CN104821555B - 能够进行精确电流采样的电池保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电池保护电路，其包括：功率开关晶片，其包括第一功率开关管、第二功率开关管、与第一功率开关管的第一连接端相连的第一压焊区和与第二功率开关管的第一连接端相连的第二压焊区，连接第一压焊区和第一引脚的第一封装引线；连接第二压焊区和第二引脚的第二封装引线；电池保护控制晶片，其具有与第一压焊区电性相连的第一检测端、与第一引脚相连的第二检测端、将第一检测端和第二检测端的电压差与参考电压进行比较的过流检测电路。本发明利用封装引线两端的电压差来与参考电压进行对比，以决定流过所述封装引线的电流是否过流，这种方式成本低，精度高，没有额外的功率消耗。

Description

能够进行精确电流采样的电池保护电路

【技术领域】

本发明涉及电池保护电路领域，特别涉及一种能够进行精确电流采样的电池保护电路，其可以利用封装引线来进行电流采样。

【背景技术】

传统的电池保护电路中，一般采用检测功率MOS(Metal Oxide Semiconductor)管上电压降来实现过流检测。即比较MOS管上的导通压降与精确的参考电压来决定流过其上的是否放电电流过大。例如参考电压是VR，MOS管的导通电阻为Ron，则放电过流阈值为VR/Ron。但由于MOS管的导通电阻随电压、温度等环境因素影响较大，导致放电过流阈值实际变化很大。对越来越精密的电子设备，提高放电过流阈值精度可以改善设备的可靠性。通过外置精密电阻采样电流，虽可以提高精度，但增加了成本，且消耗额外的效率。

因此，有必要提出一种低成本、高效的能够进行精确电流采样的电池保护电路。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种能够进行精确电流采样的电池保护电路，其可以利用封装引线来进行电流采样，成本低，效率高。

为了解决上述问题，本发明提供一种电池保护电路，其包括：功率开关晶片，其包括第一功率开关管、第二功率开关管、与第一功率开关管的第一连接端相连的第一压焊区和与第二功率开关管的第一连接端相连的第二压焊区；连接第一压焊区和第一引脚的第一封装引线；连接第二压焊区和第二引脚的第二封装引线；电池保护控制晶片，其具有与第一压焊区电性相连的第一检测端、与第一引脚相连的第二检测端、将第一检测端和第二检测端的电压差与参考电压进行比较的过流检测电路。

进一步的，所述过流检测电路包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、储能电容和运算放大器，第一开关连接在第一检测端或第二检测端和运算放大器的第一输入端之间，第二开关和储能电容依次连接在第二检测端或第一检测端和运算放大器的第二输入端之间，第三开关连接在运算放大器的输出端和第二输入端之间，第四开关连接在所述参考电压和运算放大器的第一输入端之间，第五开关连接在第二开关和储能电容的中间节点和接地端之间，第一开关、第二开关和第三开关同步导通和关断，第四开关和第五开关同步导通和关断，在第一开关、第二开关和第三开关同步导通时，第四开关和第五开关同步关断，在第四开关和第五开关同步导通时，第一开关、第二开关和第三开关同步关断。

进一步的，第一开关、第二开关和第三开关的控制端与第一控制信号相连，第四开关和第五开关的控制端与第二控制信号相连，在第一控制信号和第二控制信号为导通电平时，它们控制的开关导通，在第一控制信号和第二控制信号为关断电平时，它们控制的开关关断，第一控制信号的导通电平和第二控制信号的导通电平之间具有死区，第一控制信号和第二控制信号随着时间不断的在导通电平和关断电平之间切换。

进一步的，运算放大器的第一输入端为正相输入端，第二输入端为负相输入端，所述过流检测电路还包括依次串联在所述运算放大器的输出端的第一反相器和第二反相器。

进一步的，先控制第一开关、第二开关和第三开关同步导通，第四开关和第五开关同步关断，此时所述运算放大器的两个输入端的电压相同，储能电容的两端的电压差等于第一检测端和第二检测端的电压差，随后控制第一开关、第二开关和第三开关同步关断，第四开关和第五开关同步导通，所述运算放大器将储能电容的两端的电压差与所述参考电压进行比较，输出比较结果。

进一步的，第一功率开关管为第一NMOS晶体管，第二功率开关管为第二NMOS晶体管，第一功率关开关的第一连接端为第一NMOS晶体管的源极，第二功率关开关的第一连接端为第二NMOS晶体管的源极，第一NMOS晶体管的漏极与第二NMOS晶体管的漏极相连，第一NMOS晶体管的衬体与其源极相连，第二NMOS晶体管的衬体与其源极相连，第一NMOS晶体管的栅极与电池保护控制晶片的第一控制输出端相连，第二NMOS晶体管的栅极与电池保护控制晶片的第二控制输出端相连。

进一步的，电池保护控制晶片和功率开关晶片堆叠安装在一起，电池保护控制晶片的反面面向功率开关晶片的正面，电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区和第二检测端的压焊区位于电池保护控制晶片的正面，功率开关晶片的第一压焊区和第二压焊区位于功率开关晶片的正面，功率开关晶片的面积较电池保护晶片的面积大，第一引脚、第二引脚是由一个引线框形成的。

进一步的，功率开关晶片和电池保护控制晶片封装在一个封装内，电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区通过第三封装引线与桥接引线框垫片相连，所述桥接引线框垫片通过第四封装引线与第一压焊区相连，电池保护控制晶片的第二检测端的压焊区通过第五封装引线与第一引脚直接相连。

进一步的，第一引脚、第二引脚和所述桥接引线框垫片是由一个引线框形成的。

进一步的，功率开关晶片和电池保护控制晶片封装在一个封装内，电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区通过第六封装引线直接与第一压焊区相连，电池保护控制晶片的第二检测端的压焊区通过第五封装引线与第一引脚直接相连。

进一步的，功率开关晶片和电池保护控制晶片封装在不同的封装内，所述功率开关晶片的第一压焊区通过第七封装引线与第三引脚相连，电池保护控制晶片的第一检测端与第三引脚相连，电池保护控制晶片的第二检测端与第一引脚相连。

与现有技术相比，本发明利用封装引线两端的电压差来与参考电压进行对比，以决定流过所述封装引线的电流是否过流，这种方式成本低，精度高，没有额外的功率消耗。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：

图1为本发明中的电池保护电路在一个实施例中的功能框图电路示意图；

图2为本发明中的电池保护电路在一个实施例中的封装示意图；

图3为本发明中的过流检测电路在一个实施例中的电路结构示意图；

图4为本发明中的电池保护电路在另一个实施例中的封装示意图；

图5为本发明中的电池保护电路在再一个实施例中的封装示意图。

【具体实施方式】

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连。

图1为本发明中的电池保护电路在一个实施例中的功能框图电路示意图。参考图1所示，所述电池保护电路包括电池保护控制芯片(或称晶片)110和功率开关芯片(或称晶片)120。所述电池保护电路与电池BAT电性连接并对所述电池BAT的充电和放电进行保护。

所述电池保护控制芯片110和功率开关芯片120可以采用封装在一个封装内，也可以不封装在一个封装内，下文将详细描述他们如何被封装在一个封装内或单独封装的。

电池保护控制芯片110包括第一控制输出端CO1、第二控制输出端DO1、电源端VDD、接地端VSS、第一检测端IS1和第二检测端IS2。功率开关芯片120包括有第一控制输入端CO2、第二控制输入端DO2、第一连接端和第二连接端。

其中，第一控制输出端CO1与第一控制输入端CO2相连，第二控制输出端DO1与第二控制输入端DO2相连。电源端VDD与电池BAT的正极以及正外接电源端P+相连，接地端VSS与电池BAT的负极以及第一连接端相连。检测端VM与第二连接端以及负外接电源端P-相连。正外接电源端P+和负外接电源端P-之间可以连接电池充电器130，也可以连接负载电阻RO。当负载电阻RO连接于正外接电源端P+和负外接电源端P-之间时，所述电池BAT处于放电状态，当电池充电器130正接于正外接电源端P+和负外接电源端P-之间时，所述电池BAT处于充电状态。

所述电池保护控制芯片110包括过充电检测电路112、充电过流检测电路114、过放电检测电路116、放电过流检测电路118和控制电路119。所述过充电检测电路112、充电过流检测电路114、过放电检测电路116和放电过流检测电路118可以被统称为阈值检测电路。所述控制电路119根据充电检测电路112、充电过流检测电路114、过放电检测电路116和放电过流检测电路118提供的检测信号生成充电控制信号并通过第一控制输出端CO1输出，生成放电控制信号并通过第二控制输出端DO1输出。

所述功率开关芯片120包括依次串联的第一NMOS(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体)晶体管MC(或称之为第一功率开关管)和第二NMOS晶体管MD(或称之为第二功率开关管)。所述第一NMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极相连以形成互接端K，从而形成串联连接；所述第一NMOS晶体管MC的源极和衬体相连，其可以被称为第一功率开关管的第一连接端，所述第二NMOS晶体管MD的源极和衬体相连，其可以被称为第二功率开关管的第一连接端；所述第一NMOS晶体管的栅极作为所述功率开关芯片120的第一控制输入端CO2，所述第二NMOS晶体管的栅极作为所述功率开关芯片120的第二控制输入端DO2。

第二功率开关管的第一连接端与电池bat的负极相连，第二功率开关管的第一连接端通过电阻Rb与负外接电源端P-相连。该电阻Rb不是特别设置的外接电阻，而是连接第一NMOS晶体管MC的源极的压焊区到负外接电源端P-的引脚之间的封装引线之间的等效电阻。电池保护控制芯片110的第一检测端IS1与第一NMOS晶体管MC的源极的压焊区相连，电池保护控制芯片110的第二检测端IS2与负外接电源端P-的引脚相连。

如图1所示，过充电检测电路112检测电芯电压(VDD和VSS之间的电压)是否大于过压充电检测阈值(例如4.3V)，如果是，则通过控制第一控制输出端CO1为低电平，以将第一NMOS晶体管关断，从而切断充电通路。

过放电检测电路116用于检测电芯电压(VDD和VSS之间的电压)是否小于过压放电检测阈值(例如2.5V)，如果是，则通过控制第二控制输出端DO1为低电平，以将第二NMOS晶体管关断，从而切断放电通路。

放电过流检测电路118通过将第一检测端IS1和第二检测端IS2之间的电压差与放电过流参考电压相比确定放电是否过流，如果放电过流，则通过控制第二控制输出端DO1为低电平，以将第二NMOS晶体管关断，从而切断放电通路。

充电过流检测电路114通过将第一检测端IS1和第二检测端IS2之间的电压差与充电过流参考电压相比确定充电是否过流，如果充电过流，通过控制第一控制输出端CO1为低电平，以将第一NMOS晶体管关断，从而切断充电通路。

另外，所述电池保护控制芯片110中还包括有短路检测电路，其同样通过第一检测端IS1和第二检测端IS2之间的电压差来检测是否短路，如果是短路，则通过控制第二控制输出端DO1为低电平，以将第二NMOS晶体管关断，从而切断放电通路。

在传统的电池保护控制芯片中，需要在芯片外部加上连接在VDD端上的电阻R1和电容C1，同时需要连接在VM端上的电阻R2。电阻R1和电容C1的功能有两点：一是防止当系统中出现瞬间高压时，避免将电池保护电路击坏，一般电池保护控制电路设计的VDD/VSS之间的最大耐受电压为12V，一个例子是当在P+/P-之间发生短路时，保护电路会切断放电通路(通过关断第二NMOS管)，此时寄生电感会产生反激电压，高达15V左右，施加于VDD/VSS之间。二是对VDD电压进行滤波，防止由于VDD电压噪声而触发保护电路误动作。电阻R2的作用是防止充电器接反时，对流入电池保护控制电路的电流进行限流，避免电池保护控制电路损坏。通过合适的设计技术可以实现集成电阻R1、C1和R2，本发明中图1中的电池保护控制芯片就内置了R1、C1和R2，无需额外的电阻R1、R2和电容C1。

图2为本发明中的电池保护电路在一个实施例中的封装示意图。如图2所示，所述电池保护控制芯片110和功率开关芯片120被封装在一个封装内，其中电池保护控制晶片110和功率开关晶片120堆叠安装在一起，电池保护控制晶片110的反面面向功率开关晶片120的正面。电池保护控制晶片110的第一检测端IS1的压焊区和第二检测端IS2的压焊区位于电池保护控制晶片110的正面，功率开关晶片120的第一功率开关管MC的第一连接端的压焊区位于功率开关晶片120的正面(图2中的MC区域)，第二功率开关管MD的第一连接端的压焊区位于功率开关晶片120的正面(图2中的MD区域)。

图2中还示意出了第一引脚A、第二引脚B、桥接引线框垫片D，其中第一引脚A、第二引脚B和所述桥接引线框垫片D是由一个引线框形成的，封装完成后，第一引脚A和第二引脚B有部分漏出塑封体外，桥接引线框垫片D将被封装至塑封体内，第一引脚A作为负外接电源端P-，第二引脚B与电池BAT的负极相连。

如图2所示，所述电池保护电路还包括连接第一压焊区和第一引脚A的第一封装引线151、连接第二压焊区和第二引脚B的第二封装引线152。电池保护控制晶片110的第一检测端IS1的压焊区通过第三封装引线153与桥接引线框垫片D相连，所述桥接引线框垫片D通过第四封装引线154与晶体管MC的源极的第一压焊区相连。电池保护控制晶片110的第二检测端IS2的压焊区通过第五封装引线155与第一引脚A直接相连。这样第一检测端IS1和第二检测端IS2之间的电压差就会等于连接晶体管MC的源极和第一引脚A之间的封装引线151上的电压。

功率开关芯片的两个NMOS晶体管分别通过直径较粗的封装引线(一般为铜线，如图2所示较粗的8根线，左右各4根)分别连接到第一引脚A和第二引脚B上。由于功率器件需流经大电流，所以采用多根较粗的封装引线连接，而连接电池保护控制芯片无需流经大电流的连接可以采用较细的封装引线，即第三封装引线、第四封装引线、第五封装引线都较细。

图1中的充电过流检测电路114和放电过流检测电路118都可以被称为过流检测电路。所述过流检测电路将第一检测端和第二检测端的电压差与参考电压进行比较，以检测电流是否过流。

图3为本发明中的过流检测电路在一个实施例中的电路结构示意图。所述过流检测电路包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S4、储能电容C2和运算放大器OP。

第一开关S1连接在第一检测端IS1和运算放大器OP的第一输入端之间。第二开关S2和储能电容C2依次连接在第二检测端IS2和运算放大器OP的第二输入端之间。第三开关S3连接在运算放大器OP的输出端和第二输入端之间。第四开关S4连接在所述参考电压VR和运算放大器OP的第一输入端之间。第五开关S5连接在第二开关S2和储能电容C2的中间节点和接地端之间。第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3同步导通和关断，第四开关S4和第五开关S5同步导通和关断。在第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3同步导通时，第四开关S4和第五开关S5同步关断，在第四开关S4和第五开关S5同步导通时，第一开关、第二开关和第三开关同步关断。

第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3的控制端与第一控制信号CK1相连，第四开关S4和第五开关S5的控制端与第二控制信号CK2相连。在第一控制信号CK1和第二控制信号CK2为导通电平(比如高电平)时，它们控制的开关导通，在第一控制信号CK1和第二控制信号CK2为关断电平时，它们控制的开关关断。第一控制信号的导通电平和第二控制信号的导通电平之间具有死区，第一控制信号CK1和第二控制信号CK2随着时间不断的在导通电平和关断电平之间切换。

在一个实施例中，所述运算放大器OP的第一输入端为正相输入端(+)，第二输入端为负相输入端(-)。所述过流检测电路还包括依次串联在所述运算放大器的输出端的第一反相器INV1和第二反相器INV2。

具体的，CK1和CK2为相互不交叠的时钟信号，当CK1为高电平时(CK2为低电平)，开关S1、S2、S3导通(开关S4、S4断开)，运算放大器OP调整使得其正端电压等于负端电压，但由于运算放大器存在输入失配，假设输入失配电压为Vos，则实际满足VI＝Vos+VC，VI为第一检测端IS1和第二检测端IS2之间的电压差。即存储在储能电容C2上的电压VC＝VI-Vos。当CK2为高电平时(CK1为低电平)，开关S4、S5导通(开关S1、S2、S3断开)，运算放大器OP工作在比较器状态，比较参考电压VR与电容上的电压VC，但考虑输入失配，实际效果为比较VR电压和VC+Vos电压。根据上式VC＝VI-Vos可知:VC+Vos＝VI，则等效为比较VR和VI电压，不受输入失调电压的影响。由于本发明采用封装引线做电流采样，而封装引线电阻很小，流经电流时形成的电压降也很小，如果不采用图3的消除输入失配方案，误差将非常大，导致无法实用。

图3中的电阻Rb为封装引线151的等效电阻。图3中的是以电流从第一检测端IS1流向第二检测端IS2为例进行介绍，即充电过程进行介绍。如果是放电过程，电流是从第二检测端IS2流向第一检测端IS1，则第一开关S1的另一端需要连接第二检测端IS2，第二开关S2的另一端需要连接第一检测端IS1，实现放电过流检测，此时参考电压的值可能有所调整。

图2中都是通过检测第一封装引线151两端的电压来进行电流检测，在其他实施例中，也可以利用连接第二功率开关管的第一连接端和第二引脚B的第二封装引线152两端的电压来检测流过的电流，其原理与上述实施例相同，这里不再赘述了。

图4为本发明中的电池保护电路在另一个实施例中的封装示意图。在此实施例中，其与图3中的封装区别在于：图4中将第一检测端的压焊区通过第六封装引线156直接与第一功率开关管MC的源极的压焊区相连，而不是借助桥接引线框垫片D。此实施例对于封装引线角度合理不会与IS1和IS2的封装引线发生短路时可以采用，这样封装引线(bondingwire)更少，封装成本更低。

图5为本发明中的电池保护电路在再一个实施例中的封装示意图。在此实施例中，功率开关晶片和电池保护控制晶片被分别封装在不同的封装内，图5只显示了功率开关晶片。

所述功率开关晶片中的第一功率开关管的第一连接端的第一压焊区通过第七封装引线157与第三引脚F相连。第一引脚A、第一引脚B和第三引脚F由同一个引线框架形成，封装完成后第一引脚A、第一引脚B和第三引脚F都会有部分漏于封装体外，第三引脚F与电池保护控制晶片110的第一检测端IS1相连，电池保护控制晶片110的第二检测端IS2与第一引脚A相连。这样，电池保护控制晶片110仍然可以检测第一封装引线151两端的电压，从而测得是否过流。

在本发明中，“连接”、相连、“连”、“接”等表示电性相连的词语，如无特别说明，则表示直接或间接的电性连接。

需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。

Claims (9)

1.一种电池保护电路，其特征在于，其包括：

功率开关晶片，其包括第一功率开关管、第二功率开关管、与第一功率开关管的第一连接端相连的第一压焊区和与第二功率开关管的第一连接端相连的第二压焊区，

连接第一压焊区和第一引脚的第一封装引线；

连接第二压焊区和第二引脚的第二封装引线；

电池保护控制晶片，其具有与第一压焊区电性相连的第一检测端、与第一引脚相连的第二检测端、将第一检测端和第二检测端的电压差与参考电压进行比较的过流检测电路，

所述过流检测电路包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、储能电容和运算放大器，

第一开关连接在第一检测端或第二检测端和运算放大器的第一输入端之间，

第二开关和储能电容依次连接在第二检测端或第一检测端和运算放大器的第二输入端之间，

第三开关连接在运算放大器的输出端和第二输入端之间，

第四开关连接在所述参考电压和运算放大器的第一输入端之间，

第五开关连接在第二开关和储能电容的中间节点和接地端之间，

第一开关、第二开关和第三开关同步导通和关断，第四开关和第五开关同步导通和关断，

在第一开关、第二开关和第三开关同步导通时，第四开关和第五开关同步关断，

在第四开关和第五开关同步导通时，第一开关、第二开关和第三开关同步关断，

先控制第一开关、第二开关和第三开关同步导通，第四开关和第五开关同步关断，此时所述运算放大器的两个输入端的电压相同，储能电容的两端的电压差等于第一检测端和第二检测端的电压差，

随后控制第一开关、第二开关和第三开关同步关断，第四开关和第五开关同步导通，所述运算放大器将储能电容的两端的电压差与所述参考电压进行比较，输出比较结果。

2.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，

第一开关、第二开关和第三开关的控制端与第一控制信号相连，第四开关和第五开关的控制端与第二控制信号相连，

在第一控制信号和第二控制信号为导通电平时，它们控制的开关导通，在第一控制信号和第二控制信号为关断电平时，它们控制的开关关断，

第一控制信号的导通电平和第二控制信号的导通电平之间具有死区，第一控制信号和第二控制信号随着时间不断的在导通电平和关断电平之间切换。

3.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，运算放大器的第一输入端为正相输入端，第二输入端为负相输入端，

所述过流检测电路还包括依次串联在所述运算放大器的输出端的第一反相器和第二反相器。

4.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，

第一功率开关管为第一NMOS晶体管，第二功率开关管为第二NMOS晶体管，

第一功率关开关的第一连接端为第一NMOS晶体管的源极，

第二功率关开关的第一连接端为第二NMOS晶体管的源极，

第一NMOS晶体管的漏极与第二NMOS晶体管的漏极相连，

第一NMOS晶体管的衬体与其源极相连，第二NMOS晶体管的衬体与其源极相连，

第一NMOS晶体管的栅极与电池保护控制晶片的第一控制输出端相连，

第二NMOS晶体管的栅极与电池保护控制晶片的第二控制输出端相连。

5.根据权利要求1所述的电池保护电路，其特征在于，

电池保护控制晶片和功率开关晶片堆叠安装在一起，电池保护控制晶片的反面面向功率开关晶片的正面，电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区和第二检测端的压焊区位于电池保护控制晶片的正面，

功率开关晶片的第一压焊区和第二压焊区位于功率开关晶片的正面，功率开关晶片的面积较电池保护晶片的面积大，

第一引脚、第二引脚是由一个引线框形成的。

6.根据权利要求1-5任一所述的电池保护电路，其特征在于，

功率开关晶片和电池保护控制晶片封装在一个封装内，

电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区通过第三封装引线与桥接引线框垫片相连，所述桥接引线框垫片通过第四封装引线与第一压焊区相连，

电池保护控制晶片的第二检测端的压焊区通过第五封装引线与第一引脚直接相连。

7.根据权利要求6所述的电池保护电路，其特征在于，第一引脚、第二引脚和所述桥接引线框垫片是由一个引线框形成的。

8.根据权利要求1-5任一所述的电池保护电路，其特征在于，

功率开关晶片和电池保护控制晶片封装在一个封装内，

电池保护控制晶片的第一检测端的压焊区通过第六封装引线直接与第一压焊区相连，

电池保护控制晶片的第二检测端的压焊区通过第五封装引线与第一引脚直接相连。

9.根据权利要求1-5任一所述的电池保护电路，其特征在于，

功率开关晶片和电池保护控制晶片封装在不同的封装内，

所述功率开关晶片的第一压焊区通过第七封装引线与第三引脚相连，

电池保护控制晶片的第一检测端与第三引脚相连，

电池保护控制晶片的第二检测端与第一引脚相连。