CN104730302B - 一种防止炸机电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种防止炸机电路，属于LED灯测试技术领域。当灌胶开关电源带上灯具进行耐高压测试时，输入输出所施加的电压就全部相当于施加在输入对地之间。这就对场效应管晶体管Q1的耐压性提出了较高的要求。为了保护场效应管晶体管Q1，减小场效应管晶体管Q1的Vgate电压。故而在场效应管晶体管Q1门极并联一个电容C1，以增加输入电容Ciss的电容值。当进行高压绝缘测试时，能够有效的减小场效应管晶体管Q1‑MOSFET门极冲击电压，从而保护场效应管晶体管Q1，避免炸机。
Description
技术领域
本发明涉及LED灯测试技术领域，具体涉及一种防止开关电源在灌胶后，带上灯具进行高压测试时炸机的电路。
背景技术
目前市场上的LED路灯电源大多带PFC,都需要灌胶(环氧树脂或者聚氨酯灌封胶)，用以做IP66防水。路灯是容性负载，引入了寄生电容，灌胶后也促使寄生电容进一步增加。由于寄生电容的增加，当对其进行高压绝缘测试时,噪声会通过寄生电容耦合到的线路中去，影响了测试的关键参数，导致超出了PFC-MOSFET能够承受的电压应力，发生PFC部分炸机。因此，开关电源在灌胶后带上灯具进行高压测试时，防止发生炸机现象是函待解决的技术问题。
发明内容
本发明提出了一种防止炸机电路，其电路结构简单、制造成本低廉，具体技术方案如下：该电路包括桥式整流电路DB1，DB1的负向输出端接地；DB1的正向输出端与变压器T1的一端及二极管D1的正向输入端公共连接，变压器T1的另一端与二极管D2的正向输入端、场效应管晶体管Q1的漏极、电容C2的一端公共连接；电容C2的另一端、场效应管晶体管Q1的源极接地；二极管D1的反向输入端、二极管D2的反向输入端、电容C3的一端、电容C4的一端公共连接；电容C3的另一端、电容C4的另一端接地GND；场效应管晶体管Q1的栅极、电阻R2的一端、电阻R1的一端，电容C1的一端、二极管D3的正向输入端公共连接；电阻R2的另一端、电容C1的另一端接地；PFC电路的输出端DRV、电阻R1的另一端、二极管D3的反向输入端公共连接；PFC电路的GND端接地。
本发明的进一步的实施例中，所述电容C3为极性电容，所述电容C3的正极与二极管D2的反向输入端、二极管D1的反向输入端、电容C4的一端公共连接，电容C3另一极接地。
本发明的进一步的实施例中，场效应管晶体管Q1漏极与一稳压二极管的反向输入端连接，稳压二极管的正向输入端与场效应管晶体管Q1的源极连接。
本发明的进一步的实施例中，场效应管晶体管Q1为PFC功率开关MOSFET。
本发明的进一步的实施例中，电容C1的电容值与场效应管晶体管Q1的S极与机壳形成的寄生电容Cm的电容值相匹配。
有益效果
本专利使PFC-MOSFET门极电压不超过电压应力设定值，以保护PFC-MOSFET，从而避免了PFC-MOSFET击穿短路而发生炸机现象。与现有技术相比，本发明的优点能有效保护PFC-MOSFET，在加高压时，规避寄生电容门极累积电荷超出PFC-MOSFET门极电压应力。
实现成本非常低廉，实施方法简单有效。
附图说明
图1所示为开关电源灌胶后高压测试电路。
具体实施方式
如图1所示为一种防止炸机电路，其电路结构简单、制造成本低廉，具体技术方案如下：该电路包括桥式整流电路DB1，DB1的负向输出端接地；DB1的正向输出端与变压器T1的一端及二极管D1的正向输入端公共连接，变压器T1的另一端与二极管D2的正向输入端、场效应管晶体管Q1的漏极、电容C2的一端公共连接；电容C2的另一端、场效应管晶体管Q1的源极接地；二极管D1的反向输入端、二极管D2的反向输入端、电容C3的一端、电容C4的一端公共连接；电容C3的另一端、电容C4的另一端接地GND；场效应管晶体管Q1的栅极、电阻R2的一端、电阻R1的一端，电容C1的一端、二极管D3的正向输入端公共连接；电阻R2的另一端、电容C1的另一端接地；PFC电路的输出端DRV、电阻R1的另一端、二极管D3的反向输入端公共连接；PFC电路的GND端接地。场效应管晶体管Q1为PFC功率开关MOSFET。
由于LED路灯电源都需要灌胶，从而介入了寄生电容，当加高压时，就会通过寄生电容耦合到的线路中去，导致超出了PFC-MOSFET能够承受的电压应力，使得PFC-MOSFET击穿短路。在寄生电容上串联一个电容，利用电容分压原理，来降低高压绝缘测试时PFC-MOSFET门极电压，从而保护了PFC-MOSFET。
具体工作原理如下，参照图1，当灌胶开关电源带上灯具做耐高压测试时，输入输出所施加的电压就全部相当于施加在输入对地之间，这时就要求输入对地能承受较高的耐压才行。这就对场效应管晶体管Q1的耐压性提出了较高的要求，必须能承受这个较高的压差。根据电荷在电容中积累的原理：Q＝C*U得知，电容与电压成反比，即是Ciss/Cm与电压成反比。其中Ciss是场效应管晶体管Q1输入电容，Cm是场效应管晶体管Q1-MOSFET的S极与机壳的的寄生电容，是介质环氧树脂灌封胶、聚氨酯灌封胶或者有机硅胶和麦拉绝缘片形成的寄生电容。为了保护场效应管晶体管Q1，减小场效应管晶体管Q1的Vgate电压，就要加大场效应管晶体管Q1的输入电容Ciss。故而在场效应管晶体管Q1门极并联一个电容C1，以增加输入电容Ciss的电容值。当进行高压绝缘测试时，能够有效的减小场效应管晶体管Q1-MOSFET门极冲击电压，从而保护场效应管晶体管Q1，避免炸机。
以上所述实施例仅表达了本发明的优选实施方式，其描述较为具体与详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围和实施例的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种防止炸机电路，其特征在于：该电路包括桥式整流电路DB1，DB1的负向输出端接地；DB1的正向输出端与变压器T1的一端及二极管D1的正向输入端公共连接，变压器T1的另一端与二极管D2的正向输入端、场效应管晶体管Q1的漏极、电容C2的一端公共连接；电容C2的另一端、场效应管晶体管Q1的源极接地；二极管D1的反向输入端、二极管D2的反向输入端、电容C3的一端、电容C4的一端公共连接；电容C3的另一端、电容C4的另一端接地GND；场效应管晶体管Q1的栅极、电阻R2的一端、电阻R1的一端，电容C1的一端、二极管D3的正向输入端公共连接；电阻R2的另一端、电容C1的另一端接地；PFC电路的输出端DRV、电阻R1的另一端、二极管D3的反向输入端公共连接；PFC电路的GND端接地。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于：所述电容C3为极性电容，所述电容C3的正极与二极管D2的反向输入端、二极管D1的反向输入端、电容C4的一端公共连接，电容C3另一极接地。
3.如权利要求2所述的电路，其特征在于：场效应管晶体管Q1漏极与一稳压二极管的反向输入端连接，稳压二极管的正向输入端与场效应管晶体管Q1的源极连接。
4.如权利要求3所述的电路，其特征在于：场效应管晶体管Q1为PFC功率开关MOSFET。
5.如权利要求4所述的电路，其特征在于：电容C1的电容值与场效应管晶体管Q1的S极与机壳形成的寄生电容Cm的电容值相匹配。
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