体。
所述隔离介质层由绝缘材料制成，所述隔离介质层的材质为硅氧化物、硅氮氧化物或硼氮化物。
所述电介质层为半导体氧化物，所述电介质层的折射率小于光波导基层、D形波导层和矩形波导层的折射率。
所述第一电极和第二电极的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴或钯。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，在光波导中加入一段弧形的石墨烯层，对TE，TM模都有着较大的吸收，且通过合理设计波导结构的尺寸，可以使TE、TM模的光吸收系数十分接近，起到同时对TE、TM模光进行有效调制，解决了目前石墨烯光调制器对入射光波偏振方向敏感的技术难题。
在光波导中加入一段弧形的石墨烯层且内嵌于光波导，相对于水平铺设结构，石墨烯与光场有着更大的有效相互作用面积和更充分的相互作用，因此较小的器件尺寸即可实现有效光波调制。
制备工艺上可与传统的SOI、 CMOS工艺相兼容，易于集成。
附图说明
图1是本发明的截面示意图；
图2是本发明的实施例TE模的模场分布图；
图3是本发明的实施例TM模的模场分布图；
图4是本发明的实施例中的TE、TM模吸收系数随偏置电压变化的示意图；
图中标记：1、光波导基底层，2、电介质层，3、D形波导层，4、矩形波导层，5、隔离介质层，6、第一弧形石墨烯层，7、第二弧形石墨烯层，8、第一电极，9、第二电极。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他所用实施例，都属于本发明的保护范围。
结合附图，本发明的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，包括光波导基底层1，所述光波导基底层1的上方设置有电介质层2，所述电介质层2的上方设置有D形波导层3，所述D形波导层3的外围包覆有第二弧形石墨烯层7，所述第二弧形石墨烯层7的外围包覆有第一弧形石墨烯层6，所述第一弧形石墨烯层6的外围包覆有矩形波导层4，所述矩形波导层4与第一弧形石墨烯层之间6、第一弧形石墨烯层6与第二弧形石墨烯层7之间以及第二弧形石墨烯层7与D形波导层3之间均设置有隔离介质层5；所述第一弧形石墨烯层6从D形波导层3的一侧延伸出来并连接有第一电极8，所述第二弧形石墨烯层7从D形波导层3的另一侧延伸出来并连接有第二电极9。
所述D形波导层3的底面为平面并设置在电介质层2上，即D形波导层3的平面与电介质层2接触，所述D形波导层3的上表面为弧形面，所述第二弧形石墨烯层7和第一弧形石墨烯层6依次包覆在D形波导层3的弧形面上。
所述第一弧形石墨烯层6与第二弧形石墨烯层7之间的间距为5nm—100nm，即是说第一弧形石墨烯层6与第二弧形石墨烯层7之间的隔离介质层5的厚度为5nm—100nm。
所述D形波导层3和矩形波导层4的材质相同，所述D形波导层3的材质为硅、锗、锗硅合金、III-V族半导体或II-IV族半导体。
所述隔离介质层5由绝缘材料制成，所述隔离介质层5的材质为硅氧化物、硅氮氧化物或硼氮化物。
所述电介质层2为半导体氧化物，所述电介质层2的折射率小于光波导基层1、D形波导层3和矩形波导层4的折射率，即是说电介质层2为低折射率电介质层。
作为本发明一种优选的方式，第一电极8和第二电极9的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴或钯。
本发明的光调制器工作原理为：器件工作时，偏置电压通过电极加在石墨烯层上，通过改变偏置电压，动态的调谐石墨烯的介电常数，从而调谐波导的有效折射率实部和虚部。由于石墨烯是二维材料，因而只与其平行相切部分的光有较强的相互作用，因而加入一段弧形的石墨烯层，使其不仅作用在水平方向上，而且可以有效的作用在竖直方向上，在不同的偏压下，可以同时并几乎同等量地对TE和TM模的光吸收系数进行动态调谐，实现偏振无关的光波调制。在光波导中加入一段弧形的石墨烯层且内嵌于光波导，相对于水平铺设结构，石墨烯与光场有着更大的有效相互作用面积和更充分的相互作用，因此较小的器件尺寸即可实现有效光波调制。又由于石墨烯有着超高速的载流子迁移率，因而其可以实现高速率的光波调制；同时，石墨烯具有的零带隙结构，使它可以在非常宽的光波长范围内发挥作用；另外，在工艺方面，石墨烯与传统的CMOS工艺兼容，易于集成。
本发明是引入一段弧形石墨层，石墨烯层是嵌入在光波导中间，而不是波导的表面，以增强石墨烯与光的相互作用，因而只需要较短尺寸即可达到优良的调制效果。另外，本发明对入射光偏振无关，即可实现偏振无关的调制效果。
实施例
本实施例基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器横截面结构示意图如图1所示；采用波长为1.55μm的光波，光波导基底层1、D弧状波导层3和矩形波导层4采用硅（Si）材料，其折射率为3.47，光波导整体高度为0.4μm，宽度为0.6μm的矩形结构；D形波导层3的的弧面中的短轴0.27μm，长轴0.36μm的半椭圆结构，第一弧形石墨烯层（6）与第二弧形石墨烯层（7）之间的间距为7nm；隔离介质层5采用Al2O3材料，其折射率1.732；低折射率电介质层2材料为SiO2，其有效折射率为1.44。
图2是本发明实施例中的TE模模场分布示意图；图3是本发明实施例中的TM模模场分布示意图；从图中明显可见，在TE，TM模的模场分布中，石墨烯层都处于光场较强的位置。
图4为本发明实施例中的TE、TM模吸收系数随偏置电压变化的示意图。从图4可以看到，对TE、TM模来说，其吸收系数有着相似的变化曲线，在0.4eV左右，TE、TM模的光吸收系数都达到了最小值，随后迅速增大，在0.51eV处，同时达到了最大值。在0.4eV~0.51eV的变化中，TE、TM模的吸收系数差始终较小，故而在其中任一个模式光达到30dB完全消光的时候，另一个模式光也能达到非常高的消光比。因此，调制器在0.41eV处为“开”状态，TE、TM光波几乎无损耗通过，在0.51eV处为“关”状态，TE、TM光波同时被吸收，实现偏振无关调制。当石墨烯层长度为39μm时，此结构光调制器对TE模消光比为24.55dB，TM模消光比为29.9dB，TE模插入损耗为0.50dB，TM模插入损耗为0.64dB。
Claims (7)
1.一种基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，包括光波导基底层，所述光波导基底层的上方设置有电介质层，其特征在于，所述电介质层的上方设置有D形波导层，所述D形波导层的外围包覆有第二弧形石墨烯层，所述第二弧形石墨烯层的外围包覆有第一弧形石墨烯层，所述第一弧形石墨烯层的外围包覆有矩形波导层，所述矩形波导层与第一弧形石墨烯层之间、第一弧形石墨烯层与第二弧形石墨烯层之间以及第二弧形石墨烯层与D形波导层之间均设置有隔离介质层；所述第一弧形石墨烯层从D形波导的一侧延伸出来并连接有第一电极，所述第二弧形石墨烯层从D形波导层的另一侧延伸出来并连接有第二电极。
2.根据权利要求1所述的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，其特征在于，所述D形波导层的底面为平面并设置在电介质层上，所述D形波导层的上表面为弧形面，所述第二弧形石墨烯层和第一弧形石墨烯层依次包覆在D形波导层的弧形面上。
3.根据权利要求1所述的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，其特征在于，所述第一弧形石墨烯层与第二弧形石墨烯层之间的间距为5nm—100nm。
4.根据权利要求1所述的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，其特征在于，所述D形波导层和矩形波导层的材质相同，所述D形波导层的材质为硅、锗、锗硅合金、III-V族半导体或II-IV族半导体。
5.根据权利要求1所述的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，其特征在于，所述隔离介质层由绝缘材料制成，所述隔离介质层的材质为硅氧化物、硅氮氧化物或硼氮化物。
6.根据权利要求1所述的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，其特征在于，所述电介质层为半导体氧化物，所述电介质层的折射率小于光波导基层、D形波导层和矩形波导层的折射率。
7.根据权利要求1—6任一所述的基于弧形石墨烯的偏振不敏感光调制器，其特征在于，所述第一电极和第二电极的材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴或钯。
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Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| CN105607301B (zh) * | 2016-03-11 | 2018-04-13 | 电子科技大学 | 一种基于石墨烯偏振无关的吸收型光调制器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3832381A1 (en) * | 2019-12-05 | 2021-06-09 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | An electro-optical modulator and a method for obtaining an electro-optical modulator. |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |