CN1050638A - 接地降阻剂 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种接地降阻剂,特别是含有金属及其
络合物和储水聚合物的低电阻固体材料的发明。
本发明的接地降阻剂由铜、铝、锌、硫酸铬、硫酸
锆、硫酸铝、氯化锰、分子筛A5、聚乙烯醇、炭黑、水、
硅酸钙、十二烷基苯磺酸钠组成。
本发明的接地降阻剂应用于各类接地工程,能有
效的降低接地电阻,对接地金属提供防蚀保护。
Description
本发明 是一种接地降阻剂,特别是含有金属及其络合物和储水聚合物的接地降阻剂的发明。
本发明 的产品属于固体复合材料,应用于各类接地工程,降低接地电阻,对接地金属提供防蚀保护。
目前国内外接地工程在对待高地阻时,多采用加盐法,聚丙烯酰胺法或膨润土换土法。这些方法均存在一定的缺点,加盐法易流失,并对接地金属有腐蚀作用,聚丙烯酰胺法有毒,并且会逐步降解而失效;膨润土除了易流失外,降阻率亦较低。
本发明 克服了上述已有技术的缺点,它能有效降低土壤电阻率,提高保水性,促进大电流疏导,降低金属接地体的腐蚀。
本发明的含有金属及其络合物和储水聚合物的接地降阻剂,由有效物质A、B和添加剂C组成。其中:
A为铜、铝、锌粉
B为硫酸铬、硫酸锆、硫酸铝、氯化锰、分子筛A5,聚乙烯醇、炭黑、水。
C为硅酸钙、十二烷基苯磺酸钠。
本发明 的最佳组成为
铜0.1-1%,铝0.1-1%,锌0.1-3%,硫酸铬1-3%硫酸铝3-8%,硫酸锆3-6%,氯化锰0.1-0.3%,聚乙烯醇3-5%,炭黑3-5%,硅酸钙45-60%,十二烷基苯磺酸钠0.1-1%,分子筛A5 3-8%。
本发明 的制备方法为将B组中所有材料粉碎混合搅拌加热到60℃-100℃,保温1小时,形成络合物,然后搅拌加入A组材料,冷却至室温后,将此混合物加入C中。
本发明 需要将A组材料粉碎成100-150目的金属粉未,硅酸钙为粘合剂。
本发明 的产品应用于各类接地电阻,能有效的降低接地电阻,对接地金属提供较好的防蚀保护。应用于各类接地工程,可改善接地质量,延长接地工程使用寿命,降低工程造价、无毒。
实施例:
先在地上挖或钻出适当的沟或孔,将焊接好的接地体放入沟或孔的中央,然后将硫酸铬1-3%,硫酸铝3-8%,硫酸锆3-6%,氯化锰0.1-0.3%,聚乙烯醇3-5%炭黑3-5%,粉碎搅拌加热到60°-100℃,保温1小时,形成络合物,然后搅拌另入A组100-150目的铜、铝、锌粉,冷却至室温后,将此混合物加入硅酸钙,十二烷基苯磺酸钠中,再将上述混合物迅速灌入沟或孔内,30-50分钟后,材料凝固。约15天后材料固化,形成低电阻固体材料-即接地降阻剂。
Claims (7)
1、一种接地降阻器,特别是含有金属及其络合物和储水聚合物的低电阻固体材料,其特征是由有效物质A和B和添加剂C组成。其中
A为铜、铝、镁粉
B为硫酸铬、硫酸锆、硫酸铝、氯化锰、分子筛A5、聚巳烯醇、炭黑、水、
C为硅酸钙、十二烷基苯磺酸钠。
2、按照权利要求1所述的接地降阻剂,其特征最佳组成为:
铜0.1-1% 铝0.1-1% 锌0.1-3%
硫酸铬1-3% 硫酸铝3-8% 硫酸锆3-6%
氯化锰0.1-0.3% 聚己烯醇3-5% 炭黑3-5%
硅酸钙45-60% 十二烷基苯磺酸钠0.1-1%
分子筛A5 3-8%
3、按照权利要求1或2所述的接地降阻剂,其特征为制取方法是先将B组所有材料粉碎混合搅拌加热到60°-100℃,保温1小时,形成络合物,然后搅拌加入A组材料,冷却至室温后,再将此混合物加入C中。
4、按照权利要求3所述的接地降阻剂,其特征是A组材料均粉碎成100-150目的金属粉末。
5、按照权利要求1或2所述的接地降阻剂,其特征为硅酸钙是粘合剂。
6、按照权利要求3所述的接地降阻剂,其特征是硅酸钙为粘合剂。
7、按照权利要求4所述的接地降阻剂,其特征是硅酸钙为粘合剂。
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CN 89104107 CN1050638A (zh) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 接地降阻剂 |
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CN 89104107 CN1050638A (zh) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 接地降阻剂 |
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CN1050638A true CN1050638A (zh) | 1991-04-10 |
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ID=4855427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN 89104107 Pending CN1050638A (zh) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 接地降阻剂 |
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1989
- 1989-09-26 CN CN 89104107 patent/CN1050638A/zh active Pending
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PB01 | Publication | ||
C01 | Deemed withdrawal of patent application (patent law 1993) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |