CN104865799B - 一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法 - Google Patents

一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104865799B
CN104865799B CN201510245397.5A CN201510245397A CN104865799B CN 104865799 B CN104865799 B CN 104865799B CN 201510245397 A CN201510245397 A CN 201510245397A CN 104865799 B CN104865799 B CN 104865799B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polarization
projection objective
objective lens
refers
degree
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201510245397.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104865799A (zh
Inventor
范真节
邢廷文
林妩媚
廖志杰
张海波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Optics and Electronics of CAS
Original Assignee
Institute of Optics and Electronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Optics and Electronics of CAS filed Critical Institute of Optics and Electronics of CAS
Priority to CN201510245397.5A priority Critical patent/CN104865799B/zh
Publication of CN104865799A publication Critical patent/CN104865799A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104865799B publication Critical patent/CN104865799B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法，解决了高NA光刻技术中输入偏振光束经光刻投影物镜作用后光束偏振度是否满足光刻曝光系统指标要求。该偏振仿真分析方法主要包括设置仿真条件、光线追迹、数据处理、结果判断四个步骤。通过仿真分析获得数据，为膜系设计、材料特性选择、光刻投影物镜光学系统设计提供指导和依据。该偏振分析方法基于菲涅耳反射和透射理论、光线追迹和CODEV软件，具有实时性、直观性、操作简单、修改仿真条件方便、成本低等优点。

Description

一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法
技术领域
本发明涉及一种偏振仿真分析方法，特别涉及光刻投影物镜中偏振仿真分析，属于光刻偏振技术领域。
背景技术
光学投影曝光技术自1978年诞生以来，先后经历了g线、i线、248nm、193nm等几个技术发展阶段。从出现至今的短短几十年的时间里，受到社会信息化进程的强烈牵引，与光学投影曝光技术相关的集成电路先后经历了小规模、超大规模直至极大规模等几个发展阶段，极大规模集成电路已经成为高技术领域发展的基石，从卫星、火箭等航空航天领域，到雷达、激光制导导弹国防领域，以及人们日常生活的各个领域都离不开极大规模集成电路，它不仅是主要的信息处理器件，同时也发展成为信息存储的重要载体之一。把越来越多的晶体管电路元件集成在硅片上，一直是国际微电子工业界不懈追求的目标。因此，减小集成电路最小线宽尺寸是提高存储能力的重要手段。在加工制造集成电路的设备很多，光刻机是目前技术最成熟的设备。光刻机的核心部件是投影曝光光学系统，该系统最重要的组成部分是照明系统和投影物镜系统。照明系统主要功能是为掩模面提供均匀照明、控制曝光剂量和实现照明模式。随着半导体工业和纳米技术的发展，对新一代具有纳米级超精密图形分辨力的光刻技术的需求显得更加迫切。实践证明，在发展短波长和高数值孔径的同时，采用诸如离轴照明、移相掩模、光学邻近效应校正、光瞳滤波等分辨力增强技术，将上述几种技术有机地结合起来，对于延伸现有光学光刻技术分辨力将起到重要的作用。
然而随着数值孔径的增大和曝光波长的缩短，基于偏振性的矢量衍射效应对光刻图形质量的影响越来越大。当光刻的最小特征尺寸接近和低于曝光波长时，将导致P和S两种偏振光通过掩模的透过率不同，另外两种偏振光在光刻胶层面的透过率和反射率不同，导致曝光剂量不均匀，且这种由P和S偏振光导致的曝光剂量不均匀可以达到20％。施加到光致抗蚀剂层的图像的分辨率随着投影物镜数值孔径(NA)的增大而提高，光线在光学系统中入射角度也随着增大，单纯的几何光线追迹计算像差的方法就难以满足精度要求，须考虑系统的偏振引起的偏振像差。所以，当线宽尺寸在65nm及以下节点时，光的偏振性对光刻分辨率影响显著，要使用偏振器件使入射光束转化成特定偏振光参与成像。照明偏振的作用是产生与曝光图形特征相适应的偏振模式，使空间成像对比度最大化。光刻投影物镜材料的双折射特性、膜层、镜头表面不同入射角本身影响着输入光束的偏振特性，因此，在光学镜头设计、膜系设计、材料选择确定后，需要仿真镜头本身对偏振性能的影响，通过仿真确认设计是否满足偏振性能指标要求，本发明即提供一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法，解决高NA偏振技术中光刻投影物镜镜头加工镀膜前偏振性能是否满足指标要求。
发明内容
本发明解决的技术问题为：提供一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法，解决高NA光刻技术中输入偏振光束经光刻投影物镜作用后光束偏振度是否满足光刻曝光系统指标要求。
本发明采用的技术方案为：一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法，该偏振仿真分析方法包括设置仿真条件、光线追迹、数据处理、结果判断四个步骤，其中，
设计仿真条件步骤包括输入偏振模式选择、输入光束偏振度、偏振态描述方式选择、膜系加载、材料特性加载、视场点选择；
光线追迹步骤包括开启偏振模式和设置追迹光线数量；
数据处理包括偏振类型数据化、偏振方向数据化、X和Y方向强度大小计算、偏振度大小计算；
结果判断步骤包括判断输出结果是否满足光刻曝光光学系统偏振指标要求，如不满足曝光光学系统偏振指标要求，需要修改仿真条件，获取不同仿真条件下的数据处理结果。该光刻投影物镜偏振仿真分析方法是基于菲涅耳反射和透射理论、CODEV软件，编写宏语言的基础上完成仿真分析。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、实时性，设置仿真条件、光线追迹、数据处理和分析三个步骤均在计算机中完成，时间取决于计算机的运算速度，通常在几秒内获得最终数据。
2、直观性，通过仿真分析，可以获得不同视场点经过光刻投影物镜光学作用后偏振性能的变化，并通过二维图形的形式输出。
3、修改仿真条件方便，针对不同的仿真条件，可以快速输出不同的数据结果，方便进行数据对比和分析。
4、成本低，通过该偏振仿真分析方法可以获取大量关于光刻投影物镜偏振性能方面的数据，有利于在加工前通过改进光学设计和膜系设计提高偏振性能，大大降低了成本。
附图说明
图1为偏振仿真分析流程图；
图2为光学系统坐标和表面局部坐标图；
标号说明：1-入射光线、2-折射光线、3-法线。
具体实施方式
为了更好地说明本发明的目的和优点，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
图1为偏振仿真分析流程图，该光刻投影物镜偏振仿真分析方法主要包括设置仿真条件、光线追迹、数据处理、结果判断四个步骤。第一步设计仿真条件包括输入偏振模式选择、输入光束偏振度、偏振态描述方式选择、膜系加载、材料特性加载、视场点选择。输入偏振模式选择指输入光束的偏振模式，常用输入为线偏振模式、部分偏振模式(包括左旋和右旋输入)、非偏振模式。输入光束偏振度指输入光束的偏振度大小，值为0到1之间。偏振态描述方式选择指选择偏振的描述方式，常用的有斯托克斯矢量输入和琼斯矢量输入。膜系加载指将设计好的膜系加载到每一透镜或者反射镜表面上。材料特性加载指加载材料的双折射特性参数。视场点选择指确定输入光瞳面上待仿真分析的视场点。第二步光线追迹主要包括开启偏振模式和设置追迹光线数量。开启偏振模式指光线追迹时采用的是偏振光线追迹而非普通光线追迹。设置追迹光线数量指偏振光线追迹时光线的条数设置。第三步数据处理包括偏振类型数据化、偏振方向数据化、X和Y方向强度大小计算、偏振度大小计算。偏振类型数据化指用数据来代表偏振类型，0代表线性偏振，1表示圆偏振，0到1之间表示椭圆偏振。偏振方向数据化指输出光线振动方向与Y轴的夹角，单位度。X和Y方向强度大小计算指按照菲涅耳反射和透射原理进行光线追迹，最终到达像面上X和Y方向强度大小。偏振度计算指计算输出每一根光线的偏振度。第四步结果判断包括判断输出结果是否满足光刻曝光光学系统偏振指标要求，如不满足曝光光学系统偏振指标要求，需要修改仿真条件，获取不同仿真条件下的数据处理结果。该光刻投影物镜偏振仿真分析方法是基于菲涅耳反射和透射理论、CODEV软件，编写宏语言的基础上完成仿真分析。
图2为光学系统坐标和表面局部坐标图，光线经过界面后，其偏振态的改变可用琼斯矩阵的方法计算。输入光束为的偏振光，通过偏振琼斯矩阵为的偏振器件，其偏振态用下式计算：
上式使用的是光线跟器件相交的局部坐标。
如果希望用程序分析复杂系统的偏振态，则需要将公式扩展为更通用的形式。简单地说，求解光线经过界面后的偏振态，共4个步骤：(1)任意光线偏振矢量的全局坐标表示；(2)将偏振矢量从全局坐标转换为局部坐标；(3)使用琼斯矩阵方法，计算光线通过界面后的偏振态；(4)再次将光线偏振态从局部坐标转换到全局坐标。
(1)任意偏振光的偏振态矢量可用下式表示：
如果光线的传播矢量用下式表示：
则以下关系式一定成立：
(2)首先需要将任意光线偏振矢量从全局坐标转换为局部坐标。如图2所示，局部坐标系为是光线传播方向，垂直于入射光线与法线3决定的平面，它们满足右手法则
(3)在该局部坐标下，任意光线的偏振矢量是[a b 0]，通过界面后的偏振矢量通过扩展的琼斯矩阵J表示如下：
(4)再次将局部坐标下的偏振矢量转换为全局坐标偏振矢量。特别注意的是，由于折射光线2的传播矢量跟入射光线1不同，因此局部坐标到全局坐标的转换关系不是步骤(1)中的逆过程。
假设入射光线1局部坐标方向矢量用全局坐标表示，即：
则入射光线1偏振矢量从全局坐标到局部坐标的转换矩阵T1为：
转换方程为下式：
是全局坐标表示的入射光线1偏振矢量，是局部坐标表示的入射光线1偏振矢量。
用全局坐标表示的折射光线2的偏振矢量将由下式计算得到：
T’2是折射光线2局部坐标的转换矩阵的逆矩阵。也就是说，如果T2是折射光线2偏振矢量从全局坐标转换为局部坐标的转换矩阵，则T’2是T2的逆矩阵，T2表示如下：
在偏振分析中，最基本的原理便是菲涅耳透射和菲涅耳反射，S偏振透射系数为：
P偏振透射系数为：
S偏振透过率为：
P偏振透过率为：
在以上四个等式中，θ1指入射光线1与法线3所夹的锐角，θ2指折射光线2与法线3所夹的锐角，ts表示S偏振透射系数，tp表示P偏振透射系数，τs表示S偏振透过率，τp表示P偏振透过率。
基于以上原理和分析，举例说明投影物镜偏振仿真分析方法。
实施例1
步骤一：设置仿真条件，其中输入偏振模式选择线偏振光，输入光束偏振度为99.7％，偏振态描述方式设置为斯托克斯矢量，加载膜系(MgF2单层膜)，材料双折射特性加载，视场点选择(0，0)视场；
步骤二：光线追迹，其中设置追迹光线数量为100万条，并开启偏振模式；
步骤三：数据处理，通过编制的宏语言文件，获取相应的数据，包括偏振类型、偏振方向、X和Y方向强度大小、偏振度大小，具体数据如下所示：
面数 Ix Iy 偏振度 偏振方向 偏振类型
物面 0.99850 0.00150 0.99700 -90 0
1 0.94707 0.00143 0.99698 -90 0
2 0.89829 0.00137 0.99695 -90 0
3 0.79018 0.00136 0.99656 -90 0
4 0.75201 0.00130 0.99656 -90 0
5 0.70035 0.00126 0.99642 -90 0
6 0.66643 0.00120 0.99641 -90 0
7 0.63071 0.00115 0.99637 -90 0
8 0.60001 0.00109 0.99637 -90 0
9 0.57027 0.00104 0.99635 -90 0
10 0.52289 0.00102 0.99611 -90 0
11 0.46567 0.00101 0.99568 -90 0
12 0.37951 0.00101 0.99470 -90 0
13 0.30672 0.00101 0.99345 -90 0
14 0.28880 0.00097 0.99331 -90 0
15 0.26944 0.00094 0.99306 -90 0
16 0.24771 0.00092 0.99263 -90 0
17 0.22997 0.00089 0.99228 -90 0
18 0.21488 0.00086 0.99201 -90 0
19 0.20184 0.00083 0.99181 -90 0
20 0.19217 0.00079 0.99181 -90 0
21 0.18054 0.00076 0.99160 -90 0
22 0.16776 0.00074 0.99123 -90 0
23 0.16776 0.00074 0.99123 -90 0
24 0.16776 0.00074 0.99123 -90 0
25 0.16776 0.00074 0.99123 -90 0
26 0.16776 0.00074 0.99123 -90 0
27 0.15859 0.00071 0.99110 -90 0
28 0.15098 0.00067 0.99110 -90 0
29 0.14357 0.00064 0.99108 -90 0
30 0.12418 0.00064 0.98973 -90 0
31 0.11820 0.00061 0.98973 -90 0
32 0.11242 0.00058 0.98970 -90 0
33 0.10683 0.00055 0.98967 -90 0
34 0.07937 0.00055 0.98629 -90 0
35 0.06163 0.00055 0.98246 -90 0
36 0.05658 0.00053 0.98134 -90 0
37 0.05359 0.00051 0.98114 -90 0
38 0.05098 0.00049 0.98111 -90 0
39 0.04824 0.00047 0.98089 -90 0
40 0.03575 0.00046 0.97464 -90 0
41 0.02940 0.00046 0.96925 -90 0
42 0.02414 0.00046 0.96267 -90 0
43 0.02115 0.00046 0.95775 -90 0
44 0.01994 0.00044 0.95696 -90 0
光阑面 0.01994 0.00044 0.95696 -90 0
46 0.01886 0.00042 0.95643 -90 0
47 0.01635 0.00042 0.95011 -90 0
48 0.01551 0.00040 0.94970 -90 0
49 0.01449 0.00039 0.94798 -90 0
50 0.01379 0.00037 0.94798 -90 0
51 0.01084 0.00037 0.93446 -90 0
52 0.00869 0.00037 0.91898 -90 0
53 0.00578 0.00035 0.88568 -90 0
54 0.00384 0.00033 0.83984 -90 0
55 0.00255 0.00032 0.77778 -90 0
像面 0.00255 0.00032 0.77778 -90 0
以上光刻投影物镜偏振仿真分析数据从光刻投影物镜物面偏振追迹到像面，照射到光刻投影物镜物面的光束为X方向线偏振光束，偏振度为99.7％，Ix指X偏振方向的能量跟总入射光能量之比，Iy指Y偏振方向的能量跟总入射光能量之比，偏振方向为-90表示光线振动方向与Y轴的夹角为-90度(偏振方向表示光线振动方向与Y轴的夹角)，偏振类型为0表示线偏振光(偏振类型为0～1之间的数值，0表示线偏振光，非0且不等于1值表示椭圆偏振光，1表示圆偏振光)，以上偏振追迹透镜表面膜层为MGF2单层增透膜，经过投影物镜光学作用后，其偏振度变为77.778％。
步骤四：结果判断，判断输出结果偏振度、偏振方向、偏振类型是否满足曝光光刻系统偏振指标要求，步骤三输出结果中偏振度为77.778％，不满足曝光光刻系统偏振指标要求，偏振类型和偏振方向满足曝光光刻系统偏振指标要求，针对偏振度不满足偏振指标要求这一结果，需要修改步骤一的仿真条件，首先是修改膜系设计后再进行偏振仿真分析，如不满足偏振指标要求，再修改光刻投影物镜光学设计结果和更换透镜材料，直至满足指标要求为止。将MgF2单层膜系换成复杂的多层膜系，针对光刻投影物镜每个透镜不同入射角度设计不同的增透膜系，增透膜系使用高低折射率材料为LaF和MgF2，两种材料的折射率分别为1.69001和1.41880，基底材料为熔石英，折射率为1.56236，具体仿真分析数据如下：
面数 Ix Iy 偏振度 偏振方向 偏振类型
物面 0.99850 0.00150 0.99700 -90 0
1 0.98764 0.00149 0.99699 -90 0
2 0.97689 0.00147 0.99699 -90 0
3 0.93510 0.00147 0.99685 -90 0
4 0.92582 0.00146 0.99685 -90 0
5 0.91006 0.00145 0.99682 -90 0
6 0.90100 0.00144 0.99681 -90 0
7 0.89061 0.00143 0.99680 -90 0
8 0.88167 0.00141 0.99680 -90 0
9 0.87260 0.00140 0.99680 -90 0
10 0.85233 0.00139 0.99673 -90 0
11 0.82112 0.00139 0.99661 -90 0
12 0.75121 0.00139 0.99632 -90 0
13 0.68355 0.00138 0.99598 -90 0
14 0.67455 0.00137 0.99595 -90 0
15 0.66351 0.00136 0.99591 -90 0
16 0.64883 0.00136 0.99583 -90 0
17 0.63702 0.00135 0.99577 -90 0
18 0.62695 0.00134 0.99573 -90 0
19 0.61820 0.00133 0.99570 -90 0
20 0.61214 0.00132 0.99570 -90 0
21 0.60362 0.00131 0.99567 -90 0
22 0.59283 0.00130 0.99561 -90 0
23 0.59283 0.00130 0.99561 -90 0
24 0.59283 0.00130 0.99561 -90 0
25 0.59283 0.00130 0.99561 -90 0
26 0.59283 0.00130 0.99561 -90 0
27 0.58579 0.00129 0.99559 -90 0
28 0.58004 0.00128 0.99559 -90 0
29 0.57415 0.00127 0.99559 -90 0
30 0.54452 0.00127 0.99535 -90 0
31 0.53915 0.00126 0.99535 -90 0
32 0.53370 0.00124 0.99535 -90 0
33 0.52818 0.00123 0.99534 -90 0
34 0.45362 0.00120 0.99471 -90 0
35 0.40189 0.00119 0.99410 -90 0
36 0.39276 0.00118 0.99399 -90 0
37 0.38832 0.00117 0.99397 -90 0
38 0.38441 0.00116 0.99397 -90 0
39 0.37997 0.00115 0.99395 -90 0
40 0.32574 0.00113 0.99311 -90 0
41 0.29975 0.00112 0.99254 -90 0
42 0.27554 0.00112 0.99192 -90 0
43 0.26315 0.00112 0.99155 -90 0
44 0.25980 0.00111 0.99150 -90 0
光阑面 0.25980 0.00111 0.99150 -90 0
46 0.25676 0.00110 0.99147 -90 0
47 0.24385 0.00110 0.99103 -90 0
48 0.24117 0.00109 0.99101 -90 0
49 0.23736 0.00108 0.99092 -90 0
50 0.23503 0.00107 0.99092 -90 0
51 0.20992 0.00106 0.98994 -90 0
52 0.18997 0.00105 0.98897 -90 0
53 0.15015 0.00099 0.98687 -90 0
54 0.11868 0.00093 0.98437 -90 0
55 0.09381 0.00088 0.98140 -90 0
像面 0.09381 0.00088 0.98140 -90 0
通过仿真分析，最终到达像面的偏振度为98.14％，满足指标要求(偏振度>95％)，偏振类型和偏振方向也满足光刻系统偏振指标要求。
按照实施例1的步骤，可以改变输入光束的偏振特性(改变输入光束偏振度、偏振类型、偏振方向)，可输出不同的结果，看是否满足光刻系统偏振指标要求。
总结：本发明光刻投影物镜偏振仿真分析方法，解决了高NA光刻技术中输入偏振光束经光刻投影物镜作用后光束偏振度是否满足光刻曝光系统指标要求。该偏振仿真分析方法主要包括设置仿真条件、光线追迹、数据处理、结果判断四个步骤。通过仿真分析获得数据，为膜系设计、材料特性选择、光刻投影物镜光学系统设计提供理论指导和依据。
本发明未详细公开的部分属于本领域的公知技术。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例变化，变型都将落在本发明权利要求书的范围内。

Claims (2)

1.一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法，其特征在于：该偏振仿真分析方法包括设置仿真条件、光线追迹、数据处理、结果判断步骤，其中：
设置仿真条件步骤包括输入偏振模式选择、输入光束偏振度、偏振态描述方式选择、膜系加载、材料特性加载、视场点选择；输入偏振模式选择指输入光束的偏振模式，常用输入为线偏振模式、部分偏振模式、非偏振模式；部分偏振模式包括左旋和右旋输入；输入光束偏振度指输入光束的偏振度大小，值为0到1之间；偏振态描述方式选择指选择偏振的描述方式，常用的有斯托克斯矢量输入和琼斯矢量输入；膜系加载指将设计好的膜系加载到每一透镜或者反射镜表面上；材料特性加载指加载材料的双折射特性参数；视场点选择指确定输入光瞳面上待仿真分析的视场点；
光线追迹步骤主要包括开启偏振模式和设置追迹光线数量；开启偏振模式指光线追迹时采用的是偏振光线追迹而非普通光线追迹；设置追迹光线数量指偏振光线追迹时光线的条数设置；
数据处理步骤包括偏振类型数据化、偏振方向数据化、X和Y方向强度大小计算、偏振度大小计算；偏振类型数据化指用数据来代表偏振类型，0代表线性偏振，1表示圆偏振，0到1之间表示椭圆偏振；偏振方向数据化指输出光线振动方向与Y轴的夹角，单位度；X和Y方向强度大小计算指按照菲涅耳反射和透射原理进行光线追迹，最终到达像面上X和Y方向强度大小；偏振度计算指计算输出每一根光线的偏振度；
结果判断步骤包括判断偏振度大小、偏振类型、偏振方向是否满足曝光光刻系统偏振指标要求，当不满足光刻曝光光学系统偏振指标时，需要重新进行膜系设计和优化、重新选择镜头材料、光刻投影物镜镜头优化。
2.根据权利要求1所述的一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法，其特征在于：结果判断包括判断输出结果是否满足光刻曝光光学系统偏振指标要求，如不满足曝光光学系统偏振指标要求，需要修改仿真条件，获取不同仿真条件下的数据处理结果；该光刻投影物镜偏振仿真分析方法是基于菲涅耳反射和透射理论、CODEV软件，编写宏语言的基础上完成仿真分析。
CN201510245397.5A 2015-05-14 2015-05-14 一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法 Expired - Fee Related CN104865799B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510245397.5A CN104865799B (zh) 2015-05-14 2015-05-14 一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510245397.5A CN104865799B (zh) 2015-05-14 2015-05-14 一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104865799A CN104865799A (zh) 2015-08-26
CN104865799B true CN104865799B (zh) 2017-06-27

Family

ID=53911720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510245397.5A Expired - Fee Related CN104865799B (zh) 2015-05-14 2015-05-14 一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104865799B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3594749A1 (en) * 2018-07-10 2020-01-15 ASML Netherlands B.V. Method to label substrates based on process parameters
CN109029932B (zh) * 2018-08-03 2020-06-09 长春理工大学 一种折反式望远系统的全口径全视场光线追迹方法
CN112880987B (zh) * 2019-11-29 2022-05-03 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光学元件的偏振性能检测方法及检测系统

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6464363B1 (en) * 1999-03-17 2002-10-15 Olympus Optical Co., Ltd. Variable mirror, optical apparatus and decentered optical system which include variable mirror, variable-optical characteristic optical element or combination thereof
DE10124803A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
AU2003298405A1 (en) * 2002-09-03 2004-03-29 Carl Zeiss Smt Ag Optimization method for an objective with fluoride crystal lenses and objective with fluoride crystal lenses
CN100492180C (zh) * 2007-07-10 2009-05-27 上海微电子装备有限公司 投影物镜检测的方法
US20090070730A1 (en) * 2007-09-06 2009-03-12 Synopsys, Inc. Method and apparatus for modeling a vectorial polarization effect in an optical lithography system
CN101916040B (zh) * 2010-07-14 2012-09-05 中国科学院光电技术研究所 一种适用于投影光刻系统的检焦系统
EP2622411B1 (en) * 2010-09-28 2015-11-04 Carl Zeiss SMT GmbH Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus and method of reducing image placement errors
CN202057900U (zh) * 2011-04-27 2011-11-30 上海丽恒光微电子科技有限公司 立体投影光学系统
CN103197512B (zh) * 2013-04-22 2015-09-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机投影物镜偏振像差原位检测方法
CN104516192B (zh) * 2013-09-30 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 建立opc模型的方法、布局图形的检查方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104865799A (zh) 2015-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101258498B (zh) 用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法
US7079223B2 (en) Fast model-based optical proximity correction
CN101470344B (zh) 用于对全芯片图案实施图案分解的方法
Mulder et al. Performance of FlexRay: a fully programmable illumination system for generation of freeform sources on high NA immersion systems
CN104865799B (zh) 一种光刻投影物镜偏振仿真分析方法
CN101634813A (zh) 改进照明系统、曝光装置和形成线/间隔电路图形的方法
CN104181779B (zh) 一种光学系统波像差检测装置
CN109219776A (zh) 用于预测当光刻工艺进行时使用掩模获得的成像结果的方法与设备
TWI240307B (en) Correction method and verification method for pattern size using OPC, mask and semiconductor device made by using the correction method, and system and recording medium executing the correction method
TW201023097A (en) Evaluation pattern generating method, computer program product, and pattern verifying method
US10691015B2 (en) Integrated mask-aware lithography modeling to support off-axis illumination and multi-tone masks
Deng et al. Design method for freeform reflective-imaging systems with low surface-figure-error sensitivity
US8520190B2 (en) Evaluation method, control method, exposure apparatus, and memory medium
Socha Freeform and SMO
Hansen Source mask polarization optimization
Lai et al. Modeling polarization for hyper-NA lithography tools and masks
CN101451963B (zh) 用于缺陷检测的方法和系统
CN110703438B (zh) 一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置
CN104423143B (zh) 布局图形的检查方法
CN103278913A (zh) 一种非球面光刻耦合物镜
CN103135363A (zh) 产生投影光刻照明模式的装置
CN106933043B (zh) 光刻成像系统及其投影曝光方法
Lee et al. Thread scheduling for GPU-based OPC simulation on multi-thread
Zhang et al. Polarization aberration modeling via Jones matrix in the context of OPC
Wooley et al. Simulating use of displacement Talbot lithography for high volume AR waveguide manufacturing

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170627

Termination date: 20210514