CN104792438A - 电子组件生命期监测系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子组件生命期自监测系统，其包括射频识别标签、微控制器；射频识别标签包括非易失存储器、实时时钟、射频接口，并内嵌或外接温度传感器；射频接口用于外接天线，与读写器进行双向数据交换；非易失存储器用于存储时间温度积分参数文件、生命期文件、温度记录文件；微处理器用于根据实时时钟的当前计时温度传感器当前检测的电子组件温度，以及时间温度积分参数文件中的温度积分参数数据、生命期文件中的生命期数据、温度记录文件中的温度记录数据，执行电子组件生命期自监测计算，并将计算得到电子组件的剩余生命期更新到生命期文件。本发明能对电子组件生命期进行温度时间二维监测，能对电子组件进行准确失效分析。

Description

电子组件生命期监测系统

技术领域

本发明涉及工业控制技术，具体涉及一种基于双界面超高频射频识别的电子组件可编程生命期自监测方法。

背景技术

工业控制电子组件应用环境千差万别，对复杂设备进行失效分析的时候，知识储备是最重要的，一些需要了解的共性问题包括正确的电子组件型号、正确的集成电路版本号、应用环境时间温度曲线。经常出现的情况是多次损坏的电子组件以至于无法确认损坏的根源，彻底的事后验尸测试对于精准失效分析是徒劳的，需要一种在线在应用监测方法记录客户端发生了什么。

现有的电子组件生命期监测系统，通过在电子组件内部附加温度传感器进行温度监测，仅能针对温度进行一维监测，且温度传感器存活期依赖于电子组件生命期，需要在电子组件设计阶段同期引入。

典型的采用射频识别技术远距离在线采集电子组件环境温度数据的方式，是通过在电子组件外部贴附含温度传感功能的有源射频识别标签，有源射频识别标签无线通信依赖电池供电，由于电子组件外壳形状材质各异，不可避免地存在有源射频识别标签贴附难题，且无法排除空间散热因素，无法监测电子组件印刷电路板级温度。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种电子组件生命期监测系统，能对电子组件生命期进行温度时间二维监测，能对电子组件进行准确失效分析。

本发明提供的电子组件生命期自监测系统，其包括射频识别标签、微控制器；

所述射频识别标签，包括非易失存储器、实时时钟、射频接口，并内嵌或外接温度传感器；

所述射频接口，用于外接天线，与读写器进行双向数据交换；

所述实时时钟，用于计时；

所述温度传感器，用于检测电子组件的温度；

所述非易失存储器，用于存储时间温度积分参数文件、生命期文件、温度记录文件；

所述微处理器，用于根据所述实时时钟的当前计时、温度传感器当前检测的电子组件温度，以及时间温度积分参数文件中的温度积分参数数据、生命期文件中的生命期数据、温度记录文件中的温度记录数据，执行电子组件生命期自监测计算，并将计算得到电子组件的剩余生命期更新到所述生命期文件。

较佳的，所述非易失存储器，逻辑分区文件系统；

所述文件系统，包括时间温度积分参数文件、生命期文件和温度记录文件；

所述时间温度积分参数文件，为单记录定长文件，包括温度采集粒度域、温度采集周期域、最大温度记录项数域和生命期自监测周期域；

所述生命期文件，为单记录定长文件，包括剩余生命期域和历史文件系统修改时间域；

所述温度记录文件，为多记录变长文件，温度记录文件最多存储的记录项数为所述温度积分参数文件的最大温度记录项数域中设定的最大温度记录项数，采用先进先出循环队列记录方式；

温度记录文件的一项记录，包括温度值域、停留时间域和高低温老化率域；

温度记录文件的相邻记录的记录号间隔1，记录号最小为0，最大为N-1，N为最大温度记录项数；

所述微处理器，工作过程如下：

一.当接收到实时时钟中断信号，读取实时时钟当前计时RTC_curr；

二.读取所述生命期文件的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify，计算RTC=RTC_curr-RTC_modify，并更新所述生命期文件中的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify=RTC_curr；

三.读取所述时间温度积分参数文件的温度采集周期域中的温度采集周期P_sense，比较P_sense是否等于RTC，若等于则转至步骤四执行，若不等于则转至步骤六执行；

四.读取温度传感器当前检测的电子组件温度T_curr；

读取所述时间温度积分参数文件的温度采集粒度域中的温度采集粒度T_step；

五.计算当前检测的电子组件温度T_curr对应于温度记录文件的记录号n=[T_curr/T_step]，[]为向下取整计算符号，发送命令将所述温度记录文件的记录号为n的记录的温度值域的温度值更新为当前检测的电子组件温度T_curr；

六.读取所述时间温度积分参数文件的生命期自监测周期域中的生命期自监测周期P_monitor，比较RTC是否是P_monitor的正整数倍，若是则转至步骤七执行，若不是则转至步骤八执行；

七.执行基于二维时间温度积分的生命期自监测，更新所述温度记录文件的各项记录的高低温老化率，并更新所述生命期文件的剩余生命期域；

八．结束。

较佳的，步骤七中，所述微控制器执行基于二维时间温度积分的生命期自监测的过程，包括以下步骤：

（一）.将电子组件的在线应用标称温度T₀代入公式r=(A*T₀+1)²=1，计算得到高低温老化率常数A，r为高低温老化率；

（二）.设置按温度正序变化或者按温度反序变化，从温度记录文件的各项记录的温度值域，依序读取第i项记录的温度值域的温度值T_i，代入公式r_i=(A*T_i+1)²，计算得到r_i，将r_i存储至温度记录文件的第i项记录的高低温老化率域中；i为大于等于0且小于等于N-1的整数；

（三）.检查是否已遍历温度记录文件的各项记录，若已遍历，则转至（四）执行；否则转至（二）执行；

（四）.从温度记录文件中依序读取第i项记录的温度值域的温度值T_i、停留时间域的停留时间P_i和高低温老化率域的高低温老化率r_i，计算得到剩余生命期P_r，P_r=P₀-Σr_i*P_i，P₀为在线电子组件的应用标称生命期；

（五）.检查是否已遍历温度记录文件中的各项记录，若已遍历，则转至（六）执行；否则转至（四）执行；

（六）.将剩余生命期P_r存储至生命期文件的剩余生命期域，结束。

较佳的，所述天线，为电子组件的印刷电路板上的开窗的接地印刷铜皮；

所述射频识别标签的射频接口，通过三轴调谐网络外接到所述天线；

所述三轴调谐网络，包括基本固定电容、中间调谐电容、输入调谐电容、输出调谐电容；

所述输入调谐电容，一端接地，另一端接三轴调谐网络输入端；

所述输出调谐电容，一端接地，另一端接三轴调谐网络输出端；

所述基本固定电容、中间调谐电容并联于三轴调谐网络的输入端同输出端之间。

较佳的，电子组件生命期自监测系统，还包括辅助电池、电池管理芯片；

所述射频识别标签，为半无源射频识别标签，有无源被动模式和电池辅助被动模式两种工作模式；

所述辅助电池，用于在电池辅助被动模式下对射频识别标签、微控制器进行供电；

所述电池管理芯片，用于对所述辅助电池进行充电管理。

较佳的，所述射频识别标签，其射频接口为基于EPC Gen2标准超高频射频接口；

所述射频识别标签，通过SPI协议高速串行数字接口同所述微控制器通信。

较佳的，中间调谐电容、输入调谐电容和输出调谐电容均采用数字调谐电容。

本发明的电子组件生命期自监测系统，由温度传感器和实时时钟进行二维时间温度物理参数监测，由微控制器运行二维时间温度积分进行电子组件生命期自监测，由于反映电子组件发生了什么的重要维度包括温度和时间，比如超过某温度阈值达到一定的累积时间，所以二维时间温度监测较一维温度监测更有利于电子组件的失效分析。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面对本发明所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的电子组件生命期自监测系统一实施例示意图；

图2是逻辑分区文件系统示意图；

图3是本发明的电子组件生命期自监测系统一实施例微处理器工作过程示意图；

图4是本发明的电子组件生命期自监测系统一实施例微控制器执行基于二维时间温度积分的生命期自监测的工作过程示意图；

图5是本发明的电子组件生命期自监测系统一实施例三轴调谐网络电路图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

电子组件生命期自监测系统，如图1所示，包括射频识别标签、微控制器；

所述射频识别标签，包括非易失存储器、实时时钟、射频接口，并内嵌或外接温度传感器；

所述射频接口，用于外接天线，与读写器进行双向数据交换；

所述实时时钟，用于计时；

所述温度传感器，用于检测电子组件的温度；

所述非易失存储器，用于存储时间温度积分参数文件、生命期文件、温度记录文件；

所述微处理器，用于根据所述实时时钟的当前计时、温度传感器当前检测的电子组件温度，以及时间温度积分参数文件中的温度积分参数数据、生命期文件中的生命期数据、温度记录文件中的温度记录数据，执行电子组件生命期自监测计算，并将计算得到电子组件的剩余生命期更新到所述生命期文件。

实施例一的电子组件生命期自监测系统，由温度传感器和实时时钟进行二维时间温度物理参数监测，由微控制器运行二维时间温度积分进行电子组件生命期自监测，由于反映电子组件发生了什么的重要维度包括温度和时间，比如超过某温度阈值达到一定的累积时间，所以二维时间温度监测较一维温度监测更有利于电子组件的失效分析。

实施例二

基于实施例一，所述非易失存储器，逻辑分区文件系统，如图2所示，文件系统包括：时间温度积分参数文件、生命期文件和温度记录文件；

所述时间温度积分参数文件，为单记录定长文件，包括温度采集粒度域、温度采集周期域、最大温度记录项数域和生命期自监测周期域；

所述生命期文件，为单记录定长文件，包括剩余生命期域和历史文件系统修改时间域；

所述温度记录文件，为多记录变长文件，温度记录文件最多存储的记录项数为所述温度积分参数文件的最大温度记录项数域中设定的最大温度记录项数，采用先进先出循环队列记录方式；

温度记录文件的一项记录，包括温度值域、停留时间域和高低温老化率域；温度记录文件的相邻记录的记录号间隔1，记录号最小为0，最大为N-1，N为最大温度记录项数；

所述微处理器，如图3所示，工作过程如下：

一.当接收到实时时钟中断信号，微控制器MCU读取实时时钟当前计时RTC_curr；

二.读取所述生命期文件的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify，计算RTC=RTC_curr-RTC_modify，并更新所述生命期文件中的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify=RTC_curr；

三.读取所述时间温度积分参数文件的温度采集周期域中的温度采集周期P_sense，比较P_sense是否等于RTC，若等于则转至步骤四执行，若不等于则转至步骤六执行；

四.读取温度传感器当前检测的电子组件温度T_curr；

读取所述时间温度积分参数文件的温度采集粒度域中的温度采集粒度T_step；

五.计算当前检测的电子组件温度T_curr对应于温度记录文件的记录号n=[T_curr/T_step]，[]为向下取整计算符号，发送命令将所述温度记录文件的记录号为n的记录的温度值域的温度值更新为当前检测的电子组件温度T_curr；

六.读取所述时间温度积分参数文件的生命期自监测周期域中的生命期自监测周期P_monitor，比较RTC是否是P_monitor的正整数倍，若是则转至步骤七执行，若不是则转至步骤八执行；

七.执行基于二维时间温度积分的生命期自监测，更新所述温度记录文件的各项记录的高低温老化率，并更新所述生命期文件的剩余生命期域；

八．结束。

所述微控制器MCU执行基于二维时间温度积分的生命期自监测的过程，如图4所示，包括以下步骤：

（一）.将电子组件的在线应用标称温度T₀代入高低温老化率公式r=(A*t+1)²，令r=(A*T₀+1)²=1，计算得到高低温老化率常数A，r为高低温老化率；

（二）.设置按温度正序变化(温度变化由低到高)或者按温度反序变化(温度变化由高到低)，从温度记录文件的各项记录的温度值域，依序读取第i项记录的温度值域的温度值T_i，代入高低温老化率公式r=(A*t+1)²，令r_i=(A*T_i+1)²，计算得到r_i，将rⁱ存储至温度记录文件的第i项记录的高低温老化率域中；i为大于等于0且小于等于N-1的整数；

（三）.检查是否已遍历温度记录文件的各项记录，若已遍历，则转至（四）执行；否则转至（二）执行；

（四）.从温度记录文件中依序读取第i项记录的温度值域的温度值T_i、停留时间域的停留时间P_i和高低温老化率域的高低温老化率r_i，计算得到剩余生命期P_r，P_r=P₀-Σr_i*P_i，P₀为在线电子组件的应用标称生命期；

（五）.检查是否已遍历温度记录文件中的各项记录，若已遍历，则转至（六）执行；否则转至（四）执行；

（六）.将剩余生命期P_r存储至生命期文件的剩余生命期域，结束。

实施例二的电子组件生命期自监测系统，二维时间温度物理参数监测和二维时间温度积分计算的辅助存储载体设计为射频识别标签的非易失存储器逻辑分区形成文件系统，由文件系统访问命令集实施透明存储，即使电子组件生命期结束，由射频接口对历史监测数据可访问，对历史计算数据可校验。监测周期是可配置的，可同时进行二维时间温度监测。微控制器MCU执行基于二维时间温度积分的生命期自监测，支持算法参数动态调整，可编程的时间温度积分算法赋予了电子组件进行生命期自监测的能力，能够对物理参数监测数据进行存储计算从而进行可编程生命期自监测。

实施例三

基于实施例二，所述天线，为电子组件的印刷电路板上的开窗的接地印刷铜皮；

所述射频识别标签的射频接口，通过三轴调谐网络外接到所述天线；

所述三轴调谐网络，用于实施输入输出阻抗匹配；

所述三轴调谐网络，如图5所示，包括基本固定电容C、中间调谐电容Clen、输入调谐电容Cin、输出调谐电容Cout；

所述输入调谐电容Cin，用于调谐三轴调谐网络的输入阻抗接近于前级的输出阻抗，所述输入调谐电容，一端接地，另一端接三轴调谐网络输入端；

所述输出调谐电容Cout，用于调谐三轴调谐网络的输出阻抗接近于后级的输入阻抗，所述输出调谐电容，一端接地，另一端接三轴调谐网络输出端；

所述基本固定电容C、中间调谐电容Clen并联于三轴调谐网络的输入端同输出端之间；基本固定电容C决定三轴调谐网络的基本输入阻抗和基本输出阻抗，中间调谐电容Clen用于调谐三轴调谐网络的基本输入阻抗和基本输出阻抗。

实施例三的电子组件生命期自监测系统，二维时间温度物理参数的监测载体设计为在电子组件印刷电路板级内嵌集成温度传感器和实时时钟的射频识别标签，利用印刷电路电路板接地铜皮开窗作为标签天线，射频识别标签的射频接口与天线间存在三轴调谐网络，进行电子组件印刷电路板级二维时间温度监测。实施例三的电子组件生命期自监测系统，能够避免一维射频识别温度监测的标签贴附难题，能够排除空间散热因素，监测电子组件印刷电路板级温度。

实施例四

基于实施例三，电子组件生命期自监测系统还包括辅助电池，电池管理芯片；

所述射频识别标签，为半无源射频识别标签，有无源被动模式和电池辅助被动模式两种工作模式，在无源被动模式下，标签从读写器获取能量，利用该能量读取温度传感器的当前数据并存储于所述非易失存储器，或者读取存储于非易失存储器中的历史数据，射频识别标签的射频接口通过无源射频识别后与读写器进行双向数据交换，将实时数据或历史数据通过无线传输至读写器；在电池辅助被动模式下，所述射频识别标签的实时时钟启用，可周期性启用温度传感器进行电子组件的温度采集。

所述辅助电池，用于在电池辅助被动模式下对射频识别标签、微控制器进行供电；

所述电池管理芯片，用于对所述辅助电池进行充电管理。

只有在充电阶段，射频识别标签、微控制器在电池辅助被动模式下进行供电依赖于电子组件。

较佳的，所述射频识别标签，其射频接口为基于EPC Gen2标准超高频射频接口。

较佳的，所述射频识别标签，通过SPI协议高速串行数字接口同所述微控制器通信，射频识别标签受控于微处理器，微处理器将获得温度传感器的当前数据或存储于非易失存储器中的历史数据。

实施例五

基于实施例四，射频识别标签采用基于EPC Gen2标准的半无源双界面超高频射频识别标签芯片SL900A。三轴调谐网络的中间调谐电容Clen，输入调谐电容Cin和输出调谐电容Cout均采用数字调谐电容，其数字调谐空间均为[0,31]。数字调谐空间到物理调谐空间的映射公式为：C=1.3pF+val*0.131pF(+-10%)，因此，三轴上电容的物理调谐空间均为[1.05pF,5.1pF]。

所述微处理器，工作过程如下：

一.当接收到实时时钟中断信号，微控制器MCU读取实时时钟当前计时RTC_curr=M+m；

二.微控制器MCU读取所述生命期文件的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify=M，计算RTC=RTC_curr-RTC_modify=(M+m)–M=m，并更新所述生命期文件中的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify=RTC_curr=M+m；

三.微控制器MCU读取所述时间温度积分参数文件的温度采集周期域中的温度采集周期P_sense=m，比较P_sense是否等于RTC，若等于则转至步骤四执行，若不等于则转至步骤六执行；

四.微控制器MCU读取射频识别标签上温度传感器当前检测的电子组件温度T_curr=T；

微控制器MCU读取存储于时间温度积分参数文件的温度采集粒度域中的温度采集粒度T_step=T/n；

五.计算当前检测的电子组件温度T_curr对应于温度记录文件的记录号n=[T_curr/T_step]=[n*T/T]，[]为向下取整计算符号，发送命令将所述温度记录文件的记录号为n的记录的温度值域的温度值更新为当前检测的电子组件温度T_curr；

六.微控制器MCU读取存储于时间温度积分参数文件的生命期自监测周期域中的生命期自监测周期P_monitor=l*m，l为正整数，比较P_monitor是否与RTC成正整数倍关系，[P_monitor/RTC]=[l*m/m]=l，转至步骤七执行；

七.微控制器MCU执行基于二维时间温度积分的生命期自监测，更新所述温度记录文件的各项记录的高低温老化率，并更新所述生命期文件的剩余生命期域基于二维时间温度积分，进行生命期自监测；

八.结束。

半无源双界面超高频射频识别标签芯片SL900A通过高速串行数字接口连接并受控于微控制器MCU，由温度传感器和实时时钟进行二维时间温度物理参数监测，由微控制器MCU运行基于二维时间温度积分的生命期自监测。

所述微控制器执行基于二维时间温度积分的生命期自监测的过程，包括以下步骤：

S701.将电子组件的在线应用标称温度T₀=0℃，代入高低温老化率公式r=(A*t+1)²，令r=(A*T₀+1)²=1，计算得到高低温老化率常数A=0.1；

S702.设置按温度正序变化(温度变化由低到高)；

S703.从温度记录文件中读取温度值T₁=10℃，代入高低温老化率公式r₁=(0.1*T₁+1)²=4，将r₁存储至温度记录文件温度值T₁对应记录项的高低温老化率域中；

S704.检查是否已达到温度记录文件末尾，未达到该文件末尾，转至S705执行；

S705.从温度记录文件中读取温度值T₂=2℃，代入过高低温老化率公式r₂=(0.1*T₂+1)²=1.4，将r₂存储至温度记录文件温度值T₂对应记录项的高低温老化率域中；

S706.检查是否已达到温度记录文件末尾，已经达到该文件末尾，转至S707执行；

S707.设置在线电子组件的应用标称生命期P₀=10；

S708.从温度记录文件中读取温度值T₁=10℃,其对应记录项高低温老化率r₁=4，停留时间P₁=1，代入剩余生命期公式P_r=P₀-Σr_i*P_i,计算得到剩余生命期P_r=10–4*1=6；

S709.检查是否已达到温度记录文件末尾，未达到该文件末尾，则转至S710执行；

S710.从温度记录文件中读取温度值T₂=2℃,其对应记录项高低温老化率r₁=1.4，停留时间P₂=2，代入剩余生命期公式P_r=P₀-Σr_i*P_i,计算得到剩余生命期P_r=10–4*1–1.4*2=3；

S711.检查是否已达到温度记录文件末尾，已经达到该文件末尾，转至S712执行；

S712.将剩余生命期P_r=3存储至生命期文件的剩余生命期域，结束。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (7)

1.一种电子组件生命期自监测系统，其特征在于，包括射频识别标签、微控制器；

所述射频识别标签，包括非易失存储器、实时时钟、射频接口，并内嵌或外接温度传感器；

所述射频接口，用于外接天线，与读写器进行双向数据交换；

所述实时时钟，用于计时；

所述温度传感器，用于检测电子组件的温度；

所述非易失存储器，用于存储时间温度积分参数文件、生命期文件、温度记录文件；

所述微处理器，用于根据所述实时时钟的当前计时、温度传感器当前检测的电子组件温度，以及时间温度积分参数文件中的温度积分参数数据、生命期文件中的生命期数据、温度记录文件中的温度记录数据，执行电子组件生命期自监测计算，并将计算得到电子组件的剩余生命期更新到所述生命期文件。

2.根据权利要求1所述的电子组件生命期自监测系统，其特征在于，

所述非易失存储器，逻辑分区文件系统；

所述文件系统，包括时间温度积分参数文件、生命期文件和温度记录文件；

所述时间温度积分参数文件，为单记录定长文件，包括温度采集粒度域、温度采集周期域、最大温度记录项数域和生命期自监测周期域；

所述生命期文件，为单记录定长文件，包括剩余生命期域和历史文件系统修改时间域；

所述温度记录文件，为多记录变长文件，温度记录文件最多存储的记录项数为所述温度积分参数文件的最大温度记录项数域中设定的最大温度记录项数，采用先进先出循环队列记录方式；

温度记录文件的一项记录，包括温度值域、停留时间域和高低温老化率域；

温度记录文件的相邻记录的记录号间隔1，记录号最小为0，最大为N-1，N为最大温度记录项数；

所述微处理器，工作过程如下：

一.当接收到实时时钟中断信号，读取实时时钟当前计时RTC_curr；

二.读取所述生命期文件的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify，计算RTC=RTC_curr-RTC_modify，并更新所述生命期文件中的历史文件系统修改时间域中的最近一次文件系统修改时间RTC_modify=RTC_curr；

三.读取所述时间温度积分参数文件的温度采集周期域中的温度采集周期P_sense，比较P_sense是否等于RTC，若等于则转至步骤四执行，若不等于则转至步骤六执行；

四.读取温度传感器当前检测的电子组件温度T_curr；

读取所述时间温度积分参数文件的温度采集粒度域中的温度采集粒度T_step；

五.计算当前检测的电子组件温度T_curr对应于温度记录文件的记录号n=[T_curr/T_step]，[]为向下取整计算符号，发送命令将所述温度记录文件的记录号为n的记录的温度值域的温度值更新为当前检测的电子组件温度T_curr；

六.读取所述时间温度积分参数文件的生命期自监测周期域中的生命期自监测周期P_monitor，比较RTC是否是P_monitor的正整数倍，若是则转至步骤七执行，若不是则转至步骤八执行；

七.执行基于二维时间温度积分的生命期自监测，更新所述温度记录文件的各项记录的高低温老化率，并更新所述生命期文件的剩余生命期域；

八．结束。

3.根据权利要求2所述的电子组件生命期自监测系统，其特征在于，

步骤七中，所述微控制器执行基于二维时间温度积分的生命期自监测的过程，包括以下步骤：

（一）.将电子组件的在线应用标称温度T₀代入公式r=(A*T₀+1)²=1，计算得到高低温老化率常数A，r为高低温老化率；

（二）.设置按温度正序变化或者按温度反序变化，从温度记录文件的各项记录的温度值域，依序读取第i项记录的温度值域的温度值T_i，代入公式r_i=(A*T_i+1)²，计算得到r_i，将r_i存储至温度记录文件的第i项记录的高低温老化率域中；i为大于等于0且小于等于N-1的整数；

（三）.检查是否已遍历温度记录文件的各项记录，若已遍历，则转至（四）执行；否则转至（二）执行；

（四）.从温度记录文件中依序读取第i项记录的温度值域的温度值T_i、停留时间域的停留时间P_i和高低温老化率域的高低温老化率r_i，计算得到剩余生命期P_r，P_r=P₀-Σr_i*P_i，P₀为在线电子组件的应用标称生命期；

（五）.检查是否已遍历温度记录文件中的各项记录，若已遍历，则转至（六）执行；否则转至（四）执行；

（六）.将剩余生命期Pr存储至生命期文件的剩余生命期域，结束。

4.根据权利要求3所述的电子组件生命期自监测系统，其特征在于，

所述天线，为电子组件的印刷电路板上的开窗的接地印刷铜皮；

所述射频识别标签的射频接口，通过三轴调谐网络外接到所述天线；

所述三轴调谐网络，包括基本固定电容、中间调谐电容、输入调谐电容、输出调谐电容；

所述输入调谐电容，一端接地，另一端接三轴调谐网络输入端；

所述输出调谐电容，一端接地，另一端接三轴调谐网络输出端；

所述基本固定电容、中间调谐电容并联于三轴调谐网络的输入端同输出端之间。

5.根据权利要求4所述的电子组件生命期自监测系统，其特征在于，

电子组件生命期自监测系统，还包括辅助电池、电池管理芯片；

所述射频识别标签，为半无源射频识别标签，有无源被动模式和电池辅助被动模式两种工作模式；

所述辅助电池，用于在电池辅助被动模式下对射频识别标签、微控制器进行供电；

所述电池管理芯片，用于对所述辅助电池进行充电管理。

6.根据权利要求5所述的电子组件生命期自监测系统，其特征在于，

所述射频识别标签，其射频接口为基于EPC Gen2标准超高频射频接口；

所述射频识别标签，通过SPI协议高速串行数字接口同所述微控制器通信。

7.根据权利要求6所述的电子组件生命期自监测系统，其特征在于，

中间调谐电容、输入调谐电容和输出调谐电容均采用数字调谐电容。