CN104741975A - 硅片研磨方法 - Google Patents

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沈辉辉
黄春峰
邹晓明
陈建纲
刘苏生
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    • B24—GRINDING; POLISHING
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    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved

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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract

本发明公开了一种硅片研磨方法，其特征在于，采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为265kg-275kg，转速4-6转/min，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第二级压力为140kg-160kg，转速14-16，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第三极压力为110kg-120kg，转速24-26，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第四级压力为90kg-110kg，转速28-32，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第五级压力为65kg-75kg，转速34-36，转速比为0.4-0.6，研磨时间9-11min；各级压力转换之间间隔时间为5-15秒。本发明中的硅片研磨方法，使用PWA9研磨砂，研磨成本可降低10%。而且研磨的产品良率高，因线痕及碎片导致的不良率降低至0.5%。

Description

硅片研磨方法
技术领域
本发明涉及一种硅片研磨方法。
背景技术
硅片研磨是硅片生产中的一道重要工序。现有技术中的研磨工艺，其使用FO1000研磨砂，研磨成本高。PWA9是一种价格更低的研磨砂，但在使用PWA9研磨时，研磨导致硅片表面产生较多划痕，产品良率低。硅片研磨后，因线痕及碎片导致的不良率1.5%。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种研磨成本低的硅片研磨方法。
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：
硅片研磨方法，其特征在于，采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为265kg-275kg，转速4-6转/min，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第二级压力为140kg-160kg，转速14-16，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第三极压力为110kg-120kg，转速24-26，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第四级压力为90kg-110kg，转速28-32，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第五级压力为65kg-75kg，转速34-36，转速比为0.4-0.6，研磨时间9-11min；各级压力转换之间间隔时间为5-15秒。
优选地是，所述硅片为6寸，使用6寸7孔行星片研磨。
优选地是，所述硅片为4寸，使用4寸16孔行星片研磨。
优选地是，所述PWA9砂浆液的重量配比为：PWA9：水：AQUALAP200研磨液为1:（3.8-4.2）：（0.08-0.12）。
本发明中的硅片研磨方法，使用PWA9研磨砂，研磨成本可降低10%。而且研磨的产品良率高，因线痕及碎片导致的不良率降低至0.5%。
附图说明
图1为本发明实施例1、2的行星片结构俯视图。
图2为本发明实施例3、4的行星片结构俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述：
实施例1
硅片研磨方法，如图1所示，硅片为4寸，使用4寸16孔行星片研磨硅片。行星片1上设置有16个容置孔11。硅片放置于容置孔11内研磨。采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为270kg，转速5，转速比为0.5，研磨时间45秒；第二级压力为150kg，转速15，转速比为0.5，研磨时间90秒；第三极压力为115kg，转速25，转速比为0.5，研磨时间90秒；第四级压力为100kg，转速30，转速比为0.5，研磨时间46秒；第五级压力为70kg，转速35，转速比为0.5，研磨时间10min；各级压力转换之间间隔时间为10秒。PWA9砂浆液的重量配比为：PWA9：水：AQUALAP200研磨液为1:4：0.1。
实施例2
硅片研磨方法，硅片为4寸，使用4寸16孔行星片研磨硅片。如图1所示，硅片为4寸，使用4寸16孔行星片研磨硅片。行星片1上设置有16个容置孔11。硅片放置于容置孔11内研磨。采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为269kg，转速6，转速比为0.5，研磨时间45秒；第二级压力为150kg，转速15，转速比为0.4，研磨时间90秒；第三级压力为123kg，转速24，转速比为0.6，研磨时间100秒；第四级压力为95kg，转速35，转速比为0.5，研磨时间45秒；第五级压力为75kg，转速36，转速比为0.5，研磨时间10min；各级压力转换之间间隔时间为9秒。PWA9砂浆液的重量配比为：PWA9：水：AQUALAP200研磨液为1:3.9：0.09。
实施例3
硅片研磨方法，如图2所示，硅片为6寸，使用6寸7孔行星片研磨硅片。行星片1上设置有7个容置孔11。硅片放置于容置孔11内研磨。采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为269kg，转速4，转速比为0.4，研磨时间40秒；第二级压力为146kg，转速14，转速比为0.5，研磨时间80秒；第三极压力为125kg，转速24，转速比为0.6，研磨时间100秒；第四级压力为110kg，转速28，转速比为0.4，研磨时间42秒；第五级压力为80kg，转速34，转速比为0.5，研磨时间9min；各级压力转换之间间隔时间为11秒。PWA9砂浆液的重量配比为：PWA9：水：AQUALAP200研磨液为1:4.1：0.12。
实施例4
硅片研磨方法，如图2所示，硅片为6寸，使用6寸7孔行星片研磨硅片。行星片1上设置有7个容置孔11。硅片放置于容置孔11内研磨。采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为272kg，转速6，转速比为0.5，研磨时间50秒；第二级压力为151kg，转速16，转速比为0.5，研磨时间90秒；第三级压力为120kg，转速25，转速比为0.5，研磨时间90秒；第四级压力为90kg，转速32，转速比为0.5，研磨时间46秒；第五级压力为75kg，转速36，转速比为0.5，研磨时间11min；各级压力转换之间间隔时间为9秒。PWA9砂浆液的重量配比为：PWA9：水：AQUALAP200研磨液为1:4：0.09。
以上各实施例研磨硅片，研磨成本比使用FO1000研磨砂成本可降低10%。线痕及碎片导致的不良率降低至1.5%。
本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。

Claims (4)

1.硅片研磨方法，其特征在于，采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压力为265kg-275kg，转速4-6转/min，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第二级压力为140kg-160kg，转速14-16，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第三极压力为110kg-120kg，转速24-26，转速比为0.4-0.6，研磨时间60-120秒；第四级压力为90kg-110kg，转速28-32，转速比为0.4-0.6，研磨时间40-50秒；第五级压力为65kg-75kg，转速34-36，转速比为0.4-0.6，研磨时间9-11min；各级压力转换之间间隔时间为5-15秒。
2.根据权利要求1所述的硅片研磨方法，其特征在于，所述硅片为6寸，使用6寸7孔行星片研磨。
3.根据权利要求1所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，所述硅片为4寸，使用4寸16孔行星片研磨。
4.根据权利要求1所述的硅单晶片抛光方法，其特征在于，所述PWA9砂浆液的重量配比为：PWA9：水：AQUALAP200研磨液为1:（3.8-4.2）：（0.08-0.12）。
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Cited By (4)

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