CN104693808A - 显影辊及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的显影辊,包括辊芯和设置于辊芯上的显影弹性层,显影弹性层由以下组份组成:气相硅胶为30至50质量份;导电剂为1至4质量份;硅原胶为10至15质量份;硫化剂,硫化剂的质量为气相硅胶、导电剂以及硅原胶总质量的0.5%至2.0%。采取上述方案,有益效果主要包括以下三个方面:1,利用硅胶材料制作显影辊,有效降低了显影材料的成本;2,保证产品尺寸稳定的同时,满足激光显影打印要求;3,实现了显影辊低成本的自主产业化生产。
Description
技术领域
本发明属于成像显影设备领域,具体涉及一种显影辊的组份及显影辊的制造方法。
背景技术
电子照相式的成像形成设备如激光打印机,是一种利用电子照相的原理,在至少经过充电、暴光、显影、转印、定影、清洁的过程后,在图像形成介质如纸张上形成图像的设备。成像设备上使用的容易消耗的材料通称为打印耗材。
通常,显影过程所消耗的碳粉一般由碳粉盒提供,当碳粉盒内的碳粉用完后,就需要更换新的碳粉盒。现有的碳粉盒中,除了碳粉以外,还具有多个零部件,碳粉盒还包括容纳碳粉的粉仓、在粉仓上与显影单元配合的驱动部件、显影辊、出粉刀、传动齿轮、碳粉盒端盖上的导电触点以及包含感光鼓的显影组件。
电子照相图像形成设备的显影辊主要由显影弹性层和内部辊芯部件两部分组成。
目前,市场上常见的一种显影辊弹性层的主要制造材料是氯醚橡胶,然而,使用这种材料制造的显影辊价格昂贵,并且这种显影辊的加工温度比较高,由此导致显影辊的生产成本提高,从而影响整个图像形成设备的价格,同时也会相应造成终端用户的使用负担。
另外,显影辊对打印品质的稳定性影响很大,在工作时静电堆积会影响打印效果和使用寿命,因此,在本领域中,亟需通过优化导电橡胶材料的配方,开发一种新的显影辊的弹性层的组份材料,以提升打印品质。
发明内容
基于现有技术中显影辊存在的问题,本发明的第一目的是提供一种显影辊,本发明的另一目的是提供显影辊的制造方法。
本发明提供的显影辊,包括辊芯和设置于辊芯上的显影弹性层,显影弹性层由以下组份组成:气相硅胶为30至50质量份;导电剂为1至4质量份;硅原胶为10至15质量份;硫化剂,硫化剂的质量为气相硅胶、导电剂以及硅原胶总质量的0.5%至2.0%。
采取上述方案,有益效果主要包括以下三个方面:1、利用硅胶材料制作显影辊,有效降低了显影材料的成本;2、保证产品尺寸稳定的同时,满足激光显影打印要求;3、实现了显影辊低成本的自主产业化生产。
一个优选的方案是,导电剂为导电炭黑。
采取上述方案,导电剂可以是导电炭黑、石墨粉末、碳纤维、铝、铜或镍的金属粉末,还可以是金属氧化物如氧化锡、氧化铁或氧化锌等粉末,还可以是导电玻璃粉末,这些导电材料可以单独使用或者混合后使用。综合考虑采购成本和保证导电效果的情况下,导电剂选择导电炭黑为优选方案。
一个优选的方案是,硅原胶为甲基乙烯基硅原胶。
采取上述方案,在显影辊的显影弹性层的制作过程中,中间熔融的物质很容易粘连在螺杆上,这种问题有的时候会严重影响产品的正常生产,而甲基乙烯基硅原胶具有良好的润滑效果,能够避免熔融的中间物质粘连在螺杆上的问题。
一个优选的方案是,气相硅胶的型号为CHN-6400U。
采取上述方案,导电剂例如导电炭黑的粒径很小,比表面积非常大,而型号为CHN-6400U气相硅胶分散效果优异,能够显著提高混炼过程中的分散效果,保持多种成分最终形成均一的相。
本发明提供的显影辊的制造方法,包括以下步骤:将30至50质量份的气相硅胶、1至4质量份的导电剂以及10至15质量份的硅原胶投入至捏合机中,然后加热至120℃至180℃,抽真空后,经过第一次混炼得到基材;将基材冷却后,在三辊研磨机上进行薄通;经过薄通过程后,将基材放置在开练机中,加入硫化剂进行第二次混炼得到胶料,硫化剂加入的质量为气相硅胶、导电剂以及硅原胶加入总质量的0.5%至2.0%;将胶料放入挤出机中,胶料在挤出机进行挤出过程后得到胶管,使用穿管机将辊芯穿过胶管;放入烘箱中进行烘烤;进行第二次硫化;使用研磨机对胶管的外表面进行研磨。
一个优选的方案是,依次序将导电剂、硅原胶和气相硅胶加入至捏合机内。
一个优选的方案是,抽真空的时间持续为20分钟至50分钟;第一次混炼过程的时间持续为20分钟至60分钟;第二次混炼过程的时间持续为10分钟至15分钟。
一个优选的方案是,经过冷却过程后,基材的温度在40℃以下;薄通的次数为1至3次。
一个优选的方案是,挤出机的转速为20转每分钟至80转每分钟,烘道速度为10米每分钟至30米每分钟。
一个优选的方案是,烘箱的温度设定在150℃至200℃,烘烤的时间持续0.5小时至4小时,第二次硫化持续时间为10分钟至60分钟,研磨时间持续为18至22分钟。
具体实施方式
第一实施例:
将1重量份的导电剂、10重量份的硅原胶、30重量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.26重量份的硫化剂进一步混练10分钟至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿如上述胶管内。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊,在辊芯外侧形成显影弹性层。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第二实施例:
将2重量份的导电剂、13重量份的硅原胶、35重量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.5重量份的硫化剂进一步混练15分钟以上。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
由上述方法制成的显影辊,包括辊芯和设置于辊芯上的显影弹性层,显影弹性层由以下组份组成:气相硅胶为35质量份;导电剂为2质量份;硅原胶为13质量份;硫化剂为0.5质量份。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第三实施例:
将3重量份的导电剂、14重量份的硅原胶、40重量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.57重量份的硫化剂进一步混练10至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,并把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第四实施例:
将4重量份的导电剂、15重量份的硅原胶、50重量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入1.38重量份的硫化剂进一步混练10至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第五实施例:
将1量份的导电剂、14量份的硅原胶、30量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.23重量份的硫化剂进一步混练10至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第六实施例:
将1量份的导电剂、15量份的硅原胶、30量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.46重量份的硫化剂进一步混练10至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第七实施例:
将1量份的导电剂、15量份的硅原胶、40量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.28重量份的硫化剂进一步混练10至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第八实施例:
将1量份的导电剂、15量份的硅原胶、50量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.33重量份的硫化剂进一步混练10至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
第九实施例:
将1量份的导电剂、15量份的硅原胶、50量份的气相硅胶依次投入到捏合机中,加热至120℃,抽真空20分钟,混练30分钟后得到基材。然后把基材在三辊研磨机上薄通1至3次,把薄通后的材料放置在开炼机中,并加入0.33重量份的硫化剂进一步混练10至15分钟。将混练好的胶料放入挤出机中,挤出机的转速设定为20至80转每分钟(rpm),烘道速度为10至30米每分钟(m/min),在挤出机中挤出胶管,同时,使用穿管机把准备好的辊芯穿上胶管。把穿过胶管的辊芯放入烘箱内,烘箱温度设定为150至200℃,烘烤时间设定为0.5小时至4小时。
随后,再进行第二次硫化,时间持续为10至60分钟。最后,把硫化后的辊芯在研磨机上研磨20分钟后切除辊芯两端多余的材料就得到需要的显影辊。
本实施例的导电剂还可以包括相容剂,例如采用捷克A导电碳黑;气相硅胶采用CHN-6400U;硅原胶采用甲基乙稀基硅原胶110-2S。
最后需要说明的是,本发明不限于上述的实施方式,诸如辊芯采用不锈钢、工程塑料等方案也在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (10)
1.显影辊,包括辊芯和设置于所述辊芯上的显影弹性层,其特征在于,所述显影弹性层由以下组份组成:
气相硅胶 30至50质量份;
导电剂 1至4质量份;
硅原胶 10至15质量份;
硫化剂,所述硫化剂的质量为所述气相硅胶、所述导电剂以及所述硅原胶总质量的0.5%至2.0%。
2. 根据权利要求1所述的显影辊,其特征在于:
所述导电剂为导电炭黑。
3. 根据权利要求1所述的显影辊,其特征在于:
所述硅原胶为甲基乙烯基硅原胶。
4. 根据权利要求1至3任一项所述的显影辊,其特征在于:
所述气相硅胶的型号为CHN-6400U。
5. 显影辊的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
将30至50质量份的气相硅胶、1至4质量份的导电剂以及10至15质量份的硅原胶投入至捏合机中,然后加热至120℃至180℃,抽真空后,经过第一次混炼得到基材;
将所述基材冷却后,在三辊研磨机上进行薄通;
经过所述薄通过程后,将所述基材放置在开练机中,加入硫化剂进行第二次混炼得到胶料,所述硫化剂加入的质量为所述气相硅胶、所述导电剂以及所述硅原胶加入总质量的0.5%至2.0%;
将所述胶料放入挤出机中,所述胶料在所述挤出机进行挤出过程后得到胶管,使用穿管机将辊芯穿过所述胶管;
放入烘箱中进行烘烤;
进行第二次硫化;
使用研磨机对胶管的外表面进行研磨。
6. 根据权利要求5所述显影辊的制造方法,其特征在于:
依次序将所述导电剂、所述硅原胶和所述气相硅胶加入至所述捏合机内。
7. 根据权利要求5所述显影辊的制造方法,其特征在于:
所述抽真空的时间持续为20分钟至50分钟;所述第一次混炼过程的时间持续为20分钟至60分钟;所述第二次混炼过程的时间持续为10分钟至15分钟。
8. 根据权利要求5所述显影辊的制造方法,其特征在于:
经过所述冷却过程后,所述基材的温度在40℃以下;所述薄通的次数为1至3次。
9. 根据权利要求5所述显影辊的制造方法,其特征在于:
所述挤出机的转速为20转每分钟至80转每分钟,烘道速度为10米每分钟至30米每分钟。
10. 根据权利要求5至9任一项所述显影辊的制造方法,其特征在于:
所述烘箱的温度设定在150℃至200℃,烘烤的时间持续0.5小时至4小时,所述第二次硫化持续时间为10分钟至60分钟,所述研磨时间持续为18至22分钟。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150610 |