CN104741776A - 靶材组件的焊接方法 - Google Patents

Abstract

一种靶材组件的焊接方法，包括：提供靶材、背板和第一盖板，背板包括底板、设置于底板上并与底板连接的第二盖板，底板靠近第二盖板底面的位置处具有冷却水道；第二盖板顶面具有第一凹槽，第一凹槽底面具有第二凹槽；将靶材置于第二凹槽内，并将靶材的待焊接面与第二凹槽底面接触，之后，将第一盖板置于第一凹槽内与第二盖板拼接成真空包套；对真空包套进行密封处理并抽真空，之后做闭气处理；将闭气处理后的真空包套放入热等静压炉中，利用热等静压工艺将靶材的待焊接面与第二凹槽底面焊接形成靶材组件；焊接完成后，对真空包套进行冷却，去除第一盖板以获得靶材组件。采用本发明的方法能够提高背板的冷却效果。

Description

靶材组件的焊接方法

技术领域

本发明涉及半导体溅射靶材制造领域，尤其涉及一种靶材组件的焊接方法。

背景技术

在真空溅镀工艺中，靶材组件由符合溅射性能的靶材和具有一定强度的背板构成。所述背板不仅在所述靶材组件中起到支撑作用，而且具有传导热量的功效，因此，用于真空溅镀工艺中靶材的散热。具体为：

在真空溅镀过程中，靶材组件工作环境较为苛刻。其温度较高（如300℃至500℃），靶材组件处于高压电场和磁场强度较大的磁场中，且正面在10^-9Pa的高真空环境下，受到各种高能量离子轰击，致使靶材发生溅射，而溅射出的中性靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。靶材组件的温度会急剧升高，因而需要通过靶材组件中的背板传递并迅速消散靶材的热量，并避免由此产生靶材组件变形、靶材组件使用寿命减短、影响基片镀膜质量等问题。现有技术中，在背板内设置冷却水道，冷却水道中的冷却水可以吸收并迅速消散靶材和背板的热量，因此带有冷却水道的背板可以防止靶材组件变形、提高靶材组件的使用寿命和提高镀膜质量。

然而，采用现有技术的方法形成的带有冷却水道的靶材组件应用至磁控溅镀工艺时，冷却效果不好，从而影响靶材组件的使用寿命和影响镀膜质量，严重时，该靶材组件无法被应用于磁控溅镀工艺。

发明内容

本发明要解决的技术问题是采用现有技术的方法形成的带有冷却水道的靶材组件应用至磁控溅镀工艺时，冷却效果不好，从而影响靶材组件的使用寿命和影响镀膜质量，严重时，该靶材组件无法被应用于磁控溅镀工艺。

为解决上述技术问题，本发明提供一种靶材组件的焊接方法，包括以下方法步骤：

提供靶材、背板和第一盖板，所述背板包括底板、设置于底板上并与底板连接的第二盖板，所述底板靠近第二盖板底面的位置处具有冷却水道；

所述第二盖板顶面具有第一凹槽，所述第一凹槽底面具有第二凹槽；

将所述靶材置于所述第二凹槽内，并将所述靶材的待焊接面与所述第二凹槽底面接触，之后，将所述第一盖板置于所述第一凹槽内与所述第二盖板拼接成真空包套；

对所述真空包套进行密封处理并抽真空，之后做闭气处理；

将所述闭气处理后的真空包套放入热等静压炉中，利用热等静压工艺将所述靶材的待焊接面与所述第二凹槽底面焊接形成靶材组件；

焊接完成后，对真空包套进行冷却，去除第一盖板以获得靶材组件。

可选的，所述靶材顶面与所述第二凹槽侧壁顶面相平，或者，所述靶材顶面高于所述第二凹槽侧壁0.3～0.5mm。

可选的，所述第一凹槽侧壁的厚度为2mm～3mm，所述第一凹槽侧壁的高度为10～20mm。

可选的，所述第一盖板为片状结构，所述第一盖板顶面具有第三凹槽，所述第三凹槽底面与第一盖板底面之间的距离为2～3mm。

可选的，将所述第一盖板置于所述第一凹槽内与所述第二盖板拼接成真空包套包括：

所述第三凹槽与第一凹槽开口方向相同，所述第三凹槽侧壁与所述第一凹槽侧壁相对且具有缝隙；

所述第三凹槽底面具有通孔，所述通孔底部露出所述第一凹槽底面，将脱气管插入所述通孔中。

可选的，所述缝隙的尺寸为小于等于0.5mm。

可选的，对所述真空包套进行密封处理并抽真空，之后做闭气处理包括：

采用氩弧焊将所述第一凹槽侧壁与第三凹槽侧壁之间的缝隙进行密封；

将真空设备与所述脱气管连接，对所述真空包套进行抽真空；

当真空包套内的真空度达到预定值后，对所述脱气管进行密封。

可选的，所述第一凹槽侧壁顶部与第三凹槽侧壁相对处具有第一圆形导角、第三凹槽侧壁顶部与第一凹槽侧壁相对处具有第二圆形导角，所述第一圆形导角和所述第二圆形导角使第一凹槽侧壁顶部与第三凹槽侧壁顶部之间的缝隙尺寸变大。

可选的，所述靶材的材料为钛，所述背板的材料为纯铝或铝合金，所述第二盖板的材料为纯铝或铝合金。

可选的，利用热等静压工艺将所述靶材的待焊接面与所述第二凹槽底面焊接形成靶材组件的步骤包括：

使所述真空包套的外部环境温度为大于等于400℃且小于等于500℃、外部环境压强为大于等于100Mpa；

对位于所述环境温度、环境压强下的所述真空包套进行保温、保压大于等于3且小于等于5小时。

与现有技术相比，本发明的技术方案的优点在于：

本实施例中，第一盖板与第二盖板形成的真空包套并没有将底板内部的冷却水道设置在上述包套内，因此，在热等静压工艺过程中，冷却水道不会被挤压出现变形的情况，进而也不会出现冷却水道因变形严重被堵塞的现象。因此，采用本发明的方法形成的靶材组件应用于磁控溅镀工艺时冷却效果好。从而可以提高靶材组件的使用寿命，还可以提高镀膜质量。

附图说明

图1是现有技术中，采用热等静压工艺形成的靶材组件的结构示意图；

图2～图4是本发明的具体实施例中的靶材组件形成方法的剖面结构示意图；

图5为靶材的待焊接面形成的螺纹凸起结构的平面放大示意图；

图6是沿图5AA方向的截面放大示意图。

具体实施方式

现有技术中，带有冷却水道的靶材组件的形成方法具体如下：

参考图1，提供靶材11和背板12。背板12包括底板122、设置于底板122上并与底板122连接的盖板121，所述底板122靠近盖板121底面的位置处具有冷却水道13。盖板121顶面具有凹槽，所述凹槽用于放置靶材11。

将靶材11置于盖板121顶面的凹槽内，并且使得靶材11的待焊接面与凹槽底面接触，形成靶材组件坯料。然后将靶材组件坯料整体置于真空包套14中，对真空包套14进行热等静压处理，使得靶材11的待焊接面与凹槽底面进行焊接形成带冷却水道的靶材组件。

热等静压工艺中的压力是各向均等压力，背板中的冷却水道侧壁比较薄，在靶材与背板的焊接过程中，热等静压的压力容易导致冷却水道变形，形成的带水道的靶材组件应用于真空溅镀工艺时，会影响该靶材组件的散热，因此，形成的带水道的靶材组件冷却效果差。严重的时候，冷却水道的局部变形较大，使得该处的冷却水道发生堵塞，形成的带冷却水道的靶材组件没有快速散热途径，因此无法应用于真空溅镀工艺

因此，本发明获得了一种带水道的靶材组件的形成方法，以解决上述技术问题。

参考图2，执行步骤S11，提供靶材21、背板22和第一盖板26，所述背板22包括底板222、设置于底板222上并与底板连接的第二盖板221，所述底板222靠近第二盖板221底面的位置处具有冷却水道23；所述第二盖板221顶面具有第一凹槽24，所述第一凹槽24底面具有第二凹槽25，所述第二凹槽25用于放置所述靶材21，所述第一凹槽24用于放置所述第一盖板26，所述第一盖板26覆盖所述靶材21顶面并与所述第二盖板221拼接成真空包套。

本实施例中，靶材21的材料为钛，为圆柱体结构，包括待焊接面、与待焊接面相对的溅射面、将待焊接面和溅射面连接的面为靶材21的侧面。

背板22的材料为铝或铝合金，也为圆柱体，包括底板222、设置于底板222上并与底板222连接的第二盖板221。底板222和第二盖板221都为圆柱体。冷却水道23的形成方法具体如下：底板222靠近第二盖板221底面的位置处具有冷却水道凹槽，将第二盖板221底面与具有冷却水道凹槽的底板222进行焊接，在底板222靠近第二盖板221底面的位置处形成冷却水道23。

第二盖板221中的第一凹槽24与第二凹槽25都为圆形槽，且同轴。所述第二凹槽25用于放置所述靶材21，所述第一凹槽24用于放置第一盖板26，第一盖板26与所述第二盖板221可拼接成真空包套。

第一盖板26的材料为铝或铝合金，之所以选用铝或铝合金，原因如下：第一盖板与第二盖板221可拼接成真空包套，为了使上述真空包套制作方便，最好使得真空包套为同材料。本实施例中，第一盖板26为圆片结构，所述第一盖板26顶面具有第三凹槽27，所述第三凹槽底面与第一盖板26底面之间的距离和第三凹槽侧壁的厚度为第一盖板的厚度，因此，第一盖板的厚度为2～3mm。之所以将第一盖板的厚度设置为2～3mm，原因如下：上述距离如果大于3mm，后续热等静压工艺中，由第一盖板26制备的包套压力传导的效果不好；上述距离如果小于2mm，后续热等静压工艺中，第一盖板26太薄，容易破损。需要说明的是，为了能够使得后续由第一盖板和第二盖板拼接形成的真空包套密封效果更好，将第三凹槽侧壁的高度与第一凹槽侧壁的高度相等，都为10～20mm。

本实施例中，第一盖板26的形成方法如下：提供一个圆片，将该圆片的边缘至圆片中心的预定距离处全部向上折起，这样，第一盖板26顶面具有第三凹槽27。全部向上折起的部分为第三凹槽27的侧壁。之所以采用上述方法形成第一盖板26，可以节省第一盖板26的原料成本。原因如下：现有技术中，第二盖板的形成方法为，提供一个圆块，在所述圆块的表面车削形成第三凹槽，这样原来在第三凹槽处的圆块部分就被车削成屑，浪费成本。

接着，参考图3，执行步骤S12，将所述靶材21置于所述第二凹槽24内，并将所述靶材的待焊接面与所述第二凹槽24底面接触，之后，将所述第一盖板26置于所述第一凹槽24内与所述第二盖板221拼接成真空包套。

本实施例中，当靶材21置入第二凹槽24后，所述靶材顶面高于所述第二凹槽侧壁预定距离h，其中h为0.3～0.5mm。原因如下：后续热等静压工艺时，靶材顶面相对于背板的第一凹槽底面来说，优先会受到竖直向下的热等静压力，这样有利于靶材的待焊接面与第二凹槽底面进行焊接，而且能够增加靶材的待焊接面与第二凹槽底面的焊接强度。需要说明的是，靶材顶面不能低于第二凹槽侧壁。原因如下：靶材顶面如果低于第二凹槽侧壁，第一盖板26受到竖直向下方向的热等静压力时，在第一盖板26在靶材的边缘处会发生下凹现象，而第一盖板26的下凹处会使得该处的靶材受到竖直方向的热等静压力减小，从而使得靶材边缘与第二凹槽边缘的焊接强度不佳，严重时，并没有实现靶材边缘与第二凹槽边缘的焊接，后续形成的靶材组件在靶材边缘处会出现一条黑缝，从而影响形成靶材组件的美观，严重时，影响磁控溅镀效果，例如，在靶材边缘处会产生异常放电现象。

其他实施例中，靶材顶面也可以等于第二凹槽侧壁顶面。

需要说明的是：在靶材的待焊接面上加工凸出结构可以增加靶材的待焊接面与背板凹槽底面的接触面积，从而在后续的焊接工艺中，可以增加焊接强度。经过创造性的劳动，发现在靶材的待焊接面进行机械加工形成下述螺纹凸出结构，靶材与背板形成的靶材组件的焊接结合强度最高，焊接效率也最高。

图5为靶材的待焊接面形成的螺纹凸起结构的平面放大示意图。图6是沿图5的AA方向的截面放大示意图。请结合参考图3和图4，螺纹凸起结构的截面形状为多个底角相连的等腰三角形，每个三角型称为牙型，螺纹图案的牙型高度H1为0.19mm～0.43mm（包括端点），牙型底边的距离W1为0.44mm～0.7mm（包括端点）。相邻两牙型侧壁间的夹角为牙型角α1等于60度，相邻两牙型之间为螺纹图案的凹槽部分，且相邻两牙型之间的距离为螺距L1等于0.44mm～0.7mm（包括端点）。

将靶材放入第二凹槽25后，将所述第一盖板26置于所述第一凹槽24内与所述第二盖板221拼接成真空包套的具体内容如下：

当第一盖板26放入第一凹槽24时，使第三凹槽27的开口方向与第一凹槽24的开口方向相同，将所述第三凹槽27侧壁与所述第一凹槽25侧壁相对，并且，第三凹槽27侧壁与第一凹槽25侧壁具有缝隙。所述缝隙的尺寸小于等于0.5mm，之所以将缝隙的尺寸设置为小于等于0.5mm，是因为该缝隙处如果太大，无法实现将第三凹槽侧壁和第一凹槽侧壁之间进行密封处理，从而使得后续工艺中，无法实现将第一盖板与第二盖板拼接成真空包套。

本实施例中，第三凹槽27底面具有通孔28，当第一盖板放置在第一凹槽24时，通孔28底部露出所述第一凹槽24底面，将脱气管插入所述通孔中，用于实现对真空包套的抽气。

接着，参考图4，对所述真空包套进行密封处理并抽真空，之后做闭气处理。

采用氩弧焊接将所述第一凹槽侧壁与第三凹槽侧壁之间的缝隙进行密封。氩弧焊技术是在普通电弧焊的原理的基础上，利用氩气对脱气管的焊接处进行保护，通过高电流使第一凹槽侧壁与第三凹槽侧壁的缝隙处融化成液态形成溶池，该缝隙处和焊材达到冶金结合的一种焊接技术，由于在高温熔融焊接中不断送上氩气，使该缝隙处不能和空气中的氧气接触，从而防止了该缝隙处处的氧化。

其中，氩弧焊的工艺参数为：交流电为100～200A，氩气流量为10～15L/min。交流电如果太大，第一凹槽侧壁和第二凹槽侧壁容易被全部熔化；交流电如果太小，第一凹槽侧壁和第二凹槽侧壁的焊接处熔化速度太慢，容易在焊接表面形成气孔。氩气如果流量太大，容易将液体吹散，从而影响后续的包套的焊接强度，氩气流量如果太小，杂质容易进入焊接处，因此，氩气不能对焊接处进行有效的保护。

需要说明的是，本实施例中，当第一盖板26放入第一凹槽24时，第一凹槽24侧壁顶部与第三凹槽27侧壁相对处具有第一圆形导角29、第三凹槽27侧壁顶部与第一凹槽24侧壁相对处具有第二圆形导角30，所述第一圆形导角29和所述第二圆形导角30使第一凹槽25侧壁顶部与第三凹槽27侧壁顶部之间的缝隙尺寸变大。之所以将第一凹槽24侧壁顶部与第三凹槽27侧壁顶部之间的缝隙尺寸变大，原因如下：当对第一凹槽24侧壁与第三凹槽27侧壁之间的缝隙进行焊接时，侧壁顶部之间的缝隙尺寸变大，可以使得熔化的液体更多的流入第一凹槽24侧壁与第三凹槽27侧壁之间的缝隙处，有利于第一凹槽24侧壁的下半部分和第三凹槽27侧壁的下半部分实现熔化，进而能够实现第一凹槽24侧壁与第三凹槽27侧壁之间的整个缝隙处都被焊接，提高了第一凹槽侧壁与第三凹槽侧壁的焊接强度，实现了良好的密封效果。

需要说明的是，本实施例中第一凹槽侧壁的高度为大于等于10mm且小于等于20mm，原因如下：可以使得第一凹槽侧壁与第三凹槽侧壁能够有足够的焊接长度，从而保证形成的真空包套的焊接处的强度，避免形成的真空包套在热等静压工艺中开裂。第一凹槽侧壁的高度如果太高，氩弧焊接过程中，并不能实现第一凹槽侧壁与第三凹槽侧壁之间的缝隙处都被焊接，增加氩弧焊的难度。第一凹槽侧壁的高度如果太低，形成的真空包套的焊接处的强度不符合要求。

第一凹槽侧壁的厚度需要大于等于2mm且小于等于3mm。第一凹槽侧壁的厚度如果太大，不容易实现氩弧焊接，或者，氩弧焊接后的焊接强度不高。第一凹槽侧壁的厚度如果太薄，在氩弧焊接的过程中，第一凹槽侧壁容易全部被熔化掉。

采用氩弧焊将所述第一凹槽侧壁与第二凹槽侧壁之间的缝隙进行密封后，接着，将真空设备与所述脱气管连接，对所述真空包套进行抽真空，真空度至少达到10^-3pa。

将真空包套24放入加热炉中进行加热，温度为250℃～350℃（包括端点），接着开始边加热边抽真空，然后进行保温2h～4h（包括端点）。在所述加热保温过程中，需要对真空包套24持续抽真空，继续使真空包套24内的真空度至少达到并且保持10^-3Pa。发明人发现，所述加热温度如果过低，真空包套内的杂质气体不容易全部挥发出来，后续形成的靶材组件容易氧化，从而影响后续形成的靶材组件的焊接强度，所述加热温度如果太高，靶材的晶粒尺寸容易长大。所述保温时间如果太长，增加成本，所述保温时间如果太短，真空度不能持续的保证在10^-3Pa，而使得真空包套内的杂质气体不能全部的被抽出包套，同样影响后续形成的靶材组件的焊接强度。真空包套24内的真空度如果大于10^-3Pa，真空包套内的待焊接靶材组件在后续的焊接工艺中容易被氧化；真空包套内的真空度越小越好。本实施例中的真空度为给定空间内的绝对压强，和常规理解的真空度的概念不同。

接着，对所述真空包套进行密封处理并抽真空，之后做闭气处理。具体如下，采用铁锤将与真空设备连接的脱气管的尾部砸扁，然后用氩弧焊密封将脱气管使真空包套内部形成一个密闭的真空环境。所述闭气工艺是通过机械加工和焊接实现，闭气工艺后，所述真空包套的真空度至少为10^-3Pa。

接着，参考图4，执行步骤S15，将所述闭气处理后的真空包套放入热等静压炉中，利用热等静压工艺将所述靶材21的待焊接面与所述第二凹槽25底面焊接形成靶材组件。

所谓热等静压（Hot Isostatic Pressing，HIP）是指将真空包套置于热等静压炉中，在高温条件下利用高压液体或高压气体对真空包套施加各向均等的压力，使真空包套在此高温高压环境中保持一段时间以将待焊接材料紧密焊接在一起。

通过选择合适的工艺参数可使焊接后形成的靶材组件中靶材21与铝背板22具有较高焊接强度，具体的，发明人发现采用以下的工艺参数可以实现：真空包套所处的外部环境温度为大于等于400℃且小于等于500℃，利用高压液体或高压气体使真空包套所处的外部环境压强为大于等于95Mpa，并且，真空包套在此高温高压环境中保持大于等于3小时且小于等于5小时。

第一盖板26中的第三凹槽底面与第一盖板26底面之间的距离为2～3mm，很薄，在外部环境压强的作用下，第一盖板26可以实现很好的压力传导以使靶材21的待焊面、第二凹槽底面形成压力，同时由于第一盖板26与第二盖板221拼接形成的真空包套长时间位于高温环境中，靶材21、第二凹槽底面会发生塑性变形和高温蠕变而实现小面积的靶材21与第二凹槽底面之间的晶粒接触、持续压力作用下晶粒接触面积逐渐扩大，最后达到待焊接处都能实现晶粒接触，从而使得钛原子与铝原子之间形成原子间引力。

接着在待焊接处发生钛原子与铝原子之间的相互扩散，由于待焊接处的钛原子与铝原子之间的相互扩散而使待焊接处的许多空隙消失，同时，待焊接处的晶界迁移离开了原始位置，即使达到平衡状态，仍有许多小空隙遗留在待焊接处，引起晶格畸变、错位、空位等各种晶体缺陷大量堆积，待焊接处的各待焊接面能量显著增大，钛原子与铝原子处于高度激活状态，接着，钛原子与铝原子的扩散迁移十分迅速，很快在待焊接处的微小区域形成以钛-铝原子金属键为主要连接形式的接头，但是待焊接处的金属键远未达到均匀化程度，焊接强度并不高。

所以需要将钛靶材待焊接靶材组件在外部环境温度为大于等于400℃且小于等于500℃，外部环境压强为大于等于95Mpa的条件下进行保温、保压大于等于3且小于等于5个小时，以使待接组件遗留下的空隙完全消失，使待焊接处都形成金属键，即实现金属键的均匀化，增加待焊接组件的焊接强度。保温、保压时间如果小于3小时，不能够使得待焊接靶材组件的金属键的扩散更加均匀，保温时间如果大于5个小时，会引起钛靶材晶粒长大，反而会降低金属键的焊接强度。

外部环境温度若低于400℃，并不能激活铝原子或钛原子的扩散；外部环境温度若高于500℃，造成成本的浪费，另外，会使得靶材21的晶粒长大，不符合溅射工艺的要求。如果温度继续升高，会使铝背板22熔化。外部环境压强若低于95Mpa，同样不能激活铝原子或钛原子的扩散；在焊接设备允许的范围内，压力越大越有利于铝原子与钛原子的扩散之间的相互扩散，进而越有利于焊接工艺的进行。

需要说明的是，本实施例中，第一盖板26与第二盖板221形成的真空包套并没有将底板内部的冷却水道设置在上述包套内，因此，在热等静压工艺过程中，冷却水道不会被挤压变形的情况，进而也不会出现冷却水道因变形严重被堵塞的现象。因此，采用本实施例的方法形成的靶材组件应用于磁控溅镀工艺时冷却效果好。从而可以提高靶材组件的使用寿命，还可以提高镀膜质量。

接着，执行步骤S16，焊接完成后，对真空包套进行冷却，去除第一盖板26以获得钛靶材组件。

焊接完成后，可使真空包套在空气中冷却，然后通过机械方法去除第一盖板26。然后再经过车削或线切割等方法，从而制得最终尺寸的靶材组件。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种靶材组件的焊接方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供靶材、背板和第一盖板，所述背板包括底板、设置于底板上并与底板连接的第二盖板，所述底板靠近第二盖板底面的位置处具有冷却水道；

所述第二盖板顶面具有第一凹槽，所述第一凹槽底面具有第二凹槽；

将所述靶材置于所述第二凹槽内，并将所述靶材的待焊接面与所述第二凹槽底面接触，之后，将所述第一盖板置于所述第一凹槽内与所述第二盖板拼接成真空包套；

对所述真空包套进行密封处理并抽真空，之后做闭气处理；

将所述闭气处理后的真空包套放入热等静压炉中，利用热等静压工艺将所述靶材的待焊接面与所述第二凹槽底面焊接形成靶材组件；

焊接完成后，对真空包套进行冷却，去除第一盖板以获得靶材组件。

2.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述靶材顶面与所述第二凹槽侧壁顶面相平，或者，所述靶材顶面高于所述第二凹槽侧壁0.3～0.5mm。

3.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述第一凹槽侧壁的厚度为2mm～3mm，所述第一凹槽侧壁的高度为10～20mm。

4.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述第一盖板为片状结构，所述第一盖板顶面具有第三凹槽，所述第三凹槽底面与第一盖板底面之间的距离为2～3mm。

5.根据权利要求4所述的焊接方法，其特征在于，将所述第一盖板置于所述第一凹槽内与所述第二盖板拼接成真空包套包括：

所述第三凹槽与第一凹槽开口方向相同，所述第三凹槽侧壁与所述第一凹槽侧壁相对且具有缝隙；

所述第三凹槽底面具有通孔，所述通孔底部露出所述第一凹槽底面，将脱气管插入所述通孔中。

6.根据权利要求5所述的焊接方法，其特征在于，所述缝隙的尺寸为小于等于0.5mm。

7.根据权利要求5所述的焊接方法，其特征在于，对所述真空包套进行密封处理并抽真空，之后做闭气处理包括：

采用氩弧焊将所述第一凹槽侧壁与第三凹槽侧壁之间的缝隙进行密封；

将真空设备与所述脱气管连接，对所述真空包套进行抽真空；

当真空包套内的真空度达到预定值后，对所述脱气管进行密封。

8.根据权利要求4所述的焊接方法，其特征在于，所述第一凹槽侧壁顶部与第三凹槽侧壁相对处具有第一圆形导角、第三凹槽侧壁顶部与第一凹槽侧壁相对处具有第二圆形导角，所述第一圆形导角和所述第二圆形导角使第一凹槽侧壁顶部与第三凹槽侧壁顶部之间的缝隙尺寸变大。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材的材料为钛，所述背板的材料为纯铝或铝合金，所述第二盖板的材料为纯铝或铝合金。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用热等静压工艺将所述靶材的待焊接面与所述第二凹槽底面焊接形成靶材组件的步骤包括：

使所述真空包套的外部环境温度为大于等于400℃且小于等于500℃、外部环境压强为大于等于100Mpa；

对位于所述环境温度、环境压强下的所述真空包套进行保温、保压大于等于3且小于等于5小时。