CN104881391B - 一种USB Type‑C接口的识别电路 - Google Patents
一种USB Type‑C接口的识别电路 Download PDFInfo
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Abstract
一种USB Type‑C接口的识别电路，一端与适配器的5V输出端连接，另一端与终端设备连接，其特征在于：设有作为隔离开关用的第一场效应管以及连接在其栅极的第一限流电阻，还设有控制第一场效应管导通或关断的电子开关，电子开关由第一开关三极管和第二开关三极管构成的双基极开关三极管以及连接在其集电极与充电器的输出端之间的第二限流电阻组成，还设有分别控制第一开关三极管和第二开关三极管导通或关断的具有延时功能的第一电子开关和第二电子开关。识别电路控制精确，受温度影响小，符合USB Type‑C标准要求，可根据终端设备给定的通信信号在标准限定的时间100～200毫秒内进行识别，以判定电源是否给终端设备供电。
Description
技术领域
本发明涉及接口识别，特别是涉及一种USB Type-C接口的识别电路。
背景技术
通用串行总线也称通用串联接口(Universal Serial Bus，缩略词为USB)Type-C接口，是一种全新的USB接口形式，它伴随最新的USB3.1标准在Intel Developer Forum2014(IDF14)展会上正式对外公开。它集数据传输、视频输出及充电于一身，最大数据传输速度达到10Gbps，接近于高清晰度多媒体接口(High Definition Multimedia Interface，缩略词为HDMI)1.4(10.2Gbps)，可以直接传输4K/30p的影像文件，且支持高频带宽度数字内容保护(High-bandwidth Digital Content Protection，缩略词为HDCP)，插座端的尺寸与原来的Micro USB规格一样小，约为8.3mm×2.5mm，USB Type-C数据线可以通过5A电流，同时还支持超出现有USB供电能力的“USB功率输出(Power Delivery,缩略词为PD)”，提供最大100W的电力，此外，还拥有可反复插拔1万次以上的耐久性，支持从正反两面均可插入的“正反插”功能，对电磁干扰(Electro Magnetic Interference，缩略词为EMI)和射频干扰(Radio Frequency Interference，缩略词为RFI)的耐性更强。依据现行的“USB Type-CSpecification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准要求，USB Type C适配器即接口转换器Adapter/adaptor与USB Type C的包括硬件或电子接口或信息接口的终端设备需进行识别匹配。电源需要根据终端设备的通信信号并在标准限定的时间100毫秒至200毫秒内判定是否给终端设备供电。现有的USB Type-C接口的识别电路不一，性能各异，有待于进一步改进与完善。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的缺陷，提供一种USB Type-C接口的识别电路。
本发明的技术问题通过以下技术方案予以解决。
这种USB Type-C接口的识别电路，一端与USB Type C适配器的5V输出端连接，另一端与USB Type C的终端设备连接，终端设备的第一输入端通过具有隔离作用的第一上拉电阻与USB Type C适配器的5V输出端连接，终端设备的第二输入端通过具有隔离作用的第二上拉电阻与USB Type C适配器的5V输出端连接，终端设备的第一输入端、终端设备的第二输入端在不同应用场合的作用不同，传输的信号包括通信信号和电压信号，第一上拉电阻和第二上拉电阻分别与终端设备的电阻构成分压电路获取终端设备的第一输入端、终端设备的第二输入端的电压信号量值，用于判断终端设备是否正确连接且由识别电路根据电压信号的量值控制USB Type C适配器的5V输出端与充电器的输出端连接或隔离。
这种USB Type-C接口的识别电路的特点是：
设有作为隔离开关用的第一MOSFET场效应管以及连接在其栅极的第一限流电阻，第一MOSFET场效应管的漏极与USB Type C适配器的5V输出端连接，第一MOSFET场效应管的源极与充电器的输出端连接，所述第一MOSFET场效应管用于确保充电器的输出端在未接负载和移除负载后处于无功率输出状态，以符合现行的“USB Type-C SpecificationRelease 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准要求。
还设有控制第一MOSFET场效应管导通或关断的电子开关，所述电子开关由第一开关三极管和第二开关三极管构成的双基极开关三极管以及连接在其集电极与充电器的输出端之间的第二限流电阻组成，第二限流电阻还与第一限流电阻连接。
还设有分别控制第一开关三极管和第二开关三极管导通或关断的第一电子开关和第二电子开关。
所述第一电子开关是由第一比较器、第三比较器，以及连接在第一比较器的输出端与负输入端之间与第一静电释放(Electro-Static Discharge,缩略词为ESD)防护电阻构成第一延时支路的第一延时电容组成的具有延时功能的第一电子开关，第一比较器的输出端和第三比较器的输出端分别通过第一隔离二极管与双基极开关三极管的第一开关三极管的基极连接，第一延时支路用于延迟双基极开关三极管的导通时间，导通时间设定为100毫秒至200毫秒，第一比较器的负输入端和第三比较器的正输入端分别通过第一ESD防护电阻与终端设备的第一输入端连接，接受终端设备的第一输入端给定的通信信号，由具有延时功能的第一电子开关在“USB Type-C Specification Release 1.1”和“USB Type-CSpecification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定第一MOSFET场效应管的导通或关断，充电器的输出端与USB Type C适配器的5V输出端是否由第一MOSFET场效应管连接或隔离，即电源是否给终端设备供电。
所述第二电子开关是由第二比较器、第四比较器，以及连接在第二比较器的输出端与正输入端之间与第二ESD防护电阻构成第二延时支路的第二延时电容组成的具有延时功能的第二电子开关，第二比较器的输出端和第四比较器的输出端分别通过第二隔离二极管与双基极开关三极管的第二开关三极管的基极连接，第二延时支路用于延迟双基极开关三极管的导通时间，导通时间设定为100毫秒至200毫秒，第二比较器的正输入端和第四比较器的负输入端分别通过第二ESD防护电阻与终端设备的第二输入端连接，接受终端设备的第二输入端给定的通信信号，由具有延时功能的第二电子开关在“USB Type-CSpecification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定第一MOSFET场效应管的导通或关断，充电器的输出端与USB Type C适配器的5V输出端是否由第一MOSFET场效应管连接或隔离，即电源是否给终端设备供电。
本发明的技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。
还设有控制第一比较器和第二比较器、第三比较器和第四比较器的直流电源端的第三电子开关，用于降低静态功耗，所述第三电子开关一端与USB Type C适配器的5V输出端连接，另一端与第一比较器和第二比较器、第三比较器和第四比较器的直流电源端，以及第三分压电阻的一端、第一比较器的第三上拉电阻和第二比较器的第四上拉电阻连接，所述第三电子开关的控制端通过由第一隔离二极管和第五上拉电阻组成的输入电路与终端设备的第一输入端连接，接受终端设备的第一输入端的通信信号控制，还通过由第二隔离二极管和第五上拉电阻组成的输入电路与终端设备的第二输入端连接，接受终端设备的第二输入端的通信信号控制。
所述第三电子开关是第二MOSFET场效应管，以及P型开关三极管中的一种，所述第三电子开关是第二MOSFET场效应管，其漏极与GND之间连接有稳压电阻，所述第三电子开关是P型开关三极管，不必连接稳压电阻。
还设有由稳压二极管、第一分压电阻、第二分压电阻，以及与第三分压电阻的另一端连接的负温度系数热敏电阻组成的具有过温保护功能的比较器第一基准电压源和比较器第二基准电压源，负温度系数热敏电阻的一端与第一比较器和第四比较器的比较器第一基准电压源连接，负温度系数热敏电阻的另一端与第二比较器和第三比较器的比较器第二基准电压源连接，当充电器内部温度过高时，负温度系数热敏电阻阻值降低，比较器参考电压下降并使之输出为高，第一开关三极管和第二开关三极管保持关断状态，MOSFET场效应管关断，由此提供过温保护。
还设有用于在终端设备移除时为充电器的输出端提供的放电支路，所述放电支路连接在充电器的输出端、GND之间，所述放电支路是放电电阻，以及由其栅极与双基极开关三极管的集电极连接的第三MOSFET场效应管及其串接的漏极放电电阻组成中的一种。
本发明的技术问题通过以下再进一步的技术方案予以解决。
所述第一MOSFET场效应管是耐电压大于5.5V的P沟道MOSFET场效应管，耐电流根据客户要求做相应的调整。
所述第一延时电容是介质材料为X7R的温度稳定型陶瓷电容器和介质材料为包括铷、钐的稀有金属氧化物的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器中的一种，以减少温度对延时支路的影响。
所述第二延时电容是介质材料为X7R的温度稳定型陶瓷电容器和介质材料为包括铷、钐的稀有金属氧化物的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器中的一种，以减少温度对延时支路的影响。
本发明与现有技术相比的有益效果是：
本发明的识别电路控制精确，受温度影响小，符合现行的“USB Type-CSpecification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准要求，可根据终端设备给定的通信信号在标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定电源是否给终端设备供电。本发明电路适用于各种USB接口设备。
附图说明
附图是本发明具体实施方式一的电路图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式并对照附图对本发明进行说明。
具体实施方式一
一种如附图所示的USB Type-C接口的识别电路，一端与USB Type C适配器的5V输出端连接，另一端与USB Type C的终端设备连接，终端设备的第一输入端CC1通过具有隔离作用的3A(标称值)第一上拉电阻R1与USB Type C适配器的5V输出端连接，终端设备的第二输入端CC2通过具有隔离作用的3A(标称值)第二上拉电阻R2与USB Type C适配器的5V输出端连接，终端设备的第一输入端CC1、终端设备的第二输入端CC2在不同应用场合的作用不同，传输的信号包括通信信号和电压信号，第一上拉电阻R1和第二上拉电阻R2分别与终端设备的电阻构成分压电路获取终端设备的第一输入端CC1、终端设备的第二输入端CC2的电压信号量值，用于判断终端设备是否正确连接且由识别电路根据电压信号的量值控制USBType C适配器的5V输出端与充电器的输出端VBUS连接或隔离。
设有作为隔离开关用的第一MOSFET场效应管T1以及连接在其栅极的第一限流电阻R5，第一MOSFET场效应管T1是美国万代半导体(Alpha and Omega Semiconductor，缩略词为AOS)公司出品的耐电压大于5.5V的型号为AON7407的P沟道MOSFET场效应管，其漏极与USB Type C适配器的5V输出端连接，第一MOSFET场效应管T1的源极与充电器的输出端VBUS连接，第一MOSFET场效应管T1用于确保充电器的输出端VBUS在未接负载和移除负载后处于无功率输出状态，以符合现行的“USB Type-C Specification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准要求。
还设有控制第一MOSFET场效应管T1导通或关断的电子开关，电子开关由第一开关三极管TA和第二开关三极管TB构成的双基极开关三极管以及连接在其集电极与充电器的输出端VBUS之间的第二限流电阻R4组成，第二限流电阻R4还与第一限流电阻R5连接，双基极开关三极管是深圳强茂电子股份有限公司出品的型号为DMMT3904W的双基极开关三极管。
还设有分别控制第一开关三极管TA和第二开关三极管TB导通或关断的第一电子开关和第二电子开关。
第一电子开关是由第一比较器IC-A、第三比较器IC-B，以及连接在第一比较器IC-A的输出端与负输入端之间与第一静电释放(Electro-Static Discharge,缩略词为ESD)防护电阻R7构成第一延时支路的第一延时电容C1组成的具有延时功能的第一电子开关，第一比较器IC-A的输出端和第三比较器IC-B的输出端分别通过第一隔离二极管D3与双基极开关三极管的第一开关三极管TA的基极连接，第一延时支路用于延迟双基极开关三极管的导通时间，导通时间设定为100毫秒至200毫秒，第一比较器IC-A的负输入端和第三比较器IC-B的正输入端分别通过第一ESD防护电阻R7与终端设备的第一输入端CC1连接，接受终端设备的第一输入端CC1给定的通信信号，由具有延时功能的第一电子开关在“USB Type-CSpecification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定第一MOSFET场效应管T1的导通或关断，充电器的输出端VBUS与USB Type C适配器的5V输出端是否由第一MOSFET场效应管T1连接或隔离，即电源是否给终端设备供电。
第二电子开关是由第二比较器IC-C、第四比较器IC-D，以及连接在第二比较器IC-C的输出端与正输入端之间与第二ESD防护电阻R14构成第二延时支路的第二延时电容C2组成的具有延时功能的第二电子开关，第二比较器IC-C的输出端和第四比较器IC-D的输出端分别通过第二隔离二极管D4与双基极开关三极管的第二开关三极管TB的基极连接，第二延时支路用于延迟双基极开关三极管的导通时间，导通时间设定为100毫秒至200毫秒，第二比较器IC-C的正输入端和第四比较器IC-D的负输入端分别通过第二ESD防护电阻R14与终端设备的第二输入端CC2连接，接受终端设备的第二输入端CC2给定的通信信号，由具有延时功能的第二电子开关在“USB Type-C Specification Release 1.1”和“USB Type-CSpecification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定第一MOSFET场效应管T1的导通或关断，充电器的输出端VBUS与USB Type C适配器的5V输出端是否由第一MOSFET场效应管T1连接或隔离，即电源是否给终端设备供电。
第一ESD防护电阻R7和第二ESD防护电阻R 14是昆山厚声(Uniohm)电子工业有限公司出品的100KΩ的ESD防护电阻。
第一比较器IC-A和第二比较器IC-C、第三比较器IC-B和第四比较器IC-D是美国得克萨斯仪器(Texas Instruments，缩略词为TI)有限公司出品的型号为LM139的四合一比较器。
第一延时电容C1和第二延时电容C2是介质材料为X7R的温度稳定型陶瓷电容器和介质材料为包括铷、钐的稀有金属氧化物的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器中的一种，以减少温度对延时支路的影响。
还设有控制第一比较器IC-A和第二比较器IC-C、第三比较器IC-B和第四比较器IC-D的直流电源端的第三电子开关，用于降低静态功耗，第三电子开关一端与USB Type C适配器的5V输出端连接，另一端与第一比较器IC-A和第二比较器IC-C、第三比较器IC-B和第四比较器IC-D的直流电源端，以及第三分压电阻R8的一端、第一比较器IC-A的第三上拉电阻R9和第二比较器IC-C的第四上拉电阻R11连接，第三电子开关的控制端通过由第一隔离二极管D2和第五上拉电阻R3组成的输入电路与终端设备的第一输入端CC1连接，接受终端设备的第一输入端CC1的通信信号控制，还通过由第二隔离二极管D1和第五上拉电阻R3组成的输入电路与终端设备的第二输入端CC2连接，接受终端设备的第二输入端CC2的通信信号控制。
第三电子开关是第二MOSFET场效应管T2，以及P型开关三极管中的一种，第三电子开关是乐山无线电股份有限公司(Leshan Radio Co.,Ltd.，缩略词为LRC)出品的型号为LNTK3043PT5G的第二MOSFET场效应管T2，其漏极与GND之间连接有稳压电阻R10。
还设有由稳压二极管WD、第一分压电阻R12、第二分压电阻R13，以及与第三分压电阻R8的另一端连接的台湾兴勤(THINKING)电子有限公司出品的型号为TSM1A104J4103HZ的负温度系数热敏电阻NTC组成的具有过温保护功能的比较器第一基准电压源11N+和比较器第二基准电压源21N-，负温度系数热敏电阻NTC的一端与第一比较器IC-A和第四比较器IC-D的比较器第一基准电压源11N+连接，负温度系数热敏电阻NTC的另一端与第二比较器IC-C和第三比较器IC-B的比较器第二基准电压源21N-连接，当充电器内部温度过高时，负温度系数热敏电阻NTC阻值降低，比较器参考电压下降并使之输出为高，第一开关三极管TA和第二开关三极管TB保持关断状态，第一MOSFET场效应管T1关断，由此提供过温保护。
还设有用于在终端设备移除时为充电器的输出端VBUS提供的放电支路，放电支路连接在充电器的输出端VBUS、GND之间，放电支路是由其栅极与双基极开关三极管的集电极连接的乐山无线电股份有限公司(Leshan Radio Co.,Ltd.，缩略词为LRC)出品的型号为LNTK3043PT5G的第三MOSFET场效应管T3及其串接的昆山厚声(Uniohm)电子工业有限公司出品的10KΩ的漏极放电电阻组成。
本具体实施方式的识别工作过程如下：
当终端设备的第一输入端CC1、终端设备的第二输入端CC2同时无信号接入时，第二MOSFET场效应管T2处于关断状态，比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D无工作用的直流电源，导致双基极开关三极管、第一MOSFET场效应管T1处于关断状态，此时充电器的输出端VBUS与USB Type C适配器的5V输出端由第一MOSFET场效应管T1隔离，充电器的输出端VBUS处于待机模式，降低待机功耗。
当终端设备的第一输入端CC1或/和终端设备的第二输入端CC2有0.85V～2.6V电压信号接入时，第二MOSFET场效应管T2处于导通状态，比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D有工作用的直流电源，同时由于比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D的输入电压范围在比较器基准范围内且延时电容C1与ESD防护电阻R7组成的延时支路、延时电容C2与ESD防护电阻R14组成的延时支路工作，双基极开关三极管在设定的延迟时间100毫秒至200毫秒内导通，继而第一MOSFET场效应管T1导通，此时USB Type C适配器的5V输出端通过第一MOSFET场效应管T1与充电器的输出端VBUS连接，充电器的输出端VBUS通过C型USB向终端设备供电。
当终端设备第一输入端CC1或/和终端设备的第二输入端CC2的通信信号接入时间小于设定延迟时间100毫秒至200毫秒，比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D的输出无法使双基极开关三极管开通，第一MOSFET场效应管T1也无法开通，此时充电器的输出端VBUS与USB Type C适配器的5V输出端由第一MOSFET场效应管T1隔离。
当终端设备的第一输入端CC1和终端设备的第二输入端CC2有同时小于0.8V电压信号接入时，第二MOSFET场效应管T2处于导通状态，比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D有工作用的直流电源，但由于比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D的输入电压范围不在比较器基准范围内，导致双基极开关三极管和第一MOSFET场效应管T1处于关断状态，此时充电器的输出端VBUS与USB Type C适配器5V的5V输出端由第一MOSFET场效应管T1隔离。
当终端设备的第一输入端CC1有小于0.8V电压信号接入，而终端设备的第二输入端CC2没有电压信号接入时，第二MOSFET场效应管T2处于导通状态，比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D有工作用的直流电源，但由于比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D的输入电压范围不在比较器基准范围内，导致双基极开关三极管和第一MOSFET场效应管T1处于关断状态；当终端设备第一输入端CC1没有电压信号接入，而终端设备的第二输入端CC2有小于0.8V电压信号接入时，第二MOSFET场效应管T2处于导通状态，比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D有工作用的直流电源，但由于比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D的输入电压范围不在比较器基准范围内，导致双基极开关三极管和第一MOSFET场效应管T1处于关断状态，此时充电器的输出端VBUS与USBType C适配器的5V输出端由第一MOSFET场效应管T1隔离。
当终端设备的第一输入端CC1或/和终端设备的第二输入端CC2有大于2.75V电压信号接入时，第二MOSFET场效应管T2处于导通状态，比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D有工作用的直流电源，但由于比较器IC-A、比较器IC-B、比较器IC-C和比较器IC-D的输入电压范围不在比较器基准范围内，导致双基极开关三极管和第一MOSFET场效应管T1处于关断状态，此时充电器的输出端VBUS与USB Type C适配器的5V输出端由第一MOSFET场效应管T1隔离。
本具体实施方式的相关输入/输出端的电压如下：
本具体实施方式一的识别电路控制精确，受温度影响小，符合现行的“USB Type-CSpecification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准要求，可根据终端设备给定的通信信号在标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定电源是否给终端设备供电。
具体实施方式二
一种USB Type-C接口的识别电路，与具体实施方式一基本相同，区别在于：
第三电子开关是P型开关三极管，不必连接稳压电阻。
具体实施方式三
一种USB Type-C接口的识别电路，与具体实施方式一基本相同，区别在于：
用于在终端设备移除时为输出端VBUS提供的放电支路，是连接在充电器的输出端VBUS、GND之间的昆山厚声(Uniohm)电子工业有限公司出品的1KΩ的放电电阻。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
Claims (8)
1.一种USB Type-C接口的识别电路，一端与USB Type C适配器的5V输出端连接，另一端与USB Type C的终端设备连接，终端设备的第一输入端通过具有隔离作用的第一上拉电阻与USB Type C适配器的5V输出端连接，终端设备的第二输入端通过具有隔离作用的第二上拉电阻与USB Type C适配器的5V输出端连接，终端设备的第一输入端、终端设备的第二输入端在不同应用场合的作用不同，传输的信号包括通信信号和电压信号，第一上拉电阻和第二上拉电阻分别与终端设备的电阻构成分压电路获取终端设备的第一输入端、终端设备的第二输入端的电压信号量值，用于判断终端设备是否正确连接且由识别电路根据电压信号的量值控制USB Type C适配器的5V输出端与充电器的输出端连接或隔离，其特征在于：
设有作为隔离开关用的第一MOSFET场效应管以及连接在其栅极的第一限流电阻，第一MOSFET场效应管的漏极与USB Type C适配器的5V输出端连接，第一MOSFET场效应管的源极与充电器的输出端连接，所述第一MOSFET场效应管用于确保充电器的输出端在未接负载和移除负载后处于无功率输出状态，以符合现行的“USB Type-C Specification Release1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准要求；
还设有控制第一MOSFET场效应管导通或关断的电子开关，所述电子开关由第一开关三极管和第二开关三极管构成的双基极开关三极管以及连接在其集电极与充电器的输出端之间的第二限流电阻组成，第二限流电阻还与第一限流电阻连接；
还设有分别控制第一开关三极管和第二开关三极管导通或关断的第一电子开关和第二电子开关；
所述第一电子开关是由第一比较器、第三比较器，以及连接在第一比较器的输出端与负输入端之间与第一ESD防护电阻构成第一延时支路的第一延时电容组成的具有延时功能的第一电子开关，第一比较器的输出端和第三比较器的输出端分别通过第一隔离二极管与双基极开关三极管的第一开关三极管的基极连接，第一延时支路用于延迟双基极开关三极管的导通时间，导通时间设定为100毫秒至200毫秒，第一比较器的负输入端和第三比较器的正输入端分别通过第一ESD防护电阻与终端设备的第一输入端连接，接受终端设备的第一输入端给定的通信信号，由具有延时功能的第一电子开关在“USB Type-CSpecification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定第一MOSFET场效应管的导通或关断，充电器的输出端与USB Type C适配器的5V输出端是否由第一MOSFET场效应管连接或隔离，即电源是否给终端设备供电；
所述第二电子开关是由第二比较器、第四比较器，以及连接在第二比较器的输出端与正输入端之间与第二ESD防护电阻构成第二延时支路的第二延时电容组成的具有延时功能的第二电子开关，第二比较器的输出端和第四比较器的输出端分别通过第二隔离二极管与双基极开关三极管的第二开关三极管的基极连接，第二延时支路用于延迟双基极开关三极管的导通时间，导通时间设定为100毫秒至200毫秒，第二比较器的正输入端和第四比较器的负输入端分别通过第二ESD防护电阻与终端设备的第二输入端连接，接受终端设备的第二输入端给定的通信信号，由具有延时功能的第二电子开关在“USB Type-CSpecification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别，以判定第一MOSFET场效应管的导通或关断，充电器的输出端与USB Type C适配器的5V输出端是否由第一MOSFET场效应管连接或隔离，即电源是否给终端设备供电。
2.如权利要求1所述的USB Type-C接口的识别电路，其特征在于：
设有控制第一比较器和第二比较器、第三比较器和第四比较器的直流电源端的第三电子开关，用于降低静态功耗，所述第三电子开关一端与USB Type C适配器的5V输出端连接，另一端与第一比较器和第二比较器、第三比较器和第四比较器的直流电源端，以及第三分压电阻的一端、第一比较器的第三上拉电阻和第二比较器的第四上拉电阻连接，所述第三电子开关的控制端通过由第一隔离二极管和第五上拉电阻组成的输入电路与终端设备的第一输入端连接，接受终端设备的第一输入端的通信信号控制，还通过由第二隔离二极管和第五上拉电阻组成的输入电路与终端设备的第二输入端连接，接受终端设备的第二输入端的通信信号控制。
3.如权利要求2所述的USB Type-C接口的识别电路，其特征在于：
所述第三电子开关是第二MOSFET场效应管，以及P型开关三极管中的一种，所述第三电子开关是第二MOSFET场效应管，其漏极与GND之间连接有稳压电阻，所述第三电子开关是P型开关三极管，不必连接稳压电阻。
4.如权利要求1所述的USB Type-C接口的识别电路，其特征在于：
还设有由稳压二极管、第一分压电阻、第二分压电阻，以及与第三分压电阻的另一端连接的负温度系数热敏电阻组成的具有过温保护功能的比较器第一基准电压源和比较器第二基准电压源，负温度系数热敏电阻的一端与第一比较器和第四比较器的比较器第一基准电压源连接，负温度系数热敏电阻的另一端与第二比较器和第三比较器的比较器第二基准电压源连接，当充电器内部温度过高时，负温度系数热敏电阻阻值降低，比较器参考电压下降并使之输出为高，第一开关三极管和第二开关三极管保持关断状态，MOSFET场效应管关断，由此提供过温保护。
5.如权利要求1所述的USB Type-C接口的识别电路，其特征在于：
还设有用于在终端设备移除时为充电器的输出端提供的放电支路，所述放电支路连接在充电器的输出端、GND之间，所述放电支路是放电电阻，以及由其栅极与双基极开关三极管的集电极连接的第三MOSFET场效应管及其串接的漏极放电电阻组成中的一种。
6.如权利要求1所述的USB Type-C接口的识别电路，其特征在于：
所述第一MOSFET场效应管是耐电压大于5.5V的P沟道MOSFET场效应管，耐电流根据客户要求做相应的调整。
7.如权利要求1所述的USB Type-C接口的识别电路，其特征在于：
所述第一延时电容是介质材料为X7R的温度稳定型陶瓷电容器和介质材料为包括铷、钐的稀有金属氧化物的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器中的一种，以减少温度对延时支路的影响。
8.如权利要求1所述的USB Type-C接口的识别电路，其特征在于：
所述第二延时电容是介质材料为X7R的温度稳定型陶瓷电容器和介质材料为包括铷、钐的稀有金属氧化物的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器中的一种，以减少温度对延时支路的影响。
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