CN105005663B - 一种体接电位pd‑soi mosfet二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法 - Google Patents
一种体接电位pd‑soi mosfet二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明一种计算硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。考虑短沟效应的影响，采用分离变量的思想方法，将硅膜全耗尽并弱反型情况下耗尽区的电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电势分布函数的线性叠加。在边界条件制约下，通过求解硅膜耗尽区的泊松方程和拉普拉斯方程，得到电势分布函数的解析表达式。根据高斯定理求得栅氧化层两端的电压。并依据本发明对阈值电压的定义和电势分布函数模型，推导出硅膜掺杂为高斯分布的体接电位的部分耗尽绝缘体上硅晶体管的二维阈值电压解析模型。物理概念清晰，无需经验参数，计算精度高，提供了考虑短沟效应的PD‑SOI器件的阈值电压解析模型。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压仿真方法。
背景技术
体硅CMOS集成电路按比例缩小带来的小尺寸效应将会严重地破坏器件的工作特性，限制了最小特征尺寸的发展。绝缘体上硅晶体管(SOI MOSFET)与体硅器件相比，具有以下优点：无闩锁效应；源、漏寄生电容小，工作速度快；跨导与电流驱动能力较高；亚阈值斜率陡直；能够很好的抑制小尺寸效应；制造工艺复杂度较低；工作电压低；具有良好的抗辐射、耐高温性能。因此，SOI技术已经成为制造高速、低功耗、高可靠性及高集成度深亚微米超大规模集成电路的重要技术。
部分耗尽的绝缘体上硅晶体管(PD-SOI MOSFET)，由于其制造工艺简单；栅下耗尽层宽度不受硅膜厚度的影响；而工艺波动带来的硅膜厚度不均匀对器件阈值电压影响较小等优点，因此，在沟道长度为0.18微米到65纳米的范围内，绝缘体上硅器件基本上都是部分耗尽类型。而且，通过“T型”或“H型”体接触(Body Contact)将部分耗尽PD SOI晶体管的体区接“地”电位，在电路的应用中能够良好地消除浮体效应。
阈值电压(VTH)是MOS器件解析模型中的重要模型参量。虽然部分耗尽工艺被广泛使用，但是在0.13微米以下小尺寸效应已经显现，在90纳米以下小尺寸效应已经不能忽略，而现有的PD-SOI MOSFET器件阈值电压模型没有完备地考虑小尺寸效应的影响。除此之外，现有的PD-SOI MOSFET器件阈值电压模型的建模中，是假设硅膜为均匀掺杂——这种假设偏离了实际的工艺情况。因为，SOI硅膜在杂质掺杂过程中的退火工艺均采用时间小于10秒的快速退火，因此退火仅仅起到激活硅膜中的杂质离子的作用，并不使得杂质离子二次分布。在此情况下，硅膜中掺杂分布仅由离子注入决定。垂直于衬底表面的一次离子注入所对应的掺杂浓度分布在垂直于沟道方向的特征符合高斯函数的分布规律，而不是理想的均匀分布。另外一些PD-SOI MOSFET的阈值电压模型，其在建立过程中虽然考虑了硅膜掺杂在垂直于沟道方向的高斯分布特性，但是在分析硅膜耗尽区电势分布特性时，却仍旧沿用均匀掺杂假设前提下建立的电势函数——在垂直于沟道方向上电势分布满足抛物线函数，用平行于沟道方向上电势分布函数来调制抛物线的各阶系数。这种近似偏离实际情况，使得阈值电压(VTH)模型的建立过程缺乏准确性。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种考虑了短沟效应，计算精度高，模拟更加真实的，符合实际情况的体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压仿真方法。
本发明是通过以下技术方案来实现：
本发明一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型，该阈值电压解析模型的解析式为：
其中，
VTH为阈值电压，VFB为栅氧化层两端的平带电压，为体内费米电势，toxf是栅氧层厚度，Nos为离子注入进入硅膜后，高斯分布函数的掺杂浓度偏移系数，εox为二氧化硅相对介电常数，是在硅膜掺杂浓度为高斯分布的条件下，栅极下的最大耗尽层宽度，σ为高斯分布函数的离子扩展宽度，Np为高斯分布函数的相对峰值，q为电子电荷量，εsi为硅相对介电常数，L为沟道长度；
在公式(16.1)、(15.1)和(14)中，为硅膜掺杂浓度的平均值，toxf是栅氧层厚度(nm)，tsi是硅膜厚度(nm)，Vbody′为硅膜耗尽区之外的电压；
VD′＝VDS+VBI (17.1)；
VS′＝VS+VBI (17.2)；
VG′＝VG-VFB (17.3)；
公式(17.1)、(17.2)中：VDS为漏源电压，VS为源端电压，VG为栅极电压，VBI为源区/漏区与硅膜的内建电势差；公式(17.3)中的VFB为栅氧化层两端的平带电压。
本发明一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法，包括如下步骤，
步骤1，建立PD-SOI MOSFET器件；
步骤2，对应PD-SOI MOSFET器件中具体的离子注入方法，拟合出硅膜内杂质高斯分布的解析表达式；
步骤3，采用分离变量法，将考虑短沟效应的硅膜耗尽区二维电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电势分布函数之和的形式；通过求解泊松方程得到长沟器件电势分布函数的解析表达式，求解拉普拉斯方程得到短沟器件电势分布函数的解析表达式；然后将求解得到的长沟器件电势分布函数和短沟器件电势分布函数相加，得到完整的硅膜耗尽区二维电势分布函数；
步骤4，根据PD-SOI MOSFET器件虚拟阴极的定义，结合长沟器件的电势解析表达式与短沟器件的电势解析表达式得到虚拟阴极的位置；
步骤5，根据实际的PD-SOI MOSFET工艺中，硅膜内杂质掺杂为高斯分布，其平均掺杂浓度在1017～1018(cm-3)的数量级，得到阈值电压遵循虚拟阴极点的电势等于两倍体内费米电势时的栅极电压就是阈值电压的定义，由硅膜耗尽区二维电势分布函数得到栅氧化层两端的电压，从而得到该二维阈值电压解析模型的解析式，建立该二维阈值电压解析模型。
优选的，步骤2中，拟合硅膜内杂质高斯分布的解析表达式时，在垂直于沟道的x方向上，硅膜掺杂浓度为高斯分布的解析表达式如下：
其中，x的取值范围为0+toxf≤x≤toxf+xdmax；NB(x)为硅膜掺杂浓度函数，x是垂直于沟道方向的坐标，xdmax是栅极下的硅膜最大耗尽层宽度，Nos是离子注入在进入硅膜后，高斯分布函数的掺杂浓度偏移系数，Np为高斯分布函数的相对峰值，R为高斯分布函数的离子注入射程。σ为高斯分布函数的离子扩展宽度。
进一步，步骤3中得到长沟器件的电势解析表达式如下：
其中，x的取值范围为0+toxf≤x≤toxf+xdmax，Nos、Np、R及σ的含义同公式(1)所述。
进一步，步骤3中得到短沟器件的电势解析表达式如下：
其中，x的取值范围为0+toxf≤x≤toxf+xdmax，y的取值范围为0≤y≤L，c1为公式(15.1)所示，a1为公式(16.1)所示，WT为公式(14)所示。
进一步，步骤4中根得到的虚拟阴极的位置如下：
其中，WT为公式(14)所表征，a1为公式(16.1)所表征，c1为公式(15.1)所表征，L为沟道长度。
进一步，基于步骤5的阈值电压定义，由硅膜耗尽区二维电势分布函数得到栅氧化层两端的电压，从而得到如权利要求1所述的二维阈值电压解析模型。
本发明一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压计算方法，包括如下步骤，首先，根据以上任意一项所述的体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法建立二维阈值电压解析模型，然后结合数值计算工具得到的PD-SOI MOSFET器件的阈值电压。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明基于实际工艺，考虑小尺寸效应下的横向电场作用，采用分离变量法的思想来推导电势函数的解析表达式，在此基础上，为高斯掺杂的体接电位PD-SOI MOSFET的阈值电压建立准确二维解析模型。通过对实际工艺产生的高斯掺杂的体接电位PD-SOIMOSFET器件的二维泊松方程和拉普拉斯方程进行求解，在采用分离变量的方法得到其电势分布函数的解析表达式。在此基础上，用虚拟阴极点电势等于两倍的体内费米势时的栅极电压来定义阈值电压。基于高斯定理得出栅氧化层两端的电压。得到阈值电压的二维解析表达式。为电路设计工程师提供出考虑了短沟效应的PD-SOI MOSFET器件应用于电路仿真的精确阈值电压解析模型。
附图说明
图1为本发明实例中所述的基于0.13微米PD-SOI MOSFET工艺的N沟器件的剖面图。
图2为图1中PD-SOI MOSFET器件二维坐标示意图。
图3基于0.13微米PD-SOI MOSFET工艺TCAD仿真得到的硅膜掺杂特性与拟合的高斯曲线。
图4基于0.13微米PD-SOI MOSFET工艺TCAD仿真得到的阈值电压与基于本模型的阈值电压对比图。
图5为本发明实例中所述的高斯掺杂的体接电位PD-SOI MOSFET阈值电压建模的流程图。
图6为本发明实例中给出的辐照实验值与应用本模型的沟道电流计算值的对比图。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
本发明提供一种针对实际工艺产生的高斯掺杂的体接电位PD-SOI MOSFET的阈值电压二维解析模型，为电路模拟软件在仿真高斯掺杂的体接电位PD-SOI MOSFET器件的时候，提供一种考虑的短沟效应的二维解析模型。
以下通过对本发明提供的模型做详细的说明，并给出了建立模型的具体方案步骤和实现流程。但是其内容并不限制本发明的保护范围。
步骤一.硅膜掺杂浓度为高斯分布的解析表达式
在图2中：toxf是栅氧层厚度(nm)，tsi是硅膜厚度(nm)，toxb是埋氧层厚度(nm)，tsub是衬底厚度(nm)。
如图3所示，在垂直于沟道的x方向上，硅膜掺杂浓度为非对称高斯分布的解析表达式如下：
在公式(1)中：NB(x)为硅膜掺杂浓度函数，x是垂直于沟道方向的坐标，以nm为单位。xdmax是栅极下的最大耗尽层宽度。Nos是离子注入在进入硅膜后，高斯分布函数的掺杂浓度偏移系数。Np对应高斯分布函数的相对峰值。R对应高斯分布函数的离子注入射程。σ对应高斯分布函数的离子扩展宽度(即：高斯函数的方差)。硅膜中的掺杂浓度分布及拟合的高斯曲线如图3所示。
在硅膜掺杂浓度为高斯分布的条件下，栅极下的最大耗尽层宽度xdmax为公式(2)所示，其中为硅膜的费米能级：
步骤二.采用分离变量法求得膜耗尽区的二维电势分布解析表达式
图1所示的PD-SOI MOSFET器件结构，具有图3所示的掺杂分布特点。
是耗尽区的二维电势分布函数，E(x,y)是耗尽区的二维电场分布函数，自变量x,y均以nm为单位。因为是体接“地”电位的PD-SOI MOSFET，所以，硅膜耗尽区域之外的电场与电势都为“0”：
E(x,y)＝0 (x＞toxf+xdmax) (4)
基于耗尽层近似理论，其硅膜耗尽区域的二维泊松方程为：
在公式(5)中，NB(x)即为公式(1)所表征的高斯分布函数，L为沟道长度。
在耗尽区域以内，采用分离变量法，将电势分布函数分解为：长沟器件电势分布函数与短沟器件电势分布函数之和的形式来表征，如公式(6)所示。其中长沟器件电势分布与y的变化无关。而短沟器件电势分布函数体现源区和漏区之间横向电场的作用，满足拉普拉斯方程。
(一)求解长沟器件电势分布函数
因为长沟器件电势分布与y的变化无关，所以长沟器件电势分布所满足的泊松方程形式可由公式(5)简化为公式(7)：
将满足高斯分布规律的硅膜掺杂浓度函数NB(x)的解析表达式代入公式(7)，得到公式(8)：
泊松方程(8)的边界条件如下：
EL(toxf+xdmax)＝0 (9.2)
求解泊松方程(公式(8))，可得到耗尽区长沟器件电势分布函数的解析表达式，如公式(10)所示：
(二)求解短沟器件电势分布函数
短沟器件电势分布满足拉普拉斯方程，如公式(11)所示：
拉普拉斯方程(11)的边界条件如下面公式(12.1)～(12.4)所示：
求解拉普拉斯方程(公式(11))，可得到耗尽区短沟器件电势分布函数的解析表达式，如公式(13)所示：
在公式(13)中：
在公式(15)和(16)中，Vbody′为硅膜耗尽区之外(x＞toxf+xdmax)的电压，因为本发明针对的是体接地电位的PD-SOI器件(如图2所示)，所以本发明中Vbody′等于零。
公式(15)、(16)中的VD′、VS′、VG′分别为
VD′＝VDS+VBI (17.1)
VS′＝VS+VBI (17.2)
VG′＝VG-VFB (17.3)
公式(17.1)、(17.2)中：VBI为源区/漏区与硅膜的内建电势差。公式(17.3)中的VFB为栅氧化层两端的平带电压。
在公式(13)短沟器件电势分布函数的解析表达式的∑求和的各阶分量中，当n≥2时的高阶分量值衰减很快，因此，综合考虑准确性和简洁性，公式(13)中的求和公式仅取一阶分量(n＝1)，得到的近似表达式，如公式(18)所示：
步骤三.求解出虚拟阴极
根据PD-SOI虚拟阴极的定义：在沟道的表面(x＝toxf)处，沿沟道方向，电势分布函数达到最小值()的位置即为虚拟阴极。虚拟阴极的解析表达式如公式(19)所示：
在公式(19)中，虚拟阴极的纵坐标ymin可由求解公式(20)得出。
步骤四.阈值电压(VTH)模型的完整解析表达式
在实际的PD-SOI MOSFET工艺中，硅膜内杂质掺杂为高斯分布，其平均掺杂浓度在1017～1018(cm-3)的数量级，因此阈值电压遵循传统的阈值电压定义——即：虚拟阴极点的电势等于两倍的体内费米电势时栅极电压就是阈值电压。
在公式(23)中，为体内的费米电势，也就是硅衬底的费米电势。
由此定义，可得到阈值电压解析表达式，如公式(24)所示。
在公式(24)中，Voxf是栅氧化层两端的电压。
当栅极电压达到阈值电压(VTH)时，在沟道表面，在即栅氧与硅膜界面处(x＝toxf),硅膜耗尽层一侧中单位面积电荷密度的平均值如公式(25)所示：
由公式(25)可得出，栅氧化层两端的电压Voxf为公式(26)所示：
综上所述,高斯掺杂的体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型如公式(27)所示：
本发明提出的阈值电压模型物理概念明晰，无需经验参数，计算精度高的优点。
使用器件级数值仿真软件Synopsys TCAD对本发明提出的阈值电压模型进行验证。使用Synopsys TCAD的工艺仿真工具Sprocess基于实际的部分耗尽绝缘体上硅的工艺流程来生成N沟PD-SOI器件进行仿真分析，N沟PD-SOI MOSFET器件的剖面图如图1所示。根据实际的硅膜掺杂离子注入和快速退火工艺，由Synopsys TCAD的Sprocess仿真出的硅膜掺杂分布及拟合得到的高斯函数如图3所示。使用Synopsys TCAD的器件仿真工具Sdevice进行器件仿真，定义源端电压VS为“0V”，硅膜耗尽区以外的电压为“0V”，硅衬底偏压为“0V”。在图4中，实心圆点代表Sdevice仿真得出的阈值电压值，而对应的实线代表本模型计算得出的阈值电压值。可以看出：本发明提出的模型与数值仿真工具得到的PD-SOI器件的阈值电压符合良好。因此可得出结论：本发明所提出的PD-SOI器件的二维阈值电压解析模型可以很好地应用在电路仿真中。
本发明所述的模型能够应用在预测PD-SOI MOSFET器件的寄生背栅晶体管在总剂量辐照后的转移特性变化。
PD-SOI MOSFET器件抗总剂量辐照能力薄弱是制约PD-SOI技术在空间环境中应用的瓶颈。由于埋氧层的厚度一般在几百纳米到几个微米之间，远大于器件的栅氧化层，总剂量辐射引起大量的正空穴积累在埋氧层中，从而引起器件寄生背栅晶体管阈值电压发生负向漂移。在大剂量辐照下，背栅晶体管的阈值电压漂移足够大导致器件在关态下仍有明显的辐照漏电，器件的开关特性消失。
传统的评估PD-SOI器件的方法是将器件置于60Co γ射线环境中，模拟空间总剂量辐射环境，当器件接受预定的辐照剂量后测量器件性能的退化。该方法费时、费力，需要制作辐照偏置板、器件封装等，而且存在着总剂量辐照实验费用较高的问题。应用本发明提出的PD-SOI MOSFET精确阈值电压解析模型，可以在不需要进行总剂量辐照实验的基础上精确预测不同辐照剂量点下寄生背栅晶体管的阈值电压漂移，并进一步获得器件的关态漏电流水平。
具体的应用方法是：研究寄生背栅晶体管的背沟道电流，在公式(27)表征的阈值电压解析模型中插入一项是总剂量辐照引起正空穴积累对阈值电压的影响因子，将公式(27)更改为公式(28)来进行应用：
而其他关于阈值电压的推导不做改变。通过这种快捷的方法，我们计算了某0.13微米PD-SOI工艺下核心(CORE)器件辐照前后的寄生转移特性曲线，如图6中0.13微米PD-SOI工艺下核心器件辐照前后的寄生背栅管的转移特性曲线图所示。在图6中，离散的实心点代表总剂量辐照实验前与实验后的寄生背栅晶体管的背沟道电流Id-back值，而对应的实线代表基于本模型阈值电压计算得出寄生背栅晶体管的背沟道电流Id-back值。可以看出:本发明模型模拟所得器件的曲线与器件经过辐照实验的电流-电压曲线能够精确地吻合。因此得出结论：应用本发明提出的阈值电压模型，能够用于帮助电路工程师快速分析不同总剂量辐照下器件、电路的漏电流水平变化。
发明中涉及的符号列表如下：
x 垂直于沟道方向的坐标(nm)
y 平行于沟道方向的坐标(nm)
q 电子电荷量(C)
NB(x) 硅膜掺杂浓度函数(cm-3)
硅膜掺杂浓度的平均值(cm-3)
Nos 高斯分布函数的掺杂浓度偏移系数(cm-3)
Np 高斯分布函数的相对峰值(cm-3)
R 高斯分布函数的离子注入射程(nm)
σ 高斯分布函数的离子扩展宽度(高斯函数的方差)(nm)
VTH 阈值电压(V)
VFB 栅氧化层两端的平带电压(V)
VBI 内建电势差(V)
体内费米电势(V)
VDS 漏源电压(V)
VS 源端电压(V)
VG 栅极电压(V)
Vbody′ 硅膜耗尽区之外(x＞toxf+xdmax)的电压(V)
toxf 栅氧层厚度(nm)
xdmax 栅极下硅膜的最大耗尽层宽度层(nm)
L 沟道长度(nm)
εox 二氧化硅相对介电常数(F/cm)
εsi 硅相对介电常数(F/cm)
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容做出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (6)
1.一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法，其特征在于，包括如下步骤，
步骤1，建立PD-SOI MOSFET器件；
步骤2，对应PD-SOI MOSFET器件中具体的离子注入方法，拟合出硅膜内杂质高斯分布的解析表达式；
步骤3，采用分离变量法，将考虑短沟效应的硅膜耗尽区二维电势分布函数分解为长沟器件电势分布函数与短沟器件电势分布函数之和的形式；通过求解泊松方程得到长沟器件电势分布函数的解析表达式，求解拉普拉斯方程得到短沟器件电势分布函数的解析表达式；然后将求解得到的长沟器件电势分布函数和短沟器件电势分布函数相加，得到完整的硅膜耗尽区二维电势分布函数；
步骤4，根据PD-SOI MOSFET器件虚拟阴极的定义，结合长沟器件的电势解析表达式与短沟器件的电势解析表达式得到虚拟阴极的位置；
步骤5，根据实际的PD-SOI MOSFET工艺中，硅膜内杂质掺杂为高斯分布，其平均掺杂浓度在1017～1018cm-3的数量级，得到阈值电压遵循虚拟阴极点的电势等于两倍体内费米电势时的栅极电压就是阈值电压的定义，由硅膜耗尽区二维电势分布函数得到栅氧化层两端的电压，从而得到该二维阈值电压解析模型的解析式，建立该二维阈值电压解析模型；
该体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型的解析式为：
其中，
VTH为阈值电压，VFB为栅氧化层两端的平带电压，为体内费米电势，toxf是栅氧层厚度，Nos为离子注入进入硅膜后，高斯分布函数的掺杂浓度偏移系数，εox为二氧化硅相对介电常数，是在硅膜掺杂浓度为高斯分布的条件下，栅极下的最大耗尽层宽度，σ为高斯分布函数的离子扩展宽度，Np为高斯分布函数的相对峰值，q为电子电荷量，εsi为硅相对介电常数，L为沟道长度；
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在公式(16.1)、(15.1)和(14)中，为硅膜掺杂浓度的平均值，toxf是栅氧层厚度nm，tsi是硅膜厚度nm，Vbody′为硅膜耗尽区之外的电压；
VD′＝VDS+VBI (17.1)；
VS′＝VS+VBI (17.2)；
VG′＝VG-VFB (17.3)；
公式(17.1)、(17.2)中：VDS为漏源电压，VS为源端电压，VG为栅极电压，VBI为源区/漏区与硅膜的内建电势差；公式(17.3)中的VFB为栅氧化层两端的平带电压。
2.根据权利要求1所述的一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法，其特征在于，步骤2中，拟合硅膜内杂质高斯分布的解析表达式时，在垂直于沟道的x方向上，硅膜掺杂浓度为高斯分布的解析表达式如下：
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其中，x的取值范围为0+toxf≤x≤toxf+xdmax；NB(x)为硅膜掺杂浓度函数，x是垂直于沟道方向的坐标，xdmax是栅极下的硅膜最大耗尽层宽度，Nos是离子注入在进入硅膜后，高斯分布函数的掺杂浓度偏移系数，Np为高斯分布函数的相对峰值，R为高斯分布函数的离子注入射程，σ为高斯分布函数的离子扩展宽度。
3.根据权利要求1所述的一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法，其特征在于，步骤3中得到长沟器件的电势解析表达式如下：
其中，x的取值范围为0+toxf≤x≤toxf+xdmax，Nos、Np、R及σ的含义同公式(1)所述。
4.根据权利要求1所述的一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法，其特征在于，步骤3中得到短沟器件的电势解析表达式如下：
其中，x的取值范围为0+toxf≤x≤toxf+xdmax，y的取值范围为0≤y≤L，c1为公式(15.1)所示，a1为公式(16.1)所示，WT为公式(14)所示。
5.根据权利要求1所述的一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法，其特征在于，步骤4中根得到的虚拟阴极的位置如下：
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其中，WT为公式(14)所表征，a1为公式(16.1)所表征，c1为公式(15.1)所表征，L为沟道长度。
6.一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压计算方法，其特征在于，包括如下步骤，首先，根据如权利要求1-5任意一项所述的体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型建立方法建立二维阈值电压解析模型，然后结合数值计算工具得到的PD-SOI MOSFET器件的阈值电压。
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