CN104916712A - 太阳能电池栅线复合电极 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
一种太阳能电池栅线复合电极，包括设在电池上的透明导电栅线电极以及金属栅线电极，其中：所述透明导电栅线电极为透明导电氧化物栅线电极；所述金属栅线电极覆盖在所述透明导电栅线电极上，并与该透明导电氧化物栅线电极形成欧姆接触。本发明还提供一种包括所述复合电极的太阳能电池。本发明太阳能电池栅线复合电极能够使大量光子透过，从而提升太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池栅线复合电极。
背景技术
太阳能电池作为一种清洁环保能源，近些年发展迅猛。太阳能电池的生产工艺中，正面栅线电极的设计和制备作为一项必备的步骤，对太阳能电池的光电转换效率起着至关重要的作用。
目前常规太阳能电池采用金属来制作它的正面栅线电极（请参考图1）。为减少栅线电极遮光面积，要求栅线尽可能细，但由此却会带来太阳能电池串联电阻的增加，大大降低了太阳能电池的转换效率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种太阳能电池栅线复合电极。
本发明提供的太阳能电池栅线复合电极，包括设在电池上的透明导电栅线电极以及金属栅线电极，其中：所述透明导电栅线电极为透明导电氧化物栅线电极；所述金属栅线电极覆盖在所述透明导电栅线电极上，并与该透明导电氧化物栅线电极形成良好的欧姆接触。
优选的，所述电池采用三五族半导体化合物太阳能电池，其为GaAs电池、GaInP电池、GaInP/GaAs双结电池、GaInP/GaAs/InGaAsP三结电池、GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结电池。
优选的，所述透明导电氧化物栅线电极包括主栅线和副栅线。
优选的，所述透明导电氧化物为氧化铟锡或锡掺杂的氧化铟、铝掺杂的氧化锌。
优选的，欧姆接触为所述透明导电氧化物与所述金属之间形成一个非整流的接触，主要通过选择合适功函数的金属材料以及通过退火工艺来实现。
优选的，所述金属栅线电极用来连接该太阳能电池与外电路。
优选的，所述外电路可以是一个电阻，可以是收集太阳能电池能量的设备，也可以是测试太阳能电池电流电压特性的测试系统。
本发明另一方面提供一种包括本发明复合电极的太阳能电池。
本发明利用金属-透明导电氧化物栅线作为复合电极，与传统的金属栅线电极相比，本发明能够使大量光子透过，从而提升太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1为目前常规太阳能电池栅线电极示意图。
图2为本发明太阳能电池栅线复合电极较佳实施例的示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
参阅图2所示，是本发明太阳能电池栅线复合电极较佳实施例的示意图。
所述太阳能电池栅线复合电极，包括：设在电池10上的透明导电栅线电极20以及金属栅线电极30。
其中，在本较佳实施例中，所述电池10采用三五族半导体化合物太阳能电池，如GaAs电池、GaInP电池、GaInP/GaAs双结电池、GaInP/GaAs/InGaAsP三结电池、GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结电池等。
所述透明导电栅线电极20可以为透明导电氧化物栅线电极。所述透明导电氧化物栅线电极包括主栅线和副栅线：所述副栅线用于引导电池10的电流，所述主栅线用于收集、汇总副栅线的电流。所述透明导电氧化物可以为ITO（即氧化铟锡或锡掺杂的氧化铟）、AZO（即铝掺杂的氧化锌）等。
所述金属栅线电极30覆盖在透明导电氧化物栅线电极20上，并与透明导电氧化物栅线电极20形成良好的欧姆接触，用来连接该太阳能电池与外电路。其中，所述欧姆接触为采用的所述透明导电氧化物（属于n型半导体）与所述金属之间形成一个非整流的接触，主要通过选择合适功函数的金属材料以及通过退火工艺来实现。所述外电路可以是一个电阻，可以是收集太阳能电池能量的设备，也可以是测试太阳能电池电流电压特性的测试系统。
本发明太阳能电池栅线复合电极利用透明导电材料的特性，采用透明导电氧化物材料替代传统的金属材料。透明导电栅线电极部分具有很高的透光性，为半遮光区；金属栅线电极部分遮盖较小区域，为真实遮盖区。相比传统的金属栅线电极，本发明能够使光线大部分都能射入电池内部，从而减少了光损耗，提高了太阳能电池对光的利用率。
虽然本发明参照当前的较佳实施方式进行了描述，但本领域的技术人员应能理解，上述较佳实施方式仅用来说明本发明，并非用来限定本发明的保护范围，任何在本发明的精神和原则范围之内，所做的任何修饰、等效替换、改进等，均应包含在本发明的权利保护范围之内。
Claims (8)
1.一种太阳能电池栅线复合电极，其特征在于，包括设在电池上的透明导电栅线电极以及金属栅线电极，其中：
所述透明导电栅线电极为透明导电氧化物栅线电极；
所述金属栅线电极覆盖在所述透明导电栅线电极上，并与该透明导电氧化物栅线电极形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的太阳能电池栅线复合电极，其特征在于，所述电池采用三五族半导体化合物太阳能电池，其为GaAs电池、GaInP电池、GaInP/GaAs双结电池、GaInP/GaAs/InGaAsP三结电池、GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结电池。
3.如权利要求1所述的太阳能电池栅线复合电极，其特征在于，所述透明导电氧化物栅线电极包括主栅线和副栅线。
4.如权利要求3所述的太阳能电池栅线复合电极，其特征在于，所述透明导电氧化物为氧化铟锡或锡掺杂的氧化铟、铝掺杂的氧化锌。
5.如权利要求4所述的太阳能电池栅线复合电极，其特征在于，所述欧姆接触为所述透明导电氧化物与所述金属之间形成一个非整流的接触，通过选择对应功函数的金属材料以及通过退火工艺来实现。
6.如权利要求1所述的太阳能电池栅线复合电极，其特征在于，所述金属栅线电极用来连接该太阳能电池与外电路。
7.如权利要求6所述的太阳能电池栅线复合电极，其特征在于，所述外电路为电阻，或是收集太阳能电池能量的设备，或是测试太阳能电池电流电压特性的测试系统。
8.一种太阳能电池，包括权利要求1-7之任一项所述的复合电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410087846.3A CN104916712A (zh) | 2014-03-11 | 2014-03-11 | 太阳能电池栅线复合电极 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410087846.3A CN104916712A (zh) | 2014-03-11 | 2014-03-11 | 太阳能电池栅线复合电极 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104916712A true CN104916712A (zh) | 2015-09-16 |
Family
ID=54085605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410087846.3A Pending CN104916712A (zh) | 2014-03-11 | 2014-03-11 | 太阳能电池栅线复合电极 |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN104916712A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105702754A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-06-22 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | Ito辅助薄型多结砷化镓太阳能电池下电极的制备方法 |
| CN106653911A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 河北君龙新能源开发有限公司 | 一种化合物电池的汇流排装置 |
| CN111403551A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种高效单晶硅perc太阳能电池的制备方法 |
| CN113871495A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 东方日升新能源股份有限公司 | 异质结电池片及其加工方法以及电池组件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1416179A (zh) * | 2001-10-31 | 2003-05-07 | 四川大学 | 透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池 |
| JP2005044544A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Fujikura Ltd | 透明電極用基材、光電変換素子及び色素増感太陽電池 |
| CN101931015A (zh) * | 2010-08-17 | 2010-12-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种透明电极的太阳能电池及其制法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1416179A (zh) * | 2001-10-31 | 2003-05-07 | 四川大学 | 透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池 |
| JP2005044544A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Fujikura Ltd | 透明電極用基材、光電変換素子及び色素増感太陽電池 |
| CN101931015A (zh) * | 2010-08-17 | 2010-12-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种透明电极的太阳能电池及其制法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105702754A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-06-22 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | Ito辅助薄型多结砷化镓太阳能电池下电极的制备方法 |
| CN106653911A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 河北君龙新能源开发有限公司 | 一种化合物电池的汇流排装置 |
| CN111403551A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种高效单晶硅perc太阳能电池的制备方法 |
| CN113871495A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 东方日升新能源股份有限公司 | 异质结电池片及其加工方法以及电池组件 |
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