CN104766826B - 一种用于飞参记录仪的存储器组件及其加工方法 - Google Patents

一种用于飞参记录仪的存储器组件及其加工方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种用于飞参记录仪的存储器组件的加工方法，包括如下步骤：制作两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片；制作一刚柔结合PCB板，所述刚柔结合PCB板依次由包括第一刚性PCB区域、第一柔性PCB区域、第二刚性PCB区域、第二柔性PCB区域和第三刚性PCB区域连接组成；将所述第一存储芯片焊接到所述第一刚性PCB区域，所述第二存储芯片焊接到所述第二刚性PCB区域，将矩形连接器焊接到所述第三刚性PCB区域。相应的提供一种采用上述方法加工的存储器组件。加工出的存储器组件提高了内部存储芯片的抗冲击能力。

Description

一种用于飞参记录仪的存储器组件及其加工方法
技术领域
本申请涉及一种存储装置，特别涉及一种用于飞参记录仪的存储器组件及其加工方法。
背景技术
目前，国内飞机上用的飞行参数记录仪中的FLASH器件抗冲击能力有限。在飞机出事的恶劣条件下，飞行参数记录仪中的FLASH器件不能够完好的保存飞行参数，这样就失去了飞行参数记录仪对于飞机出事的数据记录了，对于研究出事原因非常不利。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种用于飞参记录仪的存储器组件的加工方法，加工出的存储器组件提高了内部存储芯片的抗冲击能力。
发明实施例提供一种用于飞参记录仪的存储器组件的加工方法，包括如下步骤：
制作两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片；
制作一刚柔结合PCB板，所述刚柔结合PCB板依次由包括第一刚性PCB区域、第一柔性PCB区域、第二刚性PCB区域、第二柔性PCB区域和第三刚性PCB区域连接组成；
将所述第一存储芯片焊接到所述第一刚性PCB区域，所述第二存储芯片焊接到所述第二刚性PCB区域，将矩形连接器焊接到所述第三刚性PCB区域。
进一步地，所述制作两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片具体包括：
对两个存储器芯片及其对应的两个引线框架分别进行立体封装，并采用树脂灌封，对灌封后的两颗裸芯片进行切割成形，形成两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片，所述引线框架层设有用于对外连接的引脚。
进一步地，所述钢柔结合PCB板上的线路包括：写信号#WE、读信号#RE、地址锁存ALE、命令锁存CLE、硬保护#WP信号线、输入输出数据线分别复合，并分别与第一存储芯片和第二存储芯片相应的引脚焊接，还包括片选信号CS1、CS3，分别与第一存储芯片和第二存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
进一步地，所述刚柔结合PCB板还进一步包括第四刚性PCB区域、第五刚性PCB区域和第三柔性PCB区域、第三柔性PCB区域，所述第四刚性PCB区域和第五刚性PCB区域分别用于焊接到所述第三存储芯片和所述第四存储芯片上。
进一步地，所述钢柔结合PCB板上的线路还包括片选信号CS2、CS4，分别与第三存储芯片和第四存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
根据本发明实施例的另一方面，还提供一种用于飞参记录仪的存储器组件，提高内部FLASH芯片的抗冲击能力。
本发明实施例提供的用于飞参记录仪的存储器组件包括：两个立体封装的第一存储芯片、第二存储芯片、一矩形连接器和一刚柔结合PCB板，所述刚柔结合PCB板依次由包括第一刚性PCB区域、第一柔性PCB区域、第二刚性PCB区域、第二柔性PCB区域和第三刚性PCB区域连接组成；所述第一存储芯片焊接在所述第一刚性PCB区域上，所述第二存储芯片焊接在所述第二刚性PCB区域上，所述矩形连接器焊接在所述第三刚性PCB区域。
进一步地，所述第一存储芯片或第二存储芯片进一步包括：从下至上进行堆叠的引线框架和存储器芯片，在引线框架和存储器芯片之间以及裸芯片上部灌有一层树脂，所述引线框架设有用于对外连接的引脚，所述引脚的外表面设有镀金连接线。
进一步地，所述钢柔结合PCB板上的线路包括：写信号#WE、读信号#RE、地址锁存ALE、命令锁存CLE、硬保护#WP信号线、输入输出数据线分别复合，并分别与第一存储芯片和第二存储芯片相应的引脚焊接，还包括片选信号CS1、CS3，分别与第一存储芯片和第二存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
进一步地，所述刚柔结合PCB板还进一步包括第四刚性PCB区域、第五刚性PCB区域和第三柔性PCB区域、第三柔性PCB区域，所述第四刚性PCB区域和第五刚性PCB区域分别用于焊接到所述第三存储芯片和所述第四存储芯片上。
进一步地，所述钢柔结合PCB板上的线路还包括片选信号CS2、CS4，分别与第三存储芯片和第四存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
进一步地，每个存储器芯片的容量为256K×8BIT的NAND FLASH存储芯片。
采用上述技术方案，本发明实施例具有如下效果：利用两个立体封装的NANDFLASH芯片，然后通过钢柔结合PCB板把所有的引出和输入信号连接到一矩形连接器上形成一个高可靠高稳定的大容量飞参数据存储组件。可见，本发明以立体封装方式加固了NANDFLASH芯片，增强了其抗冲击强度，以钢柔结合PCB板把两个立体封装的NAND FLASH芯片组合在一起，加大了组件的存储容量，尤其适合应用于航空、航天的严酷环境。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了本申请提供的存储器装置的一种实施例结构图；
图2示出了本申请提供的存储器装置的电路图；
图3示出了本申请提供存储器装置种的存储芯片的封装结构图；
图4示出了本申请提供矩形连接器的外形图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
具体实施例方式
一种用于飞参记录仪的存储器组件的加工方法，包括如下步骤：
制作两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片；
制作一刚柔结合PCB板，所述刚柔结合PCB板依次由包括第一刚性PCB区域、第一柔性PCB区域、第二刚性PCB区域、第二柔性PCB区域和第三刚性PCB区域连接组成；
将所述第一存储芯片焊接到所述第一刚性PCB区域，所述第二存储芯片焊接到所述第二刚性PCB区域，将矩形连接器焊接到所述第三刚性PCB区域。
具体来说，加工过程如下：
1、采用立体封装技术对两个256K×8BIT的NAND FLASH存储器(塑封)单独进行树酯灌封，并切割成形,最终形成两个新的耐机械冲击的新的立体封装NAND FLASH芯片；对两个存储器芯片及其对应的两个引线框架分别进行立体封装，并采用树脂灌封，对灌封后的两颗裸芯片进行切割成形，形成两个立体 封装的第一存储芯片和第二存储芯片，所述引线框架层设有用于对外连接的引脚。
2、生产加工钢柔结合PCB板，如图1所示，。其中A1、A3和A4所示尺寸部分为钢性PCB板，A1、A3、A4分别对应第一刚性PCB区域、第二刚性PCB区域和第三刚性PCB区域，A1部分上是封装完的第一存储芯片，A3部分上是封装完的第二存储芯片，两个立体封装NAND FLASH芯片在应用时可实现数据双冗余备份。而除三部分的钢性板以外，是由柔性PCB板连接而成，如A2，B1区域，其作用是可以保证组件在应用安装时可以多方位多角度的折弯PCB板，从而达到最佳的抗冲击效果。
3、把立体封装的NAND FLASH存储器和矩形连接器(J2)焊焊结到钢柔结合PCB板的钢性板部分。
优选实施例，所述刚柔结合PCB板还进一步包括第四刚性PCB区域、第五刚性PCB区域和第三柔性PCB区域、第三柔性PCB区域，所述第四刚性PCB区域和第五刚性PCB区域分别用于焊接到所述第三存储芯片和所述第四存储芯片上。
根据本发明实施例另一方面，还提供一种用于飞参记录仪的存储器组件，提高内部FLASH芯片的抗冲击能力。
本发明实施例提供的，如图1所示，用于飞参记录仪的存储器组件包括：两个立体封装的第一存储芯片、第二存储芯片、一矩形连接器和一刚柔结合PCB板，所述刚柔结合PCB板依次由包括第一刚性PCB区域、第一柔性PCB区域、 第二刚性PCB区域、第二柔性PCB区域和第三刚性PCB区域连接组成；所述第一存储芯片焊接在所述第一刚性PCB区域上，所述第二存储芯片焊接在所述第二刚性PCB区域上，所述矩形连接器焊接在所述第三刚性PCB区域。
进一步地，如图3所示，所述第一存储芯片或第二存储芯片进一步包括：从下至上进行堆叠的引线框架1和存储器芯片2，在引线框架1和存储器芯片2之间以及裸芯片2上部灌有一层树脂21，所述引线框架1设有用于对外连接的引脚11，所述引脚的外表面设有镀金连接线。
如图4所示，为矩形连接器J2的外形图，其包括25个引脚，其电路连接关系如图2中J2所示。其引脚定义如下：
引脚号 信号名 信号描述
1 GND 电源地
2 GND 电源地
3 IO6 地址、命令输入和数据输入输出口
4 IO0 地址、命令输入和数据输入输出口
5 IO1 地址、命令输入和数据输入输出口
6 IO2 地址、命令输入和数据输入输出口
7 IO3 地址、命令输入和数据输入输出口
8 CS1 第一个芯片片选输入
9 CS3 扩展片选输入(扩容备用)
10 ALE 地址锁存输入
11 WR 写信号
12 3.3V 3.3V电源
13 3.3V 3.3V电源
14 3.3V 3.3V电源
15 IO4 地址、命令输入和数据输入输出口
16 IO5 地址、命令输入和数据输入输出口
17 IO7 地址、命令输入和数据输入输出口
18 GND 电源地
19 3.3V 3.3V电源
20 CLE 命令锁存输入
21 CS4 扩展片选输入(扩容备用)
22 RB 忙信号输出
23 RD 读信号输入
24 CS2 第二个芯片的片选输入
25 GND 电源地
具体来说：立体封装存储芯片，包括一个NAND FLASH芯片，还包括从下至上进行堆叠的有引线框架层和NAND FLASH芯片层，所述引线框架上设有用于对外连接的引脚，一个NAND FLASH芯片置于引线框架上；所述堆叠的两个层经灌封、切割后在周边上露出电气连接线，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述两个层上所露出的电气连接线进行关联连接以形成：一个NAND FLASH芯片与引线框架的连接，引线框架的引脚作为立体封装NAND FLASH存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
如图2所示，所述钢柔结合PCB板上的线路包括：写信号#WE、读信号#RE、地址锁存ALE、命令锁存CLE、硬保护#WP信号线、输入输出数据线分别复合，并分别与第一存储芯片和第二存储芯片相应的引脚焊接，还包括片选信号CS1、CS3，分别与第一存储芯片和第二存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
所述刚柔结合PCB板还进一步包括第四刚性PCB区域、第五刚性PCB区域和第三柔性PCB区域、第三柔性PCB区域，所述第四刚性PCB区域和第五刚性PCB区域分别用于焊接到所述第三存储芯片和所述第四存储芯片上。
优选实施例，芯片的个数可以任意扩展，只要改变刚柔PCB板的刚柔结合，使得相邻的立体封装的存储芯片之间是柔性PCB板，所述钢柔结合PCB 板上的线路还包括片选信号CS2、CS4，分别与第三存储芯片和第四存储芯片相对应的片选信号管脚连接，用于扩展芯片个数使用。
上述所列的存储器组件，所述立体封装NAND FLASH存储器，因其采用了上述立体封装的方式，芯片内部灌封了高强度耐冲击的树酯，对NAND FLASH芯片起到了保护作用，大大增强了其抗冲击能力。特别适用于飞行参数记录仪的应用。
所述NAND FLASH芯片均采用存储容量为2Gb、数据总线宽度为8位、48个引脚的塑料封装NAND FLASH芯片。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (11)

1.一种用于飞参记录仪的存储器组件的加工方法，其特征在于，包括：
制作两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片；
制作一刚柔结合PCB板，所述刚柔结合PCB板依次由包括第一刚性PCB区域、第一柔性PCB区域、第二刚性PCB区域、第二柔性PCB区域和第三刚性PCB区域连接组成；
将所述第一存储芯片焊接到所述第一刚性PCB区域，所述第二存储芯片焊接到所述第二刚性PCB区域，将矩形连接器焊接到所述第三刚性PCB区域。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述制作两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片具体包括：
对两个存储器芯片及其对应的两个引线框架分别进行立体封装，并采用树脂灌封，对灌封后的两颗裸芯片进行切割成形，形成两个立体封装的第一存储芯片和第二存储芯片，所述引线框架设有用于对外连接的引脚。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述刚柔结合PCB板上的线路包括：
写信号#WE、读信号#RE、地址锁存ALE、命令锁存CLE、硬保护#WP信号线、输入输出数据线分别复合，并分别与第一存储芯片和第二存储芯片相应的引脚焊接，还包括片选信号CS1、CS3，分别与第一存储芯片和第二存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述刚柔结合PCB板还进一步包括第四刚性PCB区域、第五刚性PCB区域和第三柔性PCB区域，所述第四刚性PCB区域和第五刚性PCB区域分别用于焊接到第三存储芯片和第四存储芯片上。
5.根据权利要求4所述的加工方法，其特征在于，所述刚柔结合PCB板上的线路还包括片选信号CS2、CS4，分别与第三存储芯片和第四存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
6.一种用于飞参记录仪的存储器组件，其特征在于，包括：两个立体封装的第一存储芯片、第二存储芯片、一矩形连接器和一刚柔结合PCB板，所述刚柔结合PCB板依次由包括第一刚性PCB区域、第一柔性PCB区域、第二刚性PCB区域、第二柔性PCB区域和第三刚性PCB区域连接组成；
所述第一存储芯片焊接在所述第一刚性PCB区域上，所述第二存储芯片焊接在所述第二刚性PCB区域上，所述矩形连接器焊接在所述第三刚性PCB区域。
7.根据权利要求6所述的存储器组件，其特征在于，所述第一存储芯片或第二存储芯片进一步包括：从下至上进行堆叠的引线框架和存储器芯片，在引线框架和存储器芯片之间以及存储器芯片上部灌有一层树脂，所述引线框架设有用于对外连接的引脚，所述引脚的外表面设有镀金连接线。
8.根据权利要求7所述的存储器组件，其特征在于，所述刚柔结合PCB板上的线路包括：写信号#WE、读信号#RE、地址锁存ALE、命令锁存CLE、硬保护#WP信号线、输入输出数据线分别复合，并分别与第一存储芯片和第二存储芯片相应的引脚焊接，还包括片选信号CS1、CS3，分别与第一存储芯片和第二存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
9.根据权利要求7所述的存储器组件，其特征在于，所述刚柔结合PCB板还进一步包括第四刚性PCB区域、第五刚性PCB区域和第三柔性PCB区域，所述第四刚性PCB区域和第五刚性PCB区域分别用于焊接到第三存储芯片和第四存储芯片上。
10.根据权利要求9所述的存储器组件，其特征在于所述刚柔结合PCB板上的线路还包括片选信号CS2、CS4，分别与第三存储芯片和第四存储芯片相对应的片选信号管脚连接。
11.根据权利要求6～10任一所述的存储器组件，其特征在于，每个存储器芯片是容量为256K×8BIT的NAND FLASH存储芯片。
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