CN104755895A - 具有覆盖层的压力传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种压力传感器(1)，包括：基板(2)，具有形成的测量膜片(3)，以及导电的覆盖层(4)，其包含电接触元件(5，6，7，8)，且利用绝缘层(9)与基板(2)电绝缘。该覆盖层(4)构造为使得在彼此电绝缘的两个区域(10，11)中可以进行两个接触元件(5，6，7，8)之间相应电阻的两个独立测量。覆盖层(4)的区域(10，11)用于屏蔽测量膜片(3)的传感器元件(12，13)以免受来自外部的电磁影响，还用于检测测量膜片(3)的损坏以及用于精确的温度确定。
Description
技术领域
本发明涉及一种压力传感器，包括：基板，具有形成于其中的薄弯曲片和集成的测量元件；以及导电覆盖层，其具有电接触元件，且通过绝缘层与基板电隔离。
背景技术
压力传感器经常被实施为半导体传感器。通常，它们基于硅。在这种情况下，压力传感器芯片能以简单的方式形成，并且通常包括：基板和通过微制造技术形成于其中并具有集成的测量元件的薄弯曲片。作用在薄弯曲片上的压力能产生与压力相关的挠度。集成的测量元件反应电阻的变化，其被记录为电测量信号。这提供了用于额外处理和评估的信号。
一般来说，在这种情况下，传感器元件被实施为压电电阻元件，特别是电阻。众所周知的是，用硅制造这些元件需要借助于掺杂方法，例如，扩散法或植入法。因此，压电电阻元件能实施为如在n导电硅基板中的p导电区。
压力传感器在工作期间将接触到高负荷情形，例如，压力脉冲，持续高压和强温度波动。压力脉冲和持续的高压将导致材料疲劳且最终导致膜片的破裂，进而导致传感器的失效。
在这种情况下，膜片破裂的检测是困难的，因为不正确的测量值也可以由传感器中、电路中或其它所使用的元件中、或给定情形下完全无法识别的其它问题所产生。
根据目前的现有技术，为了补偿测量信号的温度影响，例如，通过测量与惠斯通桥路互联的测量元件的电阻变化来确定温度。在这种情况下，使用测量得到的温度以及之前确定的测量信号的温度依赖性，能够补偿温度的影响。该方法的缺点是，压力的变化同样会导致电阻的变化。这使得电阻变化与温度变化之间难以直接关联起来。
此外，选择用于测量的电阻的温度系数，使得对于所指定的传感器的温度范围，温度系数不改变符号(sign)。由于温度必须内射地(injectively)确定，一旦符号改变，则不可能使用确定温度的电桥电路。
除了补偿测量信号的温度影响，现有技术中已知的是，还要进行保护以防止干扰的影响。为此，在膜片表面施加形成为导电覆盖层的屏蔽物，一直延伸到覆盖层位于与基板相同电位的程度，用来抑制外部电干扰的影响。因此，为了改善输出信号的稳定性，经常会实施电屏蔽，使用该电屏蔽至少覆盖所述的传感器元件。然而金属的屏蔽物同样会影响测量信号，尤其在高温，将发生测量信号无法再现的偏差。
通常应用于电屏蔽的材料是掺杂的多晶硅。多晶硅的许多材料特性与单晶硅的一些特性非常相似。这些材料特性除了别的之外，还包括热膨胀系数、硬度以及弹性模量和剪切模量。用于多晶硅掺杂的材料是例如硼或者磷。
例如，通过扩散、植入来产生掺杂，或者通过在覆盖层的沉积过程中用作保护的另外气体而产生掺杂。由于覆盖层用于温度确定，为了获得高电阻，低的掺杂度是有利的。低的掺杂度比高的掺杂度具有额外的更强的温度依赖性，因而可产生具有用于确定温度的足够范围的信号。
与此相对的是，高的掺杂对传感器元件是有利的，因为这能提供较少的温度影响。因此，这些传感器元件不能同时最优的用于压力和温度测量。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种压力传感器，其可优化压力和温度测量的过程，并且在该情况下，尤其能够补偿测量误差以及允许故障的检测。
本发明通过一些特征实现该目的，这些特征包括通过三个优化的电阻测量来实现上述三个任务。在这种情况下，对低的掺杂覆盖层进行分割，使得在彼此电隔离的两个区域中各自的电阻是可测量的，并且在薄弯曲片中的测量电阻具有高的掺杂度。
本发明相较于现有技术的特别优势在于，覆盖层被分割为彼此电隔离的两个区域。在这种情况下，每个区域都具有电接触元件，因此这意味着，在两个区域的每一个中，电阻是独立于另一区域而可确定的。
在这种情况下，这些电隔离区域可以简单的从现有技术中已知的覆盖层中形成。根据现有技术，覆盖层可进行2维的沉积而无需其它构造。根据本发明，在另外的制造步骤中形成绝缘区域，例如，以光刻方法的形式和/或其它的蚀刻工艺。在这种情况下，覆盖层优选的沉积为多晶硅。例如，覆盖层沉积在为此制造的测量膜片的氧化层或氧化一氮化层上，用以在覆盖层和测量膜片之间获得足够的电绝缘。
在本发明的具有特别优势的实施例中，例如，将覆盖层的第一多功能电阻区域实施为屏蔽并且全部地或部分地覆盖带有测量元件的薄弯曲片，以及，例如，将覆盖层的第二电阻区域实施为热敏电阻器并且与测量膜片机械地解耦合。这样，在简单的加工步骤中，例如可选择光刻方法和/或蚀刻工艺来构造屏蔽并同时构造热敏电阻器，二者彼此独立的接触，并且其电阻能够被测量。
该实施例特别的优势在于，具有测量元件的薄弯曲片和覆盖层具有不同的掺杂度，其中，在这种情况下，硅形成的测量膜片被实施为具有更小的掺杂度。从而，热敏电阻器的掺杂度与传感器元件的掺杂度不同，并且使得两个功能单元隔离的优化。掺杂对于屏蔽来说作用较小，但其对于将屏蔽物的掺杂与热敏电阻器的掺杂进行匹配并不是缺点，这样二者可以在一个工艺步骤中被沉积，并且可以由相同的薄膜而构造。
另外的优势在于，测量膜片的压电元件能够被提供比现有技术中可能更高的掺杂度。这意味着，压力传感器适合于更高的工作温度。压电元件的更高掺杂度可降低泄漏电流并由此提高输出信号的信号质量。
在这种情况下特别的优势在于，覆盖层的热敏电阻器区域可形成在压力传感器的上表面上的测量膜片之外。在这种情况下，热敏电阻器暴露于较小的机械应力，由此在热敏电阻器的温度测量信号中因机械应力而导致的误差可被降低或消除。
另外，压力传感器还额外允许差错或故障的检测。在这种情况下，可以确定覆盖层的屏蔽区域的电阻，并且与此相分离地，可通过覆盖层的热敏电阻器区域确定温度。因此，与现有技术相比，本发明能够知道，覆盖层屏蔽区域的电阻变化是因为温度的波动还是因为膜片的破裂。如果出现的是膜片破裂，则覆盖层的电阻变化与热敏电阻器的相比是不规则的。如果是温度波动，则两个区域的电阻均发生变化。为此，建立与膜片区域隔离的覆盖层热敏电阻器区域是特别有利的。
进一步，提供一种应用压力传感器的方法，该压力传感器具有基板、测量膜片和分割的导电覆盖层，该覆盖层具有两个区域以及电接触元件，其中，测量覆盖层第一电阻区域的电阻，通过所测量的电阻确定覆盖层的温度，并且借助于该温度值，补偿该压力传感器的压力测量信号的温度影响。
在实施例的优选形式中，该方法包括：测量覆盖层第一电阻区域的电阻，并且在电阻变化的情况下，指示覆盖层和/或测量膜片的损坏。
本发明另一优选实施例提供覆盖层的第二电阻区域，屏蔽测量膜片的传感器元件使与外部电场及可移动的电荷载体隔离。
通过权利要求的文字限定以及基于附图的实施例示例的描述，本发明的其它特征、细节和优势将更明显。
附图说明
下面参考附图所示实施例的优选示例，更加详细的阐释本发明，其中：
图1示意性的示出具有覆盖层的压力传感器的剖面图，以及
图2示意性的示出具有构造为两个区域的覆盖层的压力传感器的平面图。
具体实施方式
参考标记及其含义在参考标记列表中列出。通常，相同的参考标记指示相同的部分。
图1示出压力传感器1的剖面图的示意图，其包括基板2，其中，例如通过蚀刻工艺，在基板2中形成薄弯曲片3。对大多数应用来说，测量膜片3与基板2都是硅。
压力传感器1的上表面设有覆盖层4，其具有接触元件5、6、7和8。在实施例的示例形式中，为了将覆盖层4与基板2电隔离，在基板2与覆盖层4之间提供绝缘层9。例如，绝缘层9是氧化物或者氧化一氮化物。覆盖层4被分割为第一电阻区域10和第二电阻区域11。例如，使用光刻方法和/或蚀刻工艺来分割覆盖层4。覆盖层4的区域10和11具有接触元件5、6、7和8，经由这些接触元件，使得各区域10和11的电阻可以分开确定。在该实施例的形式中，第一区域10实施为屏蔽，其屏蔽外部电场以及可移动的电荷载体对测量元件的影响，并且用于故障检测。第二区域11实施为热敏电阻器，并且用于确定覆盖层4的温度。
薄弯曲片3设有测量元件12和13，其中这里所示出的测量元件12和13实施为压电电阻传感器元件。他们通过离子植入以及后续固化形成在薄弯曲片3中。在这种情况下，测量元件12和13把待测量压力下的薄弯曲片3的挠度转换成电信号，经由相应的连接线路发送该电信号用于其它的处理。
图2示出压力传感器1的平面图的示意图，其中基板2支撑绝缘层9，而绝缘层9设有覆盖层4。覆盖层被分割为两个区域10和11。
第一区域10具有导线14和15，是从区域10延伸出的臂状物并设有接触元件5和6。借助于接触元件5和6，可以在第一区域10两端施加电压和/或确定区域10的电阻。
第一区域10覆盖基板2的薄弯曲片3的区域，一方面，为了确保对外部电场和可移动电荷载体的良好屏蔽，另一方面，为了在薄弯曲片3损坏的情形中感受足够的电阻变化，用来清楚指示该损坏。通过将电势施加到第一区域10产生这种屏蔽。通过监测覆盖层4的第一区域10的电阻来实现故障检测或对覆盖层4和/或薄弯曲片3损坏的检测，因为该区域损坏时，该电阻变化与温度的显著和不规则变化无关。
第二区域11实施为在基板2的薄弯曲片3的区域外与第一区域10相互隔离开。这种分隔使得使用第二区域11进行温度测量而不受压力相关的影响，该压力相关影响由于测量时对薄弯曲片3提供被测压力时产生。此外，第二区域11设有接触元件7和8，用来确定第二区域的电阻。借助于其温度依赖性，根据该电阻可确定温度。绝缘层9仅仅是电绝缘，然而在薄弯曲片3与覆盖层4之间产生的热交换是不受阻碍的。结果是，覆盖层4的温度还对应于薄弯曲片3的温度。借助于经由第二区域11确定的温度，一方面，能补偿测量元件12和13的测量信号的温度曲线，并且另一方面，电阻和/或由其确定的温度，当第一区域10的电阻变化时，可用于检查覆盖层4，或者用作指示覆盖层4和/或薄弯曲片3损坏的参考值。
附图标记列表
1 压力传感器
2 基板
3 薄弯曲片
4 覆盖层
5 接触元件
6 接触元件
7 接触元件
8 接触元件
9 绝缘层
10 第一区域
11 第二区域
12 测量元件
13 测量元件
14 导线
15 导线
Claims (10)
1.压力传感器(1)，包括：
基板(2)，具有形成于其中的测量膜片(3)，且配备有传感器元件(12，13)，优选所述传感器元件是植入式高掺杂压电电阻传感器元件；
导电覆盖层(4)，优选该覆盖层(4)是低掺杂的多晶硅，其中该覆盖层(4)具有电接触元件(5，6，7，8)且通过绝缘层(9)与所述基板(2)电隔离开，
其特征在于
所述覆盖层(4)被分割成彼此电隔离的两个区域(10，11)以使得各自电阻可测量。
2.根据权利要求1所述的压力传感器(1)，其中，所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)完全地或者部分地覆盖所述测量膜片(3)，并且所述覆盖层(4)的第二电阻区域(11)布置成使得在其上的所述测量膜片(3)的机械反应小到可忽略不计。
3.根据前述权利要求之一所述的压力传感器(1)，其中，所述覆盖层(4)的第一区域(10)和第二区域(11)分别设有至少两个接触元件(5，6，7，8)以用于电接触。
4.根据前述权利要求之一所述的压力传感器(1)，其中，所述覆盖层(4)与所述传感器元件(12，13)具有不同的掺杂度。
5.根据前述权利要求之一所述的压力传感器(1)，其中，所述覆盖层(4)沉积在所述绝缘层(9)上，并且通过光刻和/或蚀刻的方法进行分割。
6.根据前述权利要求之一所述的压力传感器(1)，其中，所述覆盖层(4)至少部分地或全部地由多晶硅组成。
7.使用压力传感器(1)的方法，该压力传感器包括：基板(2)，测量膜片(3)以及分割的导电覆盖层(4)，该覆盖层(4)具有两个区域(10，11)以及电接触元件(5，6，7，8)，其中
-测量所述覆盖层(4)的第二电阻区域(11)的电阻，
-根据所测量的电阻，确定所述覆盖层(4)的温度，以及
-借助于所确定的温度，补偿所述压力传感器(1)的压力测量信号的温度影响。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，测量所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)的电阻，并且在该电阻变化的情况下，指示所述覆盖层(4)和/或所述测量膜片(3)的损坏。
9.根据权利要求7或8的方法，其中，所述覆盖层(4)的第一电阻区域(10)相对于外部电场屏蔽所述测量膜片(3)的传感器元件(12，13)。
10.根据权利要求7或8或9的方法，其中，经由优化的测量元件(12，13)确定与压力有关的信号。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111433579A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-17 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器的屏蔽构造以及具备该屏蔽构造的压力传感器 |
| CN117030078A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-11-10 | 无锡胜脉电子有限公司 | 一种硅力敏感芯片及其制备方法、封装方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012202035B4 (de) * | 2012-02-10 | 2014-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauelement mit einer Membran |
| DE102015117736A1 (de) * | 2015-10-19 | 2017-04-20 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Druckmesseinrichtung |
| US10065853B2 (en) * | 2016-05-23 | 2018-09-04 | Rosemount Aerospace Inc. | Optimized epoxy die attach geometry for MEMS die |
| JP6992482B2 (ja) * | 2017-12-18 | 2022-01-13 | 富士電機株式会社 | 圧力センサ |
| US10564060B2 (en) * | 2018-02-09 | 2020-02-18 | General Electric Company | Pressure sensing devices, systems, and methods for alleviating interference from moisture |
| WO2021131615A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 北陸電気工業株式会社 | 半導体力センサ |
| DE102020209982A1 (de) | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Anbauteil für ein Fahrzeug |
| US11573143B2 (en) | 2021-04-21 | 2023-02-07 | Vitesco Technologies USA, LLC | Mems pressure sensing element with stress adjustors to minimize thermal hysteresis induced by electrical field |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1474938A (zh) * | 2000-11-15 | 2004-02-11 | ������˹�ͺ�ɪ�����Ϲ�˾ | 压力传感器及其装配方法 |
| CN1596367A (zh) * | 2001-11-27 | 2005-03-16 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压力传感器 |
| CN1977154A (zh) * | 2004-06-29 | 2007-06-06 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压力传感器 |
| US20070148788A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Delta Electronics, Inc. | Semiconductor piezoresistive sensor and operation method thereof |
| CN101627292A (zh) * | 2007-03-05 | 2010-01-13 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压力传感器 |
| CN102683426A (zh) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 横河电机株式会社 | 半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3041756A1 (de) * | 1980-11-05 | 1982-06-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Drucksensor |
| DE3319605A1 (de) | 1983-05-30 | 1984-12-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor mit polykristallinen silicium-widerstaenden |
| US6422088B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-07-23 | Denso Corporation | Sensor failure or abnormality detecting system incorporated in a physical or dynamic quantity detecting apparatus |
| DE10346576A1 (de) * | 2003-10-07 | 2005-05-04 | Bosch Gmbh Robert | Layoutmaßnahmen |
| DE102007014468A1 (de) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensor-Chip |
| CN101344447A (zh) * | 2007-07-13 | 2009-01-14 | 清华大学 | 微机电压力传感器 |
-
2012
- 2012-10-01 DE DE102012109325.3A patent/DE102012109325A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-09-24 WO PCT/EP2013/069763 patent/WO2014053350A2/de active Application Filing
- 2013-09-24 US US14/432,528 patent/US9689766B2/en active Active
- 2013-09-24 EP EP13766300.1A patent/EP2904363B1/de active Active
- 2013-09-24 CN CN201380051412.1A patent/CN104755895B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1474938A (zh) * | 2000-11-15 | 2004-02-11 | ������˹�ͺ�ɪ�����Ϲ�˾ | 压力传感器及其装配方法 |
| CN1596367A (zh) * | 2001-11-27 | 2005-03-16 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压力传感器 |
| CN1977154A (zh) * | 2004-06-29 | 2007-06-06 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压力传感器 |
| US20070148788A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Delta Electronics, Inc. | Semiconductor piezoresistive sensor and operation method thereof |
| CN101627292A (zh) * | 2007-03-05 | 2010-01-13 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压力传感器 |
| CN102683426A (zh) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 横河电机株式会社 | 半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111433579A (zh) * | 2017-11-30 | 2020-07-17 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器的屏蔽构造以及具备该屏蔽构造的压力传感器 |
| CN111433579B (zh) * | 2017-11-30 | 2021-07-23 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器的屏蔽构造以及具备该屏蔽构造的压力传感器 |
| CN117030078A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-11-10 | 无锡胜脉电子有限公司 | 一种硅力敏感芯片及其制备方法、封装方法 |
| CN117030078B (zh) * | 2023-08-10 | 2024-03-15 | 无锡胜脉电子有限公司 | 一种硅力敏感芯片及其制备方法、封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US9689766B2 (en) | 2017-06-27 |
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| DE102012109325A8 (de) | 2014-07-10 |
| WO2014053350A3 (de) | 2014-06-19 |
| CN104755895B (zh) | 2017-06-09 |
| EP2904363A2 (de) | 2015-08-12 |
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