CN104810443A - 一种弧形六角星锥图形化led衬底及led芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成;所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。本发明还公开了包括弧形六角星锥图形化LED衬底。本发明大大提高了LED的出光效率,从而提高LED的外量子效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片领域,特别涉及一种弧形六角星锥图形化LED衬底及LED芯片。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是高效的环保的照明器具之一。LED的出光效率取决于内量子效率和光提取率。由于目前LED的制造技术较为成熟,其内量子效率已经达到了较高的水平,相对提升的空间较小。但是由于GaN外延层与蓝宝石衬底的折射率差异大限制了光提取率导致了LED的出光效率低,因此对LED光提取率的提升将有助于提高LED的出光效率。
近年来提出的图形化衬底技术能够有效地提高蓝宝石衬底GaN基LED的出光效率。衬底图案是图形化衬底技术的关键,一方面,光线通过图案散射/反射改变光的轨迹,使得光线在界面出射的入射角能够小于全反射临界角然后透射而出,提高光提取率;另一方面,图案还可以使后续的GaN生长出现侧向磊晶的效果,减少晶体缺陷,提高晶体质量,从而提高内量子效率。随着技术的发展,图案的设计已几番更新,图案的设计已经从最初的槽型到六角形、锥形、棱台形等,图形化衬底技术的应用效果已经受到认可。
因此图形化衬底技术的关键便是衬底的图案,对LED的出光效率起着决定性的作用。目前,图形化衬底的图案只是具有简单几何形状的几何图形例如六棱锥等,这虽然能够使出光效率得到一定程度上的提高,但是随着科技的进步与人们对照明的需求的提高,简单几何形状的图案已经不能满足人们的需要了。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点与不足,本发明的目的在于提供一种弧形六角星锥图形化LED衬底,大大提高了LED的出光效率,从而提高LED的外量子效率。
本发明的另一目的在于提供一种LED芯片。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种弧形六角星锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成;所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。
所述弧形六角星锥的六个侧面为形状相同的六个凹曲面。
所述六段圆弧形状相同;每段圆弧所对应的圆心角为32.25°。
所述弧形六角星锥的底面的外接圆半径R为0.5~2μm;所述弧形六角星锥的高度H为1.0~1.5μm。
所述多个形状相同的弧形六角星锥采用矩形或六角排列方式。
相邻弧形六角星锥的中心间距d为4~6μm。
一种LED芯片,包括上述的弧形六角星锥图形化LED衬底。
所述LED芯片包括依次排列的弧形六角星锥图形化LED衬底、N型GaN层、MQWs量子阱层和P型GaN层
与现有技术相比,本发明具有以下优点和有益效果:
(1)本发明通过采用弧形六角星锥图形化LED衬底,侧面为曲面,可以让光线的入射角小于全反射角,有利于让更多地光线透射而出,对LED的出光效率的提高有着更明显的效果。
(2)本发明通过弧形六角星锥型图形衬底,大大提高了反射光子到达LED芯片顶部及底部的能力,从而使更多光线反射至芯片顶、底部,大大增加了可被完全利用的有效光线,增强图形化蓝宝石衬底GaN基LED的出光效率,从而提高LED的外量子效率。相比普通的无图案衬底LED,总光通量增大到2.4~2.6倍,顶部光通量增大到2.9~3.1倍,底部光通量增大到2.5~2.7倍。
(3)本发明的弧形六角星锥图形化LED衬底,有利于形核,有利于外延生长高质量GaN晶体。
附图说明
图1为本发明的实施例1的LED芯片的示意图。
图2为本发明的实施例1的弧形六角星锥图形化LED衬底的示意图。
图3为本发明的实施例1的弧形六角星锥单体的示意图。
图4为本发明的实施例1的弧形六角星锥采用的排列方式示意图。
图5为本发明的实施例2的弧形六角星锥采用的排列方式示意图。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
如图1所示,本实施例的LED芯片由依次排列的蓝宝石弧形六角星锥图形化LED衬底11、N型GaN层12,MQWs量子阱层13,P型GaN层14组成。
如图2所示,本实施例的弧形六角星锥图形化LED衬底11,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥15组成。如图3所示,所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形;所述六段圆弧形状相同;每段圆弧对应的圆心角为32.25°。所述弧形六角星锥的六个侧面为形状相同的六个凹曲面;底面的外接圆半径R为1.0μm;高度H为1.4μm。所述多个形状相同的弧形六角星锥采用如图4所示的矩形排列方式,相邻弧形六角星锥的中心间距d为4μm。
实施例2
本实施例的弧形六角星锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成。所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形;所述六段圆弧形状相同;每段圆弧的圆心角均为32.25°。所述弧形六角星锥的六个侧面为形状相同的六个凹曲面;底面的外接圆半径R为0.5μm;高度H为1.5μm。所述多个形状相同的弧形六角星锥采用如图5所示的六边形排列方式,相邻弧形六角星锥的中心间距d为4μm。
实施例3
本实施例的弧形六角星锥图形化LED衬底,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成。所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形;所述六段圆弧形状相同;每段圆弧的圆心角均为32.25°。所述弧形六角星锥的六个侧面为形状相同的六个凹曲面;底面的外接圆半径R为2μm;高度H为1.0μm。所述多个形状相同的弧形六角星锥采用六边形排列方式,相邻弧形六角星锥的中心间距d为6μm。
测试例:
采用光学分析软件TracePro对本发明的LED芯片的图形衬底做模拟测试,模拟测试过程如下:
(1)衬底构建:采用TracePro自带的建模功能实现衬底的制作,衬底尺寸为120μm×120μm×100μm,呈长方体状。
(2)弧形六角形锥图案制作:采用Solidworks的作图功能实现弧形六角星锥图案的制作,弧形六角星锥的高度H为1.0~1.4μm,弧形六角星锥外接圆半径为0.8~1.2μm,相邻的弧形六角星锥的中心间距d为4.0~6.0μm;呈六角排布,或呈矩形排布。
(3)外延层构建:采用TracePro自带的建模功能实现n型GaN层、MQWs量子阱层、p型GaN层的制作,n型GaN层尺寸为120μm×120μm×4μm,MQW量子阱层尺寸为120μm×120μm×50nm,p型GaN层尺寸为120μm×120μm×3μm。
(4)靶面构建:采用TracePro自带的建模功能实现六层靶面的制作,六层靶面分别置于LED芯片的上、下、前、后、左、右方向,上、下靶面尺寸为120μm×120μm×3μm,前、后靶面(相对芯片的长边)尺寸为120μm×120μm×3μm,左、右靶面(相对芯片的短边)尺寸为120μm×120μm×3μm。
(5)n型GaN层与图形衬底接触面相应图案构建:插入Solidworks建立的图案层于衬底层之上,采用TracePro的差减功能实现n-GaN层相应图案构建。
(6)各材料层的参数设定:蓝宝石衬底的折射率为1.67,N型GaN、MQWs量子阱、P型GaN材质折射率均为2.45,四者均针对波长为450nm的光,温度设置为300K,不考虑吸收与消光系数的影响。
(7)量子阱层表面光源设定,量子阱层上下表面各设置一个表面光源属性,发射形式为光通量,场角分布为Lambertian发光场型,光通量为5000a.u.,总光线数3000条,最少光线数10条。
(8)光线追踪:利用软件附带的扫光系统,对上述构建的LED芯片模型进行光线追踪,分别获取顶部、底部、侧面的光通量数据。
实施例1~3的测试结果如下:
实施例1:顶部通光量2173.a.u.,底部通光量2218.9a.u.,侧面通过光亮3018.9a.u.,总光通量7410.77a.u.。与最优六棱锥图案图形化衬底的光通量相比,弧形六角星锥衬底LED芯片总光通量提高了0.15%。
实施例2:顶部通光量2171.a.u.,底部通光量2246.9a.u.,侧面通过光亮3018.87a.u.,总光通量7436.57a.u.。与最优六棱锥图案图形化衬底的光通量相比,弧形六角星锥衬底LED芯片总光通量提高了0.51%.
实施例3:顶部通光量1565.1.a.u.,底部通光量1583.3a.u.,侧面通过光亮4627.2a.u.,总光通量7775.6a.u.。与最优六棱锥图案图形化衬底的光通量相比,弧形六角星锥衬底LED芯片总光通量提高了5.05%。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种弧形六角星锥图形化LED衬底,其特征在于,衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成;所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星;所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。
2.根据权利要求1所述的弧形六角星锥图形化LED衬底,其特征在于,所述弧形六角星锥的六个侧面为形状相同的六个凹曲面。
3.根据权利要求1所述的弧形六角星锥图形化LED衬底,其特征在于,所述六段圆弧形状相同;每段圆弧所对应的圆心角为32.25°。
4.根据权利要求1所述的弧形六角星锥图形化LED衬底,其特征在于,所述弧形六角星锥的底面的外接圆半径R为0.5~2μm;所述弧形六角星锥的高度H为1.0~1.5μm。
5.根据权利要求1所述的弧形六角星锥图形化LED衬底,其特征在于,所述多个形状相同的弧形六角星锥采用矩形或六角排列方式。
6.根据权利要求1或5所述的弧形六角星锥图形化LED衬底,其特征在于,相邻弧形六角星锥的中心间距d为4~6μm。
7.一种LED芯片,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的弧形六角星锥图形化LED衬底。
8.根据权利要求7所述的LED芯片,其特征在于,所述LED芯片包括依次排列的弧形六角星锥图形化LED衬底、N型GaN层、MQWs量子阱层和P型GaN层。
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