CN104931828A - 一种cpu rv转换效率的测试系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种CPU VR转换效率的测试系统及方法，该系统包括：计算装置、可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器，所述可编程直流电子负载用于对所述CPU VR进行拉载，并在拉载过程中获取CPU VR输出电流，所述可编程直流电源用于为所述主板提供输入电压，并在所述拉载过程中获取CPU VR输入电流，所述数据采集器用于采集CPU VR输入电压和CPU VR输出电压，所述计算装置用于从所述可编程直流电源获取所述CPU VR输入电流，从所述可编程直流电子负载获取所述CPU VR输出电流，从所述数据采集器获取所述CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，并根据获取的电流和电压计算CPU VR转换效率。本方案能够提高CPU VR转换效率的测量精度。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种CPU VR转换效率的测试系统及方法。
背景技术
随着电子科技技术的不断发展与进步，用户对电子产品性能的要求也不断提高，为了追求更高的响应速度和产品性能，提高CPU的工作性能成为发展的必然，但是在提高CPU工作性能的同时，CPU的功耗也必然会出现相应的提高，因此人们对CPU VR电压转换损耗的关注也越来越多，而CPU VR转换效率是判断CPU VR电压转换性能的唯一标准。
目前，对于CPU VR转换效率的测试方法主要包括：通过在输入端串联精密电阻，通过精密电阻测量输入电流，根据测试到的输入电流，进行相应的计算，从而获得CPU VR转换效率。
针对于现有技术的这种CPU VR转换效率的测试方法，由于CPU VR输出电流在满载时会到达200A以上，大电流将导致精密电阻产生大量的热量，精密电阻受本身精度和温度的影响，将使测试结果产生较大的偏差，因此，通过现有技术测量CPU VR转换效率，测试精度较低。
发明内容
本发明提供一种CPU VR转换效率的测试系统及方法，能够提高CPU VR转换效率的测量精度。
本发明实施例提供了一种CPU VR转换效率的测试系统，包括：计算装 置、可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器；
所述可编程直流电子负载，与CPU VR输出端相连，用于对所述CPU VR进行拉载，并在拉载过程中获取CPU VR输出电流；
所述可编程直流电源，与所述CPU VR所在主板的电源输入端相连，用于为所述主板提供输入电压，并在所述拉载过程中获取CPU VR输入电流；
所述数据采集器，用于在所述CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，在所述CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；
所述计算装置，用于从所述可编程直流电源获取所述CPU VR输入电流，从所述可编程直流电子负载获取所述CPU VR输出电流，从所述数据采集器获取所述CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，并根据获取的所述CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，计算CPU VR转换效率。
优选地，该系统进一步包括：PSU电源；
所述PSU电源，与所述主板上Driver-MOS的电源输入端相连，用于为Driver-MOS提供工作电压；
所述数据采集器，进一步用于采集所述Driver-MOS的工作电压和工作电流；
所述计算装置，用于通过所述数据采集器获取Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，并进一步根据获取的Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，执行所述计算CPU VR转换效率。
优选地，所述计算装置，用于通过以下公式计算得出CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)；
其中，Iin为CPU VR输入电流，Iout为CPU VR输出电流，Vin为CPU VR输入电压，Vout为CPU VR输出电压，Vmos为Driver-MOS工作电压，Imos为Driver-MOS工作电流。
优选地，该系统进一步包括：精密电阻；
所述精密电阻分别与所述PSU电源及Driver-MOS的电源输入端相连；
所述数据采集器，进一步用于采集所述精密电阻两端的电压；
所述计算装置，进一步用于从所述数据采集器获取所述精密电阻两端的电压，并根据所述精密电阻的电阻值，通过计算获得所述Driver-MOS工作电流。
优选地，所述可编程直流电源，用于通过Sense线与所述CPU VR输入端的输入电压采集点相连，实时监控所述CPU VR输入电压，并根据所述CPU VR输入电压调整自身的输出电压。
优选地，该系统进一步包括：Intel Load Board；
所述Intel Load Board一端与所述CPU VR输出端相连，另一端与所述可编程直流电子负载相连，其中，所述可编程直流电子负载上的负载线通过螺丝固定于所述Intel Load Board上，所述Intel Load Board用于为所述可编程直流电子负载提供平台，所述可编程直流电子负载通过该平台对所述CPU VR进行拉载。
本发明实施例还提供了一种CPU VR转换效率的测试方法，该方法包括：
将可编程直流电源与CPU VR所在主板的电源输入端相连，对所述CPU VR所在主板提供输入电压；
将可编程直流电子负载与所述CPU VR输出端相连，对所述CPU VR进行拉载；
所述可编程直流电源在所述拉载过程中获取CPU VR输入电流；
所述可编程直流电子负载在所述拉载过程中获取CPU VR输出电流；
数据采集器在CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，在CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；
计算装置从所述可编程直流电源获取所述CPU VR输入电流，从可编程直流电子负载获取CPU VR输出电流；
所述计算装置通过所述数据采集器获取所述CPU VR输出电压及CPU VR输入电压；
所述计算装置根据获取的所述CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输出电压、CPU VR输入电压，计算CPU VR转换效率。
优选地，该方法进一步包括：在所述主板上Driver-MOS的电源输入端连接PSU电源，为所述Driver-MOS提供工作电压；
所述数据采集器进一步采集所述Driver-MOS的工作电压和工作电流；
所述计算装置通过所述数据采集器获取Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，并进一步根据获取的Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，计算CPU VR转换效率。
优选地，所述计算装置计算CPU VR转换效率包括：
所述计算装置通过以下公式计算得出CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)；
其中，Iin为CPU VR输入电流，Iout为CPU VR输出电流，Vin为CPU VR输入电压，Vout为CPU VR输出电压，Vmos为Driver-MOS工作电压，Imos为Driver-MOS工作电流。
优选地，所述数据采集器采集所述Driver-MOS的工作电流包括：在所述PSU电源与所述Driver-MOS的电源输入端之间连接一个精密电阻，所述数据采集器采集所述精密电阻两端的电压，所述计算装置从所述数据采集器获取所述精密电阻两端的电压，并根据所述精密电阻的电阻值，通过计算获得所述Driver-MOS工作电流。
优选地，所述可编程直流电源通过Sense线与所述CPU VR输入端的输入电压采集点相连，实时监控所述CPU VR输入电压，并根据所述CPU VR输入电压调整自身的输出电压。
优选地，在所述可编程直流电子负载与所述CPU VR输出端之间连接Intel Load Board，其中，所述可编程直流电子负载上的负载线通过螺丝固定于所述Intel Load Board上，所述Intel Load Board用于为所述可编程直流电子负载提供平台，所述可编程直流电子负载通过该平台对所述CPU VR进行 拉载。
本发明实施例提供了一种CPU VR转换效率的测试系统及方法，该系统包括计算装置、可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器，由可编程直流电源对CPU VR所在主板提供输入电压，由可编程直流电子负载对CPU VR进行拉载，在拉载过程中，可编程直流电源获取CPU VR输入电流，可编程直流电子负载获取CPU VR输出电流；数据采集器通过CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，通过CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；计算装置分别从可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器获取CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，并通过获取的电流和电压参数计算CPU VR转换效率，由于CPU VR输入电流是由可编程直流电源直接获得，在对CPU VR拉载过程中，不会产生因为电流增大发热而导致所获取的CPU VR输入电流不准确的情况发生，从而提高CPU VR转换效率的测量精度。
附图说明
图1是本发明一个实施例提供的一种CPU VR转换效率的测试系统示意图；
图2是本发明另一个实施例提供的一种CPU VR转换效率的测试系统结构示意图；
图3是本发明一个实施例提供的一种CPU VR转换效率的测试方法流程图。
图4是本发明另一个实施例提供的一种CPU VR转换效率的测试方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不 是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明一个实施例提供了一种CPU VR转换效率的测试系统，包括：计算装置101、可编程直流电源102、可编程直流电子负载103及数据采集器104；
所述可编程直流电子负载103，与CPU VR输出端相连，用于对所述CPU VR进行拉载，并在拉载过程中获取CPU VR输出电流；
所述可编程直流电源102，与所述CPU VR所在主板的电源输入端相连，用于为所述主板提供输入电压，并在所述拉载过程中获取CPU VR输入电流；
所述数据采集器104，用于在所述CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，在所述CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；
所述计算装置101，用于从所述可编程直流电源102获取所述CPU VR输入电流，从所述可编程直流电子负载103获取所述CPU VR输出电流，从所述数据采集器104获取所述CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，并根据获取的所述CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，计算CPU VR转换效率。
本发明实施例提供了一种CPU VR转换效率的测试系统，该系统包括计算装置、可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器，由可编程直流电源对CPU VR所在主板提供输入电压，由可编程直流电子负载对CPU VR进行拉载，在拉载过程中，可编程直流电源获取CPU VR输入电流，可编程直流电子负载获取CPU VR输出电流；数据采集器通过CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，通过CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；计算装置分别从可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器获取CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，并通过获取的电流和电压参数计算CPU VR转换效率，由于CPU VR输入电流是由可编程直流电源直接获得，在对CPU VR拉载过程中，不会产生因为电流增大发热而导致所获取的CPU VR输入电流不准确的情况发生，从而提高CPU VR转换效率的测量精度。
在本发明一个实施例中，该测试系统进一步可以包括PSU电源，该PSU电源为Driver-MOS提供工作电压，通过数据采集器采集Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，并将Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流加入到CPU VR转换效率的计算中，将Driver-MOS的损耗加入到CPU VR转换效率的计算中，从而提高CPU VR转换效率的测量精度。
在本发明一个实施例中，计算装置通过以下公式计算得出CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)；
其中，Iin为CPU VR输入电流，Iout为CPU VR输出电流，Vin为CPU VR输入电压，Vout为CPU VR输出电压，Vmos为Driver-MOS工作电压，Imos为Driver-MOS工作电流。
在本发明一个实施例中，在PSU电源和Driver-MOS的电源输入端之间连接一个精密电阻，数据采集器采集精密电阻两端的电压，通过精密电阻两端的电压和精密电阻的电阻值，计算得出Driver-MOS工作电流，由于Driver-MOS的工作电流较小，精密电阻不会产生大量的热量，通过精密电阻可以准确的测出Driver-MOS工作电流。
在本发明一个实施例中，可编程直流电源通过Sense线与CPU VR输入端的输入电压采集点相连，在可编程直流电子负载进行拉载过程中，实时监控所述CPU VR输入电压，并根据CPU VR输入电压的变化调整自身的输出电压，确保CPU VR输入电压的稳定，从而提高CPU VR转换效率的测量精度。
在本发明一个实施例中，在主板上的CPU VR输出端与可编程直流电子负载之间连接Intel Load Board，可编程直流电子负载上的负载线通过螺丝固定于所述Intel Load Board上，可编程直流电子负载通过Intel Load Board对CPU VR进行拉载，由于是通过螺丝固定的，无需焊接，避免了因焊接不良 带来的测试误差。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步地详细描述。
如图2所示，本发明一个实施例提供了一种CPU VR转换效率的测试系统，该系统包括：计算装置201、可编程直流电源202、可编程直流电子负载203、数据采集器204、PSU电源205、精密电阻206及Intel Load Board207。
待测CPU VR所在主板208上包括Driver-MOS209、CPU VR电源转换芯片210、CPU VR输入电压采集点213、CPU VR输出电压采集点211及Driver-MOS工作电压采集点212。
可编程直流电源202与待测CPU VR所在主板208的电源输入端相连，为所述主板208提供输入电压，并通过Sense线与CPU VR输入电压采集点213相连；
PSU电源205通过精密电阻206与Driver-MOS209的电源输入端相连，为Driver-MOS209提供工作电压；
Intel Load Board207为测试治具，安置于主板CPU Socket内的Intel Interposer上，与CPU VR的输出端相连；
可编程直流电子负载203通过负载线与Intel Load Board207相连，其中负载线通过螺丝固定在Intel Load Board207；
数据采集器204分别与精密电阻206、CPU VR输出电压采集点211、CPU VR输入电压采集点213及Driver-MOS工作电压采集点212相连；
计算装置201分别与可编程直流电源202、可编程直流电子负载203及数据采集器204相连。
开始测试后，可编程直流电源202为主板208提供输入电压，并通过Sense线实时监控CPU VR输入电压，根据CPU VR输入电压的变化调整自身输出电压，以保证CPU VR输入电的稳定，PSU电源206为Driver-MOS209提供工作电压，可编程直流电子负载203根据预先设置好的参数对CPU VR进行拉载；
可编程直流电源202获取CPU VR输入电流Iin，可编程直流电子负载203获取CPU VR输出电流Iout，并分别将获取的CPU VR输入电流Iin和CPU VR输出电流Iout传递给计算装置201；
数据采集器204，通过CPU VR输入电压采集点213采集CPU VR输入电压Vin，通过CPU VR输出电压采集点211采集CPU VR输出电压Vout，通过Driver-MOS工作电压采集点212采集Driver-MOS工作电压Vmos，采集精密电阻206两端的电压，并根据精密电阻206的电阻值，计算出Driver-MOS工作电流Imos；
计算装置201，从可编程直流电源202获取CPU VR输入电流Iin，从可编程直流电子负载203获取CPU VR输出电流Iout，从数据采集器204获取CPU VR输入电压Vin，CPU VR输出电压Vout，Driver-MOS工作电压Vmos及Driver-MOS工作电流Imos，根据以下公式计算CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)。
如图3所示，本发明一个实施例还提供了一种CPU VR转换效率的测试方法，该方法包括：
步骤301：将可编程直流电源与CPU VR所在主板的电源输入端相连，对所述CPU VR所在主板提供输入电压；
步骤302：将可编程直流电子负载与所述CPU VR输出端相连，对所述CPU VR进行拉载；
步骤303：所述可编程直流电源在所述拉载过程中获取CPU VR输入电流；
步骤304：所述可编程直流电子负载在所述拉载过程中获取CPU VR输出电流；
步骤305：数据采集器在CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，在CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；
步骤306：计算装置从所述可编程直流电源获取所述CPU VR输入电流，从可编程直流电子负载获取CPU VR输出电流；
步骤307：所述计算装置通过所述数据采集器获取所述CPU VR输出电压及CPU VR输入电压；
步骤308：所述计算装置根据获取的所述CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输出电压、CPU VR输入电压，计算CPU VR转换效率。
在本发明一个实施例中，该方法进一步包括：
在所述主板上Driver-MOS的电源输入端连接PSU电源，为所述Driver-MOS提供工作电压；
所述数据采集器进一步采集所述Driver-MOS的工作电压和工作电流；
所述计算装置通过所述数据采集器采集Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，并进一步根据获取的Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，计算CPU VR转换效率。
在本发明一个实施例中，所述计算装置计算CPU VR转换效率包括：
所述计算装置通过以下公式计算得出CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)；
其中，Iin为CPU VR输入电流，Iout为CPU VR输出电流，Vin为CPU VR输入电压，Vout为CPU VR输出电压，Vmos为Driver-MOS工作电压，Imos为Driver-MOS工作电流。
在本发明一个实施例中，所述数据采集器采集所述Driver-MOS的工作电流包括：在所述PSU电源与所述Driver-MOS的电源输入端之间连接一个精密电阻，所述数据采集器采集所述精密电阻两端的电压，所述计算装置从所述数据采集器获取所述精密电阻两端的电压，并根据所述精密电阻的电阻值，通过计算获得所述Driver-MOS工作电流。
在本发明一个实施例中，所述可编程直流电源通过Sense线与所述CPU VR输入端的输入电压采集点相连，实时监控所述CPU VR输入电压，并根据所述CPU VR输入电压调整自身的输出电压。
在本发明一个实施例中，在所述可编程直流电子负载与所述CPU VR输出端之间连接Intel Load Board，其中，所述可编程直流电子负载上的负载线 通过螺丝固定于所述Intel Load Board上，所述Intel Load Board用于为所述可编程直流电子负载提供平台，所述可编程直流电子负载通过该平台对所述CPU VR进行拉载。
下面将结合图2所示的CPU VR转换效率测试系统，对包括CPU VR转换效率的测试方法进行详细描述。
如图4所示，本发明一个实施例提供了一种CPU VR转换效率的测试方法，包括：
步骤401：将可编程直流电源与CPU VR所在主板的电源输入端相连，并通过Sense线与CPU VR输入电压采集点相连，对CPU VR所在主板提供稳定输入电压。
在本发明一个实施例中，将可编程直流电源202与主板208的电源输入端相连，由可编程直流电源202提供电源转换所需要的电压，可编程直流电源202通过Sense线与CPU VR输入电压采集点相连，实时对CPU VR输入电压进行监控，并根据CPU VR输入电压的变化调整自身的输出电压。
步骤402：将PSU电源通过精密电阻与Driver-MOS209的电源输入端相连，为Driver-MOS209提供工作电压。
在本发明一个实施例中，将精密电阻206与Driver-MOS的电源输入端相连，PSU电源205与精密电阻206相连，由PSU电源205单独为Driver-MOS209提供工作电压。
步骤403：将可编程直流电子负载通过Intel Load Board与CPU VR输出端相连，对CPU VR进行拉载。
在本发明一个实施例中，可编程直流电子负载203与CPU VR输出端之间连接一个测试治具Intel Load Board207，Intel Load Board207安置于主板CPU Socket内的Intel Interposer上，与CPU VR的输出端相连，另一端通过螺丝与可编程直流电子负载203的负载线连接，可编程直流电子负载203通过测试治具Intel Load Board207对CPU VR进行拉载。
步骤404：可编程直流电源在拉载过程中获取CPU VR输入电流。
在本发明一个实施例中，可编程直流电源202在对主板208供电的同时，通过自身的监控系统，获取自身的输出电流，即为CPU VR输入电流Iin，并将获取到的CPU VR输入电流Iin传递给计算装置201。
步骤405：可编程直流电子负载在拉载过程中获取CPU VR输出电流。
在本发明一个实施例中，可编程直流电子负载203在对CPU VR进行拉载的同时，利用自身配备的数据采集装置，对CPU VR输出电流Iout进行采集，并将采集到的CPU VR输出电流Iout传递给计算装置201。
步骤406：数据采集器采集CPU VR输入电压、CPU VR输出电压、Driver-MOS工作电压及精密电阻两端的电压。
在本发明一个实施例中，数据采集器204通过CPU VR输入电压采集点213采集CPU VR输入电压Vin，通过CPU VR输出电压采集点211采集CPU VR输出电压Vout，通过Driver-MOS工作电压采集点212采集Driver-MOS工作电压Vmos，并采集精密电阻206两端的电压V，并将采集到的各个电压值传递给计算装置201。
步骤407：计算装置获取CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输入电压、CPU VR输出电压、Driver-MOS工作电压及精密电阻两端电压。
在本发明一个实施例中，计算装置201通过可编程直流电源202获取CPU VR输入电流Iin，通过可编程直流电子负载203获取CPU VR输出电流Iout，通过数据采集器204获取CPU VR输入电压Vin、CPU VR输出电压Vout、Driver-MOS工作电压Vmos及精密电阻206两端的电压V。
步骤408：计算装置根据精密电阻两端的电压及精密电阻的电阻值，计算Driver-MOS工作电流。
在本发明一个实施例中，计算装置201根据获取的精密电阻206两端的电压V及精密电阻206的电阻值R，通过以下公式计算获得Driver-MOS工作电流Imos：
Imos＝V/R。
步骤409：计算装置根据CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR 输入电压、CPU VR输出电压、Driver-MOS工作电压及Driver-MOS工作电流，计算CPU VR转换效率。
在本发明一个实施例中，计算装置201根据获取到的CPU VR输入电流Iin、CPU VR输出电流Iout、CPU VR输入电压Vin、CPU VR输出电压Vout、Driver-MOS工作电压Vmos及Driver-MOS工作电流Imos，通过以下公式计算CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)。
需要说明的是，本发明实施例为了详细描述CPU VR转换效率的测试方法，将该方法划分为多个步骤，在实际业务实现过程中，各个步骤的先后顺序不局限于本发明实施例提供的顺序，例如步骤304至步骤306可以任意互换顺序。
根据上述方案，本发明的实施例所提供的一种CPU VR转换效率的测试系统及方法，至少具有如下有益效果：
1、本发明实施例中，CPU VR转换效率的测试系统包括计算装置、可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器，由可编程直流电源对CPU VR所在主板提供输入电压，由可编程直流电子负载对CPU VR进行拉载，在拉载过程中，可编程直流电源获取CPU VR输入电流，可编程直流电子负载获取CPU VR输出电流；数据采集器通过CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，通过CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；计算装置分别从可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器获取CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，并通过获取的电流和电压参数计算CPU VR转换效率，由于CPU VR输入电流是由可编程直流电源直接获得，在对CPU VR拉载过程中，不会产生因为电流增大发热而导致所获取的CPU VR输入电流不准确的情况发生，从而提高CPU VR转换效率的测量精度。
2、本发明实施例中，通过PSU电源单独为Driver-MOS提供工作电压，并将Driver-MOS的工作电流和工作电压作为计算CPU VR转换效率的参数， 将Driver-MOS的损耗加入到CPU VR转换效率的计算中，从而提高CPU VR转换效率的测量精度。
3、在本发明实施例中，利用精密电阻测量Driver-MOS的工作电流，通过精密电阻两端的电压值及精密电阻自身的电阻值，计算获得Driver-MOS的工作电流，由于Driver-MOS的工作电流较小，精密电阻不会产生大量的热量，通过精密电阻可以准确的测出Driver-MOS工作电流，从而确保CPU VR转换效率的准确性。
4、本发明实施例中，可编程直流电源通过Sense线实时监控CPU VR输入电压，并根据CPU VR输入电压的变化调整自身的输出电压，确保CPU VR输入电压的稳定，从而提高CPU VR转换效率的测量精度。
5、本发明实施例中，可编程直流电子负载通过Intel Load Board对CPU VR进行拉载，Intel Load Board为测试治具，可编程直流电子负载的负载线通过螺丝与Intel Load Board相连，无需焊接，避免了因焊接不良带来的测试误差。
上述设备内的各单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本发明方法实施例基于同一构思，具体内容可参见本发明方法实施例中的叙述，此处不再赘述。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个〃〃〃〃〃〃”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤 可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。
最后需要说明的是：以上所述仅为本发明的较佳实施例，仅用于说明本发明的技术方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种CPU VR转换效率的测试系统，其特征在于，包括：计算装置、可编程直流电源、可编程直流电子负载及数据采集器；
所述可编程直流电子负载，与CPU VR输出端相连，用于对所述CPU VR进行拉载，并在拉载过程中获取CPU VR输出电流；
所述可编程直流电源，与所述CPU VR所在主板的电源输入端相连，用于为所述主板提供输入电压，并在所述拉载过程中获取CPU VR输入电流；
所述数据采集器，用于在所述CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，在所述CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；
所述计算装置，用于从所述可编程直流电源获取所述CPU VR输入电流，从所述可编程直流电子负载获取所述CPU VR输出电流，从所述数据采集器获取所述CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，并根据获取的所述CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输入电压及CPU VR输出电压，计算CPU VR转换效率。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括：PSU电源；
所述PSU电源，与所述主板上Driver-MOS的电源输入端相连，用于为Driver-MOS提供工作电压；
所述数据采集器，进一步用于采集所述Driver-MOS的工作电压和工作电流；
所述计算装置，用于通过所述数据采集器获取Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，并进一步根据获取的Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，执行所述计算CPU VR转换效率。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述计算装置，用于通过以下公式计算得出CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)；
其中，Iin为CPU VR输入电流，Iout为CPU VR输出电流，Vin为CPU VR输入电压，Vout为CPU VR输出电压，Vmos为Driver-MOS工作电压，Imos为Driver-MOS工作电流。
4.根据权利要求2或3所述的系统，其特征在于，进一步包括：精密电阻；
所述精密电阻分别与所述PSU电源及Driver-MOS的电源输入端相连；
所述数据采集器，进一步用于采集所述精密电阻两端的电压；
所述计算装置，进一步用于从所述数据采集器获取所述精密电阻两端的电压，并根据所述精密电阻的电阻值，通过计算获得所述Driver-MOS工作电流。
5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述可编程直流电源，用于通过Sense线与所述CPU VR输入端的输入电压采集点相连，实时监控所述CPU VR输入电压，并根据所述CPU VR输入电压调整自身的输出电压；
和/或，
进一步包括：Intel Load Board；
所述Intel Load Board一端与所述CPU VR输出端相连，另一端与所述可编程直流电子负载相连，其中，所述可编程直流电子负载上的负载线通过螺丝固定于所述Intel Load Board上，所述Intel Load Board用于为所述可编程直流电子负载提供平台，所述可编程直流电子负载通过该平台对所述CPUVR进行拉载。
6.一种CPU VR转换效率的测试方法，其特征在于，包括：
将可编程直流电源与CPU VR所在主板的电源输入端相连，对所述CPUVR所在主板提供输入电压；
将可编程直流电子负载与所述CPU VR输出端相连，对所述CPU VR进行拉载；
所述可编程直流电源在所述拉载过程中获取CPU VR输入电流；
所述可编程直流电子负载在所述拉载过程中获取CPU VR输出电流；
数据采集器在CPU VR输入端的输入电压采集点采集CPU VR输入电压，在CPU VR输出端的输出电压采集点采集CPU VR输出电压；
计算装置从所述可编程直流电源获取所述CPU VR输入电流，从可编程直流电子负载获取CPU VR输出电流；
所述计算装置通过所述数据采集器获取所述CPU VR输出电压及CPUVR输入电压；
所述计算装置根据获取的所述CPU VR输入电流、CPU VR输出电流、CPU VR输出电压、CPU VR输入电压，计算CPU VR转换效率。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括:
在所述主板上Driver-MOS的电源输入端连接PSU电源，为所述Driver-MOS提供工作电压；
所述数据采集器进一步采集所述Driver-MOS的工作电压和工作电流；
所述计算装置通过所述数据采集器获取Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，并进一步根据获取的Driver-MOS的工作电压及Driver-MOS的工作电流，计算CPU VR转换效率。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述计算装置计算CPU VR转换效率包括：
所述计算装置通过以下公式计算得出CPU VR转换效率§：
§＝(Vout×Iout)/(Vin×Iin+Vmos×Imos)；
其中，Iin为CPU VR输入电流，Iout为CPU VR输出电流，Vin为CPU VR输入电压，Vout为CPU VR输出电压，Vmos为Driver-MOS工作电压，Imos为Driver-MOS工作电流。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述数据采集器采集所述Driver-MOS的工作电流包括：在所述PSU电源与所述Driver-MOS的电源输入端之间连接一个精密电阻，所述数据采集器采集所述精密电阻两端的电压，所述计算装置从所述数据采集器获取所述精密电阻两端的电压，并根据所述精密电阻的电阻值，通过计算获得所述Driver-MOS工作电流。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：
所述可编程直流电源通过Sense线与所述CPU VR输入端的输入电压采集点相连，实时监控所述CPU VR输入电压，并根据所述CPU VR输入电压调整自身的输出电压；
和/或，
在所述可编程直流电子负载与所述CPU VR输出端之间连接Intel LoadBoard，其中，所述可编程直流电子负载上的负载线通过螺丝固定于所述IntelLoad Board上，所述Intel Load Board用于为所述可编程直流电子负载提供平台，所述可编程直流电子负载通过该平台对所述CPU VR进行拉载。
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