CN104730643B - 具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法，其中，所述设计方法至少包括：将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导，确定所述多模区的尺寸，其方法如下：分析计算所述多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图；预先选定所述多模区所需的厚度，在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度，以使所述多模干涉耦合器工作时能够具有偏振不敏感特性。本发明的设计方法，通过最佳化的设计器件各个尺寸，实现偏振不敏感特性的90°相移光混合器。
Description
技术领域
本发明涉及半导体、光电集成和相干接收系统技术领域，特别是涉及一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法。
背景技术
随着个人计算机和国际互联网的普及，各种数据业务以及宽带技术的飞速发展，整个社会对信息的需求量呈现出爆炸式增长。当今社会的高度信息化，对通信系统特别是骨干通信系统提出了很高的要求，表现为信息容量大、传输距离长、通信质量高和系统可靠性好等特性。光通信网络正朝着规模不断扩展、容量快速增长、业务日益丰富、应用愈加灵活、需求日趋多样的方向快速发展。目前我国在城域网之间和骨干网之间的网络上是以10Gbps的DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing，密集型光波复用)系统的传输技术为主，逐渐向40Gbps的传输速度发展。这已经不能满足人们对高速通信系统的迫切需求，下一代的100Gbps通信技术成了人们关注和研究的热点之一。
QPSK(Quadrature Phase Shift Keying，正交相移键控)相干调制技术相比传统的OOK(On-Off Keying，二进制振幅键控)直接调制可以将调制效率提高100％，而其发送的每个符号都能携带2bit信息，这样就降低了系统的符号速率；而采用了偏振复用技术的偏振复用正交相移键控，如DP-QPSK(Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying，双极化四相移键控)传输系统，可以将光谱效率提高两倍、系统的符号速率又降低100％。即采用DP-QPSK调制格式，100Gbit/s的通信速率可以在25G的bit率下实现，这样既可以提高色散容限，又能降低对电子速率的要求。基于未来光网络向更高速率的发展考虑，基于采用偏振复用发射和相干检测接收的DP-QPSK技术成了人们关注和研究的热点之一。
与传统的直接接收系统相比，相干接收系统不仅具有灵敏度高、选择性好等传统优势，还具有一些新的特点，主要表现在以下两个方面：一方面是能与数字信号处理技术相结合，降低系统成本，增加可靠性，使商用化成为可能；另一方面是能与新型调制技术相结合，降低电子速率的要求，提高色散容限。DP-QPSK相干光通信解调技术，即在本地振荡与载波信号进行相干混合后对基带信号进行解调，它在业内被认为是优秀的下一代100Gbps光传输技术的最佳通信方式。
相干接收机是相干通信系统中的关键器件。一个完整的DP-QPSK相干接收机主要由三部分构成：第一部分是偏振分离装置，由两个偏振分束器(Polarization BeamSplitter，PBS)组成，其作用是将信号光和本振光的两个不同的偏振态分离，以便分开进行处理；第二部分是信号解调装置，由两个90°相移光混合器组成，其作用是将信号光和本振光进行混频，使信号光中的相位信息转换为强度信息；第三部分是平衡接收装置，由四对平衡光探测器和对应的跨阻放大器组成，其作用是将光强信息进行光电转换和放大，最后以差分形式输出，以便进入到电子器件中进行后期信号处理。在三大组件中，90°相移光混合器是相干接收机的关键部分，其解决方案最多。而采用何种方案实现90°光混合器，对前端的偏振分离装置和后端的平衡接收装置都会产生很大影响。
波导型90°相移光混合器是目前的研究热点，可以在铌酸锂(LiNbO3)、绝缘体上硅(SOI)、聚合物、硅基二氧化硅(Si)、磷化铟(InP)等多种衬底材料上制作。波导型90°相移光混合器的体积较小，方便与平衡接收机集成，能够满足相干接收机对空间的严格要求。而且波导型的90°相移光混合器都是采用光刻的技术制作，其尺寸能够精确控制，一致性很好，具有广阔的实用前景。
随着半导体技术的发展，Si和SiO2的高折射率差(2.0)为实现纳米光波导和超小尺度的集成光波导器件提供了可能性。在光通信、光互连、光传感领域具有巨大的应用前景。并且Si纳米线波导的制造工艺与现代电子工业中使用的CMOS工艺可完全兼容，为低成本、大批量的生产提供了可能性。然而由于高的折射率对比，造成了纳米光波导和超小尺度的集成光波导器件具有大的光双折射和偏振相关特性。基于4×4MMI(MultimodeInterference，多模干涉)耦合器的90°相移光混合器具有较大的多模区尺寸，其偏振相关性更为严重。因此，传统相干接收机所存在的最大缺点就是相干接收时的偏振敏感，这个缺点可以在数字相干接收机内的数字域内引入偏振多样性来弥补，但这影响了系统性能，增加了系统设计的复杂度。因此，如何减小相干接收机的偏振敏感特性，提高其综合性能，降低设计技术难度，已成为本领域技术人员需要解决的技术难题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法，用于解决现有技术中90°相移光混合器偏振相关性严重，从而导致传统相干接收机相干接收时偏振敏感的问题，以及为了弥补偏振敏感而造成的数字相干接收机系统性能受到影响、系统设计复杂度增加的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其中，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器至少包括多模干涉耦合器，其中，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法至少包括：将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导，确定所述多模区的尺寸，其方法如下：
分析计算所述多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图；
预先选定所述多模区所需的厚度，在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度，以使所述多模干涉耦合器工作时能够偏振不敏感。
优选地，分析并计算所述多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图，具体步骤如下：
分别分析并计算横电波TE模式和横磁波TM模式下的所述多模区中两个最低阶模的有效折射率；
根据所述横电波TE模式下的所述多模区中的两个最低阶模的有效折射率，计算所述横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数，同时，根据所述横磁波TM模式下的所述多模区中的两个最低阶模的有效折射率，计算所述横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数；
根据所述横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数计算所述横电波TE模式的拍长，同时，根据所述横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数计算所述横磁波TM模式的拍长；其中，所述横电波TE模式的拍长与所述横磁波TM模式的拍长相同或不同；
计算所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差；
为所述多模区预设多种厚度和宽度，多次重复上述步骤，统计所述多模区在不同厚度和宽度时对应的所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差，以坐标图的形式形成具有多条曲线的对应关系图。
优选地，两个模式下的两个最低阶模传播常数分别为零阶模传播常数和一阶模传播常数；
所述横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数、所述横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数、所述横电波TE模式的拍长、所述横磁波TM模式的拍长以及所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差分别根据下列公式(a)～(c)计算：
β＝k0*Neff＝2π*Neff/λ (a)
Lπ＝π/(β0-β1) (b)
ΔLπ＝Lπ(TE)-Lπ(TM) (c)
其中，Lπ为拍长，β为传播常数，β0为零阶模传播常数，β1为一阶模传播常数，k0为波矢，Neff为有效折射率，λ为波长，Lπ(TE)为横电波TE模式的拍长，Lπ(TM)为横磁波TM模式的拍长，ΔLπ为横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差。
优选地，预先选定所述多模区所需的厚度，在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度，以使所述多模干涉耦合器工作时能够偏振不敏感，具体步骤如下：
预先选定所述多模区所需的厚度；
在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，通过所述对应关系图预估一多模区宽度区间，其中，所述多模区宽度区间所处位置对应所述预先选定的多模区所需的厚度；
在所述多模区宽度区间内选取多个宽度值，仿真计算并比较被选取的每个宽度值对应的横电波TE模式的多模区长度和横磁波TM模式的多模区长度，多次计算比较，直到其中一个被选取的宽度值满足其对应的横电波TE模式的多模区长度等于横磁波TM模式的多模区长度的条件，将该满足条件的宽度值确定为所述多模区所需的宽度，将满足条件的宽度值所对应的横电波TE模式或者横磁波TM模式的多模区长度确定为所述多模区所需的长度。
优选地，所述多模区所需的长度与拍长之间的关系如下列公式(d)：
LMMI＝3*Lπ(TE)/4＝3*Lπ(TM)/4 (d)
其中，LMMI为所述多模区所需的长度，Lπ(TE)为横电波TE模式的拍长，Lπ(TM)为横磁波TM模式的拍长。
优选地，利用有限差分方法分析计算所述多模区各阶模的有效折射率。
优选地，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：分别确定输入波导和输出波导的数量、尺寸，将每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器之间的过渡区设计为锥形，且每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器连接的过渡处的锥形宽度较宽。
优选地，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：确定每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器连接的过渡处的锥形宽度，其方法如下：
在两个预设工作波长下分别仿真计算器件的相偏差随所述过渡处的锥形宽度的变化，得到曲线变化图；
同时将两个预设工作波长的各路输出光相偏差比较，使得各路输出光相偏差保持在±5°～±15°的范围内，从而通过所述曲线变化图确定所述过渡处的锥形宽度区间；
在所述过渡处的锥形宽度区间内选取多个锥形宽度值，根据被选取的每个锥形宽度值仿真计算器件在所述横电波TE模式和横磁波TM模式下的相偏差，从而得到被选取的每个锥形宽度值对应的工作带宽，将对应最大工作带宽时的锥形宽度值确定为所述过渡处的锥形宽度。
优选地，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：将所述输入波导、所述输出波导及所述多模干涉耦合器均设计为通过对半导体基底的刻蚀来形成。
本发明还提供一种利用如上所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法进行设计的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器，其中，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器至少包括：
第一输入波导，用于接入信号光波；
第二输入波导，用于接入本振光波；
多模干涉耦合器，连接于所述第一输入波导和所述第二输入波导，用于将所述信号光波中的相位信息通过与所述本振光波混合相干解调为光强度信号；
第一输出波导～第四输出波导，连接于所述多模干涉耦合器，用于输出所述光强度信号。
优选地，每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器之间的过渡区均呈锥形。
如上所述，本发明的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法，具有以下有益效果：
本发明的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，通过最佳化的设计器件各个尺寸，实现偏振不敏感特性的90°相移光混合器；通过器件中波导的加工工艺设计，保证了与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低；器件设计可以基于Si纳米线波导，为芯层和包层之间提供了巨大的折射率差，可以极大限度的减小器件的尺寸，大幅度提高集成度。
本发明的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器，利用本发明的上述设计方法，能够实现器件工作时的偏振不敏感特性，器件在任意偏振态光模式下均能正常工作，器件的性能好，附加损耗小，且器件尺寸小，集成度高。
附图说明
图1显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中确定多模区尺寸的流程示意图。
图2显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中多模区光波导的结构示意图。
图3(a)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TE模式的基膜场图。
图3(b)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TM模式的基膜场图。
图4显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中的对应关系图。
图5显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零时的对应关系图。
图6(a)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TE模式下的光场分布和传输光谱图。
图6(b)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TM模式下的光场分布和传输光谱图。
图7(a)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中第一输入波导的附加损耗和偏振相关损耗分布图。
图7(b)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中第二输入波导的附加损耗和偏振相关损耗分布图。
图8(a)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TE模式下的相偏差分布图。
图8(b)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TM模式下的相偏差分布图。
图9(a)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TE模式下的不平衡度分布图。
图9(b)显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中TM模式下的不平衡度分布图。
图10显示为本发明第一实施例和第二实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的结构示意图。
图11显示为本发明第一实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法中器件的相偏差随过渡处的锥形宽度变化的曲线变化图。
元件标号说明
11 第一输入波导
12 第二输入波导
13 多模干涉耦合器
14 第一输出波导
15 第二输出波导
16 第三输出波导
17 第四输出波导
21 覆盖层
22 埋氧层
23 芯层
24 衬底
S11～S12 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
本发明第一实施例涉及一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其中，具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器至少包括多模干涉耦合器。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法至少包括：
步骤S1，请参阅图1，将多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导，确定多模区的尺寸，其方法如下：
步骤S11，分析计算多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与多模区的宽度、厚度的对应关系图。
步骤S12，预先选定多模区所需的厚度，在横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据对应关系图确定多模区所需的宽度和长度，以使多模干涉耦合器工作时能够偏振不敏感。
在本实施例中，步骤S11的具体步骤如下：
步骤S111，分别分析并计算横电波TE模式和横磁波TM模式下的多模区中两个最低阶模的有效折射率。
在步骤S111中，通常利用数值计算方法分析计算多模区各阶模的有效折射率。由于在实际应用过程中，数值计算方法过于复杂，计算精度可能无法得到满足，计算结果的误差也较大。因此，可以使用专业的基于数值计算方法的光学仿真软件(例如，ModeSolutions,COMSOL,Fullwave等)来做计算，以满足计算精度，减小仿真结果与实际误差。
有限差分方法FDM是一种微分方法，是历史最悠久，理论最完整的数值计算方法。用差分代替微分是有限差分方法的基本出发点。有限差分法的一般过程是：首先推导出微分方程。其次，用规则网格切割计算区域使之即相邻又不重叠。然后再构造相应的差分方程。最后计算求解特征方程组得到结果并给出物理解释。
实际上，有限差分方法就是对光波导模场的分析和计算。如图2所示，光波导包括芯层23，由埋氧层22、覆盖层21组成的包层，以及衬底24等几部分。衬底24通常采用Si衬底，埋氧层22、覆盖层21通常为绝缘层，如SiO2等，芯层23也为Si。光由于全反射而限制在芯层里进行传播。光在波导里是以“模式”的形式而存在的。严格来讲，模式是麦克斯韦方程组在特定边界条件下的本征解。直观上，模式就是一种特殊的光场分布。对于直波导来讲，这种光场分布在波导里面一经产生就可以稳定的或保持其形状不变的传播下去。通过改变光波导的形状可以设计出各种光有源和无源器件，知道不同结构光波导模场分布后可以有效的设计不同的光器件以及不同器件之间的模式耦合。
本实施例中的多模区涉及的是矩形波导，在本步骤中，需要分析计算多模区各阶模的有效折射率，得到光波导模场分布图。例如，图3(a)和图3(b)所示的两个模场分布图，分别是TE模式和TM模式的基膜场图，即零阶模。
分析计算多模区各阶模的有效折射率的具体流程如下：
首先，对光波导模场中的各个参数进行赋初值，这些参数主要包括网格宽度、网格节点处的折射率以及PML(Perfect Matched Layers，完美匹配层)参数等。其次，根据各个参数的初值进行网格划分。
再次，在计算区域的四周加入PML边界吸收辐射波。
接着，在网格中对折射率进行赋值，然后根据赋值计算特征方程组系数矩阵各值，继续计算特征方程组的特征向量和特征值。
最后，根据特征向量画出光波导模场分布图，并根据特征值计算出光波导有效折射率。
步骤S112，根据横电波TE模式下的多模区中的两个最低阶模的有效折射率，计算横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数，同时，根据横磁波TM模式下的多模区中的两个最低阶模的有效折射率，计算横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数。
在步骤S112中，两个模式下的两个最低阶模传播常数分别为零阶模传播常数和一阶模传播常数。横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数、横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数根据下列公式(a)计算：
β＝k0*Neff＝2π*Neff/λ (a)
即零阶模传播常数β0＝k0*Neff0＝2π*Neff0/λ，一阶模传播常数β1＝k0*Neff1＝2π*Neff1/λ。
其中，β为传播常数，β0为零阶模传播常数，β1为一阶模传播常数，k0为波矢，Neff为有效折射率，Neff0为零阶膜有效折射率，Neff1为一阶模有效折射率，λ为波长。
步骤S113，根据横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数计算横电波TE模式的拍长，同时，根据横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数计算横磁波TM模式的拍长；其中，横电波TE模式的拍长与横磁波TM模式的拍长相同或不同。
在步骤S113中，横电波TE模式的拍长、横磁波TM模式的拍长根据下列公式(b)计算：
Lπ＝π/(β0-β1) (b)
最终得到横电波TE模式的拍长Lπ(TE)和横磁波TM模式的拍长Lπ(TM)。
其中，Lπ为拍长，β0为零阶模传播常数，β1为一阶模传播常数。
步骤S114，计算横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差；
在步骤S114中，横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差分别根据下列公式(c)计算：
ΔLπ＝Lπ(TE)-Lπ(TM) (c)
其中，Lπ(TE)为横电波TE模式的拍长，Lπ(TM)为横磁波TM模式的拍长，ΔLπ为横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差。
步骤S115，为多模区预设多种厚度和宽度，多次重复上述步骤，统计多模区在不同厚度和宽度时对应的横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差，以坐标图的形式形成具有多条曲线的对应关系图，如图4所示。
图4中显示了hco分别为350nm、400nm、450nm、500nm及550nm时，多模区不同的宽度WMMI对应的不同的横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差ΔLπ，由图中可见，多模区宽度分布在0μm～12μm，它们对应的横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差ΔLπ分布在-1.5μm～2.5μm。
在本实施例中，步骤S12的具体步骤如下。其中，为了实现多模区的偏振无关特性，必须满足条件ΔLπ＝Lπ(TE)-Lπ(TM)＝0，即TE和TM模式的拍长相同。这样确定的多模区长度可以在任意偏振状态下正常工作，实现器件的偏振无关工作性能。因此，可以先将图4所示的对应关系图进行提取、重新统计以及重绘，得到如图5所示的横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零时的对应关系图。在图5中，横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差ΔLπ＝0，多模区不同的厚度hco对应多模区不同的宽度WMMI0，但这里的宽度WMMI0精确度并不能满足需要，因此需要通过下列步骤得到精确的多模区所需宽度和长度，以保证器件的偏振不敏感特性。
步骤S121，预先选定多模区所需的厚度。在本实施例中，为了减小输出波导间的串扰，预先选定多模区所需的厚度hco为500nm。
步骤S122，在横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，通过对应关系图预估一多模区宽度区间，其中，多模区宽度区间所处位置对应预先选定的多模区所需的厚度。请继续参阅图5，在多模区所需的厚度hco为500nm时，可以预估一个多模区宽度区间，即WMMI0∈[7.05，7.2]。
步骤S123，在多模区宽度区间内选取多个宽度值(例如7.05μm、7.1μm、7.15μm、7.2μm等)，仿真计算并比较被选取的每个宽度值对应的横电波TE模式的多模区长度和横磁波TM模式的多模区长度，多次计算比较，直到其中一个被选取的宽度值满足其对应的横电波TE模式的多模区长度等于横磁波TM模式多模区长度的条件，将该满足条件的宽度值确定为多模区所需的宽度。在被选取的宽度值为除7.1μm以外的其他值时，横电波TE模式的多模区长度和横磁波TM模式的多模区长度均不相同，因此，最终得到多模区所需的宽度为7.1μm。最后，将满足条件的宽度值所对应的横电波TE模式或者横磁波TM模式的多模区长度确定为所述多模区所需的长度，即在多模区所需的宽度为7.1μm时的长度为多模区所需长度。
其中，多模区所需的长度与拍长之间的关系如下列公式(d)：
LMMI＝3*Lπ(TE)/4＝3*Lπ(TM)/4 (d)
其中，LMMI为多模区所需的长度，Lπ(TE)为横电波TE模式的拍长，Lπ(TM)为横磁波TM模式的拍长。
另外，本实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：分别确定输入波导和输出波导的数量、尺寸。
由于90度光混合器基于4×4MMI设计和工作，输入波导和输出波导的数量均为4个，但通常使用的输入波导为2个，因此，本实施例中输入波导设计为2个，输出波导设计为4个。它们的尺寸设计可以根据现有方法进行设计。
但是，发明人通过实验发现，在TE模式下，器件的工作带宽较小。而带宽小的主要原因是在工作波长λ为1.5μm和1.6μm时器件相差太大，尤其是在1.6μm时，所以只要改善了这两处的相偏差，整个器件带宽性能就会改善。在输入波长为1.6μm时，通过计算发现MMI多模区的长度变化对它的相偏差影响不大，而输入输出波导的宽度对各路相偏差的影响较大，因此可以通过优化它的尺寸而改善器件相偏差，提高工作带宽。发明人通过进一步的分析计算，发现前面的这种变化趋势是由于输出端宽度变化引起的，而输入端宽度的变化对器件的相偏差影响不大，但还是随着输入端宽度的变大而有轻微的改善。对于上面的这种现象，本实施例选择保持输入输出端宽度一致对器件相偏差进行优化。
由此，在本实施例的基于4×4MMI设计的90度光混合器中，将每个输入波导及每个输出波导与多模干涉耦合器之间的过渡区设计为锥形，且每个输入波导及每个输出波导与多模干涉耦合器连接的过渡处的锥形宽度较宽。如图10所示，过渡处的锥形宽度为Wt。
进一步地，具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：确定每个输入波导及每个输出波导与多模干涉耦合器连接的过渡处的锥形宽度Wt，其方法如下：
首先，在两个预设工作波长下分别仿真计算器件的相偏差随过渡处的锥形宽度Wt的变化，得到曲线变化图，如图11所示，其中，两个预设工作波长分别为1.5μm和1.6μm。
其次，同时将两个预设工作波长的各路输出光相偏差比较，使得各路输出光保持在较小的范围内(例如±5°～±15°，较佳的，使各路输出光保持在±10°的范围内)，从而通过曲线变化图确定过渡处的锥形宽度区间。由图11可见，过渡处的锥形宽度区间为1.36μm～1.41μm。
最后，在过渡处的锥形宽度区间内选取多个锥形宽度值(例如，1.36μm、1.38μm、1.40μm等)，根据被选取的每个锥形宽度值仿真计算器件在横电波TE模式下的相偏差，从而得到被选取的每个锥形宽度值对应的工作带宽，将对应最大工作带宽时的锥形宽度值确定为过渡处的锥形宽度。由仿真结果可得，在Wt为1.38μm时，器件的TE模式具有最大工作带宽，从而确定过渡处的锥形宽度Wt为1.38μm。
另外，本实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：将输入波导、输出波导及多模干涉耦合器均设计为通过对半导体基底的刻蚀来形成。优选地，将输入波导、输出波导及多模干涉耦合器均设计为通过对绝缘体上硅的顶层硅刻蚀来形成；将输入波导、输出波导均设计为纳米线波导，从而使得基于绝缘体上硅的Si纳米线波导加工工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
通过本实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，设计得到的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器，其性能仿真结果如下：
1、偏振无关结果。如图6(a)和图6(b)，仿真结果显示，在波长λ为1550nm，相位差ΔΦ＝45°时，可以看到器件在TE和TM模式下均能正常工作。因此，器件实现了偏振不敏感工作特性。
2、附加损耗。附加损耗(Excess Loss，EL)用来表征光混合器的综合性能，偏振相关损耗(PDL)用来表征器件的偏振相关特性。如图7(a)和图7(b)，仿真结果显示，在1.5μm～1.6μm波段，附加损耗均小于2dB，偏振相关损耗小于0.35dB。其中C波段(1530nm～1565nm)附加损耗均小于0.35dB，偏振相关损耗小于0.08dB。因此器件附加损耗小，整体性能优秀，同时也是满足偏振无关的。
3、相偏差。当两个输入波导都有光输入时，两束光会在多模区相互干涉，最后呈现出与两束光相位差相关的强度分布。此时90°相移光混合器的性能可以用相偏差来衡量。OIF规定在整个工作波段相偏差应小于5°，因此相偏差就成为了衡量光混合器工作带宽的重要指标。如图8(a)和图8(b)，仿真结果显示，在±5°的相偏差范围内，TE模式的工作带宽为71nm，TM模式的工作带宽为94nm，均包含了C波段。
4、不平衡度。当光只从一个输入端输入时，90°光混合器可以看作1×4的能量均分器，可以用附加损耗和不平衡度两个指标来衡量。由于光混合器输出端有两对平衡探测器对同步信号(I：第一输出信号Ch1和第四输出信号Ch4)和正交信号(Q：第二输出信号Ch2和第三输出信号Ch3)做差分探测输出。因此对于光混合器，不平衡度用Ch1/Ch4，Ch2/Ch3路来表征。如图9(a)和图9(b)，仿真结果显示，在1.5μm～1.6μm波段，不平衡度均小于1.5dB。
本发明第二实施例涉及一种利用本发明第一实施例所涉及的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法进行设计的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本实施例的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器至少包括：
第一输入波导11，用于接入信号光波。
第二输入波导12，用于接入本振光波。
多模干涉耦合器13，连接于第一输入波导11和第二输入波导12，用于将信号光波中的相位信息通过与本振光波混合相干解调为光强度信号。
第一输出波导14、第二输出波导15、第三输出波导16和第四输出波导17，均连接于多模干涉耦合器13，用于输出光强度信号。
其中，第一输入波导11接入的带有相位信息的信号光波，是调制器调制的QPSK型数字光信号。第二输入波导12接入的本振光波不包含信号，频率与信号光波相关。
各个输入波导和各个输出波导均可通过对半导体基底的刻蚀来形成。多模干涉耦合器13也可通过对半导体基底的刻蚀来形成。
另外，需要说明的是，多模干涉耦合器具有6个端口(图中未示出)，该6个端口分别连接第一输入波导11、第二输入波导12、第一输出波导14、第二输出波导15、第三输出波导16以及第四输出波导17。本实施例中的多模干涉耦合器13中的多模区尺寸采用本发明第一实施例中的设计方法进行设计，因此，本实施例中的多模干涉耦合器13还具有偏振不敏感特性。
优选地，还可以进一步将每个输入波导及每个输出波导Si纳米线波导刻蚀成锥形，形成如图10所示的每个输入波导及每个输出波导与多模干涉耦合器之间的过渡区均呈锥形，以此来减小传输损耗，改善相偏差。
由图10可见，该多模干涉耦合器将第一输入波导接入的携带相位信息的信号光波与第二输入波导接入的与信号光波频率相关的本振光波相干混合，并从第一输出波导、第二输出波导、第三输出波导以及第四输出波导输出与相位信号相关的强度信号。同时该多模干涉耦合器通过上述实施例的最佳化设计还具有偏振不敏感特性，任意偏振态光模式均可以在其中正常工作。
综上所述，本发明的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法，具有以下有益效果：
本发明的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，通过最佳化的设计器件各个尺寸，实现偏振不敏感特性的90°相移光混合器；通过器件中波导的加工工艺设计，保证了与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低；器件设计可以基于Si纳米线波导，为芯层和包层之间提供了巨大的折射率差，可以极大限度的减小器件的尺寸，大幅度提高集成度。
本发明的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器，利用本发明的上述设计方法，能够实现器件工作时的偏振不敏感特性，器件在任意偏振态光模式下均能正常工作，器件的性能好，附加损耗小，且器件尺寸小，集成度高。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (9)
1.一种具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其中，所述90°相移光混合器至少包括多模干涉耦合器，其特征在于，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法至少包括：将所述多模干涉耦合器中的多模区设计为矩形波导，确定所述多模区的尺寸，其方法如下：
分析计算所述多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图；
预先选定所述多模区所需的厚度，在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度，以使所述多模干涉耦合器工作时能够偏振不敏感，从而使所述90°相移光混合器具有偏振不敏感特性；
分析并计算所述多模区各阶模的有效折射率，以得到横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差及其与所述多模区的宽度、厚度的对应关系图，具体步骤如下：
分别分析并计算横电波TE模式和横磁波TM模式下的所述多模区中两个最低阶模的有效折射率；
根据所述横电波TE模式下的所述多模区中的两个最低阶模的有效折射率，计算所述横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数，同时，根据所述横磁波TM模式下的所述多模区中的两个最低阶模的有效折射率，计算所述横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数；
根据所述横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数计算所述横电波TE模式的拍长，同时，根据所述横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数计算所述横磁波TM模式的拍长；其中，所述横电波TE模式的拍长与所述横磁波TM模式的拍长相同或不同；
计算所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差；
为所述多模区预设多种厚度和宽度，多次重复上述步骤，统计所述多模区在不同厚度和宽度时对应的所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差，以坐标图的形式形成具有多条曲线的对应关系图；
预先选定所述多模区所需的厚度，在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，根据所述对应关系图确定所述多模区所需的宽度和长度，以使所述多模干涉耦合器工作时能够偏振不敏感，具体步骤如下：
预先选定所述多模区所需的厚度；
在所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差为零的条件下，通过所述对应关系图预估一多模区宽度区间，其中，所述多模区宽度区间所处位置对应所述预先选定的多模区所需的厚度；
在所述多模区宽度区间内选取多个宽度值，仿真计算并比较被选取的每个宽度值对应的横电波TE模式的多模区长度和横磁波TM模式的多模区长度，多次计算比较，直到其中一个被选取的宽度值满足其对应的横电波TE模式的多模区长度等于横磁波TM模式的多模区长度的条件，将该满足条件的宽度值确定为所述多模区所需的宽度，将满足条件的宽度值所对应的横电波TE模式或者横磁波TM模式的多模区长度确定为所述多模区所需的长度。
2.根据权利要求1所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其特征在于，两个模式下的两个最低阶模传播常数分别为零阶模传播常数和一阶模传播常数；
所述横电波TE模式下的两个最低阶模传播常数、所述横磁波TM模式下的两个最低阶模传播常数、所述横电波TE模式的拍长、所述横磁波TM模式的拍长以及所述横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差分别根据下列公式(a)～(c)计算：
β＝k0*Neff＝2π*Neff/λ (a)
Lπ＝π/(β0-β1) (b)
ΔLπ＝Lπ(TE)-Lπ(TM) (c)
其中，Lπ为拍长，β为传播常数，β0为零阶模传播常数，β1为一阶模传播常数，k0为波矢，Neff为有效折射率，λ为波长，Lπ(TE)为横电波TE模式的拍长，Lπ(TM)为横磁波TM模式的拍长，ΔLπ为横电波TE模式和横磁波TM模式的拍长差。
3.根据权利要求2所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其特征在于，所述多模区所需的长度与拍长之间的关系如下列公式(d)：
LMMI＝3*Lπ(TE)/4＝3*Lπ(TM)/4 (d)
其中，LMMI为所述多模区所需的长度，Lπ(TE)为横电波TE模式的拍长，Lπ(TM)为横磁波TM模式的拍长。
4.根据权利要求1所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其特征在于，利用有限差分方法分析计算所述多模区各阶模的有效折射率。
5.根据权利要求1所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其特征在于，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：分别确定输入波导和输出波导的数量、尺寸，将每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器之间的过渡区设计为锥形，且每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器连接的过渡处的锥形宽度较宽。
6.根据权利要求5所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其特征在于，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：确定每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器连接的过渡处的锥形宽度，其方法如下：
在两个预设工作波长下分别仿真计算器件的相偏差随所述过渡处的锥形宽度的变化，得到曲线变化图；
同时将两个预设工作波长的各路输出光相偏差比较，使得各路输出光相偏差保持在±5°～±15°的范围内，从而通过所述曲线变化图确定所述过渡处的锥形宽度区间；
在所述过渡处的锥形宽度区间内选取多个锥形宽度值，根据被选取的每个锥形宽度值仿真计算器件在所述横电波TE模式和横磁波TM模式下的相偏差，从而得到被选取的每个锥形宽度值对应的工作带宽，将对应最大工作带宽时的锥形宽度值确定为所述过渡处的锥形宽度。
7.根据权利要求6所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法，其特征在于，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法还包括：将所述输入波导、所述输出波导及所述多模干涉耦合器均设计为通过对半导体基底的刻蚀来形成。
8.一种利用如权利要求1-7任一项所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器的设计方法进行设计的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器，其特征在于，所述具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器至少包括：
第一输入波导，用于接入信号光波；
第二输入波导，用于接入本振光波；
多模干涉耦合器，连接于所述第一输入波导和所述第二输入波导，用于将所述信号光波中的相位信息通过与所述本振光波混合相干解调为光强度信号；
第一输出波导～第四输出波导，连接于所述多模干涉耦合器，用于输出所述光强度信号。
9.根据权利要求8所述的具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器，其特征在于，每个输入波导及每个输出波导与所述多模干涉耦合器之间的过渡区均呈锥形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510173591.7A CN104730643B (zh) | 2015-04-13 | 2015-04-13 | 具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510173591.7A CN104730643B (zh) | 2015-04-13 | 2015-04-13 | 具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104730643A CN104730643A (zh) | 2015-06-24 |
| CN104730643B true CN104730643B (zh) | 2018-04-17 |
Family
ID=53454713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510173591.7A Active CN104730643B (zh) | 2015-04-13 | 2015-04-13 | 具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104730643B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105467520B (zh) * | 2015-12-15 | 2018-04-17 | 武汉邮电科学研究院 | 基于渐变波导方向耦合器的宽带偏振分/合束器 |
| CN106908903B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-09-20 | 湖北捷讯光电有限公司 | 一种耦合器型90度光学混频器 |
| CN110297289B (zh) * | 2019-04-17 | 2020-11-03 | 中国科学院半导体研究所 | 一种磷化铟基光学混频器及其制备方法 |
| CN110618487B (zh) * | 2019-09-09 | 2020-06-30 | 东南大学 | 一种基于亚波长光栅结构的多模干涉型偏振不敏感功分器 |
| CN111273404B (zh) * | 2020-04-08 | 2021-11-02 | 上海交通大学 | 一种两模端面耦合器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101852891A (zh) * | 2010-06-08 | 2010-10-06 | 浙江工业大学 | 一种光纤到户用单纤三向复用器芯片 |
| CN102279441A (zh) * | 2011-07-22 | 2011-12-14 | 浙江工业大学 | 用于无源光网络的新型单纤三向复用器 |
| CN103116202A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-05-22 | 深圳大学 | 可见光合波器 |
| CN104007512A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-08-27 | 北京大学 | 一种光偏振分束器 |
| CN104007513A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-08-27 | 北京大学 | 一种光偏振分束器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5287527B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-09-11 | 富士通株式会社 | 光ハイブリッド回路、光受信機及び光受信方法 |
-
2015
- 2015-04-13 CN CN201510173591.7A patent/CN104730643B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101852891A (zh) * | 2010-06-08 | 2010-10-06 | 浙江工业大学 | 一种光纤到户用单纤三向复用器芯片 |
| CN102279441A (zh) * | 2011-07-22 | 2011-12-14 | 浙江工业大学 | 用于无源光网络的新型单纤三向复用器 |
| CN103116202A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-05-22 | 深圳大学 | 可见光合波器 |
| CN104007512A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-08-27 | 北京大学 | 一种光偏振分束器 |
| CN104007513A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-08-27 | 北京大学 | 一种光偏振分束器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104730643A (zh) | 2015-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170613 Address after: 226017 Jiangsu city of Nantong province science and Technology Industrial Park of Su Tong Jiang Cheng Road No. 1088 Jiang Bei Lou Park Development Research Applicant after: Nantong Photoelectric Engineering Center, Chinese Academy of Sciences Applicant after: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences Address before: 226009, No. 14, No. 30, Nantong Science and Technology Industrial Park, Nantong, Jiangsu, Nantong Applicant before: Jiangsu Shangfei Optoelectronics Technology Co., Ltd. Applicant before: Nantong Photoelectric Engineering Center, Chinese Academy of Sciences Applicant before: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 226017 R & D Park, Jiangcheng road 1088, Sutong science and Technology Industrial Park, Nantong, Jiangsu Co-patentee after: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences Patentee after: Shanghai Institute of Microsystems, Chinese Academy of Sciences, Nantong new Micro Research Institute Address before: 226017 R & D Park, Jiangcheng road 1088, Sutong science and Technology Industrial Park, Nantong, Jiangsu Co-patentee before: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences Patentee before: Nantong Photoelectric Engineering Center, Chinese Academy of Sciences |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 226017 R & D Park, Jiangcheng road 1088, Sutong science and Technology Industrial Park, Nantong, Jiangsu Patentee after: Nantong Xinwei Research Institute Patentee after: Shanghai Institute of microsystems and information technology, Chinese Academy of Sciences Address before: 226017 R & D Park, Jiangcheng road 1088, Sutong science and Technology Industrial Park, Nantong, Jiangsu Patentee before: Shanghai Institute of Microsystems, Chinese Academy of Sciences, Nantong new Micro Research Institute Patentee before: Shanghai Institute of microsystems and information technology, Chinese Academy of Sciences |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |