CN104765219B - 一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法 - Google Patents

一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法 Download PDF

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Abstract

一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,利用铒掺杂铌酸锂作为增益介质;使用磷离子辐照的方法,在铒掺杂铌酸锂晶体表面,制作光波导结构;对该光波导的两个端面进行镀膜处理,选择特定波长对光信号进行放大;同时将泵浦光与信号光耦合进光波导内,实现光信号放大。

Description

一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法
技术领域
本发明涉及一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,属于光电子器件制备的技术领域。
背景技术
铒离子掺杂铌酸锂晶体(Er-doped lithium niobate,或简写为Er:LiNbO3晶体)具有优良的激光特性,可以在光纤通信最小损耗的第三个窗口1530nm波长附近产生激光,还可以进行光放大;另一方面,铒掺杂LiNbO3晶体材料可以在集成光学中制备有源器件和无源器件,例如如光放大器、激光器、耦合器、滤波器和调制器等,对于集成光学有重要意义。
光波导是一种被低折射率介质包裹的高折射率结构。它是集成光学的最基本元件,用于限制和引导光信号的传输。基于光波导结构可以制备多种有源器件,例如光放大器和激光器。与传统的光放大器、激光器相比,光波导结构可以更好的对光进行限制,由于光波导的横截面很小,达微米量级,光波导内的能量密度更高,因此可以实现更高的能量转换效率、降低激光阈值。到目前为止,还没有利用Er:LiNbO3晶体光波导制备光放大器的报道。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法。
本发明的技术方案如下:
一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,包括步骤如下:
1)对铒离子掺杂铌酸锂晶体的待加工面进行光学抛光,所述待加工面与所述铒离子掺杂铌酸锂晶体的c轴垂直;
2)利用离子束加速器发出磷离子,对铒离子掺杂铌酸锂晶体的抛光面轰击,在铒离子掺杂铌酸锂晶体的抛光面形成平面光波导;
3)在所述平面光波导的表面加工脊型光波导;
4)将垂直于脊型光波导的两个端面进行光学抛光,分别作为出射端面和入射端面;
5)对出射端面进行光学镀膜,所述光学镀膜对波长范围为1.53~1.57μm的信号光高透、对波长范围为800nm~815nm的泵浦光高反;
6)使用入射光纤将信号光及泵浦光同时耦合到所述脊型光波导内;
7)透过出射端面及光学镀膜,将出射光耦合到出射光纤内。
根据本发明优选的,在所述步骤1)还包括去除抛光后的铒离子掺杂铌酸锂晶体的表面杂质。
根据本发明优选的,在所述步骤2)中,在铒离子掺杂铌酸锂晶体的抛光面形成平面光波导的厚度为3-10μm。
根据本发明优选的,在所述步骤3)中,加工脊型光波导包括:在所述平面光波导的表面切割两条平行的凹槽,所述凹槽的深度为20~40μm、宽度为80~200μm;所述两条凹槽的间隔为10~30μm,形成一个宽度为10~30μm的脊型光波导。
根据本发明优选的,所述步骤2)中,所述磷离子的能量为8~12MeV,剂量为3~8×1015ions/cm2
本发明的优势在于:
本发明利用铒掺杂铌酸锂作为增益介质;使用磷离子辐照的方法,在铒掺杂铌酸锂晶体表面,制作光波导结构;对该光波导的两个端面进行镀膜处理,选择特定波长对光信号进行放大;同时将泵浦光与信号光耦合进光波导内,实现光信号放大。
附图说明
图1为本发明所述制备方法的工艺流程图;
图2是本发明所述脊型光波导的制备示意图;
在图2中:1、磷离子束;2、平面光波导;3、铒离子掺杂铌酸锂晶体;4.金刚石切割刀片;5、凹槽;6、脊型光波导;
图3是本发明所制备的铒掺杂铌酸锂晶体光波导光放大器的工作示意图;
在图3中:6、脊型光波导;7、入射光纤,8.出射光纤,9.光学镀膜。
具体实施方式
下面结合实施例和说明书附图对本发明做详细的说明,但不限于此。
实施例1、
一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,包括步骤如下:
1)对铒离子掺杂铌酸锂晶体3的待加工面进行光学抛光,所述待加工面与所述铒离子掺杂铌酸锂晶体3的c轴垂直;
2)利用离子束加速器发出磷离子,对铒离子掺杂铌酸锂晶体3的抛光面轰击,在铒离子掺杂铌酸锂晶体3的抛光面形成平面光波导2;
3)在所述平面光波导2的表面加工脊型光波导6;
4)将垂直于脊型光波导6的两个端面进行光学抛光,分别作为出射端面和入射端面;
5)对出射端面进行光学镀膜,所述光学镀膜9对波长范围为1.53~1.57μm的信号光高透、对波长范围为800nm~815nm的泵浦光高反;
6)使用入射光纤7将信号光及泵浦光同时耦合到所述脊型光波导6内;
7)透过出射端面及光学镀膜9,将出射光耦合到出射光纤8内。
在所述步骤1)还包括去除抛光后的铒离子掺杂铌酸锂晶体的表面杂质。
在所述步骤2)中,在铒离子掺杂铌酸锂晶体的抛光面形成平面光波导的厚度为3-10μm。
在所述步骤3)中,加工脊型光波导包括:在所述平面光波导的表面切割两条平行的凹槽,所述凹槽的深度为20~40μm、宽度为80~200μm;所述两条凹槽的间隔为10~30μm,形成一个宽度为10~30μm的脊型光波导。
所述步骤2)中,所述磷离子的能量为8~12MeV,剂量为3~8×1015ions/cm2
实施例2、
如实施例1所述的一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,其区别在于,
所述步骤2)中,所述磷离子的能量为10MeV,剂量为6×1015ions/cm2
在所述步骤3)中,加工脊型光波导包括:在所述平面光波导的表面切割两条平行的凹槽,所述凹槽的深度为30μm、宽度为200μm;所述两条凹槽的间隔为30μm,形成一个宽度为30μm的脊型光波导。
在所述步骤5)中,对出射端面进行光学镀膜,所述光学镀膜对波长范围为1.55μm的信号光高透、对波长范围为810nm的泵浦光高反。

Claims (3)

1.一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,其特征在于,该方法包括步骤如下:
1)对铒离子掺杂铌酸锂晶体的待加工面进行光学抛光,所述待加工面与所述铒离子掺杂铌酸锂晶体的c轴垂直;
2)利用离子束加速器发出磷离子,对铒离子掺杂铌酸锂晶体的抛光面轰击,在铒离子掺杂铌酸锂晶体的抛光面形成平面光波导;
3)在所述平面光波导的表面加工脊型光波导;
4)将垂直于脊型光波导的两个端面进行光学抛光,分别作为出射端面和入射端面;
5)对出射端面进行光学镀膜,所述光学镀膜对波长范围为1.53~1.57μm的信号光高透、对波长范围为800nm~815nm的泵浦光高反;
6)使用入射光纤将信号光及泵浦光同时耦合到所述脊型光波导内;
7)透过出射端面及光学镀膜,将出射光耦合到出射光纤内;
在所述步骤3)中,加工脊型光波导包括:在所述平面光波导的表面切割两条平行的凹槽,所述凹槽的深度为20~40μm、宽度为80~200μm;所述两条凹槽的间隔为10~30μm,形成一个宽度为10~30μm的脊型光波导;
所述步骤2)中,所述磷离子的能量为8~12MeV,剂量为3~8×1015ions/cm2
2.根据权利要求1所述的一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,其特征在于,在所述步骤1)还包括去除抛光后的铒离子掺杂铌酸锂晶体的表面杂质。
3.根据权利要求1所述的一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法,其特征在于,在所述步骤2)中,在铒离子掺杂铌酸锂晶体的抛光面形成平面光波导的厚度为3-10μm。
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