CN104716024A - 一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层。在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层，一方面很大程度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少空气中的H2O、O2以及(OH)-等物质对薄膜半导体晶体管性能的负面影响；另一方面很大程度地减少薄膜半导体晶体管表面的缺陷态，由于表面缺陷态会束缚器件中载流子的输运，导致薄膜半导体晶体管性能的恶化，所以覆盖一层有机层或者无机层之后使得薄膜半导体晶体管性能得到很大改善。
Description
技术领域
本发明涉及一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，属于半导体器件技术领域。
背景技术
氧化锌作为一种常见的金属半导体材料，具有较大的能带隙和激子束缚能，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。
非晶氧化铟镓锌(IGZO)是在ZnO材料中掺入In2O3和Ga2O3后获得的一种新型半导体材料，被广泛应用于新一代薄膜晶体管技术领域,该技术是金属氧化物Metal-Oxide面板技术的一种。
TFT(Thin Film Transistor)是指薄膜场效应晶体管，TFT液晶屏幕是指液晶面板上的每一液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管驱动，即曾经在手机领域上经常听到的“TFT屏幕”。常见的TFT驱动分类主要有a-Si TFT(非晶硅)、LTPS TFT(低温多晶硅)，IGZO TFT也属于这一范畴。
日本东京工业大学细野秀雄最先提出将非晶IGZO材料应用在TFT行业。
IGZO作为一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，其载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，大大提高了TFT对像素电极的充放电速率，提高了像素的响应速度，实现了更快的刷新率，也大大提高了像素的行扫描速率，使超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。另外，由于晶体管数量的减少和每个像素透光率的提高，IGZO显示器具有更高的能效水平，效率更高。因此，IGZO TFT具有广泛的研究和应用前景。
目前，国内外对于IGZO TFT已有很多研究报道，但大多数采用的IGZO的厚度较大，一般在50nm左右。如文献[H.Yabuta,M.Sano,K.Abe,T.Aiba,T.Deb,and H.Kumomi.High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO4channel fabricated byroom temperature rf-magnetron sputtering.Applied Physics Letters.2006,89:112123]中制备的顶栅结构的IGZO TFT，制备方法是在氩气和氧气混合的氛围中采用射频磁控溅射rf-magnetron sputter，在室温条件下沉积生长了50nm的非晶IGZO，之后同样采用射频磁控溅射的方法在不同的氩气和氧气氛围下生长了140nm的三氧化二钇作为介质层，电极部分则全部是采用电子束蒸发electron-beam evaporated的方法生长了Au(50nm)/Ti(5nm).该条件下制备所得的器件性能优良，其迁移率可以达到12cm2/Vs,电流开关比可以达到108，但是由于IGZO中的铟是一种稀缺元素，价格昂贵，所以此种方法具有很高的制备成本，不适合大量生产。
文献[L.J.Shao,K.J.Nomura,T.Kamiya,and H.Hosono.Operation Characteristicsof Thin-Film Transistors Using Very Thin Amorphous In–Ga–Zn–O Channels.Electrochemical and Solid-State Letters.2011,14(5):H197-H200]报道了具有超薄非晶IGZO沟道层的TFT的电学性能，文献中采用的是底栅结构，以具有热氧化SiO2的Si片作为衬底，利用RF磁控溅射的方法在衬底上生长一层a-IGZO作为沟道层，之后利用光刻和lift-off方法在a-IGZO上依次生长了Ti(10nm)和Au(30nm)作为源、漏电极，所有制备的器件都没有进行后期退火处理。结果显示，在非晶IGZO的厚度降到7nm甚至更低时，虽然TFT仍然具有完好的器件结构，但是其电学性能已经严重恶化，表征器件性能的关键参数即迁移率已经骤降到了0.3cm2/Vs。此种方法虽然有希望解决器件制备过程中的成本问题，但是，是以牺牲器件性能为代价的。
文献[M.Mativenga,D.Geng,J.H.Chang,T.J.Tredwell,and J.Jang.Performanceof 5-nm a-IGZO TFTs With Various Channel Lengths and an Etch Stopper Manufacturedby Back UV Exposure.IEEE Electron Device Letters.2012,33:824]中介绍了具有优良特性的IGZO只有5nm的TFT，他们的方法是把生长栅绝缘层、IGZO层以及封装层的3个腔体连接在了一起，在不破坏真空的条件下实现了器件的制备，这种方法虽然也实现了超薄IGZOTFT的优良性能，但是制备设备非常复杂，制备成本很高，很难在工业生产上实现。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明公开了一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法。
本发明的技术方案为：
一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层。
此处设计的优势在于，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层，一方面很大程度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少空气中的H2O、O2以及(OH)-等物质对薄膜半导体晶体管性能的负面影响；另一方面很大程度地减少薄膜半导体晶体管表面的缺陷态，由于表面缺陷态会束缚器件中载流子的输运，导致薄膜半导体晶体管性能的恶化，所以，覆盖一层有机层或者无机层之后使得薄膜半导体晶体管性能得到很大改善。
根据本发明优选的，所述有机层为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚酯类、聚氨脂类或缩醛类。
此处设计的优势在于，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚酯类、聚氨脂类、缩醛类绝缘涂层或绝缘漆等，涂覆或成膜性好，绝缘性好，致密耐热，对薄膜半导体晶体管无腐蚀性。
根据本发明优选的，所述无机层为SiO2或高K材料，进一步优选的，所述高K材料包括Ta2O5、HfO2、Y2O3、Si3N4、Al2O3、La2O3、TiO2。
所述高K材料包括Ta2O5、HfO2、Y2O3、Si3N4、Al2O3、La2O3、TiO2，但不限于此，其它常规的高K材料也包括在内。
根据本发明优选的，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法还包括：对覆盖一层有机层的薄膜半导体晶体管进行烘干处理。
烘干处理过程中，将有机层的溶液中的溶剂充分地挥发掉，烘干过程即为完成。
根据本发明优选的，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法还包括：对覆盖一层无机层的薄膜半导体晶体管进行退火处理。
所述薄膜半导体晶体管包括衬底、覆盖所述衬底的栅极、覆盖所述栅极的绝缘层、覆盖所述绝缘层的沟道层及在所述沟道层表面的相对两侧形成的源极和漏极。
所述薄膜半导体晶体管的栅极为Si、Al、Ti、Au中的一种或两种，所述绝缘层为SiO2或高K材料的一种或两种，所述高K材料包括：Ta2O5、HfO2、Y2O3、Si3N4、Al2O3、La2O3、TiO2，所述沟道层为a-IGZO、ZnO、GaN、P型SnO中的一种，所述源极为Al、Ti、Au中的一种或两种，所述漏极为Al、Ti、Au中的一种或两种。
所述薄膜半导体晶体管为超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管，所述衬底及栅极为Si，所述绝缘层为SiO2，所述沟道层为a-IGZO，所述源极和所述漏极均为Ti，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体步骤包括：
(1)选用重掺杂硅片作为衬底及栅极；
(2)在步骤(1)所述重掺杂硅片上生长一层具有热生长的SiO2作为绝缘层；
(3)在步骤(2)所述绝缘层上生长厚度为4—6nm的a-IGZO，形成沟道层；
(4)在步骤(3)所述a-IGZO上生长厚度为40—60nm的Ti，形成源极和漏极；
(5)后期退火；
(6)旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，再次进行退火处理,得超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管。
此处设计的优势在于，选用具有热生长的SiO2的硅片作为绝缘层，热生长的SiO2的结构致密、纯度高，厚度均匀，是一种非常优良的介质材料。
上述步骤(3)中，在射频磁控溅射仪中生长厚度为4—6nm的a-IGZO，具体是指，在功率为80—100W、氩气流量为18—22SCCM条件下，利用溅射生长a-IGZO的掩膜板溅射60—90s；进一步优选的，在射频磁控溅射仪中生长厚度为5nm的a-IGZO，具体是指，在功率为90W、氩气流量为20SCCM条件下，利用溅射生长a-IGZO的掩膜板溅射75s。
所述衬底背面设有磁铁，掩膜板通过所述磁铁吸附在所述衬底正面。
上述步骤(4)中，放入电子束蒸发设备中蒸发Ti，利用生成Ti的掩膜板在a-IGZO上生长厚度为40—60nm的Ti。
上述步骤(5)中，在温度为100—150℃空气条件下，在烘胶台上退火60—120min；进一步优选的，在温度为100℃空气条件下，在烘胶台上退火60min。
此处设计的优势在于，使a-IGZO的内部结构变得更加有序，性能改善。
上述步骤(6)中，在旋涂仪转速为3500—4500rpm条件下，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA2—3min；进一步优选的，在旋涂仪转速为4000rpm条件下，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA2min。
上述步骤(6)中，在温度为120—180℃空气条件下，在烘胶台上退火60—120min；进一步优选的，在温度为150℃空气条件下，在烘胶台上退火60min。
上述制备的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管，迁移率达到4.44cm2/Vs,电流开关比达到107量级，亚阈值摆幅达到1.74V/decade，性能优良。
本发明的有益效果为：
1、本发明在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层，一方面很大程度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少空气中的H2O、O2以及(OH)-等物质对薄膜半导体晶体管性能的负面影响；另一方面很大程度地减少薄膜半导体晶体管表面的缺陷态，由于表面缺陷态会束缚器件中载流子的输运，导致薄膜半导体晶体管性能的恶化，所以，覆盖一层有机层或者无机层之后使得薄膜半导体晶体管性能得到很大改善；
2、本发明所述有机层为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚酯类、聚氨脂类或缩醛类，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚酯类、聚氨脂类、缩醛类绝缘涂层或绝缘漆等，涂覆或成膜性好，绝缘性好，致密耐热，对薄膜半导体晶体管无腐蚀性；
3、本发明采用底栅的制备工艺，制备工艺简单、稳定，适合工业化推广；
4、本发明选用具有热生长的SiO2的硅片作为绝缘层，热生长的SiO2的结构致密、纯度高，厚度均匀，是一种非常优良的介质材料；
5、本发明采用双层掩膜板mask技术生长非晶IGZO沟道层和Ti电极，分别使用射频磁控溅射和电子束蒸发的方法生长非晶IGZO和Ti，生长过程中使用相互配套的掩膜板，有效减小了栅极漏电现象，进一步改善器件性能；
6、本发明采用IGZO表面性质优化处理工艺，在制备好的器件上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯PMMA并再次退火处理，使原本恶化的器件性能得到了很大程度的恢复，效果非常显著；
7、本发明制备的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管，迁移率达到4.44cm2/Vs,电流开关比达到107量级，亚阈值摆幅达到1.74V/decade，性能优良。
附图说明
图1为本发明所述薄膜半导体晶体管横截面示意图；
图2为本发明30nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管的输出特性曲线；图2中，横坐标VD表示源极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流；VG表示栅极电压，图2表示在VG分别为0V、10V、20V、30V、40V时，ID与VD形成的曲线关系图；其中，VG分别为0V、10V时，ID与VD形成的曲线基本重合；
图3为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在空气中150℃退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输出特性曲线；图3中，横坐标VD表示源极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流；VG表示栅极电压，图3表示在VG分别为—20V、0V、20V、40V、60V时，ID与VD形成的曲线关系图；其中，VG分别为—20V、0V、20V时，ID与VD形成的曲线基本重合；
图4为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150℃空气中退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输运特性曲线；图4中，横坐标VG表示栅极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流，VD表示源极电压；图4表示在VD为60V时，VG与ID形成的曲线关系图；
图5为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150℃空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输出特性曲线；图5中，横坐标VD表示源极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流；VG表示栅极电压，图5表示在VG分别为—20V、0V、20V、40V、60V时，ID与VD形成的曲线关系图；其中，VG分别为—20V、0V、20V时，ID与VD形成的曲线基本重合；
图6为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150℃空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输运特性曲线；图6中，横坐标VG表示栅极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流，VD表示源极电压；图6表示在VD为60V时，VG与ID形成的曲线关系图；
图7为本发明5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA之后在不同温度空气中退火之后的输运特性曲线；图7中，横坐标VG表示栅极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流，VD表示源极电压；图7表示在VD为60V时，VG与ID在不同温度空气中的曲线关系图；
图8为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150℃空气中退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输出特性曲线；图8中，横坐标VD表示源极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流；VG表示栅极电压，图8表示在VG分别为—20V、0V、20V、40V、60V时，ID与VD形成的曲线关系图；其中，VG分别为—20V、0V、20V时，ID与VD形成的曲线基本重合；
图9为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150℃空气中退火之后的没有覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输运特性曲线；图9中，横坐标VG表示栅极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流，VD表示源极电压；图9表示在VD为60V时，VG与ID在150℃空气的曲线关系图；
图10为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150℃空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输出特性曲线；图10中，横坐标VD表示源极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流；VG表示栅极电压，图10表示在VG分别为—20V、0V、20V、40V、60V时，ID与VD形成的曲线关系图；其中，VG分别为—20V、0V、20V时，ID与VD形成的曲线基本重合；
图11为本发明4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在150℃空气中退火之后的覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的输运特性曲线；图11中，横坐标VG表示栅极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流，VD表示源极电压；图11表示在VD为60V时，VG与ID的曲线关系图；
图12为本发明覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在4个月之后的输出特性曲线；图12中，横坐标VD表示源极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流；VG表示栅极电压，图12表示在VG分别为—20V、0V、20V、40V、60V时，ID与VD形成的曲线关系图；其中，VG分别为—20V、0V、20V时，ID与VD形成的曲线基本重合；
图13为本发明覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在4个月之后的输运特性曲线；图13中，横坐标VG表示栅极电压，纵坐标ID表示源极和漏极形成的回路的电流，VD表示源极电压；图13表示在VD为60V时，VG与ID的曲线关系图；
图3-图6及图8-图11表明，是否覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA对于是否改善超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管性能有非常明显的影响，覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA之后，无论是4nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管还是5nm厚度的IGZO的超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管，性能都得到了明显的改善；
图7表明，超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA之后退火温度对超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管的性能有一定程度的影响，通过比较不同的温度，得出150℃时能使超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管的性能最好；
图12-图13表明，覆盖聚甲基丙烯酸甲酯PMMA 4个月之后，超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管的性能还处于非常优良的状态具有良好的稳定性。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本发明作进一步限定，但不限于此。
实施例1
一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层。
此处设计的优势在于，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层，一方面很大程度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少空气中的H2O、O2以及(OH)-等物质对薄膜半导体晶体管性能的负面影响；另一方面很大程度地减少薄膜半导体晶体管表面的缺陷态，由于表面缺陷态会束缚器件中载流子的输运，导致薄膜半导体晶体管性能的恶化，所以覆盖一层有机层之后使得薄膜半导体晶体管性能得到很大改善。
所述有机层为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
实施例2
根据实施例1所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述有机层为聚酰亚胺。
实施例3
根据实施例1所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述有机层为光刻胶。
实施例4
根据实施例1所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述有机层为环氧树脂。
实施例5
根据实施例1所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述有机层为聚酯类。
实施例6
根据实施例1所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述有机层为聚氨脂类。
实施例7
根据实施例1所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述有机层为缩醛类。
实施例8
一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层无机层。
此处设计的优势在于，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层无机层，一方面很大程度地将薄膜半导体晶体管与外界空气隔离，极大地减少空气中的H2O、O2以及(OH)-等物质于薄膜半导体晶体管性能的负面影响；另一方面很大程度地减少薄膜半导体晶体管表面的缺陷态，由于表面缺陷态会束缚器件中载流子的输运，导致薄膜半导体晶体管性能的恶化，所以覆盖一层无机层之后使得薄膜半导体晶体管性能得到很大改善。
所述无机层为SiO2。
实施例9
根据实施例8所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述无机层为高K材料。
所述高K材料为Ta2O5。
实施例10
根据实施例8所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述无机层为高K材料。
所述高K材料为HfO2。
实施例11
根据实施例8所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述无机层为高K材料。
所述高K材料为Y2O3。
实施例12
根据实施例1-7任一所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，对覆盖一层有机层的薄膜半导体晶体管进行烘干处理。
烘干处理过程中，将有机层的溶液中的溶剂充分地挥发掉，烘干过程即为完成。
实施例13
根据实施例8-11任一所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，对覆盖一层无机层的薄膜半导体晶体管进行退火处理。
实施例14
根据实施例1所述一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其区别在于，所述薄膜半导体晶体管包括衬底、覆盖所述衬底的栅极、覆盖所述栅极的绝缘层、覆盖所述绝缘层的沟道层及在所述沟道层表面的相对两侧形成的源极和漏极。
所述薄膜半导体晶体管为超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管，所述衬底及栅极为Si，所述绝缘层为SiO2，所述沟道层为a-IGZO，所述源极和所述漏极均为Ti，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，具体步骤包括：
(1)选用重掺杂硅片作为衬底及栅极；
(2)在步骤(1)所述重掺杂硅片上生长一层具有热生长的SiO2作为绝缘层；
(3)在步骤(2)所述绝缘层上生长厚度为4—6nm的a-IGZO，形成沟道层；
(4)在步骤(3)所述a-IGZO上生长厚度为40—60nm的Ti，形成源极和漏极；
(5)后期退火；
(6)旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，再次进行退火处理,得超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管。
此处设计的优势在于，选用具有热生长的SiO2的硅片作为绝缘层，热生长的SiO2的结构致密、纯度高，厚度均匀，是一种非常优良的介质材料。
上述步骤(3)中，在射频磁控溅射仪中生长厚度为5nm的a-IGZO，具体是指，在功率为90W、氩气流量为20SCCM条件下，利用溅射生长a-IGZO的掩膜板溅射75s。
所述衬底背面设有磁铁，掩膜板通过所述磁铁吸附在所述衬底正面。
上述步骤(4)中，放入电子束蒸发设备中蒸发Ti，利用生成Ti的掩膜板在a-IGZO上生长厚度为50nm的Ti。
上述步骤(5)中，在温度为100℃空气条件下，在烘胶台上退火60min。
此处设计的优势在于，使a-IGZO的内部结构变得更加有序，性能改善。
上述步骤(6)中，在旋涂仪转速为4000rpm条件下，旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA 2min。
上述步骤(6)中，在温度为120—180℃空气条件下，在烘胶台上退火60—120min；进一步优选的，在温度为150℃空气条件下，在烘胶台上退火60min。
该超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管，迁移率达到4.44cm2/Vs,电流开关比达到107量级，亚阈值摆幅达到1.74V/decade，性能优良。
表1为超薄非晶氧化铟镓锌a-IGZO薄膜晶体管在不同的条件下的各特性参数；
表1
Claims (6)
1.一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层。
2.根据权利要求1所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述有机层为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚酯类、聚氨脂类或缩醛类。
3.根据权利要求1所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述无机层为SiO2或高K材料。
4.根据权利要求3所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述高K材料包括Ta2O5、HfO2、Y2O3、Si3N4、Al2O3、La2O3、TiO2。
5.根据权利要求2所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法还包括：对覆盖一层有机层的薄膜半导体晶体管进行烘干处理。
6.根据权利要求3所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法还包括：对覆盖一层无机层的薄膜半导体晶体管进行退火处理。
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