CN104834397A - 触控装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触控装置，触控装置包括一第一基底以及一第一图案化复合材料导电层。第一图案化复合材料导电层设置在第一基底上。第一图案化复合材料导电层包括一第一多层结构，第一多层结构包括一第一金属导电层、一第一透明导电层以及一第二金属导电层。第一金属导电层、第一透明导电层以及第二金属导电层依序堆栈设置在第一基底上。第一透明导电层设置在第一金属导电层与第二金属导电层之间，用以在第一金属导电层与第二金属导电层之间形成一光学微共振腔，借此提高触控装置的光透射比。
Description
技术领域
本发明涉及一种触控装置，特别涉及一种利用具有两金属导电层夹设一透明导电层的图案化复合材料导电层来达到降低电阻抗与提高透射比等目的的触控装置。
背景技术
在触控板的结构中，为了避免触控感应组件影响到触控板所搭配的显示效果，一般是利用具有低电阻与高透光率的透明导电材料来形成触控感应组件。目前本领域比较常见的透明导电材料为氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)，氧化铟锡虽然具有高透光率的特性，但其电阻值仍比一般金属导电材料高而使得设计上受到限制。此外，在一般触控板中是用金属桥接线连接由透明导电材料所形成的触控感应组件，借此降低整体电阻抗。然而，此金属桥接线由于透射比低且具有反射特性，故会造成触控板在外观视效上的不良影响。为了降低触控感应组件的电阻抗，目前本领域也有提出使用金属网格来构成触控感应组件的方式，但由于形成金属网格的金属材料本身仍具有透射比低且反射率高的特性，故也会造成外观视效上的不良影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种触控装置，利用具有两金属导电层夹设一透明导电层的图案化复合材料导电层来达到降低电阻抗与提高透射比的目的。
本发明提供一种触控装置，包括一第一基底以及一第一图案化复合材料导电层。第一图案化复合材料导电层设置在第一基底上。第一图案化复合材料导电层包括一第一多层结构，第一多层结构包括一第一金属导电层、一第一透明导电层以及一第二金属导电层依序堆栈设置在第一基底上。第一透明导电层设置在第一金属导电层与第二金属导电层之间，用以在第一金属导电层与第二金属导电层之间形成一光学微共振腔。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一金属导电层与第二金属导电层包括银或银合金。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一金属导电层与第二金属导电层的厚度都小于或等于60纳米。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一透明导电层的厚度介于500纳米到40纳米之间。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一金属导电层设置在第一透明导电层与第一基底之间，第一多层结构还包括一第一光学层设置在第一金属导电层与第一基底之间。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一光学层包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层，且第一光学层的折射率介于1.6到2.5之间。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一金属导电层设置在第一透明导电层与第一基底之间，第一多层结构还包括一第二光学层，且第二金属导电层是设置在第二光学层与第一透明导电层之间。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第二光学层包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层，且第二光学层的折射率介于1.6到2.5之间。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一图案化复合材料导电层包括至少一第一触控电极或一第一连接导线。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一图案化复合材料导电层包括一网格状图案或一块状图案。
本发明其中一个实施例的触控装置还包括一保护层设置在第一基底上，且保护层至少部分覆盖第一图案化复合材料导电层，其中保护层的折射率介于1.4到2.5之间。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一基底包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一覆盖板或一显示器的基底。
本发明其中一个实施例的触控装置还包括一第二图案化复合材料导电层，其中第二图案化复合材料导电层具有一第二多层结构，第二多层结构包括一第三金属导电层、一第二透明导电层以及一第四金属导电层互相堆栈设置，其中第二透明导电层设置在第三金属导电层与第四金属导电层之间，用以在第三金属导电层与第四金属导电层之间形成另外一光学微共振腔。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一图案化复合材料导电层与第二图案化复合材料导电层设置在第一基底的同一侧。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第一图案化复合材料导电层与第二图案化复合材料导电层分别设置在第一基底的两相对的不同侧，且第二图案化复合材料导电层包括至少一第二触控电极。
本发明其中一个实施例的触控装置还包括一第二基底，第二基底与第一基底相对设置，其中第二图案化复合材料导电层设置在第二基底上，且第二图案化复合材料导电层包括至少一第二触控电极。
在本发明其中一个实施例的触控装置中，第二基底包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片或一显示器的基底。
发明其中一个实施例的触控装置还具有一透光区与位于透光区的至少一侧的一周围区，其中第一图案化复合材料导电层包括至少部分设置在透光区的一第一触控电极，触控装置还包括至少部分设置在周围区的一第一连接导线，第一连接导线是由第一金属导电层、第一透明导电层以及第二金属导电层所组成的群组中的其中的一种所构成。
本发明的触控装置是用两金属导电层夹设一透明导电层的图案化复合材料导电层来形成触控电极或/与连接导线，利用两金属导电层来降低整体电阻抗并在两金属导电层之间形成一光学微共振腔来达到提高透射比的效果。
附图说明
图1所示为本发明实施例1的触控装置的示意图；
图2所示为本发明实施例1的触控装置的六边形网格状图案的示意图；
图3所示为本发明实施例1的触控装置的矩形网格状图案的示意图；
图4所示为本发明实施例1的触控装置的菱形网格状图案的示意图；
图5所示为本发明实施例1的触控装置的触控电极的示意图；
图6所示为本发明实施例2的触控装置的示意图；
图7所示为本发明实施例3的触控装置的示意图；
图8所示为本发明实施例4的触控装置的示意图；
图9所示为本发明实施例5的触控装置的示意图；
图10所示为本发明实施例6的触控装置的示意图；
图11所示为本发明实施例7的触控装置的示意图；
图12为沿图11的A-A’剖线所绘示的剖视图；
图13所示为本发明实施例8的触控装置的示意图；
图14所示为本发明实施例9的触控装置的示意图；
图15所示为本发明实施例9的触控装置的俯视示意图；
图16所示为本发明实施例10的触控装置的示意图。
其中，附图标记说明如下：
101-106、201-202、301-302 触控装置
111 第一基底
111A 第一面
111B 第二面
112 第二基底
112A 第三面
112B 第四面
120 第一图案化复合材料导电层
120C 第一连接导线
120M 网格状图案
120R 触控信号接收电极
120S 第一触控电极
120T 触控信号驱动电极
121 第一金属导电层
122 第一透明导电层
123 第二金属导电层
124 第一光学层
125 第二光学层
141、142 保护层
190 覆盖板
220 第二图案化复合材料导电层
220S 第二触控电极
221 第三金属导电层
222 第二透明导电层
223 第四金属导电层
224 第三光学层
225 第四光学层
230 绝缘层
241 第一轴向电极
241C 连接线
241X 子电极
242 第二轴向电极
351 第一触控电极
352 第二触控电极
M1 六边形网格单元
M2 矩形网格单元
M3 菱形网格单元
R1 透光区
R2 周围区
S1 第一多层结构
S2 第二多层结构
X 第一方向
Y 第二方向
Z 垂直投影方向
具体实施方式
为使本发明所属技术领域的技术人员能进一步了解本发明，下文特列举本发明的数个具体实施例，并配合附图，详细说明本发明的技术方案。
实施例1
请参考图1。图1所示为本发明实施例1的触控装置的示意图。为了方便说明，本发明的各附图仅为示意用以容易了解本发明，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。如图1所示，本实施例提供一触控装置101。触控装置101包括一第一基底111以及一第一图案化复合材料导电层120。第一基底111包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一覆盖板或一显示器的基底。上述覆盖板至少在一侧设置有一装饰层，且上述显示器的基底可包括一彩色滤光基底、一有源阵列基底或一有机发光显示器的封装盖板，但并不以此为限。第一图案化复合材料导电层120设置在第一基底111上。第一图案化复合材料导电层120具有一第一多层结构S1，第一多层结构S1包括一第一金属导电层121、一第一透明导电层122以及一第二金属导电层123依序堆栈设置在第一基底111上。举例来说，本实施例的第一基底111可具有一第一面111A以及一第二面111B，第二面111B是在一垂直第一基底111的垂直投影方向Z上相对于第一面111A的相反面，而第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123依序堆栈设置在第一基底111的第一面111A上。也就是说，第一金属导电层121设置在第一透明导电层122与第一基底111之间，而第一透明导电层122设置在第一金属导电层121与第二金属导电层123之间。第一透明导电层122分别直接接触第一金属导电层121与第二金属导电层123，也就是说第一透明导电层122的厚度大体上等于第一金属导电层121与第二金属导电层123在垂直投影方向Z上的间距。因此，将第一透明导电层122的厚度大体上控制在500纳米到40纳米之间，可用以在第一金属导电层121与第二金属导电层123之间形成一光学微共振腔(optical microcavity)，而通过此光学微共振腔可提高特定波长范围(例如平均波长550nm左右的可见光)的光线穿透第一图案化复合材料导电层120的透射比。
进一步说明，本实施例的第一金属导电层121与第二金属导电层123优选可包括银或银合金，借此降低第一图案化复合材料导电层120的整体电阻抗，但本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中也可视需要使用其他金属导电材料例如铝、铜、钯、铬、钛、钼的其中至少一种、上述材料的复合层或上述材料的合金。此外，第一金属导电层121与第二金属导电层123的厚度优选是小于或等于60纳米，借此搭配第一透明导电层122的厚度用以形成上述的光学微共振腔来提高光透射比，但并不以此为限。第一透明导电层122可包括氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)、氧化铝锌(aluminum zinc oxide,AZO)或其他适合的透明导电材料，如石墨烯、硅烯、碳纳米管、纳米银丝等。此外，本实施例的第一图案化复合材料导电层120是由堆栈的第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123所构成，因此第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123在垂直投影方向Z上的图案是大体上彼此相同。在本实施例中，触控装置101可具有一透光区R1以及一周围区R2。周围区R2位于透光区R1的至少一侧，且周围区R2优选围绕透光区R1，但并不以此为限。值得说明的是，本实施例的第一图案化复合材料导电层120可用以在第一基底111上形成触控电极或/及连接导线。举例来说，本实施例的第一图案化复合材料导电层120可包括一第一触控电极120S以及一第一连接导线120C。第一触控电极120S至少部分设置在透光区R1中，且第一连接导线120C至少部分设置在周围区R2中，但并不以此为限，例如，第一触控电极120S以及第一连接导线120C也可自透光区R1延伸到周围区R2。另外一提的是，若位于周围区R2中的第一连接导线120C可被装饰层或遮光层所遮蔽而无法被人眼视见，则第一连接导线120C可由第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123所组成的群组中的至少的一种所构成即可，例如第一连接导线120C可仅由其中的一种(如第二金属导电层123)构成；换句话说，第一连接导线120C并不限定必须为三层导电结构。第一图案化复合材料导电层120可包括一网格状图案或一块状图案，也就是说第一触控电极120S与第一连接导线120C可由网格状图案或块状图案所构成，但并不以此为限。举例来说，请参考图2到图4，图2到图4所示为本实施例的触控装置的网格状图案的示意图。如图2到图4所示，第一图案化复合材料导电层120可包括一网格状图案120M，而网格状图案120M可由规则排列的多边形网格单元(如图2所示的六边形网格单元M1、图3所示的矩形网格单元M2以及图4所示的菱形网格单元M3)、不规则形状网格例如不规则排列的不规则多边形网格单元、圆形网格单元或其他适合的规则或不规则形状的网格单元所构成。由于上述的网格状图案120M是由第一图案化复合材料导电层120所形成，故可借此进一步提高其光透射比。
请参考图1与图5。图5所示为本实施例的触控装置的触控电极的示意图。如图1与图5所示，本实施例的第一图案化复合材料导电层120可包括多个第一触控电极120S以及多条第一连接导线120C。各第一连接导线120C与对应的第一触控电极120S电连接。各第一触控电极120S彼此互相电绝缘设置，用以进行一自电容式(self-capacitive)触控检测，但并不以此为限。各第一触控电极120S的形状可为矩形、菱形、三角形或其他适合的几何形状。由于第一触控电极120S与第一连接导线120C是由第一图案化复合材料导电层120所形成而具有第一金属导电层121、第一透明导电层122以及第二金属导电层123互相堆栈的第一多层结构S1，故不论第一触控电极120S与第一连接导线120C是由网格状图案或块状图案所构成，均可通过第一多层结构S1来达到降低电阻抗与提高光透射比的目的。因此，当本实施例的触控装置101与一显示装置搭配或整合时可通过第一多层结构S1来降低网格状图案或块状图案对于显示效果的不良影响。此外，触控装置101可还包括一保护层141，设置在第一基底111上并至少部分覆盖第一图案化复合材料导电层120。保护层141可为单层或多层结构，保护层141可包括有机材料、无机材料或有机-无机复合材料，且保护层141的折射率优选是介于1.4到2.5之间，用以降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率，进而达到降低第一图案化复合材料导电层120的图案明显度的效果。
下文将针对本发明的不同实施例进行说明，且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述，而不再对相同的部分作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同的组件是以相同的标号进行标示，用以方便在各实施例间互相对照。
实施例2
请参考图6，图6所示为本发明实施例2的触控装置102的示意图。如图6所示，本实施例的触控装置102与上述实施例1不同的地方在于本实施例的第一触控电极120S可包括至少一触控信号驱动电极120T以及至少一触控信号接收电极120R彼此互相分离设置，用以进行一互电容式(mutualcapacitive)触控检测，但并不以此为限。
实施例3
请参考图7，图7所示为本发明实施例3的触控装置103的示意图。如图7所示，本实施例的触控装置103与上述实施例1不同的地方在于，本实施例的第一多层结构S1还包括一第一光学层124，设置在第一金属导电层121与第一基底111之间。第一光学层124可包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层。上述的透明导电层可包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌或其他适合的透明导电材料，上述的透明半导体层可包括氧化物半导体材料例如氧化锌(ZnO)、氧化锌镁(ZnMgO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡锑(SnSbO2)、氧化硒化锌(ZnSeO)、氧化锌锆(ZnZrO)或其他适合的透明半导体材料，而上述的透明绝缘层可包括氧化物例如氧化钛(TiO2)与氧化硅(SiOx)、氮化物例如氮化硅(SiNx)、氮氧化物例如氮氧化硅(SiOxNy)或其他适合的透明绝缘材料。此外，第一光学层124的折射率优选是介于1.6到2.5之间，用以与第一基底111以及第一图案化复合材料导电层120形成折射率匹配的效果，达到降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率以及降低第一图案化复合材料导电层120的图案明显度的效果。值得一提的是，在其他实施例中，第一光学层124与第一多层结构S1中的其他膜层可在垂直投影方向Z上的图案不相同，例如第一光学层124可至少全面覆盖透光区R1，但不限于此。
实施例4
请参考图8，图8所示为本发明实施例4的触控装置104的示意图。如图8所示，本实施例的触控装置104与上述实施例1不同的地方在于本实施例的第一多层结构S1还包括一第二光学层125，设置在第二金属导电层123上，且第二金属导电层123设置在第二光学层125与第一透明导电层122之间。第二光学层125的材料特性与上述第一光学层相似而可包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层。此外，第二光学层125的折射率优选是介于1.6到2.5之间，用以与保护层141形成折射率匹配的效果，达到降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率以及降低第一图案化复合材料导电层120的图案明显度的效果。同样地，在其他实施例中，第二光学层125与第一多层结构S1中的其他膜层可在垂直投影方向Z上的图案不相同，例如第二光学层125可至少全面覆盖透光区R1，但不限于此。
实施例5
请参考图9，图9所示为本发明实施例5的触控装置105的示意图。如图9所示，本实施例的触控装置105与上述实施例1不同的地方在于本实施例的第一多层结构S1可还包括上述实施例3的第一光学层124与上述实施例4的第二光学层125。换句话说，本实施例的第一图案化复合材料导电层120是由第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125依序堆栈在第一基底111上所构成。因此，本实施例的第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125在垂直投影方向Z上的图案大体上彼此相同。通过本实施例的第一光学层124与第二光学层125的设置可达到进一步降低第一图案化复合材料导电层120的光反射率的效果。举例来说，当第一基底111为一玻璃基底，第一金属导电层121与第二金属导电层123分别由银所形成，且第一透明导电层122、第一光学层124以及第二光学层125分别由氧化铟锡所形成时，通过控制各层的厚度搭配可获得第一图案化复合材料导电层120所需的电阻值、光透射比以及光反射率的结果。例如，当第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125的厚度分别为60纳米、25纳米、100纳米、25纳米以及60纳米时，可获得电阻值小于1.5ohm/sq、550纳米波长光线透射比约为65%以及550纳米波长光线反射率约为10%的第一图案化复合材料导电层120。当第一光学层124、第一金属导电层121、第一透明导电层122、第二金属导电层123以及第二光学层125的厚度分别为35纳米、17纳米、87纳米、17纳米以及35纳米时，可获得电阻值小于3ohm/sq、550纳米波长光线透射比约为71%以及550纳米波长光线反射率约为8%的第一图案化复合材料导电层120。也就是说，通过调整第一图案化复合材料导电层120中各层的材料与厚度搭配可获得所需的电阻值、光透射比以及光反射率等特性。值得说明的是，上述第一、第三、第四以及实施例5中所述的不同的第一多层结构S1的叠层状况均可视需要应用在后续其他实施例中。
实施例6
请参考图10，图10所示为本发明实施例6的触控装置106的示意图。如图10所示，本实施例的触控装置106与上述实施例5不同的地方在于触控装置106可还包括一覆盖板190，且第一图案化复合材料导电层120设置在覆盖板190与第一基底111之间。本实施例的保护层141也可选择性地具有粘合特性，用以粘合覆盖板190与第一基底111，但并不以此为限。
实施例7
请参考图11与图12，图11所示为本发明实施例7的触控装置201的示意图，而图12为沿图11的A-A’剖线所绘示的剖视图。如图11与图12所示，本实施例的触控装置201与上述实施例5不同的地方在于触控装置201包括至少一第一轴向电极241、至少一第二轴向电极242以及一绝缘层230。第一轴向电极241与第二轴向电极242互相交错且互相绝缘设置在第一基底111上。第一轴向电极241沿一第一方向X延伸，第二轴向电极242沿一第二方向Y延伸，且第一方向X大体上垂直第二方向Y，但并不以此为限。在本实施例中，第一轴向电极241可包括多个子电极241X以及一连接线241C。子电极241X是沿第一方向X排列，且连接线241C设置在两子电极241X之间，用以电连接两子电极241X。绝缘层230至少部分设置在第一连接线241C与第二轴向电极242之间，用以电绝缘第一轴向电极241与第二轴向电极242。值得说明的是，本实施例的第二轴向电极242与子电极241X可由透明导电材料所形成，而连接线241C可由第一图案化复合材料导电层120所形成，但并不以此为限。由于连接线241C可由第一图案化复合材料导电层120所形成而具有第一多层结构S1，故可达到降低连接线241C的电阻抗、提高连接线241C的光透射比以及降低连接线241C的光反射率的效果。也就是说，本实施例中用以桥接两子电极241X的连接线241C的图案明显度可因具有第一多层结构S1而降低。另外，本实施例的连接线241C的阻抗可因具有第一多层结构S1而降低，用以改善本实施例因连接线241C的平均宽度小于子电极241X的平均宽度所造成的高阻抗问题。
实施例8
请参考图11与图13，图13所示为本发明实施例8的触控装置202的示意图。如图13所示，本实施例的触控装置202与上述实施例7不同的地方在于触控装置202还包括一第二图案化复合材料导电层220，设置在第一基底111上。第二复合材料导电层160具有一第二多层结构S2，且第二多层结构S2包括一第三金属导电层221、一第二透明导电层222以及一第四金属导电层223互相堆栈设置。第三金属导电层221与第四金属导电层223可包括银或银合金，借此降低第二图案化复合材料导电层220的整体电阻抗，但并不以此为限。第二透明导电层222设置在第三金属导电层221与第四金属导电层223之间，用以在第三金属导电层221与第四金属导电层223之间形成另外一光学微共振腔。第二透明导电层222分别直接接触第三金属导电层221与第四金属导电层223，也就是说第二透明导电层222的厚度大体上等于第三金属导电层221与第四金属导电层223在垂直投影方向Z上的间距。因此，将第二透明导电层222的厚度大体上控制在500纳米到40纳米之间，可用以在第三金属导电层221与第四金属导电层223之间形成另外一光学微共振腔。此外，第三金属导电层221与第四金属导电层223的厚度优选是小于或等于60纳米，借此搭配第二透明导电层222的厚度用以形成上述的光学微共振腔来提高光透射比，但并不以此为限。此外，第二多层结构S2也可选择性地还包括一第三光学层224与一第四光学层225。换句话说，本实施例的第二图案化复合材料导电层220可由第三光学层224、第三金属导电层221、第二透明导电层222、第四金属导电层223以及第四光学层225依序堆栈在第一基底111上所构成。因此，本实施例的第三光学层224、第三金属导电层221、第二透明导电层222、第四金属导电层223以及第四光学层225在垂直投影方向Z上的图案大体上彼此相同。通过本实施例的第三光学层224与第四光学层225的设置可达到进一步降低第二图案化复合材料导电层220的光反射率的效果。换句话说，第二图案化复合材料导电层220以及其第二多层结构S2与上述的第一图案化复合材料导电层120以及其第一多层结构S1相似，故在此并不再赘述。
值得说明的是，在本实施例中，第一图案化复合材料导电层120与第二图案化复合材料导电层220设置在第一基底111的同一侧，且第一图案化复合材料导电层120至少部分设置在第一基底111与第二图案化复合材料导电层220之间。第二图案化复合材料导电层220可包括多个第二触控电极220S设置在第一基底111上并沿第一方向X排列，连接线241C设置在两第二触控电极220S之间，用以电连接两第二触控电极220S。换句话说，第二触控电极220S以及连接线241C可用以构成本实施例的第一轴向电极241。此外，本实施例的第二轴向电极242优选是由第二图案化复合材料导电层220所形成。由于第一轴向电极241与第二轴向电极242可由第一图案化复合材料导电层120或第二图案化复合材料导电层220所形成而具有第一多层结构S1或第二多层结构S2，故可达到降低第一轴向电极241与第二轴向电极242的电阻抗、提高其光透射比以及降低其光反射率的效果。此外，若考量第二触控电极220S与连接线241C之间的电连接状况，第二光学层125与第三光学层224优选是均为透明导电层，但并不以此为限。另外一提的是，在其他实施例中，也可仅有连接线241C为单层结构，第二触控电极220S以及第二轴向电极242可为多层结构。
实施例9
请参考图14与图15。图14所示为本发明实施例9的触控装置301的示意图，而图15所示为本实施例的触控装置的俯视示意图。如图14与图15所示，本实施例的触控装置301与上述实施例8不同的地方在于本实施例的第一图案化复合材料导电层120与第二图案化复合材料导电层220是分别设置在第一基底111的两相对的不同侧。明确地说，第一图案化复合材料导电层120设置在第一基底111的第一面111A上，而第二图案化复合材料导电层220设置在第一基底111的第二面111B上。此外，第一图案化复合材料导电层120包括多个第一触控电极351，而第二图案化复合材料导电层220包括多个第二触控电极352。各第一触控电极351优选为一条状电极沿第一方向X延伸，而各第二触控电极352优选为一条状电极沿第二方向Y延伸，但并不以此为限。此外，触控装置301可还包括一保护层141以及一保护层142分别设置在第一面111A以及第二面111B上，用以分别覆盖保护第一触控电极351与第二触控电极352。保护层142的材料特性与保护层141相似，故在此并不再赘述。另外一提的是，保护层141与保护层142也可以光学粘胶替代，光学粘胶例如是可用来分别将触控装置301与上方的覆盖板(未图示)以及下方的显示器(未图示)相黏合者。
实施例10
请参考图16，图16所示为本发明实施例10的触控装置302的示意图。如图16所示，本实施例的触控装置302与上述实施例9不同的地方在于，触控装置302还包括一第二基底112，与第一基底111相对设置。第二基底112具有一第三面112A以及一相对的第四面112B，第二基底112的第三面112A面对第一基底111的第二面111B。在触控装置302中，第二图案化复合材料导电层220设置在第二基底112上。也就是说，第一触控电极351与第二触控电极352分别设置在不同的第一基底111与第二基底112上。此外，触控装置302可还包括一覆盖板190。保护层142设置在第一基底111与第二基底112之间，且保护层142也可选择性地具有粘合特性，用以粘合第一基底111与第二基底112，但并不以此为限。保护层141设置在第一基底111与覆盖板190之间，且保护层141也可选择性地具有粘合特性，用以粘合第一基底111与覆盖板190。在本实施例中，第一图案化复合材料导电层120设置在第一基底111的第一面111A上，而第二图案化复合材料导电层220设置在第二基底112的第三面上112A，但本发明并不以此为限。在本发明的其他实施例中，也可视需要将第一图案化复合材料导电层120设置在第一基底111的第二面111B上或/并将第二图案化复合材料导电层220设置在第二基底112的第四面112B上，用以获得所需的第一触控电极351与第二触控电极352的结构搭配组合。此外，由于第一图案化复合材料导电层120与第二图案化复合材料导电层220分别设置在不同的基底上，故可直接利用不同的基底分别进行图案化工艺例如光刻与蚀刻工艺来分别形成第一图案化复合材料导电层120与第二图案化复合材料导电层220，再通过保护层142互相结合而达到简化整体制造工艺步骤的效果。本实施例的第二基底112可包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片或一显示器的基底，但并不以此为限。另外一提的是，在其他实施例中，也可仅有第一触控电极351与第二触控电极352的其中的一种采用第一图案化复合材料导电层120或第二图案化复合材料导电层220，并不限定两者都必须采用第一图案化复合材料导电层120与第二图案化复合材料导电层220。
综上所述，本发明的触控装置是用两金属导电层夹设一透明导电层的图案化复合材料导电层来形成触控电极或/与连接导线，利用两金属导电层来降低整体电阻抗并在两金属导电层之间形成一光学微共振腔来达到提高透射比的效果。此外，本发明还利用在图案化复合材料导电层的多层结构中设置光学层，通过光学层的折射率匹配效果，达到降低图案化复合材料导电层的光反射率与图案明显度，也因此可以适当地增加网格状触控电极或/及连接导线的线宽。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (18)
1.一种触控装置，其特征在于，包括：
一第一基底；以及
一第一图案化复合材料导电层，设置在所述第一基底上，其中所述第一图案化复合材料导电层包括一第一多层结构，所述第一多层结构包括一第一金属导电层、一第一透明导电层以及一第二金属导电层，且所述第一金属导电层、所述第一透明导电层以及所述第二金属导电层依序堆栈设置在所述第一基底上，其中所述第一透明导电层设置在所述第一金属导电层与所述第二金属导电层之间，用以在所述第一金属导电层与所述第二金属导电层之间形成一光学微共振腔。
2.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一金属导电层与所述第二金属导电层包括银或银合金。
3.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一金属导电层与所述第二金属导电层的厚度都小于或等于60纳米。
4.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度介于500纳米到40纳米之间。
5.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一金属导电层设置在所述第一透明导电层与所述第一基底之间，所述第一多层结构还包括一第一光学层设置在所述第一金属导电层与所述第一基底之间。
6.根据权利要求5所述的触控装置，其特征在于，所述第一光学层包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层，且所述第一光学层的折射率介于1.6到2.5之间。
7.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一金属导电层设置在所述第一透明导电层与所述第一基底之间，所述第一多层结构还包括一第二光学层，且所述第二金属导电层设置在所述第二光学层与所述第一透明导电层之间。
8.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于，所述第二光学层包括一透明导电层、一透明半导体层或一透明绝缘层，且所述第二光学层的折射率介于1.6到2.5之间。
9.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一图案化复合材料导电层包括至少一第一触控电极或一第一连接导线。
10.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一图案化复合材料导电层包括一网格状图案或一块状图案。
11.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，还包括一保护层设置在所述第一基底上，且所述保护层至少部分覆盖所述第一图案化复合材料导电层，其中所述保护层的折射率介于1.4到2.5之间。
12.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，所述第一基底包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一覆盖板或一显示器的基底。
13.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，还包括一第二图案化复合材料导电层，其中所述第二图案化复合材料导电层具有一第二多层结构，所述第二多层结构包括一第三金属导电层、一第二透明导电层以及一第四金属导电层互相堆栈设置，其中所述第二透明导电层设置在所述第三金属导电层与所述第四金属导电层之间，用以在所述第三金属导电层与所述第四金属导电层之间形成另外一光学微共振腔。
14.根据权利要求13所述的触控装置，其特征在于，所述第一图案化复合材料导电层与所述第二图案化复合材料导电层设置在所述第一基底的同一侧。
15.根据权利要求13所述的触控装置，其特征在于，所述第一图案化复合材料导电层与所述第二图案化复合材料导电层分别设置在所述第一基底的两相对的不同侧，且所述第二图案化复合材料导电层包括至少一第二触控电极。
16.根据权利要求13所述的触控装置，其特征在于，还包括一第二基底，所述第二基底与所述第一基底相对设置，其中所述第二图案化复合材料导电层设置在所述第二基底上，且所述第二图案化复合材料导电层包括至少一第二触控电极。
17.根据权利要求16所述的触控装置，其特征在于，所述第二基底包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片或一显示器的基底。
18.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于，还具有一透光区与位于所述透光区的至少一侧的一周围区，其中所述第一图案化复合材料导电层包括至少部分设置在所述透光区的一第一触控电极，所述触控装置还包括至少部分设置在所述周围区的一第一连接导线，所述第一连接导线是由所述第一金属导电层、所述第一透明导电层以及所述第二金属导电层所组成的群组中的其中的一种所构成。
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