CN104749906B - 一种监控光刻机台稳定性的方法及系统 - Google Patents

一种监控光刻机台稳定性的方法及系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种监控光刻机台稳定性的方法及系统，可以实时采集光刻机台的相关光刻工艺参数，通过向量化矩阵的分析手段，准确地监控光刻机台的运行情况，保证光刻机台工作的稳定性，同时其向量化矩阵的分析结果能够较准确地预测光刻后的结果；进一步地，这些预测结果可以用于对光刻机台的对焦深失稳或剂量异常等情况进行报警处理，从而提高了数据收集效率；此外，应用本发明所获得的预测结果，能有效减少因量测机台数量和吞吐量不足对于量测能力的需要，从而直接减少量测机台的购买需要，能够节约大量资金，降低光刻机台的监控运行成本。

Description

一种监控光刻机台稳定性的方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种监控光刻机台稳定性的方法及系统。
背景技术
目前，伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的集成电路(IC)随后到大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)，直至今天的特大规模集成电路(ULSI)，器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。其中，半导体制造工艺中涉及数百道详细而复杂的工艺，必须按照严格的工艺生产条件生产器件。半导体制造工艺包括光刻工艺、刻蚀工艺、沉积工艺、注入工艺和化学机械抛光工艺等，在整个制造工艺中，对器件良率影响最大且复杂的工艺是光刻工艺。光刻技术作为半导体工业中最为关键的技术，在半导体工业半个多世纪的进化历程中为整个产业的发展提供了强有力的技术支撑。由于目前的光学分辨率已经是曝光波长的1/2甚至1/3，已经非常接近光学极限，因此对光刻机、光学镜头乃至光路的要求就更加的苛刻，若由于光刻机台振动、厂房地基下沉等不可见因素导致的发生光线偏移，那即便光刻设备造价昂贵，但所制造的芯片仍然无法满足工艺的需求。因此，大规模集成电路从200mm硅片进入300mm硅片制造后，由于更先进的制程和更高的工艺均匀性的需要，对应的光刻设备较200mm时代的设备具备更多的传感器和更复杂的监控系统(如美国专利：US20130258310)。来实时(realtime)和原位(in-situ)收集到光刻机台的数据，来实现光刻机台工作状况的监控，以使得操作人员能在光刻机台工作意外的时候停止光刻制程。显然，收集到的这些数据仅仅是用来监控机况，而未能被进行深度分析，以起到更大的作用，造成资源浪费以及光刻机监控运行成本高的问题。
因此，需要一种光刻机台稳定性的监控方法及监控系统，能够对光刻作业过程进行监控，收集光刻机台的多种工艺参数数据，并对这些数据进行分析以预测光刻机台的光刻结果，保证光刻机台工作的稳定性，降低光刻机监控运行成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种监控光刻机台稳定性的方法及系统，能够对光刻作业过程进行监控，收集光刻机台的多种工艺参数数据，并对这些数据进行分析以预测光刻机台的光刻结果，保证光刻机台工作的稳定性，降低光刻机台的监控运行成本。
为解决上述问题，本发明提供一种监控光刻机台稳定性的方法，包括：
步骤S1，收集光刻机台上同一批次中已完成光刻的多片晶圆光刻时的光刻工艺参数；
步骤S2，对所述光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵；
步骤S3，对向量矩阵进行预定义的矩阵运算；
步骤S4，对所述已完成光刻的每片晶圆的光刻结果进行特征量测，根据所述矩阵运算结果和所述特征量测结果，建立光刻机台对同一批次晶圆光刻的特征预测公式；
步骤S5，实时收集光刻机台上同一批次中正在光刻的晶圆的光刻工艺参数，并按照步骤S2～S3获得正在光刻的晶圆的矩阵运算结果；
步骤S6，依据正在光刻的晶圆的矩阵运算结果和所述特征预测公式获得正在光刻的晶圆的特征预测值，以预测正在光刻的晶圆的光刻结果，若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值稳定，则光刻机台稳定，正在光刻的晶圆的光刻结果良好；若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值波动，则光刻机台有异常，暂停正在光刻的晶圆的光刻制程。
进一步的，所述光刻工艺参数包括光源性质参数和对准参数。
进一步的，所述光源性质参数包括对焦数值、能量剂量和照明模式中的至少一种，所述对准参数包括水平方向对准精度X、竖直方向对准精度Y和光刻机台水平高度中的至少一种。
进一步的，步骤S2具体包括：
对所述光源性质参数和对准参数进行归一化，形成单位向量的各个分量；
以所述光源性质参数为行，以所述对准参数为列，以归一化后的光源性质参数与归一化后的对准参数的比值为矩阵元素，构建向量矩阵；
或者，以所述光源性质参数为列，以所述对准参数为行，以归一化后的对准参数与归一化后的光源性质参数的比值为矩阵元素，构建向量矩阵。
进一步的，步骤S3中预定义的矩阵运算包括矩阵的求模运算或求逆运算。
进一步的，步骤S4的特征量测中量测的特征包括晶圆的关键尺寸和/或套刻精度。
进一步的，所述方法还包括：步骤S7，在步骤S6的暂停正在光刻的晶圆的光刻制程之后，通过量测机台确定所述特征预测值是否合理，若合理，则继续正在光刻的晶圆的光刻制程，若不合理，则进行光刻机台的异常报警。
进一步的，所述方法还包括：步骤S8，在步骤S6计算出正在光刻的晶圆的特征预测值之后，依据所述特征预测值与正在光刻的晶圆的光刻目标值的差值，调整正在光刻的晶圆的光刻工艺参数以顺利完成所述同一批次中正在光刻以及待光刻的晶圆的光刻制程。
本发明还提供一种应用上述方法之一监控光刻机台稳定性的系统，包括：
参数收集模块，用于收集光刻机台对同一批次中已完成光刻的多片晶圆光刻时的光刻工艺参数，以及实时收集光刻机台对同一批次中正在光刻的晶圆的光刻工艺参数；
向量化重构模块，用于对所述参数收集模块收集的已完成光刻的多片晶圆以及正在光刻的晶圆的光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵；
矩阵运算模块，用于对所述向量化重构模块建立的向量矩阵进行预定义的矩阵运算；
特征预测模块，用于接收量测机台对各片晶圆的光刻结果进行特征量测的结果，并根据所述矩阵运算模块的矩阵运算结果和所述特征量测的结果，建立光刻机台对同一批次晶圆光刻的特征预测公式；
预测处理单元，用于依据矩阵运算模块中的正在光刻的晶圆的矩阵运算结果和所述特征预测模块建立的特征预测公式获得正在光刻的晶圆的特征预测值，以预测正在光刻的晶圆的光刻结果，若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值稳定，则判定光刻机台稳定，预测出正在光刻的晶圆的光刻结果良好；若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值波动，则判定光刻机台有异常，暂停正在光刻的晶圆的光刻制程。
进一步的，所述预测处理单元还用于在暂停正在光刻的晶圆的光刻制程之后，通过量测机台确定计算出的正在光刻的晶圆的特征预测值是否合理，若合理，则继续正在光刻的晶圆的光刻制程，若不合理，则进行光刻机台的异常报警。
进一步的，所述预测处理单元还用于在计算出正在光刻的晶圆的特征预测值之后，依据所述特征预测值与正在光刻的晶圆的光刻目标值的差值，调整正在光刻的晶圆的光刻工艺参数以顺利完成所述同一批次中正在光刻以及待光刻的晶圆的光刻制程。
与现有技术相比，本发明提供的监控光刻机台稳定性的方法及系统，可以实时采集光刻机台的相关光刻工艺参数，通过向量化矩阵的分析手段，准确地监控光刻机台的运行情况，保证光刻机台工作的稳定性，同时其向量化矩阵的分析结果能够较准确地预测光刻后的结果(包括但不局限于关键尺寸CD、套刻精度overlay等)；进一步地，这些预测结果可以用于对光刻机台的对焦深(DOF)失稳或剂量(dose)异常等情况进行报警处理，还可以用于APC系统的反馈或者用于FDC系统的实时报警监控，从而提高了数据收集效率；此外，应用本发明所获得的预测结果，能有效减少因量测机台数量和吞吐量不足对于量测能力的需要，从而直接减少量测机台的购买需要，能够节约大量资金，降低光刻机台的监控运行成本。
附图说明
图1是本发明实施例一的监控光刻机台稳定性的方法流程图；
图2是本发明实施例二的监控光刻机台稳定性的方法流程图；
图3是本发明实施例三的监控光刻机台稳定性的系统模块图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明，然而，本发明可以用不同的形式实现，不应只是局限在所述的实施例。
实施例一
请参考图1，本实施例提供一种监控光刻机台稳定性的方法，包括S1至S7步骤，具体如下：
步骤S1，收集光刻机台上同一批次中已完成光刻的多片晶圆光刻时的光刻工艺参数，本实施例中收集了批次A中已完成光刻的第1到n-1(n大于1)片晶圆在光刻机光刻过程中的光刻工艺参数，如对焦数值、能量剂量、照明模式等光源性质参数和水平方向对准精度X、竖直方向对准精度Y、stage水平高度等对准参数。
步骤S2，对所述光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵，具体地，首先，对步骤S1收集到的数据(如对焦数值，能量剂量，照明模式，对准精度X，对准精度Y，stage水平高度等)进行归一化，形成单位向量的各片分量，如等；接着，以光源性质参数(如对焦数值，能量剂量，照明模式)为行，以对准参数为列(如对准精度X，对准精度Y，stage水平高度等)，以归一化后的光源性质参数与归一化后的对准参数的比值为矩阵元素，或者，以所述光源性质参数为列，以所述对准参数为行，以归一化后的对准参数与归一化后的光源性质参数的比值为矩阵元素，构建向量矩阵A，优先选用关键光刻参数。例如以行＝(对焦数值，能量剂量，照明模式)，列＝(对准精度X，对准精度Y，stage水平高度)构建的向量矩阵A为例，向量矩阵K的形式为：
其中，其他元素以此类推。
步骤S3，对向量矩阵进行预定义的矩阵运算，所述预定义的矩阵运算包括但不局限于矩阵的求模运算，求逆运算等。以求模运算为例，向量矩阵K的模为B。
步骤S4，对所述已完成光刻的每片晶圆的光刻结果进行特征量测，根据所述矩阵运算结果和所述特征量测结果，建立光刻机台对同一批次晶圆光刻的特征预测公式，即将获得的结果与在线量测数据(inline measurement data)进行匹配，对其进行校准，获得特征预测公式。以关键尺寸(CD，critical dimension)为例，令：
其中CD为真实量测值，Ci为待定常数，C0为常数。
以多次收集到的CD和B值为基础，计算出常数Ci数集，由此获得了关键尺寸预测公式：
同理可以获得套刻精度overlay以及其他量测参数的预测公式。
步骤S5，实时收集光刻机台上同一批次中正在光刻的晶圆的光刻工艺参数，并按照步骤S2～S3获得正在光刻的晶圆的矩阵运算结果。例如，批次A中第n片晶圆开始光刻，实时收集其光刻工艺参数，构建好第n片晶圆的向量矩阵Kn，矩阵运算后得到向量矩阵Kn的Bn值。
步骤S6，依据正在光刻的晶圆的矩阵运算结果和所述特征预测公式获得正在光刻的晶圆的特征预测值，以预测正在光刻的晶圆的光刻结果，若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值稳定，则光刻机台稳定，正在光刻的晶圆的光刻结果良好；若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值波动，则光刻机台有异常，暂停正在光刻的晶圆的光刻制程。具体地，以预测第n片晶圆的关键尺寸(CD，critical dimension)为例，将步骤S5中获得的Bn值代入步骤S4获得关键尺寸预测公式中，就可以预测出正在光刻的第n片晶圆光刻完成后的关键尺寸CDn，如果光刻机台稳定，则预测到的CDn结果稳定，若预测到的CDn结果出现波动，则执行步骤S7：在步骤S6的暂停正在光刻的晶圆的光刻制程之后，通过量测机台确定所述特征预测值是否合理或合规，若合理或合规，则继续正在光刻的晶圆的光刻制程，若不合理或不合规，则进行光刻机台工作状况的异常报警，提醒相关人员进行处理。其中，可以计算出预测出的CDn与已完成光刻的晶圆的特征值CD1～CDn-1的差值或者预测出的CDn与第n片晶圆光刻设定的目标值的差值，判断该差值是否在设定的合理范围内来判断出预测到的CDn结果是稳定还是波动，若该差值在设定的合理范围内，表明预测到的CDn结果稳定，若该差值超出设定的合理范围，表明预测到的CDn结果波动。
需要说明的是，收集已完成光刻的晶圆的光刻工艺参数时，不限于对所有已完成光刻的晶圆进行收集，也可以从第1至n-1片晶圆中挑选出多片晶圆进行收集，选择的晶圆数量能够保证得出特征预测公式即可。同时，完成第n片晶圆的光刻之后，若第n片晶圆为批次A中最后一片需光刻的晶圆，则结束批次A的光刻制程，进入下一步工艺；若第n片晶圆不是批次A中最后一片需光刻的晶圆，则循环执行步骤S1至S7，直至完成该批次A中最后一片需光刻的晶圆的光刻制程，结束。
综上可见，本实施例一提供监控光刻机台稳定性的方法，可以实时采集光刻机台的相关光刻工艺参数，通过向量化矩阵的分析手段，准确地监控光刻机台的运行情况，保证光刻机台工作的稳定性；同时其向量化矩阵的分析结果能够较准确地预测光刻后的结果(包括但不局限于关键尺寸CD、套刻精度overlay等)，根据这些预测结果可以对光刻机台的对焦深(DOF)失稳或剂量(dose)异常等情况进行报警处理，有效减少因量测机台数量和吞吐量不足对于量测能力的需要，从而直接提高了数据收集的效率，减少量测机台的购买需要，能够节约大量资金，降低光刻机台的监控运行成本，可以用于FDC系统的实时报警监控。
实施例二
请参考图2，本实施例提供一种监控光刻机台稳定性的方法，包括步骤S1至S8，具体如下：
步骤S1，收集光刻机台上同一批次中已完成光刻的多片晶圆光刻时的光刻工艺参数；
步骤S2，对所述光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵；
步骤S3，对向量矩阵进行预定义的矩阵运算；
步骤S4，对所述已完成光刻的每片晶圆的光刻结果进行特征量测，根据所述矩阵运算结果和所述特征量测结果，建立光刻机台对同一批次晶圆光刻的特征预测公式；
步骤S5，实时收集光刻机台上同一批次中正在光刻的晶圆的光刻工艺参数，并按照步骤S2～S3获得正在光刻的晶圆的矩阵运算结果；
步骤S6，依据正在光刻的晶圆的矩阵运算结果和所述特征预测公式获得正在光刻的晶圆的特征预测值，计算出正在光刻的晶圆(图2中所示的第n片晶圆)光刻的特征预测值与其光刻设定的目标值的差值；
步骤S8，依据所述差值，调整正在光刻的晶圆的光刻工艺参数以顺利完成所述正在光刻的晶圆的光刻制程。
需要说明的是，完成正在光刻的晶圆的光刻之后，若正在光刻的晶圆为该批次中最后一片需光刻的晶圆，则结束该批次晶圆的光刻制程，进入下一步工艺；若正在光刻的晶圆不是该批次中最后一片需光刻的晶圆，则循环执行步骤S1至S8，直至完成该批次中最后一片需光刻的晶圆的光刻制程，结束。
以关键尺寸CD为例，本实施例中，通过步骤S1至S4可以获得批次A晶圆光刻的关键尺寸特征预测公式；通过步骤S5可以获得正在光刻的晶圆(第n片晶圆)的矩阵运算结果Bn值；通过步骤S6将Bn值代入关键尺寸特征预测公式后，可以预测出正在光刻的晶圆光刻后的关键尺寸CDn，并进一步得出关键尺寸CDn与光刻设定的目标值CDn0的差值ΔCD，将差值ΔCD代入各个光刻工艺参数经验调整公式，即可获得调整后的光刻工艺参数，接着采用调整后的光刻工艺参数继续完成正在光刻的晶圆的光刻，保证光刻结果的稳定性。例如，将差值ΔCD代入光刻能量经验调整公式E＝f(ΔCD)，获得调整后的光刻能量，应用调整后的光刻能量继续完成正在光刻的晶圆的光刻，可以使得正在光刻的晶圆的光刻后的关键尺寸极度接近或者等于设定的目标值。
本实施例与实施例一的区别在于，获得特征预测公式后，能够在得到特征预测值后，对特征预测值进一步分析和应用，使预测结果及时反馈到当前的光刻制程中，保证光刻机台光刻结果的稳定性，能够应用与先进制程控制系统(APC，advanced process control)的反馈调节，提高数据收集效率；此外，应用本发明所获得的预测结果，也能有效减少因量测机台数量和吞吐量不足对于量测能力的需要，从而直接减少量测机台的购买需要，能够节约大量资金。
实施例三
请参考图3，本实施例提供一种监控光刻机台稳定性的系统，包括：
参数收集模块301，用于收集光刻机台对同一批次中已完成光刻的多片晶圆光刻时的光刻工艺参数，以及实时收集光刻机台对同一批次中正在光刻的晶圆的光刻工艺参数；
向量化重构模块302，用于对所述参数收集模块301收集的已完成光刻的多片晶圆以及正在光刻的晶圆的光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵；
矩阵运算模块303，用于对所述向量化重构模块302建立的向量矩阵进行预定义的矩阵运算；
特征预测模块304，用于接收量测机台对各片晶圆的光刻结果进行特征量测的结果，并根据所述矩阵运算模块303的矩阵运算结果和所述特征量测的结果，建立光刻机台对同一批次晶圆光刻的特征预测公式；
预测处理单元305，用于依据矩阵运算模块303中的正在光刻的晶圆的矩阵运算结果和所述特征预测模块304建立的特征预测公式获得正在光刻的晶圆的特征预测值，以预测正在光刻的晶圆的光刻结果，若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值稳定，则判定光刻机台稳定，预测出正在光刻的晶圆的光刻结果良好；若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值波动，则判定光刻机台有异常，暂停正在光刻的晶圆的光刻制程。
参数收集模块301收集的光刻工艺参数包括光源性质参数和对准参数，其中，所述光源性质参数包括对焦数值、能量剂量和照明模式中的至少一种，所述对准参数包括水平方向对准精度X、竖直方向对准精度Y和光刻机台水平高度中的至少一种。
向量化重构模块302对所述参数收集模块301收集的已完成光刻的多片晶圆以及正在光刻的晶圆的光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵的具体过程包括：
对所述光源性质参数和对准参数进行归一化，形成单位向量的各个分量；
以所述光源性质参数为行，以所述对准参数为列，以归一化后的光源性质参数与归一化后的对准参数的比值为矩阵元素，构建向量矩阵；
或者，以所述光源性质参数为列，以所述对准参数为行，以归一化后的对准参数与归一化后的光源性质参数的比值为矩阵元素，构建向量矩阵。
矩阵运算模块303中预定义的矩阵运算包括矩阵的求模运算或求逆运算。
特征预测模块304特征量测的特征包括晶圆的关键尺寸和/或套刻精度。
进一步的，所述预测处理单元305还用于在暂停正在光刻的晶圆的光刻制程之后，通过量测机台确定计算出的正在光刻的晶圆的特征预测值是否合理，若合理，则继续正在光刻的晶圆的光刻制程，若不合理，则进行光刻机台的异常报警。
进一步的，所述预测处理单元305还用于在计算出正在光刻的晶圆的特征预测值之后，依据所述特征预测值与正在光刻的晶圆的光刻目标值的差值，调整正在光刻的晶圆的光刻工艺参数以顺利完成所述同一批次中正在光刻以及待光刻的晶圆的光刻制程。
本实施例的系统可以嵌入式安装到现有的光刻机台控制系统中，实现光刻机台的控制和监控一体化，可以用于APC系统的反馈或者用于FDC系统的实时报警监控，保证光刻机台工作的稳定性，同时根据特征预测结果，对光刻机台的对焦深(DOF)失稳或剂量(dose)异常等情况进行报警处理；此外，应用本发明所获得的预测结果，能有效减少因量测机台数量和吞吐量不足对于量测能力的需要，从而直接减少量测机台的购买需要，能够节约大量资金，降低光刻机台的监控运行成本。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种监控光刻机台稳定性的方法，其特征在于，包括：
步骤S1，收集光刻机台上同一批次中已完成光刻的多片晶圆光刻时的光刻工艺参数，所述光刻工艺参数包括光源性质参数和对准参数；
步骤S2，对所述光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵，具体包括：
对所述光源性质参数和对准参数进行归一化，形成单位向量的各个分量；
以所述光源性质参数为行，以所述对准参数为列，以归一化后的光源性质参数与归一化后的对准参数的比值为矩阵元素，构建向量矩阵；
或者，以所述光源性质参数为列，以所述对准参数为行，以归一化后的对准参数与归一化后的光源性质参数的比值为矩阵元素，构建向量矩阵；
步骤S3，对向量矩阵进行预定义的矩阵运算；
步骤S4，对所述已完成光刻的每片晶圆的光刻结果进行特征量测，根据所述矩阵运算结果和所述特征量测结果，建立光刻机台对同一批次晶圆光刻的特征预测公式；
步骤S5，实时收集光刻机台上同一批次中正在光刻的晶圆的光刻工艺参数，并按照步骤S2～S3获得正在光刻的晶圆的矩阵运算结果；
步骤S6，依据正在光刻的晶圆的矩阵运算结果和所述特征预测公式获得正在光刻的晶圆的特征预测值，以预测正在光刻的晶圆的光刻结果，若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值稳定，则光刻机台稳定，正在光刻的晶圆的光刻结果良好；若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值波动，则光刻机台有异常，暂停正在光刻的晶圆的光刻制程。
2.如权利要求1所述的监控光刻机台稳定性的方法，其特征在于，所述光源性质参数包括对焦数值、能量剂量和照明模式中的至少一种，所述对准参数包括水平方向对准精度X、竖直方向对准精度Y和光刻机台水平高度中的至少一种。
3.如权利要求1所述的监控光刻机台稳定性的方法，其特征在于，步骤S3中预定义的矩阵运算包括矩阵的求模运算或求逆运算。
4.如权利要求1所述的监控光刻机台稳定性的方法，其特征在于，步骤S4的特征量测中量测的特征包括晶圆的关键尺寸和/或套刻精度。
5.如权利要求1至4中任一项所述的监控光刻机台稳定性的方法，其特征在于，所述方法还包括：步骤S7，在步骤S6的暂停正在光刻的晶圆的光刻制程之后，通过量测机台确定所述特征预测值是否合理，若合理，则继续正在光刻的晶圆的光刻制程，若不合理，则进行光刻机台的异常报警。
6.如权利要求1至4中任一项所述的监控光刻机台稳定性的方法，其特征在于，所述方法还包括：步骤S8，在步骤S6获得所述特征预测值之后，依据所述特征预测值与正在光刻的晶圆的光刻目标值的差值，调整正在光刻的晶圆的光刻工艺参数以顺利完成所述同一批次中正在光刻以及待光刻的晶圆的光刻制程。
7.一种应用权利要求1至6中任一项所述的方法监控光刻机台稳定性的系统，其特征在于，包括：
参数收集模块，用于收集光刻机台上同一批次中已完成光刻的多片晶圆光刻时的光刻工艺参数，以及实时收集光刻机台上同一批次中正在光刻的晶圆的光刻工艺参数；
向量化重构模块，用于对所述参数收集模块收集的已完成光刻的多片晶圆以及正在光刻的晶圆的光刻工艺参数进行向量化重构以建立向量矩阵；
矩阵运算模块，用于对所述向量化重构模块建立的向量矩阵进行预定义的矩阵运算；
特征预测模块，用于接收量测机台对各片晶圆的光刻结果进行特征量测的结果，并根据所述矩阵运算模块的矩阵运算结果和所述特征量测的结果，建立光刻机台对同一批次晶圆光刻的特征预测公式；
预测处理单元，用于依据矩阵运算模块中的正在光刻的晶圆的矩阵运算结果和所述特征预测模块建立的特征预测公式获得正在光刻的晶圆的特征预测值，以预测正在光刻的晶圆的光刻结果，若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值稳定，则判定光刻机台稳定，预测出正在光刻的晶圆的光刻结果良好；若所述特征预测值相对已完成光刻的晶圆的特征值波动，则判定光刻机台有异常，暂停正在光刻的晶圆的光刻制程。
8.如权利要求7所述的系统，其特征在于，所述预测处理单元还用于在暂停正在光刻的晶圆的光刻制程之后，通过量测机台确定计算出的正在光刻的晶圆的特征预测值是否合理，若合理，则继续正在光刻的晶圆的光刻制程，若不合理，则进行光刻机台的异常报警；和/或，
所述预测处理单元还用于在计算出正在光刻的晶圆的特征预测值之后，依据所述特征预测值与正在光刻的晶圆的光刻目标值的差值，调整正在光刻的晶圆的光刻工艺参数以顺利完成所述同一批次中正在光刻以及待光刻的晶圆的光刻制程。
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